KR101938041B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101938041B1
KR101938041B1 KR1020160150288A KR20160150288A KR101938041B1 KR 101938041 B1 KR101938041 B1 KR 101938041B1 KR 1020160150288 A KR1020160150288 A KR 1020160150288A KR 20160150288 A KR20160150288 A KR 20160150288A KR 101938041 B1 KR101938041 B1 KR 101938041B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid processing
processing unit
gas
unit
individual
Prior art date
Application number
KR1020160150288A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170056459A (ko
Inventor
마사후미 마에다
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20170056459A publication Critical patent/KR20170056459A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101938041B1 publication Critical patent/KR101938041B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C15/00—Enclosures for apparatus; Booths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 기판에 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 유닛과, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치되고, 1개의 액 처리 유닛에만 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 복수의 개별 급기부를 구비하고 있다. 액 처리 유닛은, 기판에 처리액을 공급하는 액 처리를 행한다. 개별 급기부는, 액 처리 유닛마다 설치된다. 개별 급기부는, 대응하는 액 처리 유닛에만 기체를 공급한다. 개별 급기부는, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 조정 가능하다. 따라서, 액 처리 유닛마다, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 바꿀 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 광 디스크용 기판 등(이하, 간단히 기판이라고 칭한다)을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 이러한 종류의 장치로서, 처리부와 기체 공급부와 기체 배출부를 구비하는 장치가 있다. 처리부는, 수평 방향으로 늘어서는 제1 처리 유닛과 제2 처리 유닛을 구비한다. 기체 공급부는, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛에 일괄하여 기체를 공급한다. 기체 배출부는, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛으로부터 일괄하여 기체를 배출한다.
기체 공급부는, 급기 댐퍼와 급기 유닛을 구비한다. 급기 댐퍼는, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 일률적으로 조정한다. 급기 유닛은, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛의 양쪽에 기체를 취출한다.
기체 배출부는, 배기 유닛과 배기 댐퍼를 구비한다. 배기 유닛은, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛의 양쪽으로부터 기체를 배출한다. 배기 댐퍼는, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 일률적으로 조정한다(예를 들면, 일본 특허공개 2010-87116호 공보에 개시된다).
일본 특허공개 2010-87116호 공보
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
제1 처리 유닛에 공급하는 기체의 공급량과 제2 처리 유닛에 공급하는 기체의 공급량을 개별로 변경할 수 없다. 제1 처리 유닛에 대한 기체의 공급량과 제2 처리 유닛에 대한 기체의 공급량은, 언제나 동일하다. 다만, 제1 처리 유닛이 기판에 처리를 행하는 타이밍과 제2 처리 유닛이 기판에 처리를 행하는 타이밍은, 동일하다고는 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 처리 유닛은 제1 기간에 있어서 기판에 처리를 행하고, 제2 처리 유닛은 제1 기간으로부터 어긋난 제2 기간에 있어서 기판에 처리를 행하는 경우도 있다. 제1 기간과 제2 기간이 어긋나 있는 경우, 제1 처리 유닛과 제2 처리 유닛의 쌍방에 적시에 적량의 기체를 공급하는 것이 곤란하다. 왜냐하면, 제1 처리 유닛에 대한 기체의 공급량과 제2 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 개별로 변경할 수 없기 때문이다. 이 때문에, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛의 각 처리 품질을 향상시키는 것이 곤란하다.
동일하게, 제1 처리 유닛으로부터 배출하는 기체의 배출량과 제2 처리 유닛으로부터 배출하는 기체의 배출량을 개별로 변경할 수 없다. 이 때문에, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛의 각 처리 품질을 향상시키는 것이 곤란하다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 복수의 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 각각 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 본 발명은, 기판 처리 장치로서, 상기 기판 처리 장치는, 기판에 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 유닛과, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치되고, 1개의 상기 액 처리 유닛에만 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 복수의 개별 급기부를 구비한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 액 처리 유닛과, 복수의 개별 급기부를 구비한다. 개별 급기부는, 각 액 처리 유닛마다 설치된다. 각 개별 급기부는, 어느 1개의 액 처리 유닛에 관련된다. 액 처리 유닛은 기판에 액 처리를 행한다. 액 처리는, 기판에 처리액을 공급하여 행하는 처리이다. 개별 급기부는, 그 개별 급기부에 대응하는 액 처리 유닛에만 기체를 공급한다. 또한, 개별 급기부는, 그 개별 급기부에 대응하는 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 조정 가능하다. 따라서, 액 처리 유닛마다, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 바꿀 수 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛에 대하여, 적절한 타이밍에, 적절한 양의 기체를 공급할 수 있다. 따라서, 각 액 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 급기부는, 상기 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 조정하는 급기 조정부를 구비하는 것이 바람직하다. 개별 급기부는 급기 조정부를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 적합하게 조정할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서도록 배치되는 복수의 상기 액 처리 유닛으로 구성되는 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치되고, 상기 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 상기 개별 급기부에만 기체를 분배하는 분배관을 구비하는 것이 바람직하다. 서로 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 액 처리 유닛은, 1개의 액 처리 유닛군을 구성한다. 분배관은, 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치된다. 각 분배관은, 어느 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 그 결과, 각 분배관은, 1개의 액 처리 유닛군에 속하는 복수의 액 처리 유닛 및 이들 복수의 액 처리 유닛에 기체를 공급하는 복수의 개별 급기부에 관련된다. 각 분배관은, 그 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부에만 기체를 분배한다. 예를 들면, 각 분배관은, 그 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부와만 접속한다. 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부는 각각, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 액 처리 유닛에 기체를 공급한다. 따라서, 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 개별 급기부의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 일부 개별 급기부에 있어서의 기체의 공급량에 기인하여, 다른 개별 급기부에 있어서의 기체의 공급량이 변동하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 일부 개별 급기부에 있어서의 기체의 공급량을 의도적으로 변경했을 때에, 다른 개별 급기부의 기체의 공급량이 의도치 않게 변동해 버리는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 또한, 분배관은 복수의 개별 급기부에 기체를 분배하기 때문에, 개별 급기부를 소형화할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 복수의 상기 개별 급기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 분리되어 있는 것이 바람직하다. 환언하면, 복수의 상기 개별 급기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 직접적 또는 간접적으로 접속하고 있지 않는 것이 바람직하다. 이러한 개별 급기부의 구성에 의하면, 개별 급기부가 급기 조정부를 구비하는지 여부에 상관없이, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 액 처리 유닛마다 적합하게 변경할 수 있다. 예를 들면, 만일 개별 급기부가 급기 조정부를 구비하지 않는 경우라도, 외부 기기를 이용하여, 개별 급기부에 있어서의 기체의 공급량을 개별 급기부마다 조정할 수 있다. 이에 따라, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 액 처리 유닛마다 변경할 수 있다. 여기서, 외부 기기란, 예를 들면, 기판 처리 장치의 외부에 설치되어, 기체를 공급하기 위한 급기용 외부 기기이다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 급기부는, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 급기 포트와, 상기 급기 포트에 연결되고, 기체를 통하게 하는 급기관을 구비하는 것이 바람직하다. 개별 급기부는 개별 급기 포트를 구비하기 때문에, 개별 급기부는 외부 기기와 용이하게 접속할 수 있다. 개별 급기부는 급기관을 구비하기 때문에, 개별 급기부는 외부 기기에 의해서 공급된 기체를 액 처리 유닛에 적합하게 보낼 수 있다. 여기서, 외부 기기는, 보다 엄밀하게 말하면, 급기용 외부 기기이다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 개별 급기부에 개별로 접속되고, 1개의 상기 액 처리 유닛에만 기체를 취출하는 복수의 취출 유닛을 구비하는 것이 바람직하다. 각 취출 유닛은, 어느 1개의 개별 급기부와만 접속한다. 각 개별 급기부는, 그 개별 급기부에 접속되는 1개의 취출 유닛에 기체를 공급한다. 각 취출 유닛은, 어느 1개의 액 처리 유닛에만 기체를 취출한다. 따라서, 각 액 처리 유닛에 기체를 적합하게 공급할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 급기부는, 상기 취출 유닛과 접속하는 급기관을 구비하고, 대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 상기 취출 유닛의 각각과 접속하는 복수의 상기 급기관은, 상기 취출 유닛으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장되어 있는 것이 바람직하다. 각 개별 급기부의 급기관은, 그 개별 급기부에 대응하는 취출 유닛과만 접속한다. 이에 따라, 개별 급기부는 취출 유닛과 적합하게 접속할 수 있다. 복수의 취출 유닛이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우, 이들 복수의 취출 유닛과 접속하는 복수의 급기관은, 취출 유닛으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장된다. 이에 따라, 복수의 개별 급기부가 근접하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 복수의 취출 유닛이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 경우라도, 복수의 개별 급기부의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.
또한, 급기관과 취출 유닛은, 직접적으로 접속해도 되고, 간접적으로 접속해도 된다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 개별 급기부가 액 처리 유닛에 공급하는 기체의 공급량을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 각 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 개별로 변화시키는 것이 바람직하다. 제어부는, 개별 급기부에 있어서의 기체의 공급량을 개별 급기부마다 제어한다. 이에 따라, 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 액 처리 유닛마다 변화시킨다. 이 때문에, 각 액 처리 유닛이 기판에 행하는 액 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 제어부는, 상기 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 변화시키는 것이 바람직하다. 액 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 한층 더 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치되고, 1개의 상기 액 처리 유닛만으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 개별 배기부를 구비하는 것이 바람직하다. 기판 처리 장치는 개별 배기부를 구비한다. 개별 배기부는, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치된다. 따라서, 기판 처리 장치는 복수의 개별 배기부를 구비한다. 각 개별 배기부는, 어느 1개의 액 처리 유닛에 관련된다. 개별 배기부는, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛만으로부터 기체를 배출한다. 또한, 개별 배기부는, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 조정 가능하다. 따라서, 액 처리 유닛마다, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 바꿀 수 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛으로부터, 적절한 타이밍에서, 적절한 양의 기체를 배출할 수 있다. 따라서, 각 액 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 복수의 상기 액 처리 유닛을 수용하는 챔버를 구비하고, 동일한 상기 챔버에 수용되는 각 액 처리 유닛은, 기판에 동종의 액 처리를 행하는 것이 바람직하다. 기판 처리 장치는 챔버를 구비한다. 챔버는, 복수의 액 처리 유닛을 수용한다. 동일한 챔버 내에 배치되는 복수의 액 처리 유닛은, 기판에 동종의 액 처리를 행한다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다. 여기서, 「동종의 액 처리」란, 예를 들면, 동종의 처리액을 기판에 공급하는 처리이다.
본 발명은, 기판 처리 장치로서, 상기 기판 처리 장치는, 기판에 액 처리를 행하는 복수의 액 처리 유닛과, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치되고, 1개의 상기 액 처리 유닛만으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 개별 배기부를 구비한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 액 처리 유닛과, 복수의 개별 배기부를 구비한다. 액 처리 유닛은 액 처리를 행한다. 액 처리는, 기판에 처리액을 공급하여 행하는 처리이다. 개별 배기부는, 각 액 처리 유닛에 대응하여 개별로 설치된다. 각 개별 배기부는, 어느 1개의 액 처리 유닛에 관련된다. 각 개별 배기부는, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛만으로부터 기체를 배출한다. 또한, 개별 배기부는, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 조정 가능하다. 따라서, 액 처리 유닛마다, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 바꿀 수 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛으로부터, 적절한 타이밍에서, 적절한 양의 기체를 배출할 수 있다. 따라서, 각 액 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 배기부는, 상기 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 조정하는 배기 조정부를 구비하는 것이 바람직하다. 개별 배기부는 배기 조정부를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 적합하게 조정할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서도록 배치되는 복수의 상기 액 처리 유닛으로 구성되는 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치되고, 상기 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 상기 개별 배기부로부터만 기체를 회수하는 집합관을 구비하는 것이 바람직하다. 서로 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 액 처리 유닛은, 1개의 액 처리 유닛군을 구성한다. 집합관은, 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치된다. 집합관은, 어느 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 그 결과, 각 집합관은, 1개의 액 처리 유닛군에 속하는 복수의 액 처리 유닛 및 이들 복수의 액 처리 유닛으로부터 기체를 배출하는 복수의 개별 배기부에 관련된다. 각 집합관은, 그 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부로부터만 기체를 회수한다. 예를 들면, 집합관은, 그 집합관에 대응하는 복수의 상기 개별 배기부와만 접속한다. 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부는 각각, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 액 처리 유닛으로부터 기체를 배출한다. 따라서, 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 개별 배기부의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 일부 개별 배기부에 있어서의 기체의 배출량에 기인하여, 다른 개별 배기부에 있어서의 기체의 배출량이 변동하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 일부 개별 배기부에 있어서의 기체의 배출량을 의도적으로 변경했을 때에, 다른 개별 배출부에 있어서의 기체의 배출량이 의도치않게 변동해 버리는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 또한, 집합관은 복수의 개별 배기부로부터 기체를 회수하기 때문에, 개별 배기부를 소형화할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 복수의 상기 개별 배기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 분리되어 있는 것이 바람직하다. 환언하면, 복수의 상기 개별 배기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 직접적 또는 간접적으로 접속하고 있지 않은 것이 바람직하다. 이러한 개별 배기부의 구성에 의하면, 개별 배기부가 배기 조정부를 구비하는지 여부에 상관없이, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 액 처리 유닛마다 적합하게 변경할 수 있다. 예를 들면, 만일 개별 배기부가 배기 조정부를 구비하지 않는 경우라도, 외부 기기를 이용하여, 개별 배기부에 있어서의 기체의 배출량을 개별 배기부마다 조정할 수 있다. 이에 따라, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 액 처리 유닛마다 적합하게 변경할 수 있다. 여기서, 외부 기기란, 예를 들면, 기판 처리 장치의 외부에 설치되고, 기체를 배출하기 위한 배기용 외부 기기이다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 배기부는, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 배기 포트와, 상기 배기 포트에 연결되고, 기체를 통하게 하는 배기관을 구비하는 것이 바람직하다. 개별 배기부는 개별 배기 포트를 구비하기 때문에, 개별 배기부는 외부 기기와 용이하게 접속할 수 있다. 개별 배기부는 배기관을 구비하기 때문에, 개별 배기부는 액 처리 유닛으로부터 배출된 기체를 외부 기기에 적합하게 보낼 수 있다. 여기서, 외부 기기는, 보다 엄밀하게 말하면, 배기용 외부 기기이다.
상술한 발명에 있어서, 상기 액 처리 유닛은, 기판에 처리를 행할 때에 기판의 측방을 둘러싸는 컵을 구비하고, 상기 개별 배기부는, 상기 컵 내의 기체를 배출하는 것이 바람직하다. 각 개별 배기부는, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛의 컵의 기체만을 배출한다. 이에 의하면, 개별 배기부는, 액 처리 유닛으로부터 기체를 적합하게 배출할 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 개별 배기부는, 상기 컵과 접속하는 배기관을 구비하고, 대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 상기 컵의 각각과 접속하는 복수의 상기 배기관은, 상기 컵으로부터 서로 상이한 방향을 향해 연장되어 있는 것이 바람직하다. 각 개별 배기부의 배기관은, 그 개별 배기부에 대응하는 액 처리 유닛의 컵과만 접속한다. 이에 따라, 개별 배기부는 컵과 적합하게 접속할 수 있다. 복수의 컵이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우, 이들 복수의 컵과 접속하는 복수의 개별 배기부는, 컵으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장된다. 이에 따라, 복수의 개별 배기부가 근접하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 복수의 컵이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 경우라도, 복수의 개별 배기부의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.
또한, 배기관과 컵은, 직접적으로 접속해도 되고, 간접적으로 접속하지 않아도 된다.
상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 개별 배기부가 액 처리 유닛으로부터 배출하는 기체의 배출량을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 각 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 개별로 변화시키는 것이 바람직하다. 제어부는, 개별 배기부에 있어서의 기체의 배출량을 개별 배기부마다 제어한다. 이에 따라, 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 액 처리 유닛마다 변화시킨다. 이 때문에, 각 액 처리 유닛이 기판에 행하는 액 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
상술한 발명에 있어서, 상기 제어부는, 상기 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 변화시키는 것이 바람직하다. 액 처리 유닛에 있어서의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 명세서는, 다음과 같은 기판 처리 장치에 따른 발명도 개시한다.
(1) 상술한 발명에 있어서, 상기 분배관은, 상기 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향으로 연장되도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 (1)에 기재된 발명에 의하면, 동일한 액 처리 유닛군에 속하는 각 액 처리 유닛은, 그 액 처리 유닛군에 대응하는 분배관에 대하여 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 동일한 액 처리 유닛군에 속하는 각 액 처리 유닛은, 그 액 처리 유닛군에 대응하는 분배관으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 동일한 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 개별 급기부의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
(2) 상술한 발명에 있어서, 상기 집합관은, 상기 액 처리 유닛군의 측방에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 (2)에 기재된 발명에 의하면, 동일한 액 처리 유닛군에 속하는 각 액 처리 유닛은, 그 액 처리 유닛군에 대응하는 집합관에 대하여, 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 동일한 액 처리 유닛군에 속하는 각 액 처리 유닛은, 그 액 처리 유닛군에 대응하는 집합관으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 동일한 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 개별 배기부의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
(3) 상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서도록 배치되는 복수의 상기 취출 유닛으로 구성되는 취출 유닛군에 대응하여 개별로 설치되고, 상기 취출 유닛군에 대응하는 복수의 상기 개별 급기부에만 기체를 분배하는 분배관을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 (3)에 기재된 발명에 의하면, 서로 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 취출 유닛은, 1개의 취출 유닛군을 구성한다. 분배관은, 취출 유닛군에 대응하여 개별로 설치된다. 각 분배관은, 어느 1개의 취출 유닛군에 관련된다. 그 결과, 각 분배관은, 1개의 취출 유닛군에 속하는 복수의 취출 유닛 및 이들 복수의 취출 유닛과 접속하는 복수의 개별 급기부에 관련된다. 각 분배관은, 그 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부에만 기체를 분배한다. 예를 들면, 각 분배관은, 그 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부만과 접속한다. 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부는 각각, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 취출 유닛에 기체를 공급한다. 따라서, 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 개별 급기부의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 동일한 분배관에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.
(4) 상술한 발명에 있어서, 상기 분배관은, 상기 취출 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향으로 연장되도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 (4)에 기재된 발명에 의하면, 동일한 취출 유닛군에 속하는 각 취출 유닛은, 그 취출 유닛군에 대응하는 분배관에 대하여, 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 동일한 취출 유닛군에 속하는 각 취출 유닛은, 그 취출 유닛군에게 대응하는 분배관으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 동일한 취출 유닛군에 대응하는 복수의 개별 급기부의 사이에서, 개별 급기부의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
(5) 상술한 발명에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서도록 배치되는 복수의 상기 컵으로 구성되는 컵군에 대응하여 개별로 설치되고, 상기 컵군에 대응하는 복수의 상기 개별 배기부로부터만 기체를 회수하는 집합관을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 (5)에 기재된 발명에 의하면, 서로 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 컵은, 1개의 컵군을 구성한다. 집합관은, 어느 1개의 컵군에 관련된다. 그 결과, 각 집합관은, 1개의 컵군에 속하는 복수의 컵, 및, 이들 복수의 컵과 접속하는 복수의 개별 배기부에 관련된다. 각 집합관은, 그 집합관에 대응하는 개별 배기부만으로부터 기체를 회수한다. 예를 들면, 각 집합관은, 그 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부만과 접속한다. 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부는 각각, 대략 상하 방향으로 1열로 늘어서는 복수의 컵 내의 기체를 배출한다. 따라서, 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 개별 배기부의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 동일한 집합관에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.
(6) 상술한 발명에 있어서, 상기 집합관은, 상기 컵군의 측방에 있어서 상하 방향으로 연장되도록 설치되는 것이 바람직하다.
상기 (6)에 기재된 발명에 의하면, 동일한 컵군에 속하는 각 컵은, 그 컵군에 대응하는 집합관에 대하여, 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한 동일한 컵군에 속하는 각 컵은, 그 컵군에 대응하는 집합관으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 동일한 컵군에 대응하는 복수의 개별 배기부의 사이에서, 개별 배기부의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
(7) 상술한 발명에 있어서, 상기 제어부는, 각 액 처리 유닛의 동작에 따라서, 각 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 개별로 변화시키는 것이 바람직하다.
상기 (7)에 기재된 발명에 의하면, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다. 여기서, 「액 처리 유닛의 동작」이란, 예를 들면, 액 처리 유닛이 기판에 액 처리를 행하는 것이나, 액 처리 유닛이 기판에 액 처리를 행하지 않고 대기하는 것을 포함한다. 또한, 「액 처리 유닛이 기판에 액 처리를 행하는 것」이란, 예를 들면, 액 처리 유닛이 액 처리를 개시하는 것, 액 처리 유닛이 액 처리를 종료하는 것, 액 처리를 개시하고 나서 액 처리를 종료할 때까지의 사이에 있어서의 액 처리 유닛의 각종 동작을 포함한다. 「액 처리 유닛이 대기하는 것」이란, 예를 들면, 액 처리 유닛에 대하여 기판을 반입하는 것, 액 처리 유닛으로부터 기판을 반출하는 것, 액 처리 유닛의 기판을 교체하는 것, 액 처리 유닛이 정지(靜止)/정지(停止)하는 것 등을 포함한다.
(8) 상술한 발명에 있어서, 상기 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때, 상기 제어부는, 액 처리의 개시 시각으로부터의 경과 시간 및 액 처리의 처리 조건의 적어도 어느 하나에 의거하여, 상기 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 변화시키는 것이 바람직하다.
상기 (8)에 기재된 발명에 의하면, 적절한 타이밍에서 적절한 양의 기체를 액 처리 유닛에 공급할 수 있다. 여기서, 「액 처리의 처리 조건」은, 예를 들면, 처리액의 토출 타이밍, 처리액의 토출량, 기판의 회전 속도 등이다.
(9) 상술한 발명에 있어서, 상기 제어부는, 각 액 처리 유닛의 동작에 따라서, 각 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 개별로 변화시키는 것이 바람직하다.
상기 (9)에 기재된 발명에 의하면, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
(10) 상술한 발명에 있어서, 상기 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때, 상기 제어부는, 액 처리의 개시 시각으로부터의 경과 시간 및 액 처리의 처리 조건 중 적어도 어느 하나에 의거하여, 상기 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 변화시키는 것이 바람직하다.
상기 (10)에 기재된 발명에 의하면, 적절한 타이밍에서 적절한 양의 기체를 액 처리 유닛으로부터 배출할 수 있다.
※ 발명을 설명하기 위해서 현재 적합하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아닌 것을 이해하기 바란다.
도 1은 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 화살표 a-a에서 본 측면도이다.
도 3은 도 1에 있어서의 화살표 b-b에서 본 정면도이다.
도 4는 도 1에 있어서의 화살표 c-c에서 본 측면도이다.
도 5는 도 1에 있어서의 화살표 d-d에서 본 측면도이다.
도 6은 주반송 기구의 사시도이다.
도 7은 액 처리 유닛, 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다.
도 8은 액 처리 유닛에 대한 급기·배기의 계통도이다.
도 9는 기판 처리 장치의 제어 블록도이다.
도 10은 기판의 반송 경로를 예시하는 도면이다.
도 11은 각 반송 기구가 액세스하는 재치부 및 처리 유닛의 순서를 예시하는 도면이다.
도 12는 액 처리 유닛의 동작과, 액 처리 유닛에 관련된 기체의 공급량 및 배출량의 관계를 예시하는 타이밍 차트이다.
도 13은 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다.
도 14는 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다.
도 15는 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
<기판 처리 장치의 개요>
도 1은 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 처리를 행한다. 여기서, 「기판(W)」이란, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판 등(이하, 간단히 기판이라고 칭한다)을 말한다.
기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(11)와 처리부(17)와 인터페이스부(19)를 구비한다. 인덱서부(11)는, 처리부(17)와 접속한다. 인덱서부(11)는 처리부(17)에 기판(W)을 공급한다. 처리부(17)는 기판(W)에 처리액을 공급하는 액 처리 등을 행한다. 인터페이스부(19)는 처리부(17)와 접속한다. 인터페이스부(19)는, 또한 기판 처리 장치(1)와는 별체의 노광기(EXP)와 접속한다. 인터페이스부(19)는, 처리부(17)와 노광기(EXP)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 노광기(EXP)는, 기판(W)에 노광 처리를 행한다.
인덱서부(11), 처리부(17), 인터페이스부(19) 및 노광기(EXP)는, 이 순서로, 1열로 늘어서도록 배치된다.
본 명세서에서는, 인덱서부(11), 처리부(17) 및 인터페이스부(19)가 늘어서는 방향을 「전후 방향(X)」으로 부른다. 전후 방향(X)은 수평이다. 특히, 인터페이스부(19)로부터 인덱서부(11)를 향하는 방향을 「전방(XF)」으로 부르고, 전방(XF)과는 반대의 방향을 「후방(XB)」으로 부른다. 전후 방향(X)과 직교하는 수평인 방향을, 「폭 방향(Y)」으로 부른다. 또한, 「폭 방향(Y)」의 한방향을 적절히 「우방(YR)」으로 부르고, 우방(YR)과는 반대의 타방향을 「좌방(YL)」으로 부른다. 수직인 방향을 「상하 방향(Z)」으로 부른다. 전후 방향(X)과 폭 방향(Y)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「측방」또는 「수평 방향」으로 기재한다.
처리부(17)는, 2개의 처리 블록(BA, BB)을 구비한다. 처리 블록(BA, BB)은 각각, 기판(W)에 액 처리 등을 행한다. 처리 블록(BA)과 처리 블록(BB)은, 서로 전후 방향(X)으로 늘어서도록 배치된다. 처리 블록(BA)은 처리 블록(BB)의 전방(XF)에 배치된다. 처리 블록(BA)과 처리 블록(BB)은 접속한다. 처리 블록(BA)과 처리 블록(BB)은 상호 기판(W)을 반송 가능하다. 인덱서부(11)는, 처리 블록(BA)과 접속한다. 인터페이스부(19)는, 처리 블록(BB)과 접속한다.
<인덱서부(11)>
도 1, 도 2를 참조한다. 도 2는, 도 1에 있어서의 화살표 a-a에서 본 측면도이다.
인덱서부(11)는, 캐리어 재치부(12)와 반송 스페이스(AID)와 인덱서용 반송 기구(TID)를 구비한다.
캐리어 재치부(12)는 캐리어(C)를 재치한다. 캐리어(C)는, 예를 들면 도시하지 않는 외부 반송 기구에 의해서 캐리어 재치부(12) 상에 반송된다. 캐리어(C)는, 복수매의 기판(W)을 수용한다. 캐리어(C)는, 예를 들면 FOUP(front opening unified pod)이다.
반송 스페이스(AID)는, 캐리어 재치부(12)의 후방(XB)에 배치된다. 반송 스페이스(AID)에는, 인덱서용 반송 기구(TID)가 설치된다. 인덱서용 반송 기구(TID)는, 캐리어(C)로부터 기판(W)을 반출하고, 또한, 캐리어(C)에 기판(W)을 반입한다. 또한, 인덱서용 반송 기구(TID)는, 처리부(17)에 기판(W)을 건네고, 또한, 처리부(17)로부터 기판(W)을 수취한다.
인덱서용 반송 기구(TID)는, 이른바 반송 로봇이다. 예를 들면, 인덱서용 반송 기구(TID)는, 기판(W)을 유지하는 2개의 핸드(13)와, 각 핸드(13)를 구동하는 핸드 구동 기구(14)를 구비한다. 각 핸드(13)는, 각각 1매의 기판(W)을 유지한다. 핸드 구동 기구(14)는, 전후 방향(X), 폭 방향(Y) 및 상하 방향(Z)으로 핸드(13)를 이동시키고, 또한, 상하 방향(Z)을 중심으로 핸드(13)를 회전시킨다. 이에 따라, 핸드(13)는, 캐리어(C) 및 처리 블록(BA)에 액세스한다.
<처리 블록(BA)의 기본적인 구조>
도 1을 참조한다. 처리 블록(BA)은, 기판(W)을 반송하기 위한 반송 스페이스(AA)를 구비한다. 반송 스페이스(AA)는, 평면에서 볼 때, 처리 블록(BA)의 폭 방향(Y) 중앙에 배치된다. 반송 스페이스(AA)는 평면에서 볼 때, 전후 방향(X)으로 연장되어 있다.
도 2, 도 3을 참조한다. 도 3은, 도 1에 있어서의 화살표 b-b에서 본 정면도이다. 반송 스페이스(AA)는, 복수의 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)로 구분되어 있다. 분할 반송 스페이스(AA1)는 반송 스페이스(AA)의 하부에 상당한다. 분할 반송 스페이스(AA2)는 반송 스페이스(AA)의 상부에 상당한다. 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)는 서로 상하 방향(Z)으로 늘어선다. 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)는 서로 상하 방향(Z)으로 늘어선다. 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)는, 아래에서 위로 향해 이 순서로 늘어선다.
분할 반송 스페이스(AA1)에는, 주반송 기구(TA1)가 설치된다. 분할 반송 스페이스(AA2)에는, 주반송 기구(TA2)가 설치된다. 주반송 기구(TA1, TA2)는 각각 기판(W)을 반송한다. 주반송 기구(TA1)는, 분할 반송 스페이스(AA1) 내를 움직이고, 다른 분할 반송 스페이스(AA2)에 미치지 않는다. 동일하게, 주반송 기구(TA2)는, 분할 반송 스페이스(AA2) 내를 움직이고, 다른 분할 반송 스페이스(AA1)에 미치지 않는다.
도 1, 도 3, 도 4를 참조한다. 도 4는, 도 1에 있어서의 화살표 c-c에서 본 측면도이다. 처리 블록(BA)은, 복수(예를 들면 8개)의 액 처리 유닛(SUa-SUh)을 구비한다. 액 처리 유닛(SUa-SUh)은, 반송 스페이스(AA)의 측방(우방(YR))에 배치된다. 액 처리 유닛(SUa-SUd)은 분할 반송 스페이스(AA1)의 측방(우방(YR))에 배치된다. 액 처리 유닛(SUe-SUh)은 분할 반송 스페이스(AA2)의 측방(우방(YR))에 배치된다.
액 처리 유닛(SUa-SUh)은, 대략 수평 방향(예를 들면 전후 방향(X)) 및 대략 상하 방향(Z)으로 행렬상으로 배치된다. 구체적으로는, 액 처리 유닛(SUa, SUb)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 동일하게, 액 처리 유닛(SUc, SUd)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUe, SUf)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUg, SUh)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은, 액 처리 유닛(SU)의 종렬군(이하, 간단히 「액 처리 유닛군」으로 부른다)을 구성한다. 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)은 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)은 1개의 액 처리 유닛군을 구성한다.
각 액 처리 유닛(SUa-SUh)은 액 처리를 행한다. 액 처리는, 기판(W)의 처리액을 공급하여 행하는 처리이다. 각 액 처리 유닛(SUa-SUh)이 행하는 액 처리는, 도포 처리이다. 도포 처리는, 기판(W)에 처리액을 도포하고, 기판(W)의 표면에 도막을 형성한다.
보다 상세하게는, 액 처리 유닛(SUa, SUb, SUe, SUf)은, 반사 방지막 형성 처리를 행한다. 반사 방지막 형성 처리는, 기판(W)에 반사 방지막 재료를 도포하고, 기판(W)의 표면에 반사 방지막을 형성하는 처리이다. 즉, 액 처리 유닛(SUa, SUb, SUe, SUf)은, 반사 방지막용 도포 유닛(BARC)이다. 액 처리 유닛(SUc, SUd, SUg, SUh)은, 레지스트막 형성 처리를 행한다. 레지스트막 형성 처리는, 기판(W)에 레지스트막 재료를 도포하고, 기판(W)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리이다. 즉, 액 처리 유닛(SUc, SUd, SUg, SUh)은, 레지스트막용 도포 유닛(RESIST)이다.
도 3, 4를 참조한다. 처리 블록(BA)은, 챔버(CHa, CHb, CHc, CHd)를 구비한다. 챔버(CHa-CHd)는, 반송 스페이스(AA)의 측방(우방(YR))에 배치된다. 챔버(CHa-CHd)는, 서로 상하 방향(Z)으로 늘어선다. 챔버(CHa)는 액 처리 유닛(SUa, SUb)을 수용한다. 액 처리 유닛(SUa)과 액 처리 유닛(SUb)은, 같은 공간 내에 배치된다. 액 처리 유닛(SUa)과 액 처리 유닛(SUb)은, 서로 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 즉, 액 처리 유닛(SUa)과 액 처리 유닛(SUb)은, 대략 수평 방향으로 서로 마주본다. 액 처리 유닛(SUa)과 액 처리 유닛(SUb)은, 격벽 등에 의해서 떨어져 있지 않다. 동일하게, 챔버(CHb)는 액 처리 유닛(SUc, SUd)을 수용한다. 챔버(CHc)는 액 처리 유닛(SUe, SUf)을 수용한다. 챔버(CHd)는 액 처리 유닛(SUg, SUh)을 수용한다.
각 챔버(CHa-CHd)에 있어서는, 동종의 액 처리가 행해진다. 예를 들면, 챔버(CHa)에 수용되는 액 처리 유닛(SUa, SUb)은, 동종의 액 처리(구체적으로는, 반사 방지막 형성 처리)를 행한다. 액 처리 유닛(SUa, SUb)은, 동일한 공간 내에서 액 처리를 행한다. 동일하게 챔버(CHb)에 수용되는 액 처리 유닛(SUc, SUd)은, 동종의 액 처리(구체적으로는, 레지스트막 형성 처리)를 행한다. 챔버(CHc)에 수용되는 액 처리 유닛(SUe, SUf)은, 동종의 액 처리(구체적으로는, 반사 방지막 형성 처리)를 행한다. 챔버(CHd)에 수용되는 액 처리 유닛(SUg, SUh)은, 동종의 액 처리(구체적으로는, 레지스트막 형성 처리)를 행한다.
도 1, 도 3, 도 5를 참조한다. 도 5는, 도 1에 있어서의 화살표 d-d에서 본 측면도이다. 처리 블록(BA)은, 각종 열 처리 유닛(CPa, CPb, PHPa, PHPb, AHLa, AHLb)을 구비한다. 열 처리 유닛(CPa, CPb, PHPa, PHPb, AHLa, AHLb)은, 반송 스페이스(AA)의 측방(좌방(YL))에 배치된다.
열 처리 유닛(CPa, CPb, PHPa, PHPb, AHLa, AHLb)은, 전후 방향(X) 및 상하 방향(Z)으로 행렬상으로 배치된다. 열 처리 유닛(CPa, PHPa, AHLa)은, 분할 반송 스페이스(AA1)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 열 처리 유닛(CPb, PHPb, AHLb)은, 분할 반송 스페이스(AA2)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 분할 반송 스페이스(AA1)에 대한 열 처리 유닛(CPa)의 배치는, 분할 반송 스페이스(AA2)에 대한 열 처리 유닛(CPb)의 배치와 동일한 것이 바람직하다. 동일하게, 분할 반송 스페이스(AA1)에 대한 열 처리 유닛(PHPa)의 배치는, 분할 반송 스페이스(AA2)에 대한 열 처리 유닛(PHPb)의 배치와 동일한 것이 바람직하다. 분할 반송 스페이스(AA1)에 대한 열 처리 유닛(AHLa)의 배치는, 분할 반송 스페이스(AA2)에 대한 열 처리 유닛(AHLb)의 배치와 동일한 것이 바람직하다.
각 열 처리 유닛(CPa, CPb, PHPa, PHPb, AHLa, AHLb)은, 기판(W)에 열 처리를 행한다. 구체적으로는, 열 처리 유닛(CPa, CPb)은, 기판(W)을 냉각하는 냉각 처리를 행한다. 열 처리 유닛(PHPa, PHPb)은, 기판(W)을 가열하고, 계속하여 기판(W)을 냉각하는 가열 냉각 처리를 행한다. 열 처리 유닛(AHLa, AHLb)은, 기판(W)과 피막의 밀착성을 향상시키기 위하여 헥사메틸디실란잔(HMDS)의 증기 분위기에서 열 처리하는 소수화 처리를 행한다. 열 처리 유닛(CPa, CPb, PHPa, PHPb, AHLa, AHLb)은 각각, 기판(W)을 재치하는 플레이트(20) 등을 구비한다.
주반송 기구(TA1)는, 액 처리 유닛(SUa-SUd)과 열 처리 유닛(CPa, PHPa, AHLa)에 기판(W)을 반송한다. 주반송 기구(TA2)는, 액 처리 유닛(SUe-SUh)과 열 처리 유닛(CPb, PHPb, AHLb)에 기판(W)을 반송한다.
이상의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 처리 블록(BA)은, 상하 방향으로 늘어서는 복수(예를 들면 2개)의 계층(Ka, Kb)을 포함하는 계층 구조를 갖는다. 계층(Ka)에는, 주반송 기구(TA1)와, 주반송 기구(TA1)가 기판(W)을 반송하는 액 처리 유닛(SUa-SUd)과, 주반송 기구(TA1)가 기판(W)을 반송하는 열 처리 유닛(CPa, PHPa, AHLa)이 설치된다. 계층(Kb)에는, 주반송 기구(TA2)와, 주반송 기구(TA2)가 기판(W)을 반송하는 액 처리 유닛(SUe-SUh)과, 주반송 기구(TA2)가 기판(W)을 반송하는 열 처리 유닛(CPb, PHPb, AHLb)이 설치된다. 각 계층(Ka, Kb)은, 기판(W)의 반송과 기판(W)에 대한 처리를 행한다. 각 계층(Ka, Kb)의 동작은, 서로 독립되어 있다.
도 1, 2를 참조한다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 재치하는 재치부(PAaS, PAaR, PAbS, PAbR)를 구비한다. 재치부(PAaS, PAaR, PAbS, PAbR)는, 인덱서부(11)와 처리 블록(BA)의 사이에 배치된다. 구체적으로는, 재치부(PAaS, PAaR)는, 반송 스페이스(AID)와 분할 반송 스페이스(AA1)에 걸쳐 설치된다. 재치부(PAbS, PAbR)는, 반송 스페이스(AID)와 분할 반송 스페이스(AA2)에 걸쳐져 설치된다. 재치부(PAaS, PAaR, PAbS, PAbR)는 각각, 기판(W)을 재치하는 플레이트(15) 등을 구비한다.
인덱서용 반송 기구(TID)와 주반송 기구(TA1)는, 재치부(PAaS, PAaR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다. 예를 들면, 재치부(PAaS)는, 인덱서용 반송 기구(TID)가 주반송 기구(TA1)에 기판(W)을 건낼 때 사용된다. 재치부(PAaR)는, 인덱서용 반송 기구(TID)가 주반송 기구(TA1)로부터 기판(W)을 수취할 때 사용된다. 동일하게 인덱서용 반송 기구(TID)와 주반송 기구(TA2)는, 재치부(PAbS, PAbR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다.
<처리 블록(BB)의 기본적인 구조>
처리 블록(BB)의 구성에 대하여 설명한다. 처리 블록(BB)은, 처리 블록(BA)과 유사한 구조를 가지기 때문에, 처리 블록(BB)의 설명을 적절히 생략한다.
도 1을 참조한다. 처리 블록(BB)은 반송 스페이스(AB)를 구비한다. 반송 스페이스(AB)는, 평면에서 볼 때, 처리 블록(BB)의 폭방향(Y) 중앙에 배치된다. 반송 스페이스(AB)는 반송 스페이스(AA)의 후방(XB)에 배치된다. 반송 스페이스(AB)는 반송 스페이스(AA)와 접한다. 반송 스페이스(AB)는, 반송 스페이스(AA)와 연결되어 있다.
도 2를 참조한다. 반송 스페이스(AB)는, 복수의 분할 반송 스페이스(AB1, AB2)로 구분되어 있다. 분할 반송 스페이스(AB1, AB2)는 서로 상하 방향(Z)으로 늘어선다. 분할 반송 스페이스(AB1)는 반송 스페이스(AB)의 하부에 상당한다. 분할 반송 스페이스(AB1)는, 분할 반송 스페이스(AA1)와 동일한 높이 위치에 배치된다. 분할 반송 스페이스(AB1)는, 분할 반송 스페이스(AA1)와 연결되어 있다. 분할 반송 스페이스(AB2)는 반송 스페이스(AB)의 상부에 상당한다. 분할 반송 스페이스(AB2)는, 분할 반송 스페이스(AA2)와 동일한 높이 위치에 배치된다. 분할 반송 스페이스(AB2)는, 분할 반송 스페이스(AA2)와 연결되어 있다.
처리 블록(BB)은, 주반송 기구(TB1, TB2)를 구비한다. 주반송 기구(TB1)는 분할 반송 스페이스(AB1)에 설치된다. 주반송 기구(TB2)는, 분할 반송 스페이스(AB2)에 설치된다.
재치부(PAcS, PAcR, PAdS, PAdR)는, 처리 블록(BA)과 처리 블록(BB)의 사이에 배치된다. 구체적으로는, 재치부(PAcS, PAcR)는, 분할 반송 스페이스(AA1)와 분할 반송 스페이스(AB1)에 걸쳐 설치된다. 재치부(PAdS, PAdR)는, 분할 반송 스페이스(AA2)와 분할 반송 스페이스(AB2)에 걸쳐 설치된다. 주반송 기구(TA1)와 주반송 기구(TB1)는, 재치부(PAcS, PAcR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다. 주반송 기구(TA2)와 주반송 기구(TB2)는, 재치부(PAdS, PAdR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다.
도 1, 도 4를 참조한다. 처리 블록(BB)은, 복수(예를 들면 8개)의 액 처리 유닛(SUi-SUp)을 구비한다. 액 처리 유닛(SUi-SUp)은, 반송 스페이스(AB)의 측방(우방(YR))에 배치된다. 액 처리 유닛(SUi-SUl)은 분할 반송 스페이스(AB1)의 측방(우방(YR))에 배치된다. 액 처리 유닛(SUm-SUp)은 분할 반송 스페이스(AB2)의 측방(우방(YR))에 배치된다.
액 처리 유닛(SUi-SUp)은, 대략 수평 방향(예를 들면 전후 방향(X)) 및 대략 상하 방향(Z)으로 행렬상으로 배치된다. 구체적으로는, 액 처리 유닛(SUi, SUj)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUk, SUl)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUm, SUn)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUo, SUp)은 대략 수평 방향으로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUi, SUk, SUm, SUo)은 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUi, SUk, SUm, SUo)은 1개의 액 처리 유닛군을 구성한다. 액 처리 유닛(SUj, SUl, SUn, SUp)은 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUj, SUl, SUn, SUp)은 1개의 액 처리 유닛군을 구성한다.
각 액 처리 유닛(SUi-SUp)은 액 처리를 행한다. 액 처리 유닛(SUi-SUp)이 행하는 액 처리는, 현상 처리이다. 현상 처리는, 기판(W)에 현상액을 공급하여 행하는 처리이다. 즉, 액 처리 유닛(SUi-SUp)은, 현상 처리 유닛(DEV)이다.
처리 블록(BB)은, 챔버(CHe, CHf, CHg, CHh)를 구비한다. 챔버(CHe)는 액 처리 유닛(SUi, SUj)을 수용한다. 챔버(CHf)는 액 처리 유닛(SUk, SUl)을 수용한다. 챔버(CHg)는 액 처리 유닛(SUm, SUn)을 수용한다. 챔버(CHh)는 액 처리 유닛(SUo, SUp)을 수용한다.
각 챔버(CHe-CHh)에 있어서는, 동종의 액 처리(구체적으로는 현상 처리)가 행해진다.
이하에서는, 액 처리 유닛(SUa-SUp)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히, 「액 처리 유닛(SU)」으로 부른다. 챔버(CHa-CHh)를 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히, 「챔버(CH)」로 부른다.
도 1, 도 5를 참조한다. 처리 블록(BB)은, 열 처리 유닛(CPc, CPd, PHPc, PHPd, PEBc, PEBd)과 엣지 노광 유닛(EEWc, EEWd)과 재치부(PAeS, PAeR, PAfS, PAfR)를 구비한다. 이들 각종 유닛 및 재치부는, 반송 스페이스(AB)의 측방(좌방(YL))에 배치된다.
열 처리 유닛(CPc, PHPc, PEBc)은, 분할 반송 스페이스(AB1)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 열 처리 유닛(CPd, PHPd, PEBd)은, 분할 반송 스페이스(AB2)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 엣지 노광 유닛(EEWc)은, 분할 반송 스페이스(AB1)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 엣지 노광 유닛(EEWd)은, 분할 반송 스페이스(AB2)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 재치부(PAeS, PAeR)는, 분할 반송 스페이스(AB1)의 측방(좌방(YL))에 배치된다. 재치부(PAfS, PAfR)는, 분할 반송 스페이스(AB2)의 측방(좌방(YL))에 배치된다.
각 열 처리 유닛(CPc, CPd, PHPc, PHPd, PEBc, PEBd)은, 기판(W)에 열 처리를 행한다. 구체적으로는, 열 처리 유닛(PEBc, PEBd)은, 노광 처리 후의 기판(W)에 노광 후 열 처리(Post Exposure Bake)를 행한다. 엣지 노광 유닛(EEWc, EEWd)은, 기판(W)의 주연부를 노광한다. 엣지 노광 유닛(EEWc, EEWd)은, 기판(W)을 회전 가능하게 유지하는 회전 유지부(27)(도 1 참조)와, 회전 유지부(27)에 유지된 기판(W)의 주연을 노광하는 광 조사부(도시하지 않음)를 구비한다.
열 처리 유닛(PEBc, PEBd)과 재치부(PAeS, PAeR, PAfS, PAfR)는, 처리 블록(BB)의 후부에 배치된다. 열 처리 유닛(PEBc, PEBd)과 재치부(PAeS, PAeR, PAfS, PAfR)는, 인터페이스부(19)와 접한다.
주반송 기구(TB1)는, 액 처리 유닛(SUi-SUl)과, 열 처리 유닛(CPc, PHPc)과, 엣지 노광 유닛(EEWc)과, 재치부(PAcS, PAcR, PAeS, PAeR)에 기판(W)을 반송한다. 주반송 기구(TB2)는, 액 처리 유닛(SUm-SUp)과, 열 처리 유닛(CPd, PHPd)과, 엣지 노광 유닛(EEWd)과, 재치부(PAdS, PAdR, PAfS, PAfR)에 기판(W)을 반송한다.
이상의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 처리 블록(BB)은, 상하 방향으로 늘어서는 복수(예를 들면 2개)의 계층(Kc, Kd)을 포함하는 계층 구조를 갖는다. 계층(Kc)에는, 주반송 기구(TB1)와 주반송 기구(TB1)가 기판(W)을 반송하는 액 처리 유닛(SUi-SUl) 등이 설치된다. 계층(Kd)에는, 주반송 기구(TB2)와, 주반송 기구(TB2)가 기판(W)을 반송하는 액 처리 유닛(SUm-SUp) 등이 설치된다. 각 계층(Kc, Kd)은, 기판(W)의 반송과 기판(W)에 대한 처리를 행한다. 각 계층(Kc, Kd)의 동작은, 서로 독립되어 있다.
<주반송 기구의 상세한 구조와 반송 스페이스의 급기·배기에 관한 구성>
주반송 기구(TA1, TA2, TB1, TB2)의 구조를 설명한다. 주반송 기구(TA1, TA2, TB1, TB2)는 동일한 구조를 갖는다. 이하에서는, 주반송 기구(TA2)를 예를 들어 설명한다.
도 1, 2, 3, 6을 참조한다. 도 6은, 주반송 기구의 사시도이다. 주반송 기구(TA2)는, 한 쌍의 제1 가이드 레일(21)과, 제2 가이드 레일(22)과, 베이스부(23)와, 회전대(24)와, 2개의 핸드(25)를 구비한다.
2개의 제1 가이드 레일(21)은 각각, 분할 반송 스페이스(AA2)의 액 처리 유닛(SU)측에 고정되어 있다. 예를 들면, 2개의 제1 가이드 레일(21)은 각각, 분할 반송 스페이스(AA2)의 우측 전부와 우측 후부에 배치된다(도 1 참조).
2개의 제1 가이드 레일(21)은 각각, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 2개의 제1 가이드 레일(21)은, 서로 전후 방향(X)으로 마주본다. 제2 가이드 레일(22)은 한 쌍의 제1 가이드 레일(21)에 지지된다. 구체적으로는, 제2 가이드 레일(22)은, 한 쌍의 제1 가이드 레일(21)의 사이에 설치되고, 전후 방향(X)으로 연장되어 있다. 제2 가이드 레일(22)의 양단부는 각각 제1 가이드 레일(21)에 접속된다. 제2 가이드 레일(22)은, 한 쌍의 제1 가이드 레일(21)에 대하여 상하 방향(Z)으로 이동 가능하다. 베이스부(23)는 제2 가이드 레일(22)에 지지된다. 베이스부(23)는 제2 가이드 레일(22)에 대하여 전후 방향(X)으로 이동 가능하다. 회전대(24)는 베이스부(23)에 지지된다. 회전대(24)는, 베이스부(23)에 대하여 상하 방향(Z)과 평행한 세로 축심(Q) 둘레로 회전 가능하다. 2개의 핸드(25)는 각각 회전대(24)에 지지된다. 각 핸드(25)는 각각, 회전대(24)에 대하여 수평인 1방향으로 진퇴 이동 가능하다. 각 핸드(25)는 1매의 기판(W)을 유지한다.
주반송 기구(TA2)는 제2 가이드 레일(22), 베이스부(23), 회전대(24) 및 핸드(25)를 각각 이동시키기 위한 각종 구동 기구를 더 구비한다. 각종 구동 기구는, 제2 가이드 레일(22)을 상하 방향(Z)으로 승강시키고, 베이스부(23)를 전후 방향(X)으로 이동시키고, 회전대(24)를 세로 축심(Q) 둘레로 회전시켜, 핸드(25)를 진퇴 이동시킨다. 이에 따라, 핸드(25)는, 전후 방향(X), 폭 방향(Y) 및 상하 방향(Z)으로 이동하여, 세로 축심(Q)을 중심으로 회전한다. 그리고, 핸드(25)는, 재치부(PAbS, PAbR, PAdS, PAdR)와, 계층(Kb)에 설치되는 액 처리 유닛(SU) 및 열 처리 유닛(AHL, CP, PHP)에 액세스한다.
반송 스페이스(AA, AB)의 급기에 관한 구성을 설명한다. 도 2, 3을 참조한다. 기판 처리 장치(1)는 반송 스페이스용 급기부(31A, 31B)를 구비한다. 반송 스페이스용 급기부(31A)는, 반송 스페이스(AA)에 기체를 공급한다. 반송 스페이스용 급기부(31B)는, 반송 스페이스(AB)에 기체를 공급한다.
반송 스페이스용 급기부(31A)는, 급기 팬(32A)을 구비한다. 급기 팬(32A)은, 반송 스페이스(AA)의 외부(예를 들면, 처리 블록(BA)의 상부)에 설치된다. 급기 팬(32A)의 1차측은, 기판 처리 장치(1)의 외부에 개방된다. 급기 팬(32A)의 2차측은, 반송 스페이스(AA)에 연통한다. 급기 팬(32A)은, 기판 처리 장치(1)의 외부의 기체를 취입하여, 반송 스페이스(AA)에 보낸다. 반송 스페이스용 급기부(31A)는 필터를 더 구비하는 것이 바람직하다. 필터는, 예를 들면, 화학 흡착 필터나 ULPA 필터(Ultra Low Penetration Air Filter)이다. 필터는, 급기 팬(32A)의 1차측 또는 2차측에 설치된다. 이에 의하면, 급기 팬(32A)은 청정한 기체를 반송 스페이스(AA)에 보낼 수 있다.
반송 스페이스용 급기부(31A)는, 취출 유닛(33A1, 33A2)을 구비한다. 취출 유닛(33A1)은, 분할 반송 스페이스(AA1)에 기체를 취출한다. 취출 유닛(33A1)은, 분할 반송 스페이스(AA1)의 상부에 설치된다. 취출 유닛(33A1)은, 그 하면에, 기체를 취출하는 개구(취출공)를 갖는다. 취출 유닛(33A1)은, 평면에서 볼 때, 분할 반송 스페이스(AA1)와 대략 동일한 넓이를 갖는 것이 바람직하다. 급기 팬(32A)과 취출 유닛(33A1)은, 급기관(34A1)에 의해서 접속된다. 동일하게, 취출 유닛(33A2)은, 분할 반송 스페이스(AA2)에 기체를 취출한다. 취출 유닛(33A2)은, 분할 반송 스페이스(AA2)의 상부에 설치된다. 취출 유닛(33A2)은, 그 하면에, 기체를 취출하는 개구(취출공)를 갖는다. 취출 유닛(33A2)은, 평면에서 볼 때, 분할 반송 스페이스(AA2)와 대략 동일한 넓이를 갖는 것이 바람직하다. 급기 팬(32A)과 취출 유닛(33A2)은, 급기관(34A2)에 의해서 접속된다.
반송 스페이스용 급기부(31B)는, 반송 스페이스용 급기부(31A)와 동일한 구조를 갖는다. 반송 스페이스용 급기부(31B)는, 급기 팬(32B)과 취출 유닛(33B1, 33B2)을 구비한다. 급기 팬(32B)은, 급기 팬(32A)에 대응한다. 취출 유닛(33B1, 33B2)은 각각, 취출 유닛(33A1, 33A2)에 대응한다.
반송 스페이스(AA, AB)의 배기에 관한 구성을 설명한다. 기판 처리 장치(1)는 반송 스페이스용 배기부(36A, 36B)를 구비한다. 반송 스페이스용 배기부(36A)는, 반송 스페이스(AA)로부터 기체를 배출한다. 반송 스페이스용 배기부(36B)는, 반송 스페이스(AB)로부터 기체를 배출한다.
반송 스페이스용 배기부(36A)는, 흡입 유닛(37A1, 37A2)을 구비한다. 흡입 유닛(37A1)은, 분할 반송 스페이스(AA1)의 기체를 흡입한다. 흡입 유닛(37A1)은, 분할 반송 스페이스(AA1)의 하부에 설치된다. 흡입 유닛(37A1)은 주반송 기구(TA1)를 사이에 끼고 취출 유닛(33A1)과 서로 마주본다. 흡입 유닛(37A1)은, 그 상면에, 기체를 흡입하는 개구(흡입공)를 갖는다. 흡입 유닛(37A1)은, 평면에서 볼 때, 분할 반송 스페이스(AA1)와 대략 동일한 넓이를 갖는 것이 바람직하다. 흡입 유닛(37A2)은, 분할 반송 스페이스(AA2)의 기체를 흡입한다. 흡입 유닛(37A2)은, 분할 반송 스페이스(AA2)의 하부에 설치된다. 흡입 유닛(37A2)은 주반송 기구(TA2)를 사이에 끼고 취출 유닛(33A2)과 서로 마주본다. 흡입 유닛(37A2)은, 그 상면에, 기체를 흡입하는 개구(흡입공)를 갖는다. 흡입 유닛(37A2)은, 평면에서 볼 때, 분할 반송 스페이스(AA2)와 대략 동일한 넓이를 갖는 것이 바람직하다.
반송 스페이스용 배기부(36A)는, 배기 팬(38A)을 구비한다. 배기 팬(38A)은, 배기관(39A)을 통하여, 흡입 유닛(37A1, 37A2)과 접속한다. 배기 팬(38A)은, 반송 스페이스(AA)의 외부(예를 들면, 처리 블록(BA)의 하부)에 설치된다. 배기 팬(38A)의 2차측은, 기판 처리 장치(1)의 외부에 개방되어 있다. 배기 팬(38A)은, 반송 스페이스(AA)의 기체를 기판 처리 장치(1)의 외부에 배출한다.
반송 스페이스용 배기부(36B)는, 반송 스페이스용 배기부(36A)와 동일한 구조를 갖는다. 반송 스페이스용 배기부(36B)는, 흡입 유닛(37B1, 37B2)과 배기 팬(38B)을 구비한다. 흡입 유닛(37B1, 37B2)은 각각, 흡입 유닛(37A1, 37A2)에 대응한다. 배기 팬(38B)은, 배기 팬(38A)에 대응한다.
<액 처리 유닛(SU)의 상세한 구조와, 액 처리 유닛(SU)에 대한 급기·배기에 관한 구성>
액 처리 유닛(SU)의 구조를 설명한다. 도 1, 도 7을 참조한다. 도 7은, 처리부(17)의 액 처리 유닛(SU)측의 상세한 측면도이다.
액 처리 유닛(SUa-SUh)은 각각, 회전 유지부(41)와 컵(42)과 노즐(43)과 노즐 반송 기구(44)를 구비한다. 노즐(43)과 노즐 반송 기구(44)는, 도 1에 나타낸다. 회전 유지부(41)는, 기판(W)을 회전 가능하게 유지한다. 컵(42)은 회전 유지부(41)의 주위에 배치된다. 액 처리 유닛(SU)이 기판(W)에 처리를 행할 때, 컵(42)은, 회전 유지부(41)에 의해서 유지되는 기판(W)의 측방을 둘러싼다. 이에 따라, 컵(42)은, 기판(W)으로부터 비산한 처리액을 회수한다. 동일한 챔버(CH) 내에 배치되는 복수(예를 들면 2개)의 컵(42)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 복수의 노즐(43)은, 컵(42)의 측방에 해당하는 대기 위치와 기판(W)의 상방에 해당하는 처리 위치로 이동 가능하다. 각 노즐(43)은 각각, 처리액을 토출한다. 보다 상세하게는, 반사 방지막용 도포 유닛(BARC)의 노즐(43)은, 반사 방지막 재료를 토출한다. 레지스트막용 도포 유닛(RESIST)의 노즐(43)은, 레지스트막 재료를 토출한다. 노즐 반송 기구(44)는, 1개의 노즐(43)을 유지하고, 대기 위치와 처리 위치의 사이에 걸쳐서 노즐(43)을 이동한다.
액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 각 컵(42)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)은, 컵(42)의 종렬군(이하, 간단히 「컵군」으로 부른다)을 구성한다. 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)의 각 컵(42)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)의 각 컵(42)은, 1개의 컵군을 구성한다.
액 처리 유닛(SUi-SUp)은, 회전 유지부(46)와 컵(47)과 노즐(48)과 노즐 반송 기구(49)를 구비한다. 노즐(48)과 노즐 반송 기구(49)는, 도 1에 나타낸다. 회전 유지부(46)는, 기판(W)을 회전 가능하게 유지한다. 컵(47)은 회전 유지부(46)의 주위에 배치된다. 액 처리 유닛(SUi-SUp)이 기판(W)에 처리를 행할 때, 컵(47)은, 회전 유지부(46)에 의해서 유지되는 기판(W)의 측방을 둘러싼다. 동일한 챔버(CH) 내에 배치되는 복수의 컵(47)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 노즐(48)은, 현상액을 토출한다. 노즐(48)은, 예를 들면 슬릿 노즐이다. 노즐 반송 기구(49)는 노즐(48)을 이동한다.
액 처리 유닛(SUi, SUk, SUm, SUo)의 각 컵(47)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUi, SUk, SUm, SUo)의 컵(47)은, 1개의 컵군을 구성한다. 액 처리 유닛(SUj, SUl, SUn, SUp)의 각 컵(47)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUj, SUl, SUn, SUp)의 컵(47)은, 1개의 컵군을 구성한다.
도 7, 8을 참조하고, 액 처리 유닛(SU)의 급기에 관한 구성을 설명한다. 도 8은, 액 처리 유닛에 대한 급기·배기의 계통도이다.
기판 처리 장치(1)는, 복수의 개별 급기부(51a, 51b, …, 51p)를 구비한다. 개별 급기부(51a-51p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp)에 대응하여 개별로 설치된다. 각 개별 급기부(51a-51p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp) 중 어느 하나에 관련된다. 예를 들면, 개별 급기부(51a)는, 액 처리 유닛(SUa)에 대응한다. 개별 급기부(51a-51p)의 개수는, 액 처리 유닛(SUa-SUp)의 개수와 동일하다. 이하에서는, 개별 급기부(51a, 51b, …, 51p)를 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「개별 급기부(51)」로 기재한다.
각 개별 급기부(51)는, 대응하는 1개의 액 처리 유닛(SU)에만 기체를 공급한다. 예를 들면, 개별 급기부(51a)는, 개별 급기부(51a)에 대응하는 액 처리 유닛(SUa)에만 기체를 공급한다. 개별 급기부(51a)는, 액 처리 유닛(SUa) 이외의 액 처리 유닛(SUb-SUp)에 기체를 공급하지 않는다. 또한, 각 개별 급기부(51)는, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 조정 가능하다. 예를 들면, 개별 급기부(51a)는, 액 처리 유닛(SUa)에만 공급량을 가변으로 기체를 공급한다.
기판 처리 장치(1)는, 복수의 취출 유닛(55a, 55b, …, 55p)을 구비한다. 취출 유닛(55a-55p)은, 개별 급기부(51a-51p)에 개별로 접속된다. 예를 들면, 취출 유닛(55a)은 개별 급기부(51a)와만 접속한다. 각 취출 유닛(55a-55p)은, 1개의 액 처리 유닛(SU)에만 기체를 취출한다. 예를 들면, 취출 유닛(55a)은, 액 처리 유닛(SUa)에만 기체를 취출한다. 각 취출 유닛(55a-55p)은 각각, 액 처리 유닛(SUa, SUb, …, SUp)의 상방에 설치된다. 취출 유닛(55a-55p)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「취출 유닛(55)」으로 기재한다.
취출 유닛(55)은, 챔버(CH) 내에 설치된다. 예를 들면, 취출 유닛(55a, 55b)은 챔버(CHa)에 설치된다. 동일한 챔버(CH) 내에 설치되는 복수의 취출 유닛(55)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 예를 들면, 취출 유닛(55a, 55b)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다.
취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)은, 취출 유닛(55)의 종렬군(이하, 간단히 「취출 유닛군」으로 부른다)을 구성한다. 취출 유닛(55b, 55d, 55f, 55h)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 취출 유닛(55b, 55d, 55f, 55h)은, 1개의 취출 유닛군을 구성한다. 취출 유닛(55i, 55k, 55m, 55o)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 취출 유닛(55i, 55k, 55m, 55o)은, 1개의 취출 유닛군을 구성한다. 취출 유닛(55j, 55l, 55n, 55p)은, 대략 상하 방향(Z)으로 1열로 늘어서도록 배치된다. 취출 유닛(55j, 55l, 55n, 55p)은, 1개의 취출 유닛군을 구성한다.
각 취출 유닛군은, 어느 하나의 액 처리 유닛군과 대응한다. 예를 들면, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)으로 구성되는 취출 유닛군은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로 구성되는 액 처리 유닛군과 대응한다. 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)은 각각, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 기체를 취출한다.
취출 유닛(55)은, 편평한 상자 형상을 갖는다. 취출 유닛(55)은, 그 하면에, 기체를 취출하는 개구를 갖는다. 취출 유닛(55)은, 평면에서 볼 때, 1개의 컵(42/47)의 상방을 덮을 수 있는 넓이를 갖는 것이 바람직하다. 도 1에서는, 취출 유닛(55g, 55h, 55o, 55p)을 점선으로 나타낸다.
개별 급기부(51a, 51b, …, 51p)는 각각, 급기 댐퍼(52a, 52b, …, 52p)를 구비한다. 급기 댐퍼(52a-52p)는 각각, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 조정한다. 예를 들면, 급기 댐퍼(52a)는, 액 처리 유닛(SUa)에 대한 기체의 공급량을 조정한다. 급기 댐퍼(52b)는, 액 처리 유닛(SUb)에 대한 기체의 공급량을 조정한다. 각 급기 댐퍼(52a-52p)는, 예를 들면, 기체의 유로를 개폐하는 날개와, 날개를 구동하는 에어 실린더를 구비한다. 각 급기 댐퍼(52a-52p)의 동작은, 서로 독립되어 있다.
급기 댐퍼(52a-52p)를 특히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「급기 댐퍼(52)」로 기재한다.
급기 댐퍼(52)는, 취출 유닛(55)에 직접적으로 접속한다. 예를 들면, 급기 댐퍼(52a)는 취출 유닛(55a)의 전부에 연결한다. 급기 댐퍼(52b)는 취출 유닛(55b)의 후부에 연결한다.
급기 댐퍼(52)는 챔버(CH)에 설치된다. 예를 들면, 급기 댐퍼(52a, 52b)는, 챔버(CHa)에 설치된다.
급기 댐퍼(52)는, 본 발명에 있어서의 급기 조정부의 예이다.
개별 급기부(51a, 51b, …, 51p)는 각각, 급기관(53a, 53b, …, 53p)을 구비한다. 급기관(53a-53p)은 기체를 통하게 한다. 급기관(53a-53p)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「급기관(53)」으로 기재한다.
급기관(53)의 일단은, 급기 댐퍼(52)와 직접적으로 접속된다. 이에 따라, 급기관(53)은, 급기 댐퍼(52)를 통하여, 취출 유닛(55)에 간접적으로 접속된다. 예를 들면, 급기관(53a)은, 급기 댐퍼(52a)를 통하여 취출 유닛(55a)과 접속된다. 급기관(53b)은, 급기 댐퍼(52b)를 통하여 취출 유닛(55b)과 접속된다.
대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 취출 유닛(55)의 각각과 접속하는 복수의 급기관(53)은, 취출 유닛(55)으로부터 상이한 방향을 향하여 연장되어 있다. 예를 들면, 취출 유닛(55a, 55b)은 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 급기관(53a)은 취출 유닛(55a)과 접속한다. 급기관(53b)은 취출 유닛(55b)과 접속한다. 급기관(53a)은, 취출 유닛(55a)으로부터 전방(XF)으로 연장된다. 급기관(53b)은, 취출 유닛(55b)으로부터 후방(XB)으로 연장된다. 이와 같이, 급기관(53a)이 취출 유닛(55a)으로부터 연장되는 방향은, 급기관(53b)이 취출 유닛(55b)으로부터 연장되는 방향과 상이하다. 구체적으로는, 급기관(53a)이 취출 유닛(55a)으로부터 연장되는 방향은, 급기관(53b)이 취출 유닛(55b)으로부터 연장되는 방향과 반대이다.
급기관(53)의 일단을 포함하는 일부분은, 챔버(CH)의 내부에 배치된다. 예를 들면, 급기관(53a, 53b)의 일부분은, 챔버(CHa)의 내부에 배치된다.
급기관(53)은 챔버(CH)를 관통한다. 급기관(53)의 그 외의 부분(이하, 「타단부」라고 부른다)은, 챔버(CH)의 외부에 배치된다. 급기관(53)의 타단부는, 급기관(53)의 타단을 포함한다. 챔버(CHa-CHd)의 전방(XF)에는, 유체 박스부(BOa)가 설치된다. 급기관(53a, 53c, 53e, 53g)의 타단부는 유체 박스부(BOa)에 배치된다. 챔버(CHa-CHd)의 후방(XB)에는, 유체 박스부(BOb)가 설치된다. 급기관(53b, 53d, 53f, 53h)의 타단부는 유체 박스부(BOb)에 배치된다. 챔버(CHe-CHh)의 전방에는, 유체 박스부(BOc)가 설치된다. 급기관(53i, 53k, 53m, 53o)의 타단부는 유체 박스부(BOc)에 배치된다. 급기관(53j, 53l, 53n, 53p)의 타단부는 유체 박스부(BOd)에 배치된다.
기판 처리 장치(1)는, 분배관(56a, 56b, 56c, 56d)을 구비한다. 분배관(56a, 56b, 56c, 56d)은, 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치된다. 구체적으로는, 분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 분배관(56b)은, 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)으로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 분배관(56c)은, 액 처리 유닛(SUi, SUk, SUm, SUo)으로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 분배관(56d)은, 액 처리 유닛(SUj, SUl, SUn, SUp)로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다.
그 결과, 분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 관련된다. 또한, 분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 기체를 공급하는 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)에 관련된다. 분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 기체를 취출하는 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)에 관련된다. 다른 분배관(56b-56d)에 관해서도, 동일하다.
분배관(56a, 56b, 56c, 56d)은 각각, 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 개별 급기부(51)에만 기체를 분배한다. 예를 들면, 분배관(56a)은, 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)에만 기체를 분배한다. 다만, 분배관(56a)은, 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g) 이외의 개별 급기부(51)에 기체를 분배하지 않는다. 동일하게, 분배관(56b)은, 개별 급기부(51b, 51d, 51f, 51h)에만 기체를 분배한다. 분배관(56c)은, 개별 급기부(51i, 51k, 51m, 51o)에만 기체를 분배한다. 분배관(56d)은, 개별 급기부(51j, 51l, 51n, 51p)에만 기체를 분배한다.
분배관(56a)은 유체 박스부(BOa)에 설치된다. 분배관(56a)은, 급기관(53a, 53c, 53e, 53g)과 접속한다. 보다 구체적으로는, 분배관(56a)은, 급기관(53a, 53c, 53e, 53g)의 타단과 접속한다. 다만, 분배관(56a)은, 급기관(53a, 53c, 53e, 53g) 이외의 급기관(53)과 접속하지 않는다. 동일하게 분배관(56b)은 유체 박스부(BOb)에 설치된다. 분배관(56b)은, 급기관(53b, 53d, 53f, 53h)과 접속한다. 분배관(56c)은 유체 박스부(BOc)에 설치된다. 분배관(56c)은, 급기관(53i, 53k, 53m, 53o)과 접속한다. 분배관(56d)은 유체 박스부(BOd)에 설치된다. 분배관(56d)은, 급기관(53j, 53l, 53n, 53p)과 접속한다.
분배관(56a-56d)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「분배관(56)」으로 기재한다.
분배관(56)은, 그 분배관(56)에 대응하는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 예를 들면, 분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 측방(예를 들면 전방(XF))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 분배관(56b)은, 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)의 측방(예를 들면 후방(XBF))에 있어서 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다.
상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56)의 범위는, 대응하는 액 처리 유닛군에 속하는 모든 액 처리 유닛(SU)의 높이 위치를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56a)의 범위는, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 각 높이 위치에 이르는 것이 바람직하다.
분배관(56)은, 그 분배관(56)에 대응하는 취출 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 예를 들면, 분배관(56a)은 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)의 측방(예를 들면 전방(XF))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 분배관(56b)은 취출 유닛(55b, 55d, 55f, 55h)의 측방(예를 들면 후방(XB))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다.
상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56)의 범위는, 대응하는 취출 유닛군에 속하는 모든 취출 유닛(55)의 높이 위치를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56a)의 범위는, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)의 각 높이 위치에 미치는 것이 바람직하다.
기판 처리 장치(1)는, 분배관용 급기 포트(57a, 57b, 57c, 57d)를 더 구비한다. 분배관용 흡기 포트(57a-57d)는, 분배관(56a-56d)에 대응하여 개별로 설치된다. 분배관용 급기 포트(57a)는 분배관(56a)과 접속한다. 분배관용 급기 포트(57b)는 분배관(56b)과 접속한다. 분배관용 급기 포트(57c)는 분배관(56c)과 접속한다. 분배관용 급기 포트(57d)는 분배관(56d)과 접속한다. 분배관용 급기 포트(57a-57d)는 각각, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 분배관용 급기 포트(57a-57d)는, 예를 들면 처리부(17)의 저면에 배치된다.
본 실시예에서는, 분배관용 급기 포트(57a-57d)는, 공기 제어 장치(58)와 접속한다. 공기 제어 장치(58)는 기판 처리 장치(1)의 외부 기기이다. 공기 제어 장치(58)는 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치된다. 공기 제어 장치(58)는, 온도 및 습도가 조정된 기체(예를 들면, 청정한 공기)를 공급한다. 공기 제어 장치(58)는, 본 발명에 있어서의 외부 기기(보다 엄밀하게 말하면, 급기용 외부 기기)의 예이다.
도 7, 8을 참조하고, 액 처리 유닛(SU)의 배기에 관한 구성을 설명한다.
기판 처리 장치(1)는 복수의 개별 배기부(61a, 61b, …, 61p)를 구비한다. 개별 배기부(61a-61p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp)에 대응하여 개별로 설치된다. 각 개별 배기부(61a-61p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp) 중 어느 하나에 관련된다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)는, 액 처리 유닛(SUa)에 대응한다. 개별 배기부(61a-61p)의 개수는, 액 처리 유닛(SUa-SUp)의 개수와 동일하다. 이하에서는, 개별 배기부(61a, 61b, …, 61p)를 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「개별 배기부(61)」로 기재한다.
각 개별 배기부(61)는, 대응하는 1개의 액 처리 유닛(SU)만으로 이루어지는 기체를 배출한다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)는, 개별 배기부(61a)에 대응하는 액 처리 유닛(SUa)만으로부터 기체를 배출한다. 개별 배기부(61a)는, 액 처리 유닛(SUa) 이외의 액 처리 유닛(SUb-SUp)으로부터 기체를 배출하지 않는다. 또한, 각 개별 배기부(61)는, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 조정 가능하다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)는, 액 처리 유닛(SUa)만으로부터, 배출량을 가변으로 기체를 배출한다.
개별 배기부(61a, 61b, …, 61p)는 각각, 배기관(62a, 62b, …, 62p)을 구비한다. 배기관(62a-62p)은 기체를 통하게 한다. 배기관(62-62p)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「배기관(62)」으로 기재한다.
배기관(62a-62h)은 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUh)의 컵(42)과 접속한다. 예를 들면, 배기관(62a)의 일단은, 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)과 직접적으로 접속한다. 이에 따라, 배기관(62a)은, 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42) 내의 기체를 배출한다. 동일하게, 배기관(62i-62p)은 각각, 액 처리 유닛(SUi-SUp)의 컵(47)과 접속한다.
대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 컵(42/47)의 각각과 접속하는 복수의 배기관(62)은, 컵(42/47)으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장되어 있다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)과 액 처리 유닛(SUb)의 컵(42)은 대략 수평 방향으로 서로 이웃한다. 배기관(62a)은 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)과 접속한다. 배기관(62b)은 액 처리 유닛(SUb)의 컵(42)과 접속한다. 배기관(62a)은 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)으로부터 전방(XF)으로 연장된다. 배기관(62b)은 액 처리 유닛(SUb)의 컵(42)으로부터 후방(XB)으로 연장된다. 이와 같이, 배기관(62a)이 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)으로부터 연장되는 방향은, 배기관(62b)이 액 처리 유닛(SUb)의 컵(42)으로부터 연장되는 방향과 상이하다. 구체적으로는, 배기관(62a)이 액 처리 유닛(SUa)의 컵(42)으로부터 연장되는 방향은, 배기관(62b)이 액 처리 유닛(SUb)의 컵(42)으로부터 연장되는 방향과 반대이다.
배기관(62)의 일단을 포함하는 일부분은, 챔버(CH)의 내부에 배치된다. 예를 들면, 배기관(62a, 62b)의 일부분은, 챔버(CHa)의 내부에 배치된다.
배기관(62)은 챔버(CH)를 관통한다. 배기관(62)의 그 외의 부분(이하, 「타단부」라고 부른다)은, 챔버(CH)의 외부에 배치된다. 배기관(62)의 타단부는, 배기관(62)의 타단을 포함한다. 예를 들면, 배기관(62a, 62c, 62e, 62g)의 타단부는, 유체 박스부(BOa)에 배치된다. 배기관(62)은, 유체 박스(BOa-BOd) 내에 있어서 굴곡하고, 하방을 향하여 연장되어 있다.
개별 배기부(61a, 61b, …, 61p)는 각각, 배기 포트(63a, 63b, …, 63p)를 구비한다. 배기 포트(63a-63p)는 각각, 배기관(62a-62p)과 연결한다. 예를 들면, 배기 포트(63a)는 배기관(62a)의 타단과 직접적으로 접속한다. 배기 포트(63a-63p)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 배기 포트(63a-63p)는, 예를 들면 처리부(17)의 저면에 배치된다. 배기 포트(63a-63p)를 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「배기 포트(63)」로 기재한다.
이상과 같이, 개별 배기부(61a-61p)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있다. 환언하면, 개별 배기부(61a-61p)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 직접적 또는 간접적으로 접속되어 있지 않다. 이 때문에, 개별 배기부(61a-61p)가 각각 갖는 기체의 유로는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리된 상태로 유지된다.
배기 포트(63a-63p)는 각각, 배기 댐퍼(66a-66p)에 접속된다. 배기 댐퍼(66a-66p)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기이다. 배기 댐퍼(66a-66p)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치된다. 예를 들면, 배기 포트(63a)는 배기 댐퍼(66a)에 접속된다. 배기 댐퍼(66a-66p)는 각각 액 처리 유닛(SUa-SUp)으로부터의 기체의 배출량을 조정한다. 예를 들면, 배기 댐퍼(66a)는 액 처리 유닛(SUa)으로부터의 기체의 배출량을 조정한다. 배기 댐퍼(66a-66p)는 기체 흡인 장치(67)에 접속된다. 기체 흡인 장치(67)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기이다. 기체 흡인 장치(67)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치된다. 기체 흡인 장치(67)는, 예를 들면 진공 펌프, 배기 블로어, 이젝터 등이다. 배기 댐퍼(66a-66p)와 기체 흡인 장치(67)는 각각, 본 발명에 있어서의 외부 기기(보다 엄밀하게 말하면, 배기용 외부 기기)의 예이다.
<인터페이스부(19)>
도 1을 참조한다. 인터페이스부(19)는 인터페이스용 반송 기구(TIF)를 구비한다. 본 실시예에서는, 인터페이스용 반송 기구(TIF)는, 2기(基)의 반송 기구(TIFa, TIFb)를 포함한다. 반송 기구(TIFa, TIFb)는 각각, 기판(W)을 반송한다.
도 2를 참조한다. 인터페이스부(19)는, 재치부(PA-CP, PAgR)와 버퍼부(BF)를 구비한다. 재치부(PA-CP, PAgR)와 버퍼부(BF)는, 반송 기구(TIFa)와 반송 기구(TIFb)의 사이에 설치된다. 재치부(PA-CP)는 기판(W)을 재치하고, 또한, 기판(W)을 냉각한다. 재치부(PAgR)는 단순히 기판(W)을 재치한다. 버퍼부(BF)는 복수매의 기판(W)을 재치 가능하다.
반송 기구(TIFa, TIFb)는 함께, 재치부(PA-CP, PAgR)와 버퍼부(BF)에 액세스한다. 반송 기구(TIFa, TIFb)는, 재치부(PA-CP, PAgR)를 통하여, 기판(W)을 상호 반송한다.
반송 기구(TIFa)는, 또한 처리 블록(BB)의 재치부(PAeS, PAeR, PAfS, PAfR) 및 열 처리 유닛(PEBc, PEBd)에 액세스 가능하다. 반송 기구(TIFa)와 주 반송 기구(TB1)는, 재치부(PAeS, PAeR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다. 반송 기구(TIFa)와 주 반송 기구(TB2)는, 재치부(PAfS, PAfR)를 사용하여, 기판(W)을 상호 주고 받는다. 반송 기구(TIFa)는, 처리 블록(BB)의 열 처리 유닛(PEBc, PEBd)에 기판(W)을 반송한다.
반송 기구(TIFb)는, 또한 노광기(EXP)에 기판(W)을 반송한다.
반송 기구(TIFa, TIFb)는 각각, 기판(W)을 유지하는 2개의 핸드(71)와, 각 핸드(71)를 구동하는 핸드 구동 기구(72)를 구비한다. 각 핸드(71)는, 각각 1매의 기판(W)을 유지한다. 핸드 구동 기구(72)는, 전후 방향(X), 폭 방향(Y) 및 상하 방향(Z)으로 핸드(71)를 이동시키고, 또한, 상하 방향(Z)을 중심으로 핸드(72)를 회전시킨다. 이에 따라, 핸드(71)는, 각종 재치부 등에 액세스한다.
<제어계의 구성>
도 9를 참조한다. 도 9는, 기판 처리 장치(1)의 제어 블록도이다. 기판 처리 장치(1)는, 제어부(75)를 더 구비한다.
제어부(75)는, 예를 들면, 인덱서부(11)에 설치된다. 제어부(75)는, 기판 처리 장치(1)를 통괄적으로 제어한다. 구체적으로는, 제어부(75)는, 각 반송 기구(TID, TA1, TA2, TB1, TB2, TIFa, TIFb)와, 액 처리 유닛(SU)과, 열 처리 유닛(AHL, PHP, CP, PEB)과, 엣지 노광 유닛(EEW)과, 급기 팬(32A, 32B)과, 배기 팬(38A, 38B)과, 급기 댐퍼(52a-52p)를 제어한다. 또한, 제어부(75)는 외부 기기를 제어해도 좋다. 예를 들면, 제어부(75)는, 공기 제어 장치(58)와, 배기 댐퍼(66a-66p)와, 기체 흡인 장치(67)를 제어해도 된다.
제어부(75)는, 각종 처리를 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU), 연산 처리의 작업 영역이 되는 RAM(Random-Access Memory), 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해서 실현된다. 기억 매체에는, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 레시피(처리 프로그램)나, 각 기판(W)을 식별하기 위한 정보 등 각종 정보가 기억된다.
<동작예>
다음으로, 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작예를 설명한다. 여기서, 기판 처리 장치의 동작예를, 3개의 동작으로 나누어 설명한다.
1. 기판(W)의 반송 및 기판(W)에 대한 처리에 관한 동작
2. 반송 스페이스(AA, AB)의 급기 및 배기에 관한 동작
3. 액 처리 유닛(SU)의 급기 및 배기에 관한 동작
1. 기판(W)의 반송 및 기판(W)에 대한 처리에 관한 동작
도 10은, 기판의 반송 경로를 예시하는 도면이다. 도 10에 있어서, 기판(W)은 위에서 아래로 향해 반송된다. 기판(W)은, 캐리어(C)(인덱서부(11))와 노광기(EXP)의 사이를 왕복한다. 캐리어(C)(인덱서부(11))로부터 노광기(EXP)까지의 구간을 「왕로」라고 부른다. 노광기(EXP)로부터 캐리어(C)(인덱서부(11))까지의 구간을 「귀로」라고 부른다. 이하에서는, 기판(W)의 반송 및 기판(W)에 대한 처리에 관한 동작을, 왕로와 귀로로 나누어 설명한다.
또한, 편의상, 액 처리 유닛(SUa, SUb, SUe, SUf)을 「반사 방지막용 도포 유닛(SUa, SUb, SUe, SUf)」으로 부른다. 액 처리 유닛(SUc, SUd, SUg, SUh)을 「레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd, SUg, SUh)」으로 부른다. 액 처리 유닛(SUi-SUp)을 「현상 처리 유닛(SUi-SUp)」으로 부른다. 열 처리 유닛(AHL, CP, PHP, PEB)을 각각, 「냉각 유닛(CP)」, 「가열 냉각 유닛(PHP)」, 「소수화(疎水化) 처리 유닛(AHL)」, 「노광 후 가열 처리 유닛(PEB)」으로 부른다.
1-1. 왕로
인덱서부(11)에서, 인덱서용 반송 기구(TID)는, 캐리어(C)로부터 재치부(PAaS) 및 재치부(PAbS)에 기판(W)을 교호로 반송한다. 예를 들면, 인덱서용 반송 기구(TID)는, 캐리어(C)로부터 재치부(PAaS)에 1매의 기판(W)을 반송하는 동작과, 캐리어(C)로부터 재치부(PAaS)에 1매의 기판(W)을 반송하는 동작을 교호로 반복한다.
계층(Ka)에서는, 주 반송 기구(TA1)는, 재치부(PAaS) 상의 기판(W)을 수취하고, 기판(W)을 각 처리 유닛에 소정의 순서로 반송한다. 소정의 순서는, 예를 들면, 이하와 같다(도 10 참조).
소정의 순서의 예：소수화 처리 유닛(AHLa)→냉각 유닛(CPa)→반사 방지막용 도포 유닛(SUa/SUb)→가열 냉각 유닛(PHPa)→냉각 유닛(CPa)→레지스트막용 도포 유닛(SUc/SUd)→가열 냉각 유닛(PHPa)→냉각 유닛(CPa)
각 처리 유닛은 기판(W)에 처리를 행한다. 예를 들면, 소수화 처리 유닛(AHL)은 소수화 처리를 행한다. 냉각 유닛(CP)은 냉각 처리를 행한다. 반사 방지막용 도포 유닛(SUa/SUb)은 반사 방지막 형성 처리를 행한다. 레지스트막용 도포 유닛(SUc/SUd)은 레지스트막 형성 처리를 행한다. 이들 일련의 처리에 의해, 기판(W)에 반사 방지막과 레지스트막이 형성된다. 주 반송 기구(TA1)는, 일련의 처리가 행해진 기판(W)을 재치부(PAcS)에 반송한다.
액 처리 유닛(SUa-SUd)의 동작예를, 상세하게 설명한다. 주반송 기구(TA1)가 회전 유지부(41)에 기판(W)을 재치한다. 회전 유지부(41)가 기판(W)을 유지한다. 컵(42)이 회전 유지부(41) 상의 기판(W)의 측방을 둘러싼다. 회전 유지부(41)가 기판(W)을 수평 자세로 회전시킨다. 노즐 반송 기구(44)는 1개의 노즐(43)을 기판(W)의 상방으로 이동시킨다. 노즐(43)은 처리액(반사 방지막 재료/레지스트막 재료)을 기판(W)에 공급한다. 공급된 처리액은 기판(W)의 전면에 퍼진다. 컵(42)은, 기판(W)으로부터 주위로 비산된 처리액을 회수한다. 이와 같이 하여, 반사 방지막/레지스트막이 기판(W)에 형성된다.
주반송 기구(TA1)의 동작예를, 상세하게 설명한다. 도 11은, 각 반송 기구가 액세스하는 재치부 및 처리 유닛의 순서를 예시하는 도면이다. 주반송 기구(TA1)는, 재치부 및 처리 유닛에 소정의 순서로 액세스한다. 그리고, 주반송 기구(TA1)는, 처리 유닛 내의 기판(W)을 바꿔 넣는다.
예를 들면, 주반송 기구(TA1)는, 재치부(PAaS)로부터 수취한 기판(W)을 유지하여 소수화 처리 유닛(AHLa)에 액세스한다. 주반송 기구(TA1)는, 소수화 처리 유닛(AHLa)으로부터 처리가 끝난 기판(W)을 반출하고, 재치부(PAaS)로부터 수취한 기판(W)을 소수화 처리 유닛(AHLa)에 반입한다. 계속하여, 주반송 기구(TA1)는, 소수화 처리 유닛(AHLa)으로부터 반출한 기판(W)을 유지하고, 냉각 유닛(CPa)에 액세스한다. 주반송 기구(TA1)는, 냉각 유닛(CPa) 내의 처리가 끝난 기판(W)을 취출하고, 소수화 처리 유닛(AHLa)으로부터 반출한 기판(W)을 냉각 유닛(CPa) 내에 넣는다. 이어서, 주반송 기구(TA1)는, 냉각 유닛(CPa)으로부터 반출한 기판(W)을 유지하고, 반사 방지막용 도포 처리 유닛(SUa)에 액세스한다. 주반송 기구(TA1)는, 반사 방지막용 도포 처리 유닛(SUa) 내의 처리가 끝난 기판(W)을, 냉각 유닛(CPa)으로부터 반출한 기판(W)으로 바꾸어 넣는다. 그 후, 주반송 기구(TA1)는, 가열 냉각 유닛(PHPa), 냉각 유닛(CPa), 레지스트막용 도포 유닛(SUc), 가열 냉각 유닛(PHPa), 냉각 유닛(CPa), 재치부(PAcS), 재치부(PAcR), 재치부(PAaR)에, 이 순서로 액세스한다. 이상이, 주반송 기구(TA1)의 일련의 동작이다.
주반송 기구(TA1)가 일련의 동작을 행한 후, 주반송 기구(TA1)는 다시 일련의 동작을 행한다. 다만, 다음의 일련의 동작에서는, 주반송 기구(TA1)는, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)에 대신하여, 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)에 액세스하고, 레지스트막용 도포 유닛(SUc)에 대신하여, 레지스트막용 도포 유닛(SUd)에 액세스한다.
주반송 기구(TA1)는, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa, SUb)에 교호로 액세스 한다. 이 때문에, 주반송 기구(TA1)가 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)에 액세스하는 타이밍은, 주반송 기구(TA1)가 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)에 액세스하는 타이밍과 어긋나 있다. 환언하면, 주반송 기구(TA1)가 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)의 기판(W)을 바꿔 넣는 타이밍은, 주반송 기구(TA1)가 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)의 기판(W)을 바꿔 넣는 타이밍과 어긋나 있다. 도 11은, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa, SUb)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δta를 모식적으로 나타낸다.
그 결과, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)이 액 처리를 행하는 동작은, 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)이 액 처리를 행하는 동작과 시간적으로 어긋난다. 환언하면, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa, SUb)이 액 처리를 행하는 기간은, 일치하지 않고, 상이하다. 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)이 대기하는 동작도, 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)이 대기하는 동작과 시간적으로 어긋난다.
동일하게 주반송 기구(TA1)는, 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)에 교호로 액세스한다. 이 때문에, 주반송 기구(TA1)가 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)에 액세스하는 타이밍은, 어긋나 있다. 도 11은, 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtb을 모식적으로 나타낸다.
그 결과, 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)의 동작은, 시간적으로 어긋난다. 또한, 반사 방지막용 도포 유닛(SUa)의 동작은, 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)의 동작에 대해서도 시간적으로 어긋난다. 반사 방지막용 도포 유닛(SUb)의 동작도, 레지스트막용 도포 유닛(SUc, SUd)의 동작에 대해서도 시간적으로 어긋난다.
계층(Kc)에서는, 주반송 기구(TB1)는, 재치부(PAcS)로부터 엣지 노광 유닛(EEWc)에 기판(W)을 반송한다. 엣지 노광 유닛(EEWc)은 기판(W)의 주연부를 노광한다. 주반송 기구(TB1)는, 주연부가 노광된 기판(W)을, 엣지 노광 유닛(EEWc)으로부터 재치부(PAeS)에 반송한다.
계층(Kb, kd)은, 계층(Ka, Kc)과 동일한 동작을 행한다. 즉, 주반송 기구(TA2)는, 재치부(PAaS) 상의 기판(W)을 수취하고, 기판(W)을 각 처리 유닛에 소정의 순서로 반송한다. 각 처리 유닛은 각각, 기판(W)에 처리를 행한다. 이에 따라, 기판(W)에 반사 방지막과 레지스트막이 형성된다. 주반송 기구(TA2)는, 일련의 처리가 행해진 기판(W)을 재치부(PAdS)에 반송한다. 주반송 기구(TB2)는, 재치부(PAdS)로부터 엣지 노광 유닛(EEWd)에 기판(W)을 반송한다. 엣지 노광 유닛(EEWd)은 기판(W)의 주연부를 노광한다. 주반송 기구(TB2)는, 주연부가 노광된 기판(W)을, 엣지 노광 유닛(EEWd)으로부터 재치부(PAfS)에 반송한다. 계층(Kb, kd)의 동작은, 계층(Ka, Kc)의 동작과 병행하여, 행해진다.
여기서, 주반송 기구(TA2)가 반사 방지막용 도포 유닛(SUe, SUf)에 액세스하는 타이밍은, 어긋나 있다. 도 11은, 반사 방지막용 도포 유닛(SUe, SUf)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtc를 예시한다. 동일하게, 주반송 기구(TA2)가 레지스트막용 도포 유닛(SUg, SUh)에 액세스하는 타이밍은, 어긋나 있다. 도 11은, 레지스트막용 도포 유닛(SUg, SUh)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtd를 예시한다.
반송 기구(TIFa)는, 재치부(PAcS, PAdS)로부터 재치부(PA-CP)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(TIFb)는, 재치부(PA-CP)로부터 노광기(EXP)에 기판(W)을 반송한다. 노광기(EXP)는 기판(W)에 노광 처리를 행한다.
1－2. 귀로
반송 기구(TIFb)는, 노광기(EXP)로부터 재치부(PAgR)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(TIFa)는 재치부(PAgR)로부터 노광 후 가열 처리 유닛(PEBc, PEBd)에 반송한다. 노광 후 가열 처리 유닛(PEBc, PEBd)은 노광 후 가열 처리를 기판(W)에 행한다. 반송 기구(TIFa)는 노광 후 가열 처리가 행해진 기판(W)을, 노광 후 가열 처리 유닛(PEBc, PEBd)으로부터 재치부(PAeR)에 반송한다.
계층(Kc)에서는, 주반송 기구(TB1)는, 재치부(PAeR) 상의 기판(W)을 수취하고, 기판(W)을 각 처리 유닛에 소정의 순서로 반송한다. 소정의 순서는, 예를 들면, 이하와 같다.
소정의 순서의 예：냉각 유닛(CPc)→현상 처리 유닛(SUi/SUj/SUk/SUl)→가열 냉각 유닛(PHPc)→냉각 유닛(CPc)
각 처리 유닛은 기판(W)에 처리를 행한다. 예를 들면, 현상 처리 유닛(SUi, SUj, SUk, SUl)은 현상 처리를 행한다. 냉각 유닛(CP)은 냉각 처리를 행한다. 이들 일련의 처리에 의해, 기판(W)이 현상된다. 주반송 기구(TB1)는, 일련의 처리가 행해진 기판(W)을 재치부(PAcR)에 반송한다.
현상 처리 유닛(SUi-SUl)의 동작예를, 상세하게 설명한다. 주반송 기구(TB1)가 회전 유지부(46)에 기판(W)을 재치한다. 회전 유지부(46)가 기판(W)을 유지한다. 컵(47)이 회전 유지부(46) 상의 기판(W)의 측방을 둘러싼다. 노즐 반송 기구(49)는 노즐(48)을 기판(W)의 상방으로 이동시킨다. 노즐(48)은 처리액(현상액)을 기판(W)에 공급한다. 이때, 회전 유지부(46)는 기판(W)을 적절하게 회전시켜도 된다. 컵(47)은 기판(W)으로부터 비산된 현상액을 회수한다. 이와 같이 하여, 기판(W)이 현상된다.
주반송 기구(TB1)는, 현상 처리 유닛(SUi, SUj, SUk, SUl)에 교호로 액세스한다. 이 때문에, 주반송 기구(TB1)가 현상 처리 유닛(SUi, SUj, SUk, SUl)에 액세스하는 타이밍은 어긋나 있다. 도 11은, 현상 처리 유닛(SUi, SUj)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δte와, 현상 처리 유닛(SUj, SUk)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtf와, 현상 처리 유닛(SUk, SUl)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtg를 예시한다. 그 결과, 현상 처리 유닛(SUi, SUj, SUk, SUl)의 각 동작은, 시간적으로 어긋난다.
계층(Ka)에서는, 주반송 기구(TA1)는, 재치부(PAcR)로부터 재치부(PAaR)에 기판(W)을 반송한다.
계층(Kd, kb)은, 계층(Kc, Ka)과 동일한 동작을 행한다. 계층(Kd, kb)의 동작은, 계층(Kc, Ka)의 동작과 병행하여 행해진다.
여기서, 주반송 기구(TB2)가 현상 처리 유닛(SUm, SUn, SUo, SUp)에 액세스하는 타이밍은 어긋나 있다. 도 11은, 현상 처리 유닛(SUm, SUn)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δth와, 현상 처리 유닛(SUn, SUo)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δti와, 현상 처리 유닛(SUo, SUp)의 사이에 있어서의, 편차 시간 Δtj를 예시한다.
인덱서용 반송 기구(TID)는, 재치부(PAaR, PAbR)로부터 교호로 기판(W)을 수취하여, 캐리어(C)에 반송한다.
2. 반송 스페이스(AA, AB)의 급기 및 배기에 관한 동작
기판(W)의 반송 및 기판(W)에 대한 처리에 관한 동작을 행할 때, 반송 스페이스용 급기부(31A, 31B)는 각각, 반송 스페이스(AA, AB)에 기체를 공급하고, 반송 스페이스용 배기부(36A, 36B)는 각각, 반송 스페이스(AA, AB)로부터 기체를 배출한다.
구체적으로는, 급기 팬(32A)은, 기판 처리 장치(1)의 상방의 기체(예를 들면, 청정 공기)를 취입하고, 취출 유닛(33A1, 33A2)에 기체를 보낸다. 취출 유닛(33A1, 33A2)은 각각, 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)에 기체를 취출한다. 동일하게, 급기 팬(32B)은 취출 유닛(33A1, 33A2)에 기체를 보낸다. 취출 유닛(33B1, 33B2)은 각각 분할 반송 스페이스(AB1, AB2)에 기체를 취출한다.
흡입 유닛(37A1, 37A2)은 각각, 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)의 기체를 흡입한다. 배기 팬(38A)은, 흡입 유닛(37A1, 37A2)에 의해서 흡입된 기체를, 기판 처리 장치(1)의 외부에 배출한다. 동일하게, 분할 반송 스페이스(AB1, AB2) 내의 기체는, 흡입 유닛(37B1, 37B2) 및 배기 팬(38B)에 의해서, 기판 처리 장치(1)의 외부에 배출된다.
반송 스페이스용 급기부(31A) 및 반송 스페이스용 배기부(36A)의 각 동작에 의해서, 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)에는, 기체가 위에서 아래로 향해 흐른다. 즉, 다운 플로우가 분할 반송 스페이스(AA1, AA2)에 형성된다. 동일하게, 반송 스페이스용 급기부(31B) 및 반송 스페이스용 배기부(36B)의 각 동작에 의해서, 분할 반송 스페이스(AB1, AB2)에 다운 플로우가 형성된다.
3. 액 처리 유닛(SU)의 급기 및 배기에 관한 동작
기판(W)의 반송 및 기판(W)에 대한 처리에 관한 동작을 행할 때, 개별 급기부(51a-51p)는 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUp)에 기체를 공급하고, 개별 배기부(61a-61p)는 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUp)으로부터 기체를 배출한다.
구체적으로는, 공기 제어 장치(58)는, 온도 및 습도가 조정된 기체를, 집합 급기 포트(57a-57d)를 통하여, 분배관(56a-56d)에 공급한다. 분배관(56a-56d)은 각각, 개별 급기부(51a-51p)에 기체를 분배한다. 각 개별 급기부(51a-51p)는 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUp)에 기체를 공급한다. 구체적으로는, 급기관(53a-53p)은, 급기 댐퍼(52a-52p)를 통하여, 취출 유닛(55a-55p)에 기체를 보낸다. 급기 댐퍼(52a-52p)는 각각, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 조정한다. 급기 댐퍼(52a-52p)의 각 동작은, 서로 독립되어 있다. 취출 유닛(55a-55p)은, 액 처리 유닛(SUa-SUp)에 기체를 취출한다.
개별 배기부(61a-61p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp)으로부터 기체를 기판 처리 장치(1)의 외부에 배출한다. 구체적으로는, 배기관(62a-62p) 및 배기 포트(63a-63p)는, 각 액 처리 유닛(SUa-SUp)의 컵(42/47) 내의 기체를, 기판 처리 장치(1)의 외부에 배출한다. 각 액 처리 유닛(SUa-SUp)으로부터의 기체의 배출량은 각각, 배기 댐퍼(66a-66p)에 의해서 조정된다.
도 12를 참조한다. 도 12는, 액 처리 유닛(SUa, SUb)의 동작과, 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량과, 액 처리 유닛(SUb)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량의 관계를 예시하는 타이밍 차트이다. 도 12는, 편의상, 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량을, 1개의 그래프로 모아서 나타낸다. 동일하게, 도 12는, 액 처리 유닛(SUb)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량을, 1개의 그래프로 모아서 나타낸다.
액 처리 유닛(SUa)은, 시각 t3-t7의 기간 및 시각 t9 이후의 기간에 있어서 기판(W)에 액 처리를 행한다. 액 처리 유닛(SUa)은, 시각 t1-t3, t7-t9의 기간에 있어서 대기한다(액 처리를 행하지 않는다). 액 처리 유닛(SUa)이 대기하고 있을 때, 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa)의 기판(W)을 바꿔 넣는다. 한편, 액 처리 유닛(SUb)은, 시각 t4까지의 기간, 시각 t6 이후의 기간에 있어서 기판(W)에 액 처리를 행한다. 액 처리 유닛(SUb)은, 시각 t4-t6의 기간에 있어서 대기한다(액 처리를 행하지 않는다). 액 처리 유닛(SUa, SUb)의 동작은, 편차 시간 Δta만큼, 어긋나 있다. 편차 시간 Δta는, 예를 들면, 시각 t3-t6의 기간에 상당한다.
제어부(75)는, 급기 댐퍼(52a) 및 배기 댐퍼(66a)를 제어함으로써, 액 처리 유닛(SUa)에 대한 기체의 공급량과 액 처리 유닛(SUa)으로부터의 배출량을 조정한다.
예를 들면, 액 처리 유닛(SUa)이 액 처리를 개시할 때(시각 t3, t9), 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량을, 저유량(QL)으로부터 고유량(QH)으로 증가시킨다. 저유량(QL)은, 예를 들면 제로 이상이다. 고유량(QH)은 저유량(QL)보다도 크다. 또한, 액 처리 유닛(SUa)이 액 처리를 행하고 있을 때, 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량을, 고유량(QH)으로부터 중유량(QM)으로 저하시킨다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa)이 액 처리를 개시했을 때부터 소정 시간 Δts가 경과할 때(시각 t5), 기체의 공급량 및 배출량을 고유량(QH)으로부터 중류량(QM)으로 저하시킨다. 중유량(QM)은 고유량(QH)보다 작고, 또한, 저류량(QL)보다 크다. 액 처리 유닛(SUa)이 액 처리를 종료할 때(시각 t1, t7), 기체의 공급량/배출량을, 중유량(QM)으로부터 저유량(QL)으로 저하시킨다.
한편, 제어부(75)는, 급기 댐퍼(52b) 및 배기 댐퍼(66b)를 제어함으로써, 액 처리 유닛(SUb)에 대한 기체의 공급량 및 액 처리 유닛(SUb)으로부터의 배출량을 조정한다.
예를 들면, 액 처리 유닛(SUb)의 동작과 액 처리 유닛(SUb)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량의 관계는, 액 처리 유닛(SUa)의 동작과 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량의 관계와 동일하다. 즉, 액 처리 유닛(SUb)이 액 처리를 개시할 때(시각 t6), 액 처리 유닛(SUb)에 관련된 기체의 공급량 및 배출량을 저유량(QL)으로부터 고유량(QH)으로 증가시킨다. 액 처리 유닛(SUb)이 액 처리를 개시했을 때부터 소정 시간 Δts가 경과할 때(시각 t8), 기체의 공급량 및 배출량을 고유량(QH)으로부터 중유량(QM)으로 저하시킨다. 액 처리 유닛(SUb)이 액 처리를 종료할 때(시각 t4), 기체의 공급량 및 배출량을 중유량(QM)으로부터 저유량(QL)으로 저하한다.
<효과>
이와 같이, 본 실시예에 의하면, 개별 급기부(51)를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)마다, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 바꿀 수 있다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa, SUb)에 대한 기체의 공급량을 다르게 할 수도 있고, 액 처리 유닛(SUa, SUb)에 대한 기체의 공급량을 동일하게 할 수 도 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)에 대하여, 적절한 타이밍에, 적절한 양의 기체를 공급할 수 있다. 따라서, 각 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상할 수 있다.
특히, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 동일한 챔버(CH) 내에 배치되고, 동종의 액 처리를 행하는 경우라도, 개별 급기부(51)는 기체의 공급량을 액 처리 유닛(SU) 마다 조정 가능하다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
개별 급기부(51)는 급기 댐퍼(52)를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 적합하게 조정할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 분배관(56a)을 구비하기 때문에, 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)의 사이에 있어서, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 구체적으로는, 급기관(53a, 53c, 53e, 53g)의 사이에서, 급기관(53)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 통일할 수 있다. 또한, 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)의 사이에 있어서, 급기관(53)과 급기 댐퍼(52)의 배치 등을 용이하게 통일할 수 있다.
그 결과, 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 개별 급기부(51a)에 있어서의 기체의 공급량에 기인하여, 다른 개별 급기부(51c, 51e, 51g)에 있어서의 기체의 공급량이 변동하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 개별 급기부(51a)의 기체의 공급량을 의도적으로 변경했을 때에, 다른 개별 급기부(51c, 51e, 51g)의 기체의 공급량이 의도치 않게 변동해 버리는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 분배관(56a)에 대응하는 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
동일하게, 기판 처리 장치(1)는 분배관(56b, 56c, 56d)을 구비하기 때문에, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 개별 급기부(51)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
분배관(56a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로 구성되는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)을 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은, 분배관(56a)에 대하여 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은, 분배관(56a)으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 대응하는 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)의 사이에서, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일하게, 분배관(56b, 56c, 56d)은 각각, 대응하는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56)의 범위는, 대응하는 액 처리 유닛군에 속하는 모든 액 처리 유닛(SU)의 높이 위치에 이른다. 이 때문에, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
분배관(56a)은, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)으로 구성되는 취출 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)은, 분배관(56a)에 대하여 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)은, 분배관(56a)으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 취출 유닛(55a, 55c, 55e, 55g)에 대응하는 개별 급기부(51a, 51c, 51e, 51g)의 사이에서, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일하게, 분배관(56b, 56c, 56d)은 각각, 대응하는 취출 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
상하 방향(Z)에 있어서의 분배관(56)의 범위는, 대응하는 취출 유닛군에 속하는 모든 취출 유닛(55)의 높이 위치에 이른다. 이 때문에, 개별 급기부(51)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일한 분배관(56)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 액 처리 유닛(SU)에 대응하는 복수의 개별 급기부(51)에 기체를 분배하지 않는다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa, SUb)은 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUa)은 개별 급기부(51a)와 대응한다. 액 처리 유닛(SUb)은 개별 급기부(51b)와 대응한다. 개별 급기부(51)에는, 분배관(56a)이 기체를 분배한다. 개별 급기부(51b)에는, 분배관(56b)이 기체를 분배한다. 이와 같이, 동일한 분배관(56)이, 개별 급기부(51a, 51b)의 양쪽에 기체를 분배하지 않는다. 이 때문에, 액 처리 유닛(SUa, SUb)에 대한 기체의 공급량이, 상호 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SUa, SUb)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다. 이와 같이, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우라도, 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
분배관(56)은 복수(예를 들면 4개)의 개별 급기부(51)에 기체를 분배하기 때문에, 개별 급기부(51)를 소형화할 수 있다. 이에 따라, 개별 급기부(51)의 설치 스페이스를 저감할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에만 기체를 취출하는 복수의 취출 유닛(55)을 구비하기 때문에, 각 액 처리 유닛(SU)에 기체를 적합하게 공급할 수 있다.
개별 급기부(51)는 급기관(53)을 구비하기 때문에, 개별 급기부(51)는 기체를 액 처리 유닛(SU)에 적합하게 보낼 수 있다. 또한, 개별 급기부(51)는 급기관(53)을 구비하기 때문에, 개별 급기부(51)는 취출 유닛(55)과 적합하게 접속할 수 있다. 이에 따라, 개별 급기부(51)는 취출 유닛(55)에 기체를 적합하게 보낼 수 있다.
대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 취출 유닛(55)의 각각과 접속하는 복수의 급기관(53)은, 취출 유닛(55)으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장되어 있다. 이에 따라, 복수의 개별 급기부(51)가 서로 근접하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 복수의 개별 급기부(51)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다. 그 결과, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우라도, 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 개별 배기부(61)를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)마다, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 바꿀 수 있다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa, SUb)으로부터의 기체의 배출량을 상이하게 할 수도 있고, 액 처리 유닛(SUa, SUb)으로부터의 기체의 배출량을 동일하게 할 수도 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)으로부터, 적절한 타이밍에, 적절한 양의 기체를 배출할 수 있다. 따라서, 각 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
특히, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 동일한 챔버(CH) 내에 배치되고, 동종의 액 처리를 행하는 경우라도, 개별 배기부(61)는 기체의 배출량을 액 처리 유닛(SU)마다 조정한다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
복수의 개별 배기부(61)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있다. 바꾸어 말하면, 각 개별 배기부(61)가 갖는 기체의 유로는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 접속되어 있지 않다. 이 때문에, 기체의 배출량을 조정하는 외부 기기(예를 들면, 배기 댐퍼(66a-66p))를 이용하여, 기체의 배출량을 개별 배기부(61)마다 적합하게 조정할 수 있다. 이에 따라, 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 개별 배기부(61)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있기 때문에, 복수의 개별 배기부(61)의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 일부 개별 배기부(61)에 있어서의 기체의 배출량에 기인하여, 다른 개별 배기부(61)에 있어서의 기체의 배출량이 변동하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)에 있어서의 기체의 배출량을 의도적으로 변경했을 때에, 개별 배기부(61a) 이외의 개별 배기부(61)에 있어서의 기체의 배출량이 의도치 않게 변동해 버리는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 이에 따라, 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
개별 배기부(61)는 배기 포트(63)를 구비하기 때문에, 개별 배기부(61)는 외부 기기(예를 들면, 배기 댐퍼(66a-66p)나 기체 흡인 장치(67))와 용이하게 접속할 수 있다.
개별 배기부(61)는 배기관(62)을 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)으로부터 배출된 기체를 외부 기기에 적합하게 보낼 수 있다.
개별 배기부(61)는, 대응하는 액 처리 유닛(SU)이 갖는 컵(42/47) 내의 기체를 배출한다. 이에 따라, 개별 배기부(61)는, 액 처리 유닛(SU)으로부터 기체를 적합하게 배출할 수 있다.
개별 배기부(61)는 배기관(62)을 구비하기 때문에, 개별 배기부(51)는 액 처리 유닛(SU)으로부터 기체를 적합하게 배출할 수 있다. 또한, 개별 배기부(61)는 배기관(62)을 구비하고 있기 때문에, 개별 배기부(61)는 컵(42/47)과 적합하게 접속할 수 있다. 이에 따라, 개별 배기부(61)는 액 처리 유닛(SU)으로부터 기체를 한층 적합하게 배출할 수 있다.
대략 수평 방향으로 서로 이웃하는 복수의 컵(42/72)의 각각과 접속하는 복수의 배기관(62)은, 컵(42/72)으로부터 서로 상이한 방향을 향하여 연장되어 있다. 이에 따라, 복수의 개별 배기부(61)가 서로 근접하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 복수의 개별 배기부(61)의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 그 결과, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우라도, 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 제어부(75)를 구비하고, 제어부(75)는, 각 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 개별로 제어한다. 따라서, 각 액 처리 유닛(SU)이 기판(W)에 행하는 액 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)의 동작에 따라서, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 개별로 조정한다. 예를 들면, 제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있는지, 대기하고 있는지에 따라서, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 변경한다. 보다 구체적으로는, 제어부(75)는, 액 처리의 개시 시각 및 종료 시각에, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 개별로 변화시킨다. 제어부(75)는, 대기의 개시 시각 및 종료 시각에, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 개별로 변화시킨다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있을 때 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 변화시킨다. 환언하면, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하는 기간에 걸쳐서, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량은 일정하지 않다. 이와 같이, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있을 때, 적절한 타이밍에서 적절한 양의 기체를 액 처리 유닛(SU)에 공급할 수 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리의 개시 시각으로부터의 경과 시간에 의거하여, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 조정한다. 이에 의하면, 적절한 타이밍에서 적절한 양의 기체를 액 처리 유닛(SU)에 공급할 수 있다.
제어부(75)는, 각 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 개별로 제어한다. 따라서, 각 액 처리 유닛(SU)이 기판(W)에 행하는 액 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)의 동작에 따라서, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 개별로 조정한다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있을 때 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 변화시킨다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)의 처리 품질을 한층 적합하게 향상시킬 수 있다.
제어부(75)는, 액 처리의 개시 시각으로부터의 경과 시간에 의거하여, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 조정한다. 이에 의하면, 적절한 타이밍에서 적절한 양의 기체를 액 처리 유닛(SU)에 공급할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 실시예에서는, 기판 처리 장치(1)는 분배관(56)을 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 분배관(56)을 생략해도 좋다. 또한, 실시예 1에서는, 복수의 개별 급기부(51)가, 기판 처리 장치(1) 내에 있어서, 분배관(56)을 통하여 간접적으로 접속되었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 개별 급기부(51)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있어도 좋다.
도 13을 참조한다. 도 13은, 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다. 도 13에서는, 편의상, 액 처리 유닛(SUa-SUh)에 관련된 개별 급기부(51) 및 개별 배기부(61)만을 도시한다. 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
도시하는 바와 같이, 개별 급기부(51a)는, 댐퍼(52a)와 급기관(53a)과, 급기 포트(81a)를 구비한다. 동일하게 개별 급기부(51b-51h)는 각각, 댐퍼(52b-52h)와, 급기관(53b-53h)과, 급기 포트(81b-81h)를 구비한다.
급기관(53a-53h)의 일단은 각각, 취출 유닛(55a-55h)과 직접적으로 접속한다. 급기관(53a-53h)의 도중에는, 급기 댐퍼(52a-52h)가 개재 삽입된다. 급기 댐퍼(52a-52h)는, 챔버(CH)의 외부에 배치된다. 급기관(53a-53h)의 타단은 각각, 급기 포트(81a-81h)와 접속한다. 급기 포트(81a-81h)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 급기 포트(81a-81h)는, 예를 들면 기판 처리 장치(1)의 저면에 배치된다. 급기 포트(81a-81h)는 각각, 외부 기기인 공기 제어 장치(58)에 접속된다.
본 변형 실시예에 의하면, 개별 급기부(51a-51h)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있다. 환언하면, 복수의 개별 급기부(51)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 직접적 또는 간접적으로 접속되어 있지 않다. 이 때문에, 개별 급기부(51a-51h)가 각각 갖는 기체의 유로는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리된 상태로 유지된다. 따라서, 복수의 개별 급기부(51a-51h)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 변형 실시예에서는, 개별 급기부(51a-51h)는 급기 포트(81a-81h)를 구비하기 때문에, 개별 급기부(51a-51h)는 외부 기기와 용이하게 접속할 수 있다.
(2) 실시예에서는, 개별 급기부(51)는 급기 댐퍼(52)를 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 개별 급기부(51)는 급기 댐퍼(52)를 구비하지 않아도 된다.
도 14를 참조한다. 도 14는, 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다. 도 14에서는, 편의상, 액 처리 유닛(SUa-SUh)에 관련된 개별 급기부(51) 및 개별 배기부(61)만을 도시한다. 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
도시하는 바와 같이, 개별 급기부(51a)는, 급기관(53a)과 급기 포트(81a)를 구비한다. 동일하게 개별 급기부(51b-51h)는 각각, 급기관(53b-53h)과, 급기 포트(81b-81h)를 구비한다. 또한, 개별 급기부(51a-51h)는, 실시예 1에서 설명한 급기 댐퍼(52)를 구비하지 않는다.
급기관(53a-53h)의 일단은 각각, 취출 유닛(55a-55h)과 직접적으로 접속한다. 급기관(53a-53h)의 타단은 각각, 급기 포트(81a-81h)와 접속한다. 급기 포트(81a-81h)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 급기 포트(81a-81h)는, 예를 들면 기판 처리 장치(1)의 저면에 배치된다. 급기 포트(81a-81h)는 각각, 급기 댐퍼(83a-83h)에 접속된다. 급기 댐퍼(83a-83h)는, 기체의 공급량을 조정한다. 급기 댐퍼(83a-83h)는, 공기 제어 장치(58)에 접속된다. 급기 댐퍼(83a-83h) 및 공기 제어 장치(58)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기이다. 급기 댐퍼(83a-83h) 및 공기 제어 장치(58)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치된다. 제어부(75)는, 급기 댐퍼(83a-83h)를 제어해도 된다. 급기 댐퍼(83a-83h)는, 본 발명에 있어서의 외부 기기(보다 엄밀하게 말하면, 급기용 외부 기기)의 예이다.
본 변형 실시예에 의하면, 개별 급기부(51a-51h)는, 적어도 기판 처리 장치(1) 내에 있어서는, 서로 분리되어 있다. 따라서, 복수의 개별 급기부(51a-51h)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 개별 급기부(51)가 급기 댐퍼(52)를 구비하지 않아도, 기체의 공급량을 조정하는 외부 기기(예를 들면, 급기 댐퍼(83a-83h))를 이용하고, 개별 급기부(51)에 있어서의 기체의 공급량을 개별 급기부(51)마다 조정할 수 있다. 이에 따라, 각 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
(3) 실시예에서는, 개별 배기부(61)는 배기 댐퍼를 구비하지 않았지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 개별 배기부(61)는 배기 댐퍼를 구비해도 된다.
도 13을 참조하고, 1개의 변형 실시예를 설명한다. 도시하는 바와 같이, 개별 배기부(61a)는, 배기관(62a)과, 배기 포트(63a)와, 배기 댐퍼(91a)를 구비한다. 동일하게, 개별 배기부(61b-61h)는 각각, 배기관(62b-62h)과, 배기 포트(63b-63h)와, 배기 댐퍼(91b-91h)를 구비한다.
배기관(62a-62h)의 일단은 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUh)의 컵(42)과 접속한다. 배기관(62a-62h)의 도중에는, 배기 댐퍼(91a-91h)가 개재 삽입된다. 배기 댐퍼(91a-91h)는 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUh)으로부터의 기체의 배기량을 조정한다. 배기 댐퍼(91a-91h)는 각각, 챔버(CH)의 외부에 배치된다. 배기관(62a-62h)의 타단은 각각, 배기 포트(63a-63h)와 접속한다. 배기 포트(63a-63h)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 배기 포트(63a-63h)는, 예를 들면 기판 처리 장치(1)의 저면에 배치된다.
제어부(75)는, 배기 댐퍼(91a-91h)를 제어한다.
배기 포트(63a-63h)는 각각, 기체 흡인 장치(67)에 접속된다. 기체 흡인 장치(67)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기이다. 또한, 실시예 1에서 설명한 배기 댐퍼(66a-66h)는 생략되어 있다.
도 13의 변형 실시예에 의하면, 개별 배기부(61a-61h)는 배기 댐퍼(91a-91h)를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 적합하게 조정할 수 있다.
도 14를 참조하고, 다른 변형 실시예를 설명한다. 도시하는 바와같이, 개별 배기부(61a)는, 배기관(62a)과 배기 댐퍼(91a)를 구비한다. 동일하게 개별 배기부(61b-61h)는 각각, 배기관(62b-62h)과, 배기 댐퍼(91b-91h)를 구비한다.
배기관(62a-62h)의 일단은 각각, 액 처리 유닛(SUa-SUh)의 컵(42)과 접속한다. 배기관(62a-62h)의 도중에는, 배기 댐퍼(91a-91h)가 개재 삽입된다. 배기 댐퍼(91a-91h)는 각각, 챔버(CH)의 내부에 배치된다.
기판 처리 장치(1)는, 집합관(93a, 93b)을 구비한다. 집합관(93a, 93b)은, 액 처리 유닛군에 대응하여 개별로 설치된다. 구체적으로는, 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다. 집합관(93b)은, 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)으로 구성되는 1개의 액 처리 유닛군에 관련된다.
그 결과, 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 관련된다. 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)에 관련된다. 또한, 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로부터 기체를 배출하는 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)에 관련된다. 다른 집합관(93b)에 관해서도, 동일하다.
집합관(93a, 93b)은 각각, 액 처리 유닛군에 대응하는 복수의 개별 배기부(61)로부터만 기체를 회수한다. 예를 들면, 집합관(93a)은, 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)만으로부터 기체를 회수한다. 다만, 집합관(93a)은, 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g) 이외의 개별 배기부(61)에 기체를 분배하지 않는다. 동일하게, 집합관(93b)은, 개별 배기부(61b, 61d, 61f, 61h)로부터만 기체를 회수한다.
구체적으로, 집합관(93a)은, 배기관(62a, 62c, 62e, 62g)과 접속한다. 다만, 집합관(93a)은, 배기관(62a, 62c, 62e, 62g) 이외의 배기관(62)과 접속하지 않는다. 동일하게, 집합관(93b)은, 개별 배기부(61b, 61d, 61f, 61h)와 접속한다.
집합관(93a, 93b)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 간단히 「집합관(93)」으로 기재한다.
집합관(93)은, 그 집합관(93)에 대응하는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 예를 들면, 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 측방(예를 들면 전방(XF))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 집합관(93b)은, 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)의 측방(예를 들면 후방(XBF))에 있어서 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다.
상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93)의 범위는, 대응하는 액 처리 유닛군에 속하는 모든 액 처리 유닛(SU)의 높이 위치를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93a)의 범위는, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 각 높이 위치에 미치는 것이 바람직하다.
집합관(93)은, 그 집합관(93)에 대응하는 컵군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 예를 들면, 집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)의 측방(예를 들면 전방(XF))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 집합관(93b)은 액 처리 유닛(SUb, SUd, SUf, SUh)의 컵(42)의 측방(예를 들면 후방(XB))에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다.
상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93)의 범위는, 대응하는 컵군에 속하는 모든 컵(42)의 높이 위치를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93a)의 범위는, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)의 각 높이 위치에 미치는 것이 바람직하다.
기판 처리 장치(1)는, 집합관용 배기 포트(95a, 95b)를 더 구비한다. 집합관용 배기 포트(95a, 95b)는, 집합관(93a, 93b)에 대응하여 개별로 설치된다. 집합관용 배기 포트(95a)는 집합관(93a)과 접속한다. 집합관용 배기 포트(95b)는 집합관(93b)과 접속한다. 집합관용 배기 포트(95a, 95b)는 각각, 기판 처리 장치(1)의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속 가능하다. 집합관용 배기 포트(95a, 95b)는, 예를 들면 처리부(17)의 저면에 배치된다. 집합관용 배기 포트(95a, 95b)는, 외부 기기인 기체 흡인 장치(67)와 접속한다.
도 14의 변형 실시예에 의해서도, 개별 배기부(61a-61h)는 배기 댐퍼(91a-91h)를 구비하기 때문에, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 적합하게 조정할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 집합관(93a)을 구비하기 때문에, 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)의 사이에 있어서, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 구체적으로는, 배기관(62a, 62c, 62e, 62g)의 사이에서, 배기관(62)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 통일할 수 있다. 또한, 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)의 사이에 있어서, 배기관(62)과 배기 댐퍼(91)의 배치 등을 용이하게 통일할 수 있다.
그 결과, 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)의 사이에서, 기체의 공급량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)에 있어서의 기체의 배출량에 기인하여, 다른 개별 배기부(61c, 61e, 61g)에 있어서의 기체의 배출량이 변동하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 개별 배기부(61a)의 기체의 배출량을 의도적으로 변경했을 때에, 다른 개별 배기부(61c, 61e, 61g)의 기체의 공급량이 의도치 않게 변동해 버리는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 집합관(93a)에 대응하는 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
동일하게, 기판 처리 장치(1)는 집합관(93b)을 구비하기 때문에, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 용이하게 맞출 수 있다. 그 결과, 개별 배기부(61)의 사이에서, 기체의 배출량이 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)으로 구성되는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은, 집합관(93a)에 대하여 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)은, 집합관(93a)으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)에 대응하는 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)의 사이에서, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일하게, 집합관(93b)은, 대응하는 액 처리 유닛군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93)의 범위는, 대응하는 액 처리 유닛군에 속하는 모든 액 처리 유닛(SU)의 높이 위치에 미친다. 이 때문에, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
집합관(93a)은, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)으로 구성되는 컵군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)은, 집합관(93a)에 대하여 대략 동일한 방향에 위치한다. 또한, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)은, 집합관(93a)으로부터 대략 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SUa, SUc, SUe, SUg)의 컵(42)에 대응하는 개별 배기부(61a, 61c, 61e, 61g)의 사이에서, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일하게, 집합관(93b)은, 대응하는 컵군의 측방에 있어서, 상하 방향(Z)으로 연장되도록 설치된다. 이 때문에, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
상하 방향(Z)에 있어서의 집합관(93)의 범위는, 대응하는 컵군에 속하는 모든 컵(42)의 높이 위치에 미친다. 이 때문에, 개별 배기부(61)의 형상, 치수, 방향 등을 한층 용이하게 맞출 수 있다.
동일한 집합관(93)은, 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 액 처리 유닛(SU)에 대응하는 복수의 개별 배기부(61)에 기체를 분배하지 않는다. 예를 들면, 액 처리 유닛(SUa, SUb)은 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치된다. 액 처리 유닛(SUa)은 개별 배기부(61a)와 대응한다. 액 처리 유닛(SUb)은 개별 배기부(61b)와 대응한다. 집합관(93a)은 개별 배기부(61a)로부터 기체를 회수한다. 집합관(93b)은 개별 배기부(61b)로부터 기체를 회수한다. 이와 같이, 동일한 집합관(93)이, 개별 배기부(61a, 61b)의 양쪽으로부터 기체를 회수하지 않는다. 이 때문에, 액 처리 유닛(SUa, SUb)으로부터의 기체의 배출량이, 상호 간섭하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 액 처리 유닛(SUa, SUb)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다. 이와 같이, 복수의 액 처리 유닛(SU)이 대략 수평 방향으로 서로 이웃하도록 배치되는 경우라도, 액 처리 유닛(SU)에 있어서의 처리 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.
집합관(93)은 복수(예를 들면 4개)의 개별 배기부(61)로부터 기체를 회수하기 때문에, 개별 배기부(61)를 소형화할 수 있다. 이에 따라, 개별 배기부(61)의 설치 스페이스를 저감할 수 있다.
(4) 실시예에서는, 공기 제어 장치(58) 및 기체 흡인 장치(67)는, 외부 기기였지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 공기 제어 장치(58) 및 기체 흡인 장치(67)를, 기판 처리 장치(1)의 내부에 설치해도 좋다.
도 15를 참조한다. 도 15는, 변형 실시예에 따른 개별 급기부 및 개별 배기부를 나타내는 상세한 측면도이다. 도 15에서는, 편의상, 액 처리 유닛(SUa-SUh)에 관련된 개별 급기부(51) 및 개별 배기부(61)만을 도시한다. 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
도시하는 바와 같이, 공기 제어 장치(58) 및 기체 흡인 장치(67)를 기판 처리 장치(1)의 내부(예를 들면, 처리 블록(BA)의 하부)에 설치해도 좋다. 이에 의하면, 배기 포트(63)를 생략할 수 있다. 즉, 개별 배기부(61)의 구성을 간소화할 수 있다. 또한, 분배관용 급기 포트(57)를 생략할 수 있다.
(5) 실시예에서는, 도 12에 나타내는 대로, 액 처리 유닛(SUa)에 관련된 공급량과 배출량이 같았지만, 이에 한정되지 않는다. 액 처리 유닛(SUa)에 대한 공급량과 배출량이 서로 상이해도 좋다. 다른 액 처리 유닛(SU)에 관련된 공급량과 배기량에 대해서도 동일하다.
(6) 실시예에서는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 개시했을 때로부터 소정 시간 Δts가 경과했을 때에, 제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 변화시켰지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제어부(75)는, 액 처리의 처리 조건에 의거하여, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 변화시켜도 좋다. 여기서, 액 처리의 처리 조건은, 처리액의 토출 타이밍, 처리액의 토출량, 기판(W)의 회전 속도 등이다.
동일하게, 본 실시예에서는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 개시했을 때로부터 소정 시간 Δts가 경과했을 때에, 제어부(75)는, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 변화시켰지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제어부(75)는, 액 처리의 처리 조건에 의거하여, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 변화시켜도 된다.
(7) 실시예에서는, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있을 때에 기체의 공급량 및 배출량을 변화시켰지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 액 처리 유닛(SU)이 액 처리를 행하고 있을 때는, 기체의 공급량 및 배출량 중 적어도 어느 하나를 일정하게 유지해도 된다.
(8) 실시예에서는, 제어부(75)는 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량과 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량의 양쪽을 제어했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제어부(75)는 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량 및 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량 중 어느 한쪽만을 제어해도 된다.
(9) 실시예에 있어서, 개별 급기부(51)는, 예를 들면, 기체의 유량[m3/s]을 조정함으로써, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 가변해도 된다. 혹은, 개별 급기부(51)는, 기체의 유속[m/s]을 조정함으로써, 액 처리 유닛(SU)에 대한 기체의 공급량을 가변해도 된다. 환언하면, 급기 댐퍼(52)는, 기체의 유량[m3/s]을 조정해도 되고, 기체의 유속[m/s]을 조정해도 된다.
동일하게, 개별 배기부(61)는, 예를 들면, 기체의 유량[m3/s]을 조정함으로써, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 가변해도 된다. 혹은, 개별 배기부(61)는, 기체의 유속[m/s]을 조정함으로써, 액 처리 유닛(SU)으로부터의 기체의 배출량을 가변해도 된다. 환언하면, 배기 댐퍼(91)는, 기체의 유량[m3/s]을 조정해도 되고, 기체의 유속[m/s]을 조정해도 된다.
(10) 실시예에서는, 동일 챔버(CH) 내에 설치되는 복수의 액 처리 유닛(SU)은, 기판(W)에 동종의 액 처리를 행했지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 동일한 챔버(CH) 내에 설치되는 복수의 액 처리 유닛(SU)이, 기판(W)에 상이한 액 처리를 행해도 된다. 예를 들면, 반사 방지막용 도포 유닛(BARC)과 레지스트막용 도포 유닛(RESIST)을 동일한 챔버(CH) 내에 설치해도 된다.
(11) 실시예에서는, 액 처리로서, 반사 방지막 형성 처리와 레지스트막 형성 처리와 현상 처리를 예시했지만, 이에 한정되지 않는다. 액 처리는, 예를 들면, 보호막 형성 처리여도 된다. 보호막 형성 처리는, 기판(W)에 보호막용 재료를 도포하고, 기판(W)의 표면에 보호막을 형성하는 처리이다. 혹은, 액 처리는, 세정 처리라도 된다. 세정 처리는, 기판(W)에 세정액 또는 린스액을 공급하고, 기판(W)을 세정하는 처리이다.
(12) 실시예에서는, 각 챔버(CH)는, 2개의 액 처리 유닛(SU)을 수용했지만, 이에 한정되지 않는다. 1개의 챔버(CH)가, 1개의 액 처리 유닛(SU)만을 수용해도 된다. 혹은, 1개의 챔버(CH)가, 3개 이상의 액 처리 유닛(SU)을 수용해도 된다.
(13) 실시예에서는, 액 처리 유닛군에 의거하여 분배관(56)을 설치했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 분배관(56)을, 취출 유닛군에 의거하여, 설치해도 된다. 보다 구체적으로는, 분배관(56a, 56b, 56c, 56d)을, 취출 유닛군에 대응하여 개별로 설치해도 된다.
(14) 실시예에서는, 액 처리 유닛군에 의거하여 집합관(93)을 설치했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 집합관(93)을, 컵군에 의거하여, 설치해도 된다. 보다 구체적으로는, 집합관(93a, 93b)을, 컵군에 대응하여 개별로 설치해도 된다.
(15) 실시예에서, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 1개의 개별 급기부(51)를 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 복수의 개별 급기부(51)를 구비해도 된다.
(16) 실시예에서, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 1개의 취출 유닛(55)을 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 복수의 취출 유닛(55)을 구비해도 된다.
(17) 실시예에서는, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 1개의 개별 배기부(61)를 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 1개의 액 처리 유닛(SU)에 대하여 복수의 개별 배기부(61)를 구비해도 된다.
(18) 실시예에서는, 액 처리 유닛(SUa-SUh)은 각각, 1개의 컵(42)을 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 액 처리 유닛(SUa-SUh)은, 복수의 컵(42)을 구비해도 된다. 동일하게, 실시예에서는, 액 처리 유닛(SUi-SUp)은 각각, 1개의 컵(47)을 구비했지만, 이에 한정되지 않는다. 액 처리 유닛(SUi-SUp)은, 복수의 컵(47)을 구비해도 된다.
(19) 상술한 각 실시예 및 각 변형 실시예의 각 구성을 적절히 조합하도록 변경해도 된다.
※ 본 발명은 그 사상이나 핵심 특성에서 벗어나지 않고 다른 특정 형태로 구현될 수 있으며, 따라서, 본 발명의 범위를 나태는 것으로, 전술한 명세서보다는 첨부한 청구범위를 참조해야 한다.

Claims (24)

  1. 기판 처리 장치로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판에 액 처리를 행하는 제1 액 처리 유닛과,
    기판에 액 처리를 행하는 제2 액 처리 유닛과,
    상기 제1 액 처리 유닛과 상기 제2 액 처리 유닛을 수용하는 제1 챔버와,
    상기 제1 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제1 액 처리 유닛에 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 제1 개별 급기부와,
    상기 제2 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제2 액 처리 유닛에 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 제2 개별 급기부를 구비하고,
    상기 제1 개별 급기부는, 상기 제1 챔버의 내부로부터 상기 제1 챔버의 외부로, 제1 방향으로 연장되는 제1 급기관을 구비하고,
    상기 제2 개별 급기부는, 상기 제1 챔버의 내부로부터 상기 제1 챔버의 외부로, 제2 방향으로 연장되는 제2 급기관을 구비하고,
    상기 제1 방향은, 상기 제2 방향과 상이한, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 개별 급기부는, 상기 제1 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 조정하는 제1 급기 조정부를 구비하고,
    상기 제2 개별 급기부는, 상기 제2 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 조정하는 제2 급기 조정부를 구비하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 액 처리 유닛과 상하 방향으로 늘어서도록 배치되고, 기판에 액 처리를 행하는 제3 액 처리 유닛과,
    상기 제2 액 처리 유닛과 상하 방향으로 늘어서도록 배치되고, 기판에 액 처리를 행하는 제4 액 처리 유닛과,
    상기 제3 액 처리 유닛과 상기 제4 액 처리 유닛을 수용하는 제2 챔버와,
    상기 제3 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제3 액 처리 유닛에 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 제3 개별 급기부와,
    상기 제4 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제4 액 처리 유닛에 공급량을 가변으로 기체를 공급하는 제4 개별 급기부와,
    상기 제1 개별 급기부 및 상기 제3 개별 급기부에 기체를 분배하는 제1 분배관과,
    상기 제2 개별 급기부 및 상기 제4 개별 급기부에 기체를 분배하는 제2 분배관을 구비하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 개별 급기부와 상기 제2 개별 급기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 분리되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 개별 급기부는,
    기판 처리 장치의 저면에 배치되고, 상기 제1 급기관에 연결되고, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 제1 급기 포트를 구비하고,
    상기 제2 개별 급기부는,
    기판 처리 장치의 저면에 배치되고, 상기 제2 급기관에 연결되고, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 제2 급기 포트를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 제1 챔버에 수용되고, 상기 제1 개별 급기부에 접속되고, 상기 제1 액 처리 유닛에 기체를 취출하는 제1 취출 유닛과,
    상기 제1 챔버에 수용되고, 상기 제2 개별 급기부에 접속되고, 상기 제2 액 처리 유닛에 기체를 취출하는 제2 취출 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 급기관은, 상기 제1 취출 유닛에 접속되고,
    상기 제2 급기관은, 상기 제2 취출 유닛에 접속되고,
    상기 제1 급기관이 상기 제1 취출 유닛으로부터 연장되는 방향은, 상기 제2 급기관이 상기 제2 취출 유닛으로부터 연장되는 방향과 상이한, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 개별 급기부가 상기 제1 액 처리 유닛에 공급하는 기체의 공급량과, 상기 제2 개별 급기부가 상기 제2 액 처리 유닛에 공급하는 기체의 공급량을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량과 상기 제2 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 개별로 변화시키는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 제1 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 변화시키고, 상기 제2 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 제2 액 처리 유닛에 대한 기체의 공급량을 변화시키는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 제1 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제1 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제1 개별 배기부와,
    상기 제2 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제2 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제2 개별 배기부를 구비하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 액 처리 유닛과 상기 제2 액 처리 유닛은, 기판에 동종의 액 처리를 행하는, 기판 처리 장치.
  12. 기판 처리 장치로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판에 액 처리를 행하는 제1 액 처리 유닛과,
    기판에 액 처리를 행하는 제2 액 처리 유닛과,
    상기 제1 액 처리 유닛과 상기 제2 액 처리 유닛을 수용하는 제1 챔버와,
    상기 제1 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제1 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제1 개별 배기부와,
    상기 제2 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제2 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제2 개별 배기부를 구비하고,
    상기 제1 개별 배기부는, 상기 제1 챔버의 내부로부터 상기 제1 챔버의 외부로, 제1 방향으로 연장되는 제1 배기관을 구비하고,
    상기 제2 개별 배기부는, 상기 제1 챔버의 내부로부터 상기 제1 챔버의 외부로, 제2 방향으로 연장되는 제2 배기관을 구비하고,
    상기 제1 방향은, 상기 제2 방향과 상이한, 기판 처리 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 개별 배기부는, 상기 제1 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 조정하는 제1 배기 조정부를 구비하고,
    상기 제2 개별 배기부는, 상기 제2 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 조정하는 제2 배기 조정부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 액 처리 유닛과 상하 방향으로 늘어서도록 배치되고, 기판에 액 처리를 행하는 제3 액 처리 유닛과,
    상기 제2 액 처리 유닛과 상하 방향으로 늘어서도록 배치되고, 기판에 액 처리를 행하는 제4 액 처리 유닛과,
    상기 제3 액 처리 유닛과 상기 제4 액 처리 유닛을 수용하는 제2 챔버와,
    상기 제3 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제3 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제3 개별 배기부와,
    상기 제4 액 처리 유닛에 대응하여 설치되고, 상기 제4 액 처리 유닛으로부터 배출량을 가변으로 기체를 배출하는 제4 개별 배기부와,
    상기 제1 개별 배기부 및 상기 제3 개별 배기부로부터 기체를 회수하는 제1 집합관과,
    상기 제2 개별 배기부 및 상기 제4 개별 배기부로부터 기체를 회수하는 제2 집합관을 구비하는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 개별 배기부와 상기 제2 개별 배기부는, 적어도 기판 처리 장치 내에 있어서는, 서로 분리되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제1 개별 배기부는,
    기판 처리 장치의 저면에 배치되고, 상기 제1 배기관에 연결되고, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 제1 배기 포트를 구비하고,
    상기 제2 개별 배기부는,
    기판 처리 장치의 저면에 배치되고, 상기 제2 배기관에 연결되고, 기판 처리 장치의 외부에 설치되는 외부 기기와 접속하기 위한 제2 배기 포트를 구비하는 기판 처리 장치.
  17. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 액 처리 유닛은, 기판에 처리를 행할 때에 기판의 측방을 둘러싸는 제1 컵을 구비하고,
    상기 제2 액 처리 유닛은, 기판에 처리를 행할 때에 기판의 측방을 둘러싸는 제2 컵을 구비하고,
    상기 제1 개별 배기부는, 상기 제1 컵 내의 기체를 배출하고,
    상기 제2 개별 배기부는, 상기 제2 컵 내의 기체를 배출하는, 기판 처리 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 배기관은, 상기 제1 컵에 접속되고,
    상기 제2 배기관은, 상기 제2 컵에 접속되고,
    상기 제1 배기관이 상기 제1 컵으로부터 연장되는 방향은, 상기 제2 배기관이 상기 제2 컵으로부터 연장되는 방향과 상이한, 기판 처리 장치.
  19. 청구항 12에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 개별 배기부가 상기 제1 액 처리 유닛으로부터 배출하는 기체의 배출량과, 상기 제2 개별 배기부가 상기 제2 액 처리 유닛으로부터 배출하는 기체의 배출량을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량과 상기 제2 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 개별로 변화시키는, 기판 처리 장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 제1 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 변화시키고, 상기 제2 액 처리 유닛이 액 처리를 행하고 있을 때 상기 제2 액 처리 유닛으로부터의 기체의 배출량을 변화시키는, 기판 처리 장치.
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 방향은, 상기 제2 방향과 반대 방향인, 기판 처리 장치.
  22. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 분배관은, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버의 제1 측방에 배치되고,
    상기 제2 분배관은, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버의 제2 측방에 배치되고,
    상기 제1 측방은, 상기 제2 측방과 상이한, 기판 처리 장치.
  23. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 방향은, 상기 제2 방향과 반대 방향인, 기판 처리 장치.
  24. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1 집합관은, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버의 제1 측방에 배치되고,
    상기 제2 집합관은, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버의 제2 측방에 배치되고,
    상기 제1 측방은, 상기 제2 측방과 상이한, 기판 처리 장치.
KR1020160150288A 2015-11-13 2016-11-11 기판 처리 장치 KR101938041B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015223003A JP6503281B2 (ja) 2015-11-13 2015-11-13 基板処理装置
JPJP-P-2015-223003 2015-11-13

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190000781A Division KR102061995B1 (ko) 2015-11-13 2019-01-03 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170056459A KR20170056459A (ko) 2017-05-23
KR101938041B1 true KR101938041B1 (ko) 2019-01-14

Family

ID=58689838

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160150288A KR101938041B1 (ko) 2015-11-13 2016-11-11 기판 처리 장치
KR1020190000781A KR102061995B1 (ko) 2015-11-13 2019-01-03 기판 처리 장치
KR1020190173015A KR20190143442A (ko) 2015-11-13 2019-12-23 기판 처리 장치
KR1020210043880A KR102377315B1 (ko) 2015-11-13 2021-04-05 기판 처리 장치
KR1020220032620A KR20220038043A (ko) 2015-11-13 2022-03-16 기판 처리 장치

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190000781A KR102061995B1 (ko) 2015-11-13 2019-01-03 기판 처리 장치
KR1020190173015A KR20190143442A (ko) 2015-11-13 2019-12-23 기판 처리 장치
KR1020210043880A KR102377315B1 (ko) 2015-11-13 2021-04-05 기판 처리 장치
KR1020220032620A KR20220038043A (ko) 2015-11-13 2022-03-16 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (4) US10170349B2 (ko)
JP (1) JP6503281B2 (ko)
KR (5) KR101938041B1 (ko)
TW (3) TWI674621B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6870944B2 (ja) * 2016-09-26 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
WO2018183227A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 Arkema Inc. Modular hood for coating glass containers
JP7221594B2 (ja) * 2018-03-26 2023-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
WO2019188453A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、空調方法及び記憶媒体
JP7183567B2 (ja) 2018-05-02 2022-12-06 Tdk株式会社 循環式ｅｆｅｍ
US11047050B2 (en) * 2018-10-30 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor tool having controllable ambient environment processing zones
JP7221110B2 (ja) * 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7292159B2 (ja) * 2019-09-12 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び空気供給方法
US20210242039A1 (en) * 2020-02-04 2021-08-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method to reduce a number of external connectors provided on the system
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
JP2022124622A (ja) * 2021-02-16 2022-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20230092188A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060024446A1 (en) * 2004-07-06 2006-02-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010087116A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP4471865B2 (ja) * 2005-02-18 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239472B2 (ja) * 1992-09-04 2001-12-17 ソニー株式会社 洗浄装置の給排気制御方法及び被洗浄物の洗浄方法
TW353777B (en) 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JPH11168135A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Toshiba Corp 基板保管装置および基板保管方法
SG185822A1 (en) * 2000-02-01 2012-12-28 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002147811A (ja) * 2000-11-08 2002-05-22 Sharp Corp クリーンルーム
JP2003100620A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003347186A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US8353986B2 (en) * 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100944949B1 (ko) 2007-10-10 2010-03-03 세메스 주식회사 제어유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP5160204B2 (ja) 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5280141B2 (ja) * 2008-09-30 2013-09-04 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5654862B2 (ja) 2010-04-12 2015-01-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5146526B2 (ja) * 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5569508B2 (ja) 2011-01-05 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5666361B2 (ja) 2011-03-29 2015-02-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP5673480B2 (ja) 2011-10-14 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6320762B2 (ja) 2014-01-15 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060024446A1 (en) * 2004-07-06 2006-02-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4471865B2 (ja) * 2005-02-18 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
JP2010087116A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190143442A (ko) 2019-12-30
JP6503281B2 (ja) 2019-04-17
JP2017092339A (ja) 2017-05-25
US20190096719A1 (en) 2019-03-28
US20210082721A1 (en) 2021-03-18
KR102061995B1 (ko) 2020-01-02
US11373889B2 (en) 2022-06-28
US10879091B2 (en) 2020-12-29
TW201835976A (zh) 2018-10-01
KR20170056459A (ko) 2017-05-23
US10170349B2 (en) 2019-01-01
KR20190003854A (ko) 2019-01-09
US20220277971A1 (en) 2022-09-01
TWI674619B (zh) 2019-10-11
TWI664662B (zh) 2019-07-01
US20170136489A1 (en) 2017-05-18
KR102377315B1 (ko) 2022-03-22
TW201921441A (zh) 2019-06-01
TW201719723A (zh) 2017-06-01
KR20220038043A (ko) 2022-03-25
KR20210040021A (ko) 2021-04-12
TWI674621B (zh) 2019-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101938041B1 (ko) 기판 처리 장치
US10216099B2 (en) Substrate processing apparatus
JP3943828B2 (ja) 塗布、現像装置及びパターン形成方法
KR100687565B1 (ko) 기판 처리 장치
US10201824B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3983481B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法
US9606454B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP6655206B2 (ja) 基板処理装置
JP6941697B2 (ja) 基板処理装置
KR100590174B1 (ko) 기판처리장치
JP4030697B2 (ja) 基板処理装置
JP2017098357A (ja) 基板処理装置
TWI770118B (zh) 基板處理系統
US10269598B2 (en) Substrate treating apparatus
JP2004266283A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant