KR102059725B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102059725B1
KR102059725B1 KR1020170120447A KR20170120447A KR102059725B1 KR 102059725 B1 KR102059725 B1 KR 102059725B1 KR 1020170120447 A KR1020170120447 A KR 1020170120447A KR 20170120447 A KR20170120447 A KR 20170120447A KR 102059725 B1 KR102059725 B1 KR 102059725B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
bake
gas
ozone gas
Prior art date
Application number
KR1020170120447A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180034245A (ko
Inventor
고타 소토쿠
도요히데 하야시
아키토 하타노
다카유키 고하라
히로아키 다카하시
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20180034245A publication Critical patent/KR20180034245A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102059725B1 publication Critical patent/KR102059725B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 내부에서 기판을 가열 처리하는 베이크 챔버로서, 소정 방향으로 복수개 적층된 베이크 챔버와, 상기 베이크 챔버와는 별도의 액처리 챔버를 갖고, 기판에 처리액을 이용한 액처리를 실시하는 처리 유닛과, 상기 복수의 베이크 챔버의 측방을 포위하여, 상기 베이크 챔버를 그 주위로부터 격리하는 포위 격리 공간을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
이 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치가 이용된다.
이러한 기판 처리 장치로서, 기판을 가열 처리하는 베이크 유닛과, 가열 처리 후의 기판에 약액(에칭액이나 세정액)을 공급하여 액처리하는 액처리 유닛을, 장치 본체 내에 포함하는 것이 있다(US Unexamined Patent Application No.2013/256267 A1 공보 참조).
이러한 기판 처리 장치에서는, 베이크 유닛으로부터의 열이, 액처리 유닛, 또는 당해 액처리 유닛에 약액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치에 전달되어, 약액의 액온(液溫)이 변화하는 등, 액처리에 열이 영향을 줄 우려가 있다. 약액의 온도의 변화는, 액처리의 처리 레이트의 변화를 초래해, 액처리에 있어서의 처리 불균일의 한 원인이 되기도 한다. 그 때문에, 액처리 챔버에 있어서, 베이크 챔버(베이크 유닛)로부터의 열영향을 배제한 상태로 액처리를 행하는 것이 바람직하다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 베이크 챔버로부터의 열영향을 배제한 상태로 액처리를 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명은, 내부에서 기판을 가열 처리하는 베이크 챔버로서, 소정 방향으로 복수개 적층된 베이크 챔버와, 상기 베이크 챔버와는 별도의 액처리 챔버를 갖고, 기판에 처리액을 이용한 액처리를 실시하는 처리 유닛과, 상기 복수의 베이크 챔버의 측방을 포위하여, 상기 베이크 챔버를 그 주위로부터 격리하는 포위 격리 공간을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 적층된 복수의 베이크 챔버의 측방을 포위하는 포위 격리 공간에 의해서, 베이크 챔버로부터 베이크 챔버의 주위의 부재가 열 격리된다. 따라서, 베이크 챔버로부터의 열이, 액처리 유닛에 있어서의 액처리에 영향을 주는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 의해, 베이크 챔버로부터의 열 영향을 배제한 상태로 액처리를 행할 수 있어, 따라서, 액처리에 있어서의 처리 불균일의 발생을 방지할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 베이크 챔버는, 기판을 가열하면서 처리 가스를 기판에 공급하는 챔버를 포함한다.
이 구성에 의하면, 적층된 복수의 베이크 챔버의 측방을 포위하는 포위 격리 공간에 의해서, 베이크 챔버 내의 분위기로부터 베이크 챔버의 주위의 부재가 분위기 차단된다. 즉, 만일, 베이크 챔버로부터 처리 가스가 유출된 경우에도, 유출된 처리 가스를 포위 격리 공간에 의해 막을 수 있고, 이에 의해, 유출된 처리 가스가, 베이크 챔버의 주위의 부재에 진입하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 기판을 수용하기 위한 수용기를 유지하는 수용기 유지 유닛을 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 액처리 챔버는, 상기 베이크 챔버에 대해 상기 수용기 유지 유닛과 반대측에 배치되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 액처리 유닛은, 베이크 챔버에 대해 수용기 유지 유닛과 반대측에 배치되어 있다. 그 때문에, 액처리 유닛에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치를, 베이크 챔버로부터 멀리 떨어뜨려 배치하는 것이 가능하다. 이에 의해, 처리액 공급 장치로의 열 전달을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능하며, 따라서, 베이크 챔버로부터의 열 영향을, 보다 효과적으로 배제한 상태에서 액처리를 행할 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 상기 수용기 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 베이크 챔버 및 상기 액처리 챔버에 반송하기 위한 반송실을 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우에는, 상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 반송실 사이에 설치된 제1의 격리 공간을 포함하고 있어도 된다.
상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 기판 처리 장치의 외벽 사이에 설치된 제2의 격리 공간을 포함하고 있어도 된다.
상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 액처리 챔버 사이에 설치된 제3의 격리 공간을 포함하고 있어도 된다.
상기 베이크 챔버는, 내부에 있어서, 기판을 가열하면서 처리 가스를 기판에 공급하는 챔버를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버로부터의 배기가 유통되는 배기 배관 및/또는 상기 베이크 챔버에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 배관을 수용하는 배관 수용 공간과, 상기 베이크 챔버에 관한 전기 기기를 수용하는 전기 기기 수용 공간을 포함하고 있어도 된다. 또, 상기 전기 기기 수용 공간은, 상기 베이크 챔버에 대해, 상기 배관 수용 공간과 반대측에 배치되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 배관 수용 공간과 전기 기기 수용 공간이 베이크 챔버를 사이에 두고 떨어져 있다. 따라서, 배액 배관 및/또는 처리 가스 공급 배관으로부터 처리 가스가 유출된 경우에도, 전기 기기 수용 공간에 처리 가스가 진입하는 것은 거의 생각할 수 없다. 메인터넌스를 위해서 작업자가 전기 기기 수용 공간에 출입하는 것도 생각할 수 있지만, 전기 기기 수용 공간에 처리 가스가 진입하지 않기 때문에, 작업자가 처리 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 베이크 챔버의 내부에, 내부에서 기판을 가열하면서 처리 가스를 기판에 공급하는 내부 챔버가 수용되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 베이크 챔버의 내부에 내측 챔버를 배치한다고 하는 이중 챔버 구조를 채용하므로, 베이크 챔버 밖으로 처리 가스가 유출되는 것을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다.
이 구성에 의하면, 상기 기판의 상면과의 사이에, 그 주위로부터 차단된 차단 공간을, 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도 면을 참조하여 다음에 기술하는 실시형태의 설명에 의해 밝혀진다
도 1a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 1b는, 상기 기판 처리 장치의 내부를 수평 방향으로 본 모식도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 의해서 실행되는 기판의 처리의 일례를 나타내는 공정도이다.
도 3은, 도 2에 나타낸 기판의 처리의 일례가 실행되기 전과 후의 기판의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 4는, 도 1a에 나타낸 드라이 처리 유닛의 내부를 수평으로 본 모식도이다.
도 5는, 상기 드라이 처리 유닛에 설치된 냉각 플레이트 및 핫 플레이트를 그 위에서 본 모식도이다.
도 6은, 기판 처리 장치의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다.
도 7a는, 상기 드라이 처리 유닛 및 기체 박스의 레이아웃을 설명하기 위한 모식적인 도면이다.
도 7b는, 도 7a를, 절단면선 VIIB-VIIB로부터 본 도면이다.
도 7c는, 도 7a를, 절단면선 VIIC-VIIC로부터 본 도면이다.
도 7d는, 도 7a를, 절단면선 VIID-VIID로부터 본 도면이다.
도 7e는, 도 7a를, 절단면선 VIIE-VIIE로부터 본 도면이다.
도 8a~8c는, 도 2에 나타낸 드라이 처리의 일례를 나타내는 공정도이다.
도 9a~9o는, 상기 드라이 처리가 실행되고 있을 때의 베이크 챔버의 내부 상태를 나타내는 모식도이다.
도 1a는, 본 발명의 일 실시형태와 관련되는 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 모식적인 평면도이다. 도 1b는, 기판 처리 장치(1)의 내부를 수평 방향으로 본 모식도이다.
기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판형상의 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 장치 본체(31)와, 장치 본체(31)에 결합된 인덱서 유닛(32)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다.
인덱서 유닛(32)은, 기판(W)을 수용하는 복수의 캐리어(C)를 각각 유지하는 복수의 로드 포트(LP)와, 각 캐리어(C)에 대해 기판(W)을 반송하기 위한 인덱서 로봇(IR)을 포함한다.
장치 본체(31)는, 반송실(33)과, 복수의 로드 포트(LP)로부터 반송된 기판(W)을 처리액이나 처리 가스 등의 처리 유체로 처리하는 복수의 처리 유닛(2)을 포함한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 수평으로 떨어진 4개의 위치에 각각 배치된 4개의 탑을 형성하고 있다. 각 탑은, 상하 방향으로 적층된 복수의 처리 유닛(2)을 포함한다. 4개의 탑은, 반송실(33)의 양측에 2개씩 배치되어 있다. 복수의 처리 유닛(2)은, 기판(W)을 건조시킨 채로 당해 기판(W)을 처리하는 복수의 드라이 처리 유닛(2D)과, 처리액으로 기판(W)을 처리하는 복수의 웨트 처리 유닛(액처리 유닛)(2W)을 포함한다. 로드 포트(LP)측의 2개의 탑은, 복수의 드라이 처리 유닛(2D)으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 로드 포트(LP)측의 각 탑은, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 상하 방향으로 적층된 복수(예를 들어 7개)의 드라이 처리 유닛(2D)을 포함한다. 나머지 2개의 탑은, 복수(예를 들어 3개)의 웨트 처리 유닛(2W)으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 로드 포트(LP)측의 각 탑은, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 상하 방향으로 적층된 3개의 웨트 처리 유닛(2W)을 포함한다. 후술하는 바와 같이, 드라이 처리 유닛(2D)에 있어서의 한 장의 기판(W)의 처리에 필요로 하는 기간이, 웨트 처리 유닛(2W)에 있어서의 한 장의 기판(W)의 처리에 필요로 하는 기간에 비해 길다. 그러한 상황에서, 기판(W)의 스루풋의 저하를 방지하기 위해서, 기판 처리 장치에 탑재되는 드라이 처리 유닛(2D)의 개수를, 웨트 처리 유닛(2W)의 개수보다 많게 하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 반송 유닛으로서, 인덱서 로봇(IR) 외에, 셔틀(SH)과 센터 로봇(CR)을 포함한다. 셔틀(SH) 및 센터 로봇(CR)은, 반송실(33) 내에 배치되어 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 복수의 로드 포트(LP)와 셔틀(SH) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 셔틀(SH)는, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 센터 로봇(CR)은, 셔틀(SH)과 복수의 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 센터 로봇(CR)은, 또한, 복수의 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 도 1a에 나타낸 굵은 선의 화살표는, 인덱서 로봇(IR) 및 셔틀(SH)의 이동 방향을 나타내고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 배관이나 밸브 등을 수용하기 위한 유체 박스(34)를 구비하고 있다. 처리 유닛(2) 및 유체 박스(34)는, 장치 본체(31)의 외벽(35) 안에 배치되어 있고, 즉 외벽(35)에 둘러싸여 있다. 유체 박스(34)는, 드라이 처리 유닛(2D)에 대응하는 기체 박스(34A)와, 웨트 처리 유닛(2W)에 대응하는 액체 박스(34B)를 포함한다.
기체 박스(34A)는, 드라이 처리 유닛(2D)에 대한 급배기를 위한 배관이나 밸브 등, 및/또는 드라이 처리 유닛(2D)에 관련된 전기 기기를 수용하기 위한 박스이다. 기체 박스(34A)는, 인덱서 로봇(IR)이 배치되는 인덱서 유닛(32)과, 드라이 처리 유닛(2D) 사이에 배치되어 있다.
액체 박스(34B)는, 웨트 처리 유닛(2W)에 대한 급배액을 위한 배관이나 밸브 등, 및/또는 웨트 처리 유닛(2W)에 관련된 전기 기기를 수용하기 위한 박스이다. 액체 박스(34B)는, 인덱서 로봇(IR)이 배치되는 인덱서 유닛(32)과, 웨트 처리 유닛(2W) 사이에 배치되어 있다.
기판 처리 장치(1)는, 웨트 처리 유닛(2W)에 대해 처리액(약액(에칭액이나 세정액))을 공급하는 처리액 공급 장치(100)를 더 포함한다. 처리액 공급 장치(100)는, 외벽(35)의 외측에 배치되어 있다. 이 실시형태에서는, 처리액 공급 장치(100)는, 평면에서 봤을 때, 2개의 액체 박스(34B)에 대해, 웨트 처리 유닛(2W)과 반대측에 배치되어 있다. 처리액 공급 장치(100)는, 웨트 처리 유닛(2W)에, 대응하는 액체 박스(34B)를 통해 처리액을 공급한다.
드라이 처리 유닛(2D)은, 기판(W)이 통과하는 반입 반출구가 설치된 베이크 챔버(4)와, 베이크 챔버(4)의 반입 반출구를 개폐하는 셔터(5)와, 베이크 챔버(4) 내에서 기판(W)을 가열하면서 처리 가스를 기판(W)에 공급하는 가열 유닛(8)과, 가열 유닛(8)에 의해서 가열된 기판(W)을 베이크 챔버(4) 내에서 냉각하는 냉각 유닛(7)과, 베이크 챔버(4) 내에서 기판(W)을 반송하는 실내 반송 유닛(6)을 포함한다. 가열 유닛(8), 냉각 유닛(7) 및 실내 반송 유닛(6)은, 반송실(33)이 연장되는 방향에 직교하는 수평 방향을 따라서 이동 가능하게 설치되어 있어도 된다.
웨트 처리 유닛(2W)은, 기판(W)이 통과하는 반입 반출구가 설치된 웨트 챔버(9)와, 웨트 챔버(9)의 반입 반출구를 개폐하는 셔터(10)와, 웨트 챔버(9) 내에서 기판(W)을 수평으로 유지하면서 기판(W)의 중심부를 통과하는 연직의 회전축선(A1) 둘레로 회전시키는 스핀 척(11)과, 스핀 척(11)에 유지되어 있는 기판(W)을 향해 처리액을 토출하는 복수의 노즐을 포함한다.
복수의 노즐은, 약액을 토출하는 약액 노즐(12)과, 린스액을 토출하는 린스액 노즐(13)을 포함한다. 제어 장치(3)는, 스핀 척(11)의 복수의 척 핀에 기판(W)을 유지시키면서, 스핀 척(11)의 스핀 모터에 기판(W)을 회전시킨다. 이 상태에서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 상면을 향해서 약액 노즐(12) 또는 린스액 노즐(13)에 액체를 토출시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전역이 액막으로 덮인다. 그 후, 제어 장치(3)는, 스핀 척(11)에 기판(W)을 고속 회전시키고, 기판(W)을 건조시킨다.
도 2는, 기판 처리 장치(1)에 의해서 실행되는 기판(W)의 처리의 일례를 나타내는 공정도이다. 도 3은, 도 2에 나타낸 기판(W)의 처리의 일례가 실행되기 전과 후의 기판(W)의 단면을 나타내는 모식도이다. 제어 장치(3)는, 이하의 동작을 기판 처리 장치(1)에 실행시키도록 프로그래밍되어 있다.
도 3의 좌측에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 기판(W)은, 레지스트의 패턴(PR)으로 덮인 박막을 에칭하여, 박막의 패턴(PF)을 형성하는 에칭 처리 공정이 행해진 기판이다. 즉, 이러한 기판(W)이 수용된 캐리어(C)가 로드 포트(LP) 상에 놓인다. 이하에서 설명하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 박막의 패턴(PF) 상에 위치하는 레지스트의 패턴(PR)을 제거하는 레지스트 제거 공정이 행해진다. 도 3의 우측은, 레지스트 제거 공정이 행해진 기판(W)의 단면을 나타내고 있다.
기판 처리 장치(1)에서 기판(W)을 처리할 때는, 인덱서 로봇(IR), 셔틀(SH), 및 센터 로봇(CR)이, 로드 포트(LP)에 놓인 캐리어(C) 내의 기판(W)을 드라이 처리 유닛(2D)에 반송한다(도 2의 단계 S1). 드라이 처리 유닛(2D)에서는, 기판(W)을 가열하면서, 처리 가스의 일례로서의 오존 가스를 기판(W)에 공급하는 드라이 처리 공정이 행해진다(도 2의 단계 S2). 그 후, 센터 로봇(CR)이, 드라이 처리 유닛(2D) 내의 기판(W)을 웨트 처리 유닛(2W)에 반입한다(도 2의 단계 S3).
웨트 처리 유닛(2W)에서는, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면에 처리액을 공급하는 웨트 처리(액처리)가 행해진다(도 2의 단계 S4). 구체적으로는, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면을 향해 약액 노즐(12)에 제1의 약액(예를 들어 불산(HF))을 토출시키는 제1의 약액 공급 공정이 행해진다. 그 후, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면을 향해 린스액 노즐(13)에 린스액을 토출시키는 린스액 공급 공정이 행해진다. 그 후, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면을 향해 약액 노즐(12)에 제2의 약액(예를 들어 SC1(암모니아과산화수소수 혼합액))을 토출시키는 제1의 약액 공급 공정이 행해진다. 그 후, 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 상면을 향해 린스액 노즐(13)에 린스액을 토출시키는 린스액 공급 공정이 행해진다. 그 후, 기판(W)을 고속 회전시킴으로써 기판(W)을 건조시키는 건조 공정이 행해진다. 웨트 처리가, 2개의 약액 공급 공정이 아니라, 1개의 약액 공급 공정만을 포함하는 처리여도 된다. 이 경우, 이용되는 약액은, 예를 들어 SC1이어도 된다. 또, 건조 공정에 앞서, 표면 개질제(실릴화제) 및/또는 저표면장력 액체(이소프로필알코올(IPA) 등의 유기용제)가 기판(W)의 상면에 공급되도록 되어 있어도 된다. 계속해서, 인덱서 로봇(IR), 셔틀(SH), 및 센터 로봇(CR)이, 웨트 처리 유닛(2W) 내의 기판(W)을 로드 포트(LP)에 놓인 캐리어(C)에 반송한다(도 2의 단계 S5).
다음에, 드라이 처리 유닛(2D)에 대해서 상세하게 설명한다.
도 4는, 드라이 처리 유닛(2D)의 내부를 수평으로 본 모식도이다. 도 5는, 드라이 처리 유닛(2D)에 설치된 냉각 플레이트(70) 및 핫 플레이트(21)를 그 위에서 본 모식도이다.
드라이 처리 유닛(2D)은, 베이크 챔버(4)와 베이크 챔버(4)의 내부에 다운 플로를 형성하기 위한 제1의 급기 유닛 및 제1의 배기 유닛을 포함한다. 베이크 챔버(4)는, 상자형상의 격벽(14)을 갖고 있다.
제1의 급기 유닛은, 격벽(14)의 상부(예를 들면 천정면)에 형성된 급기구(15)와, 베이크 챔버(4)의 상방에 설치되고, 장치 본체(31) 내에 도입된 외기가 유통되는 급기 경로(16)를 포함한다. 급기구(15)는, 필터(17)를 통해 급기 경로(16)와 연통하고 있다. 급기구(15)는, 구체적으로는, 예를 들면 격벽(14)의 천정면에 있어서의 셔터(5)의 상방 부근에 배치되어 있다.
제1의 배기 유닛은, 개개의 베이크 챔버(4)의 격벽(14)의 하부로부터 베이크 챔버(4) 내의 기체를 배기하는 개별 배기 배관(배기 배관)(18)과, 복수의 개별 배기 배관(18)으로부터의 배기를 안내하는 집합 배기 배관(배기 배관)(19)을 포함한다. 집합 배기 배관(19)은, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 공장에 설치된 배기 처리 설비를 향해 베이크 챔버(4) 내의 기체를 도출한다. 기판 처리 장치(1)의 가동 중에는, 집합 배기 배관(19)에 의한 배기는 상시 행해지고 있고, 그 때문에, 배기 배관(18, 19)에 의한 배기도 상시 행해지고 있다. 이에 의해, 베이크 챔버(4) 내에는, 하방으로 흐르는 다운 플로(하강류)가 형성되어 있다. 기판(W)의 처리는, 베이크 챔버(4) 내에 다운 플로가 형성되어 있는 상태로 행해진다. 게다가, 오존 가스의 비중이 공기보다 무겁기 때문에, 다운 플로의 형성이 한층 더 촉진된다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 냉각 유닛(7)은, 후술하는 핫 플레이트(21)보다 저온으로 유지되는 냉각 플레이트(70)와, 냉각 플레이트(70)의 상방에서 기판(W)을 수평으로 지지하는 복수의 제1의 리프트핀(71)과, 복수의 제1의 리프트핀(71)을 승강시키는 제1의 리프트 승강 액츄에이터(72)를 포함한다.
냉각 플레이트(70)는, 핫 플레이트(21)에 대해 베이크 챔버(4)의 반입 반출구측에 배치되어 있다. 핫 플레이트(21) 및 냉각 플레이트(70)는, 수평의 배열 방향(D2)으로 배열되어 있다. 냉각 플레이트(70)는, 기판(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 원형이며 수평의 상면을 포함한다. 복수의 제1의 리프트핀(71)은, 냉각 플레이트(70)를 관통하는 복수의 관통 구멍에 각각 삽입되어 있다.
복수의 제1의 리프트핀(71)의 상단부는, 동일한 높이에 배치되어 있다. 제1의 리프트핀(71)은, 기판(W)의 하면에 접촉하는 반구상(半球狀)의 상단부를 포함한다. 제1의 리프트 승강 액츄에이터(72)는, 복수의 제1의 리프트핀(71)의 상단부가 냉각 플레이트(70)보다 상방에 위치하는 상측 위치(도 4에 나타낸 위치)와, 복수의 제1의 리프트핀(71)의 상단부가 냉각 플레이트(70)의 내부에 퇴피한 하측 위치(도 9b에 나타낸 위치) 사이에서, 복수의 제1의 리프트핀(71)을 연직으로 이동시킨다. 제1의 리프트 승강 액츄에이터(72)는, 전동 모터여도 되고, 에어 실린더여도 된다. 또, 이들 이외의 액츄에이터여도 된다. 다른 액츄에이터에 대해서도 동일하다.
가열 유닛(8)은, 기판(W)을 수평으로 지지하면서 가열하는 핫 플레이트(21)와, 핫 플레이트(21)에 지지되고 있는 기판(W)의 상방에 배치되는 후드(30)와, 후드(30)를 지지 가능한 베이스링(27)을 포함한다. 가열 유닛(8)은, 또한, 핫 플레이트(21) 및 베이스링(27)에 대해 후드(30)를 승강시키는 후드 승강 액츄에이터(29)와, 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이에서 기판(W)을 수평으로 지지하는 복수의 제2의 리프트핀(24)과, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 승강시키는 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)를 포함한다.
핫 플레이트(21)는, 줄열을 발생시키는 히터(22)와, 기판(W)을 수평으로 지지함과 더불어, 히터(22)의 열을 기판(W)에 전달하는 지지 부재(23)를 포함한다. 히터(22) 및 지지 부재(23)는, 기판(W)의 하방에 배치된다. 히터(22)는, 히터(22)에 전력을 공급하는 배선(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 히터(22)는, 지지 부재(23)의 하방에 배치되어 있어도 되고, 지지 부재(23)의 내부에 배치되어 있어도 된다.
핫 플레이트(21)의 지지 부재(23)는, 기판(W)의 하방에 배치되는 원판형상의 베이스부(23b)와, 베이스부(23b)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 복수의 반구상의 돌출부(23a)와, 베이스부(23b)의 외주면으로부터 외방으로 돌출하는 원환형의 플랜지부(23c)를 포함한다. 베이스부(23b)의 상면은, 기판(W)의 하면과 평행이며, 기판(W)의 외경 이상의 외경을 갖고 있다. 복수의 돌출부(23a)는, 베이스부(23b)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 위치에서 기판(W)의 하면에 접촉한다. 복수의 돌출부(23a)는, 기판(W)이 수평으로 지지되도록, 베이스부(23b)의 상면 내의 복수의 위치에 배치되어 있다. 기판(W)은, 기판(W)의 하면이 베이스부(23b)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 상태로 수평으로 지지된다.
복수의 제2의 리프트핀(24)은, 핫 플레이트(21)를 관통하는 복수의 관통 구멍에 각각 삽입되어 있다. 가열 유닛(8)의 밖에서 관통 구멍으로의 유체의 진입은, 제2의 리프트핀(24)을 둘러싸는 벨로즈(25)에 의해서 방지된다. 가열 유닛(8)은, 벨로즈(25) 대신에 혹은 벨로즈(25)에 추가해, 제2의 리프트핀(24)의 외주면과 관통 구멍의 내주면 사이의 간극을 밀폐하는 O링을 구비하고 있어도 된다. 제2의 리프트핀(24)은, 기판(W)의 하면에 접촉하는 반구상의 상단부를 포함한다. 복수의 제2의 리프트핀(24)의 상단부는, 동일한 높이에 배치되어 있다. 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)는, 복수의 제2의 리프트핀(24)의 상단부가 핫 플레이트(21)보다 상방에 위치하는 상측 위치(도 4에 나타낸 위치)와, 복수의 제2의 리프트핀(24)의 상단부가 핫 플레이트(21)의 내부에 퇴피한 하측 위치(도 9a에 나타낸 위치) 사이에서, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 연직 방향으로 이동시킨다.
베이스링(27)은, 핫 플레이트(21)의 플랜지부(23c)의 상면 위에 배치되어 있다. 베이스링(27)은, 핫 플레이트(21)의 경방향으로 간격을 두고 베이스부(23b)를 둘러싸고 있다. 베이스링(27)의 상면은, 베이스부(23b)의 상면보다 하방에 배치되어 있다. O링(28)은, 베이스링(27)의 상면으로부터 하방으로 패인 환상홈에 끼워져 있다. 후드(30)가 베이스링(27) 상에 놓이면, 핫 플레이트(21)에 지지되고 있는 기판(W)을 수용하는 밀폐 공간(SP)(도 9a 참조)이, 핫 플레이트(21), 후드(30), 및 베이스링(27)에 의해서 형성된다.
후드 승강 액츄에이터(29)는, 상측 위치(도 4에 나타낸 위치)와 하측 위치(도 9a에 나타낸 위치) 사이에서 후드(30)를 연직으로 이동시킨다. 상측 위치는, 기판(W)이 후드(30)와 베이스링(27) 사이를 통과할 수 있도록 후드(30)가 베이스링(27)으로부터 상방으로 떨어진 위치이다. 하측 위치는, 후드(30)와 베이스링(27) 사이의 간극이 밀폐되고, 핫 플레이트(21)에 지지되고 있는 기판(W)을 수용하는 밀폐 공간(SP)이 형성되는 위치이다.
기판 처리 장치(1)는, 가열 유닛(8)의 내부에 기체를 공급하는 제2의 급기 유닛과, 가열 유닛(8) 내의 기체를 배출하는 제2의 배기 유닛을 포함한다. 제2의 급기 유닛은, 기체를 토출하는 복수의 급기구(46)와, 각 급기구(46)에 기체를 안내하는 공급로(47)를 포함한다. 배기 유닛은, 복수의 급기구(46)로부터 토출된 기체가 유입되는 배기구(44)와, 배기구(44) 내에 유입된 기체를 가열 유닛(8)의 밖으로 안내하는 배기로(45)를 포함한다.
후드(30)의 내면은, 기판(W)의 상방에 배치되는 평면에서 봤을 때 원형의 천정면(41)과, 기판(W)의 외경보다 큰 직경을 갖는 통형상면(43)과, 천정면(41)의 외측 가장자리로부터 통형상면(43)의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부(42)를 포함한다. 천정면(41)은, 기판(W)의 외경보다 큰 외경을 갖고 있다. 천정면(41)은, 핫 플레이트(21)에 지지되고 있는 기판(W)의 상면과 평행인 수평면이다. 배기구(44)는, 천정면(41)에서 개구하고 있다. 복수의 급기구(46)는, 통형상면(43)에서 개구하고 있다. 복수의 급기구(46)는, 예를 들어 동일한 높이에 배치되어 있다. 복수의 급기구(46)는, 핫 플레이트(21)의 둘레방향으로 등간격으로 배열되어 있다. 밀폐 공간(SP)을 형성하는 면이면, 급기구(46)는, 후드(30)의 통형상면(43) 이외의 면에서 개구하고 있어도 된다. 배기구(44)에 대해서도 동일하다.
제1의 급기 유닛은, 개개의 베이크 챔버(4)의 공급로(47)에 접속된 개별 급기 배관(오존 가스 공급 배관)(53)과, 오존 가스 생성 유닛(51)에서 생성된 오존 가스를 개별 급기 배관(53)에 안내하는 집합 오존 가스 배관(오존 가스 공급 배관)(52)과, 집합 오존 가스 배관(52)에 개재하여 설치된 오존 가스 공급 밸브(54)를 더 포함한다. 오존 가스 생성 유닛(51)은, 장치 본체(31)와 떨어진 장소(예를 들면 아래층)에 배치되어 있다. 제1의 급기 유닛은, 또한, 질소 가스 공급원으로부터 공급된 질소 가스를 개별 급기 배관(53)에 안내하는 질소 가스 배관(58)과, 질소 가스 배관(58)에 개재하여 설치된 질소 가스 공급 밸브(59)를 포함한다.
도시하지는 않지만, 오존 가스 공급 밸브(54)는, 유로를 형성하는 밸브 보디와, 유로 내에 배치된 밸브체와, 밸브체를 이동시키는 액츄에이터를 포함한다. 다른 밸브에 대해서도 동일하다. 액츄에이터는, 공압 액츄에이터 또는 전동 액츄에이터여도 되고, 이들 이외의 액츄에이터여도 된다. 제어 장치(3)는, 액츄에이터를 제어함으로써, 오존 가스 공급 밸브(54)를 개폐시킨다.
제1의 배기 유닛은, 개개의 베이크 챔버(4)의 배기로(45)에 접속된 개별 배기 배관(배기 배관)(61)과, 복수의 개별 배기 배관(61)으로부터의 배기를 안내하는 집합 배기 배관(배기 배관)(62)과, 집합 배기 배관(62)을 흐르는 기체에 포함되는 오존을 제거하는 오존 필터(60)를 더 포함한다. 집합 배기 배관(62)은, 탑마다 1개씩 설치되어 있다. 개별 배기 배관(61)은, 배기로(45)와 집합 배기 배관(62)을 접속하는 제1의 개별 배기 배관(64)과, 제1의 개별 배기 배관(64)과 병렬로 배기로(45)와 집합 배기 배관(62)을 접속하는 제2의 개별 배기 배관(65)을 포함한다. 제1의 개별 배기 배관(64)에는, 제1의 배기 밸브(66)가 개재하여 설치되어 있다. 제2의 개별 배기 배관(65)에는, 제2의 배기 밸브(67)와, 컨범(CONVUM)(상표)이나 아스피레이터 등의 이젝터식의 흡인 유닛(68)이 개재하여 설치되어 있다. 제1의 배기 밸브(66)는, 상시 열림 상태로 유지되어 있고, 가열 유닛(8) 내의 분위기를, 오존 가스로부터 질소 가스로 치환하는 경우 등에는, 제1의 배기 밸브(66)가 닫히고, 제2의 배기 밸브(67)가 열리게 된다.
가열 유닛(8) 내의 오존 가스는, 가열 유닛(8)이 닫혀져 있는 상태, 즉, 후드(30)가 하측 위치에 위치하고 있는 상태에서, 복수의 급기구(46)로부터 토출된다. 복수의 급기구(46)로부터 토출된 오존 가스는, 배기구(44), 배기로(45) 및 개별 배기 배관(61)을 통해 집합 배기 배관(62)에 배출된다. 배기 배관(61, 62) 내의 오존 가스는, 오존 필터(60)를 통과한다. 이에 의해, 배기 배관(61, 62)을 흐르는 기체에 포함되는 오존의 농도가 저하된다. 오존 필터(60)를 통과한 기체는, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 공장에 설치된 배기 설비를 향해 안내된다.
실내 반송 유닛(6)은, 베이크 챔버(4) 내에서 기판(W)을 수평으로 지지하는 실내 핸드(73)와, 실내 핸드(73)를 이동시키는 핸드 이동 기구(74)를 포함한다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 연직으로 이동시키는 연직 구동 기구(75)와, 연직 구동 기구(75)와 함께 실내 핸드(73)를 배열 방향(D2)으로 이동시키는 수평 구동 기구(76)를 포함한다. 연직 구동 기구(75) 및 수평 구동 기구(76)는, 모두, 전동 모터 등의 액츄에이터를 포함한다.
실내 핸드(73)의 상면 및 하면은, 모두 수평면이다. 실내 핸드(73)의 상면은, 기판(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 원형이며 수평인 지지부(73a)를 포함한다. 냉각 유닛(7)의 복수의 제1의 리프트핀(71)은, 실내 핸드(73)를 상하 방향으로 관통하는 복수의 절결(73b)에 삽입된다. 마찬가지로, 가열 유닛(8)의 복수의 제2의 리프트핀(24)은, 복수의 절결(73b)에 삽입된다. 절결(73b)은, 배열 방향(D2)으로 수평으로 연장되어 있고, 실내 핸드(73)의 가장자리에서 개구하고 있다. 실내 핸드(73)는, 제1의 리프트핀(71) 또는 제2의 리프트핀(24)이 절결(73b)에 삽입되어 있는 상태에서도, 배열 방향(D2)으로 수평으로 이동 가능하다.
수평 구동 기구(76)는, 실내 핸드(73)를 수평으로 이동시킴으로써, 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이에 실내 핸드(73)를 진입시킨다. 수평 구동 기구(76)는, 실내 핸드(73)에 지지되고 있는 기판(W) 전체가 평면에서 봤을 때 핫 플레이트(21)에 겹쳐지도록 실내 핸드(73)를 핫 플레이트(21)의 상방에 위치시킨다. 마찬가지로, 수평 구동 기구(76)는, 실내 핸드(73)를 수평으로 이동시킴으로써, 실내 핸드(73)에 지지되고 있는 기판(W) 전체가 평면에서 봤을 때 냉각 플레이트(70)에 겹쳐지도록 실내 핸드(73)를 냉각 플레이트(70)의 상방에 위치시킨다.
연직 구동 기구(75)는, 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이에서 실내 핸드(73)를 연직으로 이동시킨다. 이 때, 연직 구동 기구(75)는, 실내 핸드(73)의 상면이 상측 위치에 위치하고 있는 제2의 리프트핀(24)의 상단부보다 상방에 위치하는 상측 비접촉 위치(도 9c에 나타낸 위치)와, 실내 핸드(73)의 상면이 상측 위치에 위치하고 있는 제2의 리프트핀(24)의 상단부보다 하방에 위치하고, 실내 핸드(73)의 하면이 핫 플레이트(21)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 하측 비접촉 위치(도 9d에 나타낸 위치) 사이에서, 실내 핸드(73)를 연직으로 이동시킨다.
연직 구동 기구(75)는, 실내 핸드(73)가 냉각 플레이트(70)의 상방에 위치하고 있는 상태에서, 실내 핸드(73)의 상면이 상측 위치에 위치하고 있는 제1의 리프트핀(71)의 상단부보다 상방에 위치하는 상측 비접촉 위치(도 9b에 나타낸 위치)와, 실내 핸드(73)의 상면이 상측 위치에 위치하고 있는 제1의 리프트핀(71)의 상단부보다 하방에 위치하고, 실내 핸드(73)의 하면이 핫 플레이트(21)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 하측 비접촉 위치(도 9a에 나타낸 위치) 사이에서, 실내 핸드(73)를 연직으로 이동시킨다. 연직 구동 기구(75)는, 또한, 실내 핸드(73)의 하면이 냉각 플레이트(70)의 상면에 접촉하는 접촉 위치(도 9f에 나타낸 위치)에 실내 핸드(73)를 이동시킨다.
베이크 챔버(4)의 격벽(14)의 천정면에는, 급기구(15)의 직하를 향해서 불활성 가스를 내뿜는 기체 노즐(77)이 배치되어 있다. 기체 노즐(77)에는, 불활성 가스 밸브(78)를 통해 불활성 가스가 공급되게 되어 있다. 기체 노즐(77)의 토출구로부터의 불활성 가스의 토출에 의해, 베이크 챔버(4)에 불활성 가스를 공급할 뿐만 아니라, 베이크 챔버(4)의 분위기(예를 들면 오존 가스 노즐을 포함하는 분위기)가, 급기구(15)를 통해 급기 경로(16)에 진입하는 것을 방지하고 있다. 기체 노즐(77)에 공급되는 불활성 가스로서, 도 4의 예에서는 질소 가스를 들 수 있는데, 불활성 가스로서 공기(클린 드라이 에어)를 채용해도 된다.
베이크 챔버(4) 내에 있어서의 가열 유닛(8)의 외측의 영역에는, 베이크 챔버(4) 내의 오존 가스 농도를 검출하기 위한 오존 가스 농도 센서(OS)가 배치되어 있다.
또, 반송실(33) 내에는, 베이크 챔버(4)로부터 반송실(33)로의 오존 가스의 누출을 검출하기 위한 제1의 리크 센서(RS1)가 배치되어 있다.
또, 기체 박스(34A) 내에는, 베이크 챔버(4)로부터 유체 박스로의 오존 가스의 누출을 검출하기 위한 제2의 리크 센서(RS2)가 배치되어 있다.
도 2에 나타낸 드라이 처리에 있어서, 제어 장치(3)는, 제1의 리크 센서(RS1) 및 제2의 리크 센서(RS2)로부터의 검출 출력을 참조하여 반송실(33) 내의 오존 가스 농도나 기체 박스(34A) 내의 오존 가스 농도를 체크하고, 반송실(33) 내나 기체 박스(34A) 내에 오존 가스가 유출되어 있는지에 대한 여부를 감시하고 있다.
또, 도 2에 나타낸 드라이 처리에 있어서, 제어 장치(3)는, 오존 가스 농도 센서(OS)로부터의 검출 출력을 참조하여 베이크 챔버(4) 내의 오존 가스 농도를 체크하고 있다. 그리고, 베이크 챔버(4) 내의 오존 가스 농도가 소정 농도를 초과한 경우에는, 기체 노즐(77)의 토출구로부터 불활성 가스를 토출하고 있다. 이에 의해, 베이크 챔버(4) 내의 분위기가 급기구(15)를 통해 급기 경로(16)에 진입하는 것을 방지하면서, 베이크 챔버(4) 내의 오존 가스 농도의 저감을 도모할 수 있다.
도 6은, 기판 처리 장치(1)의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다.
제어 장치(3)는, 프로그램 등의 정보를 기억하는 메모리와 메모리에 기억된 정보에 따라서 기판 처리 장치(1)를 제어하는 프로세서를 포함하는 컴퓨터이다.
제어 장치(3)는, 드라이 처리 유닛(2D)을 제어하는 유닛 컨트롤러(90)를 구비하고 있다. 유닛 컨트롤러(90)는, 예를 들면 제어 VME(VERSAmodule Eurocard) 보드에 의해 구성되어 있고, 연산 처리를 실행하는 프로세서부(90p)와, 고체 메모리 디바이스, 하드디스크 드라이브 등의 기억 장치를 포함하는 메모리(90m)를 포함한다. 메모리에는, 기판 처리 장치(1)에 의한 처리 내용의 데이터 등이 기억되어 있다.
유닛 컨트롤러(90)에는, 전장 박스(91) 내의 전장품이 접속되어 있다. 구체적으로는, 전장 박스(91)는, I/O(92), 제어 기판(93), 오존 가스 농도계(94), 온도 조절기(95), 모터 드라이버(96) 등을 포함한다. 오존 가스 농도계(94), 온도 조절기(95) 및 모터 드라이버(96)는, 제어 기판(93)에 접속되어 있다. I/O(92) 및 제어 기판(93)에는, 오존 가스 생성 유닛(51)이 접속되어 있다.
유닛 컨트롤러(90)에는, 드라이 처리 유닛(2D)이나 오존 가스 생성 유닛(51)을 구동하기 위한 전압이 외부 전원으로부터 공급되게 되어 있다. 또, 전장 박스(91)에는, 전장 박스(91)를 구동하기 위한 DC 전원(99)이 내장되어 있다.
또, 유닛 컨트롤러(90)에는, 전장 박스(91) 내의 전장품을 통해, 드라이 처리 유닛(2D)의 구동 부품이나 센서 등이 접속되어 있다. 구체적으로는, 유닛 컨트롤러(90)에는, 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26) 및/또는 후드 승강 액츄에이터(29)의 구동을 위한 전자 밸브(97)와, 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26) 및/또는 후드 승강 액츄에이터(29)의 구동을 위한 센서(제2의 리프트핀(24)의 높이 위치를 검출하는 센서 및/또는 후드(30)의 높이 위치를 검출하는 센서)(98)가 접속되어 있다. 또, 오존 가스 농도계(94)에는 오존 가스 농도 센서(OS)가 접속되어 있다. 온도 조절기(95)에는, 히터(22)가 구동 대상으로서 접속되어 있다. 모터 드라이버(96)에는, 연직 구동 기구(75) 및 수평 구동 기구(76)가 접속되어 있다.
도 7a는, 드라이 처리 유닛(2D) 및 기체 박스(34A)의 레이아웃을 설명하기 위한 모식적인 도면이다. 도 7b는, 도 7a를, 절단면선 VIIB-VIIB로부터 본 도면이다. 도 7c는, 도 7a를, 절단면선 VIIC-VIIC로부터 본 도면이다. 도 7d는, 도 7a를, 절단면선 VIID-VIID로부터 본 도면이다. 도 7e는, 도 7a를, 절단면선 VIIE-VIIE로부터 본 도면이다.
드라이 처리 유닛(2D)에 있어서, 복수의 베이크 챔버(4)와 반송실(33) 사이에는, 내부에 공간을 갖는 제1의 박스(101)가 배치되어 있다. 이 실시형태에서는, 제1의 박스(101)의 내부 공간에는, 아무것도 수용되어 있지 않다. 제1의 박스(101)에는, 장치 본체(31) 내에 도입된 외기가 유통되고 있다. 제1의 박스(101)의 내부 공간은, 급기 경로(16)(도 4 참조)와 연통하고 있고, 그 때문에, 장치 본체(31) 내에 도입된 외기가 급기 경로(16)에 공급 가능하게 설치되어 있다. 제1의 박스(101)는, 베이크 챔버(4)의 반송실(33)측의 배열 방향(D2)측의 대략 전역(반출 입구를 제외한 전역)을 덮도록 배치되어 있다. 제1의 박스(101)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제1의 박스(101)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를 반송실(33)로부터 격리하는 제1의 격리 공간(111)으로서 기능한다.
구체적으로는, 제1의 격리 공간(111)에 의해서, 베이크 챔버(4)와 반송실(33)이, 열 격리 및 분위기 차단되어 있다. 즉, 베이크 챔버(4)의 격벽(14)으로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 유출된 오존 가스를 제1의 격리 공간(111)에 의해 막을 수 있어, 이에 의해, 유출된 오존 가스가, 반송실(33) 내에 진입하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 반송실(33) 내에는, 메인터넌스를 위해서 작업자가 출입하는 것도 생각할 수 있지만, 반송실(33) 내에 오존 가스가 진입하지 않기 때문에, 작업자가 오존 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
드라이 처리 유닛(2D)에 있어서, 복수의 베이크 챔버(4)에 대해 반송실(33)과 반대측에 인접하여, 내부에 공간을 갖는 제2의 박스(102)가 배치되어 있다. 이 실시형태에서는, 제2의 박스(102)의 내부 공간에는, 아무것도 수용되어 있지 않다. 제2의 박스(102)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제2의 박스(102)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를, 장치 본체(31)의 외벽(35)으로부터 격리하는 제2의 격리 공간(112)으로서 기능한다.
제2의 박스(102)는, 기판 처리 장치(1) 밖에서 떼어낼 수 있게 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 또한 가열 유닛(8), 냉각 유닛(7) 및 실내 반송 유닛(6)은, 반송실(33)이 연장되는 방향에 직교하는 수평 방향을 따라서 이동 가능하게 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 제2의 박스(102)를 떼어낸 상태로, 당해 방향을 따라서 유닛(8, 7, 6)을 이동시킴으로써, 제2의 박스(102)를 떼어낸 후의 스페이스를 이용하여, 유닛(8, 7, 6)을 베이크 챔버(4)의 내부로부터 취출하거나 유닛(8, 7, 6)을 베이크 챔버(4)의 내부에 삽입하거나 할 수 있다.
드라이 처리 유닛(2D)에 있어서, 복수의 베이크 챔버(4)에 대해, 웨트 처리 유닛(2W)측(도 7a의 우측)에 인접하여, 내부에 공간을 갖는 제3의 박스(103)가 배치되어 있다. 제3의 박스(103)의 내부 공간에는, 유닛 컨트롤러(90)(도 6 참조), 전장 박스(91)(도 6 참조), 게이지 등의 전기 기기가 수용되어 있다. 제3의 박스(103)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제3의 박스(103)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를 웨트 처리 유닛(2W)(도 1a 참조)으로부터 격리하는 제3의 격리 공간(전기 기기 수용 공간)(113)으로서 기능한다.
구체적으로는, 제3의 격리 공간(113)에 의해서, 베이크 챔버(4)와 웨트 처리 유닛(2W)이, 열 격리 및 분위기 차단되어 있다. 베이크 챔버(4)와 웨트 처리 유닛(2W)이 열 격리된다. 따라서, 베이크 챔버(4)로부터의 열이, 웨트 처리 유닛(2W)에 있어서의 웨트 처리에 영향을 주는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 베이크 챔버(4)의 격벽(14)으로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 유출된 오존 가스를 제3의 격리 공간(113)에 의해 막을 수 있어, 이에 의해, 유출된 오존 가스가, 웨트 처리 유닛(2W)의 웨트 챔버(9)의 내부에 진입하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 웨트 챔버(9)의 내부에는 기판(W)이 출입되므로, 웨트 챔버(9)의 내부에 오존 가스가 유출되면, 웨트 챔버(9)의 내부를 통해 오존 가스가 반송실(33)에 유출될 우려가 있다. 반송실(33) 내에는, 메인터넌스를 위해서 작업자가 출입하는 것도 생각할 수 있지만, 반송실(33) 내에 오존 가스가 진입하지 않으므로, 작업자가 오존 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
또, 제3의 격리 공간(113)은, 오존 가스가 유통되는 배관을 수용하는, 다음에 기술하는 제4 및 제5의 격리 공간(116, 117)과, 평면에서 봤을 때, 복수의 베이크 챔버(4)에 대해 반대측에 배치되어 있다. 그 때문에, 제4 및 제5의 격리 공간(116, 117)의 내부 공간에 있어서 배관으로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 유출된 오존 가스가 제3의 격리 공간(113) 내에 진입하는 것은 거의 생각할 수 없다. 유닛 컨트롤러(90)(도 6 참조)나 전장 박스(91)(도 6 참조)가 수용되는 제3의 격리 공간(113)에는, 메인터넌스를 위해서 작업자가 출입하는 것도 생각할 수 있으나, 제3의 격리 공간(113)에 오존 가스가 진입하지 않기 때문에, 작업자가 오존 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
각 기체 박스(34A)는, 횡방향으로 병치된, 제1의 기체 박스(106), 제2의 기체 박스(107) 및 제3의 기체 박스(108)를 각각 설치하고 있다. 제1의 기체 박스(106), 제2의 기체 박스(107) 및 제3의 기체 박스(108)는, 각각, 내부에 공간을 갖고, 서로 횡방향으로 병치되어 있다. 제3의 기체 박스(108)는, 복수의 베이크 챔버(4)에 대해, 로드 포트(LP)측(도 7a의 좌측)에 인접하여 배치되어 있다.
제1의 기체 박스(106)는, 복수의 베이크 챔버(4) 및 제3의 기체 박스(108)에 대해, 로드 포트(LP)측(도 7a의 좌측)에 인접하여 배치되어 있다. 제1의 기체 박스(106)의 내부 공간에서는, 집합 배기 배관(19), 집합 오존 가스 배관(52), 집합 배기 배관(62), 질소 가스 배관(58)(도 4 참조) 등이 상하로 연장되어 있다. 집합 배기 배관(19) 및 집합 배기 배관(62)은, 각각, 각 개별 배기 배관(18) 및 각개별 배기 배관(61)을 통해 각 베이크 챔버(4)에 접속되어 있다. 집합 오존 가스 배관(52)은, 각 개별 급기 배관(53)을 통해 각 베이크 챔버(4)에 접속되어 있다. 제1의 기체 박스(106)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제1의 기체 박스(106)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를 로드 포트(LP)(도 1a 참조)로부터 격리하는 제4의 격리 공간(배관 수용 공간)(116)으로서 기능한다.
집합 배기 배관(19), 집합 오존 가스 배관(52), 집합 배기 배관(62) 등을 수용하는 제4의 격리 공간(116)이 대략 밀폐 공간이므로, 이들 배관(19, 52, 62)으로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 제1의 기체 박스(106)의 격벽에 의해서 오존 가스를 막을 수 있어, 이에 의해, 인덱서 유닛(32) 내로의 오존 가스의 유출을 효과적으로 억제할 수 있다. 인덱서 유닛(32)에는, 메인터넌스를 위해서 작업자가 출입하는 것도 생각할 수 있으나, 인덱서 유닛(32) 내에 오존 가스가 진입하지 않기 때문에, 작업자가 오존 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
제2의 기체 박스(107)는, 복수의 베이크 챔버(4) 및 제2의 박스(102)에 대해, 로드 포트(LP)측(도 7a의 좌측)에 인접하여 배치되어 있다. 제2의 박스(102)의 내부 공간에는, 오존 가스 공급 밸브(54)(도 4 참조), 질소 가스 공급 밸브(59)(도 4 참조), 제1의 배기 밸브(66)(도 4 참조), 제2의 배기 밸브(67)(도 4 참조), 불활성 가스 밸브(78) 등이나 센서류가 수용되어 있다. 제2의 기체 박스(107)의 내부 공간에서는, 각 개별 급기 배관(53)이 수평 방향으로 연장되어 있다. 제2의 기체 박스(107)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제2의 기체 박스(107)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를 로드 포트(LP)(도 1a 참조)로부터 격리하는 제5의 격리 공간(배관 수용 공간)(117)으로서 기능한다.
개별 배기 배관(18), 개별 급기 배관(53), 개별 배기 배관(61) 등을 수용하는 제5의 격리 공간(117)이 대략 밀폐 공간이므로, 이들 배관(18, 53, 61)으로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 제2의 기체 박스(107)의 격벽에 의해서 오존 가스를 막을 수 있어, 이에 의해, 인덱서 유닛(32) 내로의 오존 가스의 유출을 효과적으로 억제할 수 있다.
제3의 기체 박스(108)의 내부 공간은, 밀폐성이 높은 대략 밀폐 공간이다. 제3의 기체 박스(108)의 내부 공간에는, 오존 가스의 공급에 관한 전기 배선이 수용되어 있다. 제3의 기체 박스(108)의 내부 공간은, 복수의 베이크 챔버(4)를 로드 포트(LP)(도 1a 참조)로부터 격리하는 제6의 격리 공간(118)으로서 기능한다.
도 7a에 나타낸 바와 같이, 제1~제3의 격리 공간(111~113) 및 제4~제6의 격리 공간(116~118)에 의해서, 복수의 베이크 챔버(4)의 주위를 포위하는 포위 격리 공간(110)이 형성되어 있다. 포위 격리 공간(110)에 의해서, 복수의 베이크 챔버(4)가, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재로부터 열 격리된다. 또, 포위 격리 공간(110)에 의해서, 복수의 베이크 챔버(4)가, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재로부터 분위기 차단된다. 복수의 베이크 챔버(4)의 측방을 포위 격리 공간(110)이 포위하고 있으므로, 베이크 챔버(4)로부터의 열이나 분위기가, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재에 대해, 간접적으로 전달되는 경우도 없다.
또, 상술한 바와 같이, 핫 플레이트(21)는, 후드(30)와 베이스링(27)에 의해서 구획되는 공간에 수용되어 있다. 또, 오존 가스의 공급도, 후드(30)와 베이스링(27)에 의해서 구획되는 공간으로만 한정되어 있어, 후드(30)가 닫힌 상태에서만, 오존 가스의 공급이 허용되고 있다. 즉, 하측 위치에 위치하는 후드(30) 및 베이스링(27)은, 베이크 챔버(4)의 내부에 수용된 내측 챔버(120)(도 9f 참조)로서 기능한다. 이 상태에서, 내측 챔버(120)의 내외가, 열 격리 및 분위기 차단되어 있다.
도 8a~8c는, 도 2에 나타낸 드라이 처리의 일례를 나타내는 공정도이다. 도 9a~9o는, 도 2에 나타낸 드라이 처리가 실행되고 있을 때의 베이크 챔버(4)의 내부 상태를 나타내는 모식도이다.
드라이 처리 유닛(2D)에 기판(W)을 반입할 때는, 셔터 개폐 액츄에이터(63)(도 9a 참조)가 셔터(5)를 열림 위치에 위치시키고, 베이크 챔버(4)의 반입 반출구를 연다(도 8a의 단계 S11). 그 후, 센터 로봇(CR)은, 디바이스 형성면인 표면이 위를 향하고 있는 기판(W)을 핸드(H)로 지지하면서, 핸드(H)를 베이크 챔버(4) 내에 진입시킨다(도 8a의 단계 S12).
계속해서, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 센터 로봇(CR)은, 핸드(H) 상의 기판(W)을 복수의 제1의 리프트핀(71) 상에 놓고(도 8a의 단계 S13), 핸드(H)를 베이크 챔버(4)의 밖으로 이동시킨다(도 8a의 단계 S14). 셔터 개폐 액츄에이터(63)는, 핸드(H)가 퇴피한 후, 셔터(5)를 닫힘 위치로 이동시키고, 베이크 챔버(4)의 반입 반출구를 닫는다(도 8a의 단계 S15).
다음에, 도 9b에 나타낸 바와 같이, 기판(W)이 복수의 제1의 리프트핀(71)에 지지되어 있는 상태에서, 제1의 리프트 승강 액츄에이터(72)가 복수의 제1의 리프트핀(71)을 상측 위치로부터 하측 위치로 이동시키고(도 8a의 단계 S16), 핸드 이동 기구(74)가 실내 핸드(73)를 하측 비접촉 위치로부터 상측 비접촉 위치로 이동시킨다(도 8a의 단계 S16). 이에 의해, 기판(W)은, 복수의 제1의 리프트핀(71)으로부터 떨어져, 실내 핸드(73)의 상면에 접촉한다.
후드 승강 액츄에이터(29)는, 셔터(5)가 닫힘 위치에 배치된 후, 후드(30)를 하측 위치로부터 상측 위치로 이동시킨다. 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)는, 후드(30)가 상측 위치에 배치된 후, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 하측 위치로부터 상측 위치로 이동시킨다. 도 9c에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 복수의 제2의 리프트핀(24)이 상측 위치에 위치하고 있는 상태로, 상측 비접촉 위치에 위치하는 실내 핸드(73)를 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이에 진입시킨다(도 8a의 단계 S17). 그 후, 도 9d에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 상측 비접촉 위치로부터 하측 비접촉 위치로 이동시킨다(도 8a의 단계 S18). 이에 의해, 기판(W)은, 실내 핸드(73)의 상면으로부터 떨어져, 복수의 제2의 리프트핀(24)에 접촉한다.
도 9e에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 복수의 제2의 리프트핀(24)에 기판(W)을 건넨 후, 실내 핸드(73)를 수평으로 이동시킴으로써, 실내 핸드(73)를 냉각 플레이트(70)의 상방으로 이동시킨다(도 8a의 단계 S19). 그 후, 도 9f에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 하측 비접촉 위치로부터 접촉 위치로 하강시킨다(도 8a의 단계 S20). 이에 의해, 실내 핸드(73)의 하면이 냉각 플레이트(70)의 상면에 접촉한다.
다음에, 도 9f에 나타낸 바와 같이, 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)가, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 상측 위치로부터 하측 위치로 이동시킨다(도 8b의 단계 S21). 이에 의해, 기판(W)은, 복수의 제2의 리프트핀(24)으로부터 떨어져, 핫 플레이트(21)의 상면, 즉, 복수의 돌출부(23a)(도 4 참조)에 접촉한다. 후드 승강 액츄에이터(29)는, 복수의 제2의 리프트핀(24)이 하측 위치로 이동한 후, 후드(30)를 상측 위치로부터 하측 위치로 이동시킨다(도 8b의 단계 S22). 이에 의해, 후드(30)와 베이스링(27) 사이의 간극이 밀폐되고, 기판(W)을 수용하는 밀폐 공간(SP)이 형성된다. 핫 플레이트(21)는, 기판(W)이 핫 플레이트(21)에 지지되기 전부터 실온보다 높은 가열 온도(예를 들면, 100℃ 이상의 소정 온도. 예를 들면 350℃)로 유지되어 있다. 기판(W)이 핫 플레이트(21)에 지지되면, 기판(W)의 가열이 개시된다.
다음에, 도 9g에 나타낸 바와 같이, 오존 가스 공급 밸브(54)가 열리고, 복수의 급기구(46)가 오존 가스의 토출을 개시한다(도 8b의 단계 S23). 오존 가스는, 복수의 급기구(46)로부터 기판(W)의 중심을 향해 기판(W)의 상면을 따라서 흐른다. 이에 의해, 기판(W)의 상면의 외주로부터 기판(W)의 상면의 중심을 향해 흐르는 복수의 기류가 형성된다. 밀폐 공간(SP) 내의 공기는, 오존 가스에 의해서 배기구(44)쪽으로 인도되고, 배기구(44)를 통해 밀폐 공간(SP)의 밖으로 배출된다. 이에 의해, 밀폐 공간(SP)이 오존 가스로 채워진다.
오존 가스 공급 밸브(54)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 오존 가스 공급 밸브(54)가 닫히고, 오존 가스의 토출이 정지된다. 그 후, 도 9h에 나타낸 바와 같이, 질소 가스 공급 밸브(59)가 열리고, 복수의 급기구(46)가 질소 가스의 토출을 개시한다(도 8b의 단계 S24). 밀폐 공간(SP) 내의 오존 가스는, 질소 가스에 의해서 배기구(44)쪽으로 인도되고, 배기구(44)를 통해 밀폐 공간(SP)의 밖으로 배출된다. 이에 의해, 밀폐 공간(SP) 내의 오존 가스가, 질소 가스로 치환된다. 질소 가스 공급 밸브(59)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 질소 가스 공급 밸브(59)가 닫히고, 질소 가스의 토출이 정지된다.
다음에, 도 9i에 나타낸 바와 같이, 후드 승강 액츄에이터(29)가, 후드(30)를 하측 위치로부터 상측 위치로 이동시킨다(도 8b의 단계 S25). 그 후, 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)가, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 하측 위치로부터 상측 위치로 이동시킨다(도 8b의 단계 S26). 이에 의해, 기판(W)은, 핫 플레이트(21)의 상면으로부터 떨어져, 복수의 제2의 리프트핀(24)에 접촉한다.
도 9i에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 접촉 위치에 위치하는 실내 핸드(73)를 하측 비접촉 위치까지 상승시킨다(도 8b의 단계 S27). 그 후, 도 9j에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이에 진입시킨다(도 8b의 단계 S28). 계속해서, 도 9k에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 하측 비접촉 위치로부터 상측 비접촉 위치로 이동시킨다(도 8b의 단계 S29). 이에 의해, 기판(W)은, 복수의 제2의 리프트핀(24)으로부터 떨어져, 실내 핸드(73)의 상면에 접촉한다.
도 9l에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)로 기판(W)을 지지한 후, 실내 핸드(73)를 상측 비접촉 위치에 위치시키면서, 실내 핸드(73)를 냉각 플레이트(70)의 상방으로 이동시킨다(도 8b의 단계 S30). 도 9m에 나타낸 바와 같이, 제2의 리프트 승강 액츄에이터(26)는, 실내 핸드(73)가 핫 플레이트(21)와 후드(30) 사이부터 퇴피한 후, 복수의 제2의 리프트핀(24)을 상측 위치로부터 하측 위치로 이동시킨다. 그 후, 후드 승강 액츄에이터(29)는, 후드(30)를 상측 위치로부터 하측 위치로 이동시킨다.
다음에, 도 9m에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)를 상측 비접촉 위치로부터 접촉 위치로 하강시킨다(도 8c의 단계 S31). 이에 의해, 실내 핸드(73)의 하면이 냉각 플레이트(70)의 상면에 접촉한다. 냉각 플레이트(70)는, 핫 플레이트(21)의 온도(가열 온도)보다 낮은 냉각 온도로 유지되어 있다. 실내 핸드(73) 상의 기판(W)의 열은, 기판(W) 및 냉각 플레이트(70)에 직접 접촉하는 실내 핸드(73)를 통해 냉각 플레이트(70)에 전달된다. 이에 의해, 기판(W)이 냉각된다.
도 9n에 나타낸 바와 같이, 핸드 이동 기구(74)는, 실내 핸드(73)가 접촉 위치에 배치되고 나서 소정 시간이 경과한 후, 실내 핸드(73)를 하측 비접촉 위치로 이동시킨다(도 8c의 단계 S32). 그 후, 도 9o에 나타낸 바와 같이, 제1의 리프트 승강 액츄에이터(72)는, 복수의 제1의 리프트핀(71)을 하측 위치로부터 상측 위치로 이동시킨다(도 8c의 단계 S33). 이에 의해, 기판(W)은, 실내 핸드(73)의 상면으로부터 떨어져, 복수의 제1의 리프트핀(71)에 접촉한다.
다음에, 도 9o에 나타낸 바와 같이, 셔터 개폐 액츄에이터(63)는, 셔터(5)를 닫힘 위치로부터 열림 위치로 이동시키고, 베이크 챔버(4)의 반입 반출구를 연다(도 8c의 단계 S34). 그 후, 센터 로봇(CR)은, 핸드(H)를 베이크 챔버(4) 내에 진입시키고(도 8c의 단계 S35), 복수의 제1의 리프트핀(71) 상의 기판(W)을 핸드(H)로 취한다(도 8c의 단계 S36). 계속해서, 센터 로봇(CR)은, 기판(W)을 핸드(H)로 지지하면서, 핸드(H)를 베이크 챔버(4)의 밖으로 이동시킨다(도 8c의 단계 S37). 셔터 개폐 액츄에이터(63)는, 핸드(H)가 퇴피한 후, 셔터(5)를 닫힘 위치로 이동시킨다(도 8c의 단계 S38).
이상과 같이 이 실시형태에 의하면, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재가 포위 격리 공간(110)에 의해서 베이크 챔버(4)로부터 열 격리된다. 그 때문에, 복수의 베이크 챔버(4)로부터의 열이 웨트 처리 유닛(2W)이나 처리액 공급 장치(100)에 전달되는 것을 억제 또는 방지할 수 있어, 따라서, 베이크 챔버(4)로부터의 열이, 웨트 처리 유닛(2W)에 있어서의 웨트 처리에 영향을 주는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이에 의해, 베이크 챔버(4)로부터의 열영향을 배제한 상태로 웨트 처리를 행할 수 있어, 따라서, 웨트 처리에 있어서의 처리 불균일의 발생을 방지할 수 있다.
또, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재가 포위 격리 공간(110)에 의해서 베이크 챔버(4) 내의 분위기로부터 분위기 차단된다. 즉, 만일, 베이크 챔버(4)로부터 오존 가스가 유출된 경우에도, 유출된 오존 가스를 포위 격리 공간(110)에 의해 막을 수 있어, 이에 의해, 유출된 오존 가스가 베이크 챔버(4)의 주위의 부재에 진입하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 복수의 베이크 챔버(4)의 측방을 포위 격리 공간(110)이 포위하고 있으므로, 베이크 챔버(4)로부터의 열이나 분위기가, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재에 간접적으로 전달되는 일도 없다. 따라서, 베이크 챔버(4)로부터의 열이, 웨트 처리 유닛(2W)에 있어서의 웨트 처리에 영향을 주는 것을 효과적으로 억제할 수 있고, 또, 베이크 챔버(4)의 주위의 부재로 오존 가스가 진입하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또, 베이크 챔버(4)의 내부에 내측 챔버(120)(도 9f 참조)가 배치되어 있다.
이러한 이중 챔버 구조를 채용하므로, 격벽(14)을 통해 베이크 챔버(4) 밖으로 오존 가스가 유출되는 것을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있어, 이에 의해, 기판 처리 장치(1) 밖으로 오존 가스가 유출되는 것을, 보다 확실하게 방지할 수 있다.
이상, 이 발명의 일 실시형태에 대해서 설명했는데, 본 발명은 다른 형태로 실시하는 것도 가능하다.
예를 들면, 상술한 실시형태에서는, 가열 유닛(8)이, 핫 플레이트(21)가 내측 챔버(120)(하측 위치에 위치하는 후드(30) 및 베이스링(27))에 의해서 포위되어 있는 것으로 설명했는데, 핫 플레이트(21)가 이러한 내측 챔버에 의해서 포위되지 않고, 베이크 챔버(4) 내에 노출된 상태로 배치되어 있어도 된다.
또, 베이크 챔버(4) 내에 가열 유닛(8) 및 냉각 유닛(7)이 수용된 구성을 예로 들어 설명했는데, 베이크 챔버(4) 내에 가열 유닛(8)만이 수용된 구성이어도 된다.
또, 처리액 공급 장치(100)가, 장치 본체(31)에 인접하여 배치되어 있을 필요는 없고, 동일한 플로어에 있어서의 장치 본체(31)와 떨어진 위치에 배치되어 있어도 되고, 다른 플로어(예를 들면 아래층)에 배치되어 있어도 된다.
또, 제2의 박스(102)의 내부 공간이 급기 경로(16)(도 4 참조)와 연통하고 있고, 장치 본체(31) 내에 도입된 외기가, 제1의 박스(101)뿐만 아니라, 제2의 박스(102)에도 유통되도록 되어 있어도 된다.
또, 기판 처리 장치(1)에 탑재되는 드라이 처리 유닛(2D)의 탑의 수가, 웨트 처리 유닛(2W)의 탑의 수와 동수 설치되어 있는 경우를 예로 들어 설명했는데, 드라이 처리 유닛(2D)의 탑이, 웨트 처리 유닛(2W)의 탑의 수보다 적은 수만큼 설치되어 있어도 된다. 또, 각 탑에 포함되는 드라이 처리 유닛(2D)의 개수도 적절하게 변경해도 된다.
또, 웨트 처리 유닛(2W)이, 평면에서 봤을 때, 드라이 처리 유닛(2D)에 대해 로드 포트(LP)와 반대측에 배치되어 있다고 했는데, 이러한 레이아웃이 채용되지 않아, 그 결과, 웨트 처리 유닛(2W)과 드라이 처리 유닛(2D)이 접근하여 배치되어 있어도 되는, 이러한 레이아웃이어도, 적층된 복수의 베이크 챔버(4)의 측방을 포위하는 포위 격리 공간(110)에 의해서, 베이크 챔버(4)로부터 베이크 챔버(4)의 주위의 부재를 양호하게 열 격리할 수 있다.
또, 드라이 처리 유닛(2D)에서 이용되는 처리 가스로서의 오존 가스를 예시했는데, 다른 처리 가스여도 된다. 그 밖의 처리 가스는, CF4 등의 불소 가스, NH3 등의 인체에 영향을 주는 기체여도 된다.
기판 처리 장치(1)는, 원판형상의 기판(W)을 처리하는 장치로 한정되지 않고, 다각형의 기판(W)을 처리하는 장치여도 된다.
그 밖에, 특허 청구범위에 기재된 사항의 범위에서 다양한 설계 변경을 실시하는 것이 가능하다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명했는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명하게 하기 위해서 이용된 구체적인 예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예로 한정되어 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부하는 청구범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2016년 9월 26일에 일본국 특허청에 제출된 특허 출원 2016-187251호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.

Claims (8)

  1. 기판을 반입 및 반출하기 위한 반입 반출구를 가지며, 내부에서 기판을 가열 처리하면서 오존 가스를 상기 기판에 공급하는 베이크 챔버가, 소정 방향으로 복수개 적층되어 있는 드라이 처리 유닛과,
    상기 베이크 챔버와는 별도의 액처리 챔버를 갖고, 기판에 처리액을 이용한 액처리를 실시하는 처리 유닛과,
    수용기 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 상기 베이크 챔버 및 상기 액처리 챔버에 반송하기 위한 반송실을 포함하며,
    상기 드라이 처리 유닛과 상기 액처리 챔버가, 상기 반송실의 일방 측에 서로 인접하여 배치되어 있고,
    상기 복수의 베이크 챔버에 포함되는 모든 베이크 챔버의 측방을 포위하여, 상기 복수의 베이크 챔버를, 상기 액처리 챔버 및 상기 반송실로부터 격리하는 포위 격리 공간을 더 포함하며,
    상기 포위 격리 공간이, 각 베이크 챔버의 측벽이며 평면에서 봤을 때 상기 반입 반출구의 형성 위치를 제외한 전체 둘레의 부분의 측벽의 측방을 포위하고,
    상기 포위 격리 공간이, 복수의 중공의 박스의 내부 공간에 의해 구성되어 있는 공간을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    기판을 수용하기 위한 수용기를 유지하는 수용기 유지 유닛을 더 포함하고,
    상기 액처리 챔버는, 상기 베이크 챔버에 대해 상기 수용기 유지 유닛과 반대측에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 반송실 사이에 설치된 제1의 격리 공간을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 기판 처리 장치의 외벽 사이에 설치된 제2의 격리 공간을 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 포위 격리 공간은, 상기 베이크 챔버와 상기 액처리 챔버 사이에 설치된 제3의 격리 공간을 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 베이크 챔버는, 내부에 있어서, 기판을 가열하면서 오존 가스를 기판에 공급하는 챔버를 포함하고,
    상기 포위 격리 공간은,
    상기 베이크 챔버로부터의 배기가 유통되는 배기 배관 및 상기 베이크 챔버에 오존 가스를 공급하는 오존 가스 공급 배관 중 적어도 한쪽을 수용하는 배관 수용 공간과,
    상기 베이크 챔버에 관한 전기 기기를 수용하는 전기 기기 수용 공간을 포함하고,
    상기 전기 기기 수용 공간은, 상기 베이크 챔버에 대해, 상기 배관 수용 공간과 반대측에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 베이크 챔버의 내부에, 내부에서 기판을 가열하면서 오존 가스를 기판에 공급하는 내부 챔버가 수용되어 있는, 기판 처리 장치.
  8. 삭제
KR1020170120447A 2016-09-26 2017-09-19 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 KR102059725B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016187251A JP6870944B2 (ja) 2016-09-26 2016-09-26 基板処理装置
JPJP-P-2016-187251 2016-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180034245A KR20180034245A (ko) 2018-04-04
KR102059725B1 true KR102059725B1 (ko) 2019-12-26

Family

ID=61685694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170120447A KR102059725B1 (ko) 2016-09-26 2017-09-19 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10748795B2 (ko)
JP (1) JP6870944B2 (ko)
KR (1) KR102059725B1 (ko)
CN (1) CN107871688B (ko)
TW (1) TWI672757B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6870944B2 (ja) * 2016-09-26 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11437250B2 (en) 2018-11-15 2022-09-06 Tokyo Electron Limited Processing system and platform for wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions
KR102262113B1 (ko) * 2018-12-18 2021-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7190977B2 (ja) * 2019-06-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11587818B2 (en) * 2019-07-18 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chuck design and method for wafer
US11915941B2 (en) 2021-02-11 2024-02-27 Tokyo Electron Limited Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching
US11802342B2 (en) 2021-10-19 2023-10-31 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of ruthenium
US11866831B2 (en) 2021-11-09 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of copper
KR102650765B1 (ko) * 2022-09-16 2024-03-25 주식회사 에이치피에스피 고압 열처리 장치용 가스 박스 어셈블리

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110701A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4768291A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Monarch Technologies Corporation Apparatus for dry processing a semiconductor wafer
JP2696265B2 (ja) * 1990-09-28 1998-01-14 株式会社半導体プロセス研究所 半導体装置の製造装置
JP3664193B2 (ja) * 1996-02-09 2005-06-22 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3522469B2 (ja) 1996-11-18 2004-04-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3577436B2 (ja) * 1999-02-16 2004-10-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法
KR100593627B1 (ko) 1999-02-16 2006-06-28 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치, 처리시스템, 판별방법 및 검출방법
JP4421158B2 (ja) 1999-07-02 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 冷却設備
US6402400B1 (en) 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US6402508B2 (en) 1999-12-09 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
JP3741655B2 (ja) * 2002-03-04 2006-02-01 東京エレクトロン株式会社 液処理方法および液処理装置
JP4342147B2 (ja) 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7371022B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
JP4803592B2 (ja) * 2006-06-16 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
TWI456627B (zh) 2006-08-07 2014-10-11 Sokudo Co Ltd 於導軌式微影工具中控制關鍵尺寸的方法及系統
US7534627B2 (en) 2006-08-07 2009-05-19 Sokudo Co., Ltd. Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools
JP2008060368A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US7694688B2 (en) * 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5270251B2 (ja) 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2012233240A (ja) * 2011-05-06 2012-11-29 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着源並びに有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造装置の運転方法
JP5898549B2 (ja) 2012-03-29 2016-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6030393B2 (ja) * 2012-09-26 2016-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5926753B2 (ja) 2014-02-26 2016-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6870944B2 (ja) * 2016-09-26 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110701A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10748795B2 (en) 2020-08-18
JP6870944B2 (ja) 2021-05-12
TWI672757B (zh) 2019-09-21
JP2018056203A (ja) 2018-04-05
US20180090352A1 (en) 2018-03-29
KR20180034245A (ko) 2018-04-04
CN107871688B (zh) 2021-08-06
CN107871688A (zh) 2018-04-03
TW201824433A (zh) 2018-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102059725B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101605721B1 (ko) 베이크 장치 및 기판 처리 장치
CN108122817A (zh) 基板支撑单元，热处理单元和包括其的基板处理装置
JP2002198348A (ja) 液処理装置
JP4005609B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
TW202005894A (zh) 具有局部沖淨功能的搬送裝置
KR20170052333A (ko) 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR102522960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101053992B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2008270266A (ja) 基板処理装置
KR102316618B1 (ko) 버퍼 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP3966884B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
KR101817213B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR102675104B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2008166820A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
KR20200011290A (ko) 기판 처리 장치
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP3611568B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
KR101958641B1 (ko) 기판 처리 장치 및 홈포트 배기 방법
KR101985763B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2018101741A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20220062205A (ko) 기판 처리 장치
JP2008124502A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法及び電子機器
KR20220021290A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant