CN103367111A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
提供基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：水分除去工序，从基板上除去水分；硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，对基板供给硅烷化试剂；蚀刻工序，在所述硅烷化工序之后，对所述基板供给蚀刻剂。所述基板的表面可以露出氮化膜以及氧化膜，此时，所述蚀刻工序可以是通过所述蚀刻剂对所述氮化膜进行选择蚀刻的选择蚀刻工序。可以通过供给含有蚀刻成分的蒸汽的方式供给所述蚀刻剂。
Description
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在作为处理对象的基板中，例如，包括：半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED（Field Emission Display：场发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，对形成了氮化硅膜（SiN膜）与氧化硅膜（SiO2膜）的基板的表面，供给作为蚀刻液的高温（例如，120℃～160℃）的磷酸水溶液，根据需要来进行用于选择性除去氮化硅膜的选择蚀刻（例如，参照JP特开2007－258405号公报）。
发明内容
优选选择蚀刻的选择比（氮化膜的除去量/氧化膜的除去量）高。
因此，本发明提供一种能够提高选择蚀刻的选择比的基板处理方法以及基板处理装置。
本发明的基板处理方法，包括：水分除去工序，从基板上除去水分；硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，对基板供给硅烷化试剂；蚀刻工序，在所述硅烷化工序之后，对所述基板供给蚀刻剂。
通过该方法，在对基板供给蚀刻剂之前，对基板供给硅烷化试剂而使基板硅烷化。因此，对硅烷化后的基板进行蚀刻。如后述，对形成有氧化膜与氮化膜的基板进行硅烷化，从而能够抑制氧化膜被蚀刻。因此，通过对硅烷化后的基板进行蚀刻，能够提高选择比（氮化膜的除去量/氧化膜的除去量）。
进一步，在该方法中，在硅烷化工序之前，执行从基板上除去水分的水分除去工序。通过该水分除去工序，能够在硅烷化工序中容易形成用于保护氧化膜的保护膜。硅烷化试剂所具有的烷基与羟基（OH基）之间的反应性高，因此，在硅烷化工序中，如果在基板上存在水分，会优先进行硅烷化试剂与水分中的OH基的反应，有可能妨碍形成用覆盖基板表面的氧化膜的保护膜。因此，在本发明中，在硅烷化工序之前，进行水分除去工序。由此，硅烷化试剂的烷基与在基板上露出的氧化膜反应，形成覆盖氧化膜的保护膜。由此，然后只要进行蚀刻工序，就能够以高选择比来蚀刻氮化膜。
本发明的一实施方式中，在所述基板的表面上，露出氮化膜以及氧化膜；所述蚀刻工序，是用于通过所述蚀刻剂对所述氮化膜进行选择性蚀刻的选择蚀刻工序。
在该方法中，在水分除去工序之后进行硅烷化工序，因此，能够抑制硅烷化试剂与基板表面所吸附的水分发生反应，其结果，能够高效地使基板表面的氧化膜与硅烷化试剂发生反应，从而形成覆盖氧化膜的保护膜。该状态下进行蚀刻，则能够对基板上的氮化膜实现高选择性的选择蚀刻。
特别地，在所述氧化膜是多孔质氧化硅（Porous-SiO2）、低温形成氧化膜（LTO：low temperature oxide：低温氧化物）这样的吸湿性的氧化膜的情况下，通过预先进行水分除去工序，能够避免因吸附水分导致的妨碍形成保护膜的问题，能够形成良好的保护膜。
在本发明的一实施方式中，所述蚀刻剂是具有蚀刻成分的蒸汽。蚀刻成分可以是氢氟酸（HF：氟化氢）。
利用将氢氟酸作为蚀刻成分的蒸汽（氢氟酸蒸汽）的气相蚀刻，会受到被处理基板中的吸附水分的很大影响。即，被处理基板中的水分使氢氟酸容易凝聚，导致过度蚀刻，使得蚀刻选择性低下。特别是，如果在基板表面上形成前述的吸湿性的氧化膜，则在氧化膜的吸附水分中容易凝聚氢氟酸，导致氧化膜被蚀刻，使得氮化膜蚀刻的选择比低。在本发明中，通过进行水分除去工序，在排除了被处理基板中的吸附水分的基础上，通过之后的硅烷化处理来形成覆盖氧化膜的保护膜，因此能够显著提高氮化膜蚀刻的选择比。
所述水分除去工序，包括对基板进行加热的加热工序、使基板周边的气压下降的减压工序以及对基板照射光的照射工序中的至少一个工序。即，可以单独进行加热工序、减压工序以及照射工序中的任意一个工序，也可以组合两个以上的上述工序来除去基板的水分。
所述基板处理方法还可以包括：在进行了所述蚀刻工序之后，对所述基板供给冲洗液的冲洗工序；干燥工序，在进行了所述冲洗工序之后，使所述基板干燥。
另外，所述基板处理方法还可以包括加热工序，与所述硅烷化工序并行地，对所述基板进行加热。此时，由于基板的温度上升，因此能够抑制对基板供给的硅烷化试剂的温度下降。因此，即使硅烷化试剂的活性随温度而发生变化，也能够使硅烷化试剂的活性稳定。进一步，在基板的温度比对该基板供给的硅烷化试剂的温度高的情况下，能够提高对基板供给的硅烷化试剂的温度。因此，在硅烷化试剂的活性随着温度上升而提高的情况下，能够提高硅烷化试剂的活性。
本发明的基板处理装置具有：水分除去单元，其从基板上除去水分；硅烷化试剂供给单元，其对基板供给硅烷化试剂；蚀刻剂供给单元，其对基板供给蚀刻剂；控制单元，其通过控制所述水分除去单元，来执行从基板上除去水分的水分除去工序，通过控制所述硅烷化试剂供给单元，来在所述水分除去工序之后执行对所述基板供给硅烷化试剂的硅烷化工序，通过控制所述蚀刻剂供给单元，来在所述硅烷化工序之后执行对所述基板供给蚀刻剂的蚀刻工序。
所述水分除去单元，优选包括对基板进行加热的加热单元、对基板照射光的照射单元以及使基板周边的气压下降的减压单元中的至少一个单元。即，水分除去单元可以由加热单元、照射单元以及减压单元中的任意一个单元单独构成，也可以组合两个以上的上述单元而构成。
本发明的上述的或其它的目的特征以及效果，由参照附图记述的实施方式的说明中表明。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
图2是用于说明水分除去单元的结构例的示意的剖视图。
图3是表示硅烷化单元的结构例的示意图。
图4是用于说明蚀刻单元的结构例的示意的剖视图。
图5是用于说明表示清洗单元的结构例的示意的剖视图。
图6A－6E是用于说明基板处理装置所进行的基板处理的一例的图。
图7表示利用氢氟酸蒸汽（hydrofluoric acid vapor）进行氮化膜的选择蚀刻相关的实验结果。
图8表示水分除去单元的其它结构例。
图9表示水分除去单元的另一其它结构例。
图10是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
图11是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
图12是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
图13是表示本发明的第五实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
图14是表示本发明的第六实施方式的基板处理装置的布局的图解俯视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置1的布局的图解俯视图。
基板处理装置1，是逐张（一张一张）地对半导体晶片等的圆形的基板W进行处理的单张式的基板处理装置。基板处理装置1具有：分度器部2、结合在分度器部2上的处理部3、对基板处理装置1所具备的装置的动作及/或阀的开闭进行控制的控制装置4。
分度器部2具有搬运器保持部5、分度器机械手IR、IR移动机构6。搬运器保持部5保持能够容纳多张基板W的搬运器C。多个搬运器C，以在水平的搬运器排列方向上排列为U的状态，被搬运器保持部5保持。IR移动机构6，使分度器机械手IR在搬运器排列方向U上移动。分度器机械手IR，进行将基板W搬入被搬运器保持部5保持的搬运器C的搬入动作，以及从搬运器C搬出基板W的搬出动作。
另一方面，处理部3具有：对基板W进行处理的多个（例如，四个以上）处理单元7、中央机械手CR。在俯视时，多个处理单元7配置为包围中央机械手CR。多个处理单元7包括：水分除去单元7a，其对基板W进行加热来除去水分；硅烷化单元7b，其对基板W进行硅烷化；蚀刻单元7c，其对基板W进行蚀刻；清洗单元7d，其对基板W进行清洗。
在本实施方式中具有：一个水分除去单元7a、一个硅烷化单元7b、两个蚀刻单元7c、一个清洗单元7d。相对于中央机械手CR，在靠近分度器部2的两个位置，配置有一个蚀刻单元7c与清洗单元7d。在该蚀刻单元7c与清洗单元7d之间划分出搬送路径25，该搬送路径25用于在分度器机械手IR与中央机械手CR之间搬送基板W。另外，相对于中央机械手CR，在于分度器部2相反的一侧的两个位置，配置另一个蚀刻单元7c和硅烷化单元7b。在该蚀刻单元7c与硅烷化单元7b之间，配置有水分除去单元7a。
中央机械手CR进行将基板W搬入处理单元7的搬入动作，以及将基板W从处理单元7搬出的搬出动作。进一步，中央机械手CR在多个处理单元7间搬送基板W。中央机械手CR从分度器机械手IR接受基板W，并且，将基板W交接至分度器机械手IR。由控制装置4来控制分度器机械手IR以及中央机械手CR。
图2是用于说明水分除去单元7a的结构例的示意的剖视图。在本实施方式中，水分除去单元7a具有对基板W进行加热的作为烘焙单元的基本结构。水分除去单元7a具有设在长方体状的腔室8内的加热板9。加热板9具有能够载置基板W的水平的基板载置面9a。在加热板9的内部，嵌入有用于对基板W进行加热而使其干燥的加热器10。因此，通过来自加热器10的热量，对载置在基板载置面9a上的基板W进行加热，能够使其表面的水分散发。
与加热板9相关联地，设有用于相对于加热板9而使基板W升降的多根（例如，3根）升降销11。多根升降销11插穿腔室8的底壁12，在腔室8外，被共通（共用）的支撑构件13支撑。在支撑构件13上，结合有含有液压缸的升降销升降机构14。升降销升降机构14，一体地使多根升降销11在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指多根升降销11之前端突出到加热板9的上方的位置，所述下方位置是指多根升降销11之前端退避到加热板9的下方的位置。
另外，在腔室8的一方的侧壁15（图2中，左侧的侧壁）上，形成有门（gate）16，该门16用于针对腔室8内搬入/搬出基板W。在侧壁15的外侧，设有用于使门16开闭的门闸（gate shutter）17。在门闸17上，结合有含有液压缸的门开闭机构18。门开闭机构18使门闸17在闭锁位置和开放位置之间移动，所述闭锁位置是指，门闸17紧贴侧壁15的外表面而使门16密闭的位置，所述开放位置是指，使门闸17向侧壁15的侧方远离并下降，从而使门16大开的位置。
另外，在腔室8的底壁12上，形成有排气口19。例如，俯视时，多个排气口19配置为包围加热板9。排气口19与排气管20的基端相连接，该排气管20之前端与排气源（未图示）相连接。由此，腔室8内的环境一直处于排气的状态。在排气管20的途中安装有排气阀21。控制装置4控制排气阀21开闭排气管20的流路。排气源可以是设置该基板处理装置1的工厂所具备的排气设备。
在腔室8的顶壁22上，结合（连接）有非活性气体供给管23。非活性气体供给管23将来自非活性气体供给源的非活性气体（例如氮气）供给至腔室8的内部。在非活性气体供给管23的途中安装有非活性气体阀24。控制装置4控制非活性气体阀24来开闭非活性气体供给管23的流路。
接下来，说明在水分除去单元7a中进行的基板W的处理的一例。
在基板处理装置1的运转中，控制装置4对加热器10进行通电控制，将加热板9控制为预先设定的高温（比室温高的温度）。进一步，控制装置4打开非活性气体阀24，向腔室8内的处理空间导入非活性气体，并且，打开排气阀21对腔室8内的环境进行排气。
中央机械手CR将基板W搬入水分除去单元7a内。在将基板W搬入水分除去单元7a内之前，控制装置4驱动门开闭机构18。由此，门闸17被配置在开放位置，门16开放。另外，在将基板W搬入水分除去单元7a内之前，控制装置4驱动升降销升降机构14。由此，升降销11被配置在其前端突出到加热板9的基板载置面9a上方的位置。然后，基板W被中央机械手CR搬入腔室8内。被搬入到腔室8内的基板W，被中央机械手CR载置在升降销11上。然后，中央机械手CR从腔室8内退出来。在中央机械手CR从腔室8内退出来之后，控制装置4门开闭机构18驱动。由此，门闸17被配置在闭锁位置，门闸17使门16密闭。
在门16密闭之后，控制装置4驱动升降销升降机构14。由此，升降销11下降到其前端退至加热板9下方的位置。通过该升降销11的下降，升降销11上的基板W被移动至加热板9的基板载置面9a上。由此，基板W被加热，吸附在基板W上的水分蒸发。对于含有蒸发了的水分的环境，其中的气体被从排气口19排出，从而被从非活性气体供给管23供给的干燥的非活性气体置换。这样，进行对吸附在基板W上的水分进行排除的水分除去处理。
如果从基板W被载置在基板载置面9a上开始经过了规定时间，则升降销升降机构14被控制装置4驱动。由此，升降销11上升，将基板W提拉至相对于基板载置面9a而向上方远离的位置（例如，能够与中央机械手CR之间交接基板W的位置）。然后，门开闭机构18被控制装置4驱动。由此，门闸17被配置在开放位置，门16开放。在该状态下，升降销11所支撑的基板W，被中央机械手CR从腔室8中搬出。
图3是表示硅烷化单元7b的概大致结构的示意图。硅烷化单元7b具有腔室28。腔室28例如为长方体状。腔室28包括侧壁30、上下对置的上壁31以及底壁32。硅烷化单元7b还具有沿着上壁31的外表面（上表面）配置的冷却装置33。腔室28被冷却装置33冷却。冷却装置33例如是水冷式的冷却装置。
硅烷化单元7b还具有设在腔室28内的基板保持台34。被搬入腔室28内的一张基板W，在被载置在基板保持台34上的状态下，被基板保持台34保持。基板保持台34固定在沿着铅直方向延伸的旋转轴35的上端。在旋转轴35上，结合有基板旋转机构36，该基板旋转机构36使旋转轴35围绕旋转轴35的中心轴线旋转。基板旋转机构36例如包括马达。
在基板保持台34的内部，嵌入有加热器37，该加热器37用于对被保持在基板保持台34上的基板W进行加热。进一步，在基板保持台34上设有均热环38，该均热环38用于在加热器37进行加热时使基板W的温度均匀。均热环38形成为环状，包围基板保持台34上的基板W的保持位置。
与基板保持台34相关联地，设有用于相对于基板保持台34而使基板W升降的多根（例如，3根）升降销39。多根升降销39插穿腔室28的底壁22，在腔室28外，被共通（共用）的支撑构件40支撑。在支撑构件40上，结合有含有液压缸的升降销升降机构41。升降销升降机构41，一体地使多根升降销39在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指多根升降销39之前端突出到基板保持台34的上方的位置，所述下方位置是指多根升降销39之前端退避到基板保持台34的下方的位置。
另外，在腔室28的一方的侧壁29（图3中，左侧的侧壁）上，形成有门（gate）42，该门42用于针对腔室28内搬入/搬出基板W。在侧壁29的外侧，设有用于使门42开闭的门闸（gate shutter）43。在门闸43上，结合有含有液压缸的门开闭机构44。门开闭机构44使门闸43在闭锁位置和开放位置之间移动，所述闭锁位置是指，门闸43紧贴侧壁29的外表面而使门42密闭的位置，所述开放位置是指，使门闸43向侧壁29的侧方远离并下降，从而使门42大开的位置。
另外，在腔室28的另一侧的侧壁30（图3中，右侧的侧壁）上，设有用于将作为非活性气体的一例的氮气导入腔室28内的侧方导入管45。对于侧方导入管45，经由侧方气体阀46来供给氮气。侧方导入管45贯穿侧壁30。侧方导入管45的朝向临腔室28内的端面，与侧壁30的内面大致平齐（成为一个面）。在侧壁30的内面，设有覆盖其整个内面的尺寸的扩散板47。扩散板47具有朝向腔室28内的多个喷出口（未图示）。被供给至侧方导入管45的氮气，从扩散板47的多个喷出口分散喷出。因此，被供给至侧方导入管45的氮气，在腔室28内扩散为在于侧壁30的内面平行的面内流速相同（均匀）的喷淋（shower）状。
另外，贯穿腔室28的上壁31而设有将硅烷化试剂的蒸汽与氮气向腔室28内导入的硅烷化试剂导入管48（硅烷化试剂供给单元）。对于硅烷化试剂导入管48，分别经由硅烷化试剂阀49以及上方气体阀50来供给硅烷化试剂以及氮气。硅烷化试剂导入管48的朝向腔室28内的端面，与上壁31的内面（下表面）大致平齐（成为一个面）。在上壁31的内面，设有直径比基板W的直径大的圆板状的扩散板51。该扩散板51具有朝向腔室28内的多个喷出口（未图示）。被供给至硅烷化试剂导入管48的硅烷化试剂以及氮气，从扩散板51的多个喷出口分散喷出。因此，被供给至硅烷化试剂导入管48的硅烷化试剂以及氮气，在腔室28内扩散为在于上壁31的内面平行的面内流速相同（均匀）的喷淋状。
作为硅烷化试剂的例子，可以举出：TMSI（N-Trimethylsilyimidazole：N-三甲硅基咪唑）、BSTFA（N，O-bis[Trimethylsilyl]trifluoroacetamide：N，O-双（三甲基硅烷基）三氟乙酰胺）、BSA（N，O-bis[Trimethylsilyl]acetamide：N ，O-双三甲硅基乙酰胺）、MSTFA（N-Methyl-N-trimethylsilyl-trifluoacetamide：N-甲基-N-（三甲基硅基）三氟乙酰胺）、TMSDMA（N-Trimethylsilyldimethylamine：N-二甲基三甲基硅胺）、TMSDEA（N-Trimethylsilyldiethylamine：N-二乙基三甲基硅烷基胺）、MTMSA（N，O-bis（trimethylsilyl）trifluoroacetamide：N，O-双（三甲基硅烷基）三氟甲基乙酰胺）、TMCS（with base）（Trimethylchlorosilane：三甲基氯硅烷）以及HMDS（Hexamethyldisilazane：六甲基二硅胺）。对于硅烷化试剂导入管48，供给这些硅烷化试剂的中的任意一种的蒸汽。被供给至硅烷化试剂导入管48的硅烷化试剂的蒸汽，既也可以仅含有硅烷化试剂的微粒，也可以含有硅烷化试剂的微粒与载气（例如，非活性气体）。
另外，在腔室28的底壁32上，形成有包围基板保持台34周围的俯视呈圆环状的周围排气口52。在周围排气口52上连接有排气管53的基端，该排气管53之前端连接至排气源。在排气管53的途中部，安装有周围排气阀54。如果打开周围排气阀54，则针对腔室28内的环境而从周围排气口52排气，如果关闭周围排气阀54，则停止从周围排气口52进行排气。
另外，在在腔室28的底壁32上，在周围排气口52的外侧，形成有沿着侧壁29延伸的俯视呈大致长方形状的门侧排气口55。在门侧排气口55上连接有排气管56的基端，该排气管56之前端连接至排气源。在排气管56的途中部，安装有门侧排气阀57。如果打开门侧排气阀57，则针对腔室28内的环境而从门侧排气口55排气，如果关闭门侧排气阀57，则停止从门侧排气口55进行排气。
下面，说明在硅烷化单元7b内进行的基板W的处理的一例。
中央机械手CR将基板W搬入硅烷化单元7b内。在向硅烷化单元7b内搬入基板W之前，门开闭机构44被控制装置4驱动。由此，门闸43被配置在开放位置，门42开放。在门42开放的期间内，侧方气体阀46被控制装置4打开，从侧方导入管45向腔室28内导入氮气。进一步，门侧排气阀57被控制装置4打开，对腔室28内的环境而从门侧排气口55排气。由此，在腔室28内，形成从基板保持台34的与门42相反的一侧即侧壁30侧流向门42的氮气气流，该气流能够防止腔室28的外部的环境气体流入腔室28内。在门42开放的期间内，硅烷化试剂阀49、上方气体阀50以及周围排气阀54关闭。
另外，在将基板W搬入硅烷化单元7b内之前，升降销升降机构41被控制装置4驱动。由此，升降销39被配置在使其前端突出到基板保持台34的上方的位置。然后，基板W被中央机械手CR搬入腔室28内。被搬入腔室28内的基板W，被中央机械手CR载置在升降销39上。然后，中央机械手CR从腔室28内退出。在中央机械手CR从腔室28内退出后，门开闭机构44被控制装置4驱动。由此，门闸43被配置在闭锁位置，门闸43使门42密闭。
在门42密闭之后，控制装置4关闭侧方气体阀46以及门侧排气阀57，打开上方气体阀50以及周围排气阀54。由此，从硅烷化试剂导入管48向腔室28内导入氮气，并且，从周围排气口52急速排出腔室28内的环境气体。其结果，腔室28内的环境（气体），被在短时间内置换为从硅烷化试剂导入管48导入的氮气。另外，与将腔室28内的环境置换为氮气环境的处理并行地，控制装置4驱动升降销升降机构41。由此，升降销39下降到使其前端退避至基板保持台34的下方的位置。通过该升降销39的下降，将升降销39上的基板W移动至基板保持台34上。由此，基板W被保持在基板保持台34上。
在将基板W移动至基板保持台34上之后，控制装置4关闭上方气体阀50，打开硅烷化试剂阀49。由此，从硅烷化试剂导入管48向腔室28内导入硅烷化试剂的蒸汽，该硅烷化试剂的蒸汽被供给至基板W的上表面。另外，与硅烷化试剂的供给并行地，控制装置4驱动基板旋转机构36，使基板W旋转。由此，能够对基板W的整个上表面均匀地供给硅烷化试剂。进一步，与硅烷化试剂的供给并行地，控制装置4驱动加热器37，将基板W加热至比常温（与室温相同，例如为20℃～30℃）高的温度。这样，对被保持在基板保持台34上的基板W供给硅烷化试剂，从而实现硅烷化。
如果硅烷化试剂的供给持续了规定时间，则控制装置4驱动升降销升降机构41。由此，升降销39上升，将基板W提拉至相对于基板保持台34而向上方远离的位置（例如，能够与中央机械手CR之间交接基板W的位置）。然后，控制装置4关闭硅烷化试剂阀49，打开上方气体阀50。由此，从硅烷化试剂导入管48向腔室28内导入常温的氮气，该氮气被供给至基板W的上表面。其结果，高温的基板W被常温的氮气冷却。在基板W被氮气冷却的期间，周围排气阀54保持开放状态。因此，腔室28内的环境气体被急速地置换为从硅烷化试剂导入管48导入的氮气。
在腔室28内的环境被置换为氮气环境后，控制装置4驱动门开闭机构44。由此，门闸43被配置在开放位置，门42开放。另外，如果门42开放，则控制装置4关闭上方气体阀50以及周围排气阀54，打开侧方气体阀46以及门侧排气阀57。由此，在腔室28内形成从侧壁30侧流向门42的氮气的气流，该气流能够防止腔室28的外部的环境气体流入腔室28内。在该状态下，升降销39所支撑的基板W被中央机械手CR从腔室28搬出。
图4是用于说明蚀刻单元7c的结构例的示意的剖视图。蚀刻单元7c在本实施方式中是蒸汽处理单元，即气相蚀刻单元，其将含有作为蚀刻剂的一例的氢氟酸（氟化氢）的蒸汽供给至基板W。蚀刻单元7c包括：贮存氢氟酸（液体）的HF蒸汽发生容器64；腔室65（处理室），其在内部设有密闭空间S1，用于容纳HF蒸汽发生容器64。HF蒸汽发生容器64内的氢氟酸的浓度，被调整为成为所谓的模拟共沸（擬似共弗）组成的浓度（例如，在1个大气压、室温的情况下，约39．6％）。HF蒸汽发生容器64内的氢氟酸，被HF蒸汽发生容器64所内置的HF加热器66加热。控制装置4控制HF蒸汽发生容器64内的氢氟酸的温度。
蚀刻单元7c包括：配置在HF蒸汽发生容器64的下方的冲压板（punchingplate）67、配置在冲压板67的下方的加热板68。加热板68是用于保持基板W的基板保持单元的一例，并且是对基板W进行加热的基板加热器的一例。加热板68将该基板W水平保持在基板保持位置（图4所示的位置），在该基板保持位置上，基板W的上表面与冲压板67相对置。基板W在被加热板68加热的状态下被支撑。控制装置4将基板W的温度保持在规定范围内（例如，30～100℃）的规定温度。加热板68与旋转轴69的上端部连接。含有马达等的旋转驱动机构70与旋转轴69连接。如果旋转驱动机构70使旋转轴69旋转，则加热板68与旋转轴69一起围绕铅直轴线旋转。由此，加热板68所保持的基板W，围绕通过基板W中心的铅直的旋转轴线A1旋转。
蚀刻单元7c还包括：配置在加热板68的周围的筒状的风箱（bellows）71、使风箱71上下伸缩的伸缩单元（未图示）、用于使形成在腔室65的侧壁上的开口72开闭的闸73、用于使闸73移动的开闭单元（未图示）。加热板68配置在风箱71的内侧。开口72配置在加热板68的侧方。伸缩单元使风箱71在密闭位置与退避位置之间伸缩，所述密闭位置是指，风箱71的上端缘与冲压板67抵接从而使加热板68的周围的空间密闭的位置（实线所示的位置），所述退避位置是指，使所述风箱71的上端缘退避到加热板68的上表面的下方的位置（双点划线所示的位置）之间。另外，开闭单元使闸73在开口72打开的开位置和开口72关闭的闭位置（图4所示的位置）之间移动。
HF蒸汽发生容器64包括：被氢氟酸的蒸汽（因氢氟酸的蒸发而产生的气体）充满的蒸汽发生空间S2、经由连通阀74而与蒸汽发生空间S2连接的流路75。HF蒸汽发生容器64与第一配管78连接，该第一配管78上安装有第一流量控制器（MFC）76以及第一阀77。HF蒸汽发生容器64经由第一配管78而连接至第一氮气供给源79。作为非活性气体的一例的氮气，经由第一配管78而被供给至蒸汽发生空间S2。同样地，流路75与第二配管82连接，在该第二配管82上安装有第二流量控制器（MFC）80以及第二阀81。流路75经由第二配管82而与第二氮气供给源83连接。氮气经由第二配管82而供给至流路75。
控制装置4控制连通阀74、第一阀77以及第二阀81的开闭。在连通阀74以及第一阀77开的状态下，来自第一氮气供给源79的氮气的气流，使得漂浮在蒸汽发生空间S2中的氢氟酸的蒸汽经由连通阀74而供给至流路75。因此，在全部阀74、77、81开的状态下，来自第二氮气供给源83的氮气气流使得被供给至流路75的HF蒸汽（含有氢氟酸的蒸汽与氮气的气体）导入冲压板67。由此，HF蒸汽通过设在冲压板67上的多个贯穿孔而向保持在加热板68上的基板W的上表面喷出。另外，在仅打开第二阀81的状态下，仅氮气被导入冲压板67。由此，对基板W的上表面喷出氮气。
蚀刻单元7c还包括用于排出腔室65内的气体的排气管85和安装在排气管85上的排气阀86。排气阀86与工厂的排气动力部分等的排气源相连接。控制装置4对排气阀86进行开闭控制。
接下来，说明蚀刻单元7c所进行的基板W的处理例子。具体来说，说明以下处理：对形成了作为氮化膜的一例的LP－SiN（Low Pressure-SiliconNitride：稀释氮化硅）的薄膜的硅基板的表面，供给含有氟化氢的蒸汽，对LP－SiN的薄膜进行蚀刻。
在通过蚀刻单元7c对基板W进行处理时，执行将基板W搬入腔室65内的搬入工序。具体来说，控制装置4s使风箱71位于退避位置，使闸73位于开位置，在此状态下，通过中央机械手CR将基板W搬入腔室65内。然后，控制装置4使中央机械手CR的手部从腔室65内退出后，使风箱71移动至密闭位置，使闸73移动至闭位置。
接下来，执行将腔室65内的环境气体置换为氮气之前处理工序。具体来说，控制装置4利用旋转驱动机构70，使保持在加热板68上的基板W旋转。然后，控制装置4在将风箱71配置在密闭位置的状态下，打开排气阀86以及第二阀81。通过打开第二阀81，从第二配管82向流路75供给氮气，该氮气被从冲压板67供给至风箱71内。腔室65内的环境气体被置换为氮气，腔室65内的水分量以及氢浓度降低。
接下来，执行对基板W供给HF蒸汽的蚀刻工序。具体来说，控制装置4打开连通阀74、第一阀77以及第二阀81。由此，HF蒸汽通过冲压板67的贯穿孔，喷在被加热板68保持规定温度的旋转状态的基板W上。由此，在对基板W供给HF蒸汽的同时，将风箱71内的氮气置换为HF蒸汽。控制装置4，在打开连通阀74、第一阀77以及第二阀81开始经过规定时间后，关闭连通阀74、第一阀77以及第二阀81，停止对基板W供给HF蒸汽。
接下来，执行将腔室65内的环境气体置换为氮气之后处理工序。具体来说，控制装置4打开第二阀81。由此，供给至风箱71内的氮气，将含有HF蒸汽的风箱71内的环境气体推进排气管85。因此，风箱71内的环境气体被置换为氮气。控制装置4，在风箱71内的环境气体被置换为氮气后，关闭第二阀81。然后，控制装置4停止基板W的旋转。
接下来，执行从腔室65内搬出基板W的搬出工序。具体来说，控制装置4，使风箱71从密闭位置移动至退避位置，使闸73从闭位置移动至开位置。然后，控制装置4，在风箱71和闸73分别位于密闭位置和开位置的状态下，通过中央机械手CR将基板W从腔室65内搬出。然后，控制装置4使闸73移动至闭位置。
在蚀刻工序中，通过了冲压板67的HF蒸汽，被均匀地供给至基板W的整个上表面。由此，HF蒸汽在基板W上凝聚，在基板W的整个上表面上均匀地形成含有氟化氢与水的凝聚相。因此，在基板W上形成厚度极薄的液膜，该液膜覆盖基板W的整个上表面。这样一来，对基板W的整个上表面均匀地供给氟化氢和水，从而对基板W上露出的氮化膜进行均匀蚀刻。
图5是用于说明清洗单元7d的结构例的示意的剖视图。清洗单元7d包括：旋转卡盘98，其水平保持基板W并使其旋转；冲洗液喷嘴100，其对保持在旋转卡盘98上的基板W的上表面供给冲洗液；腔室101，其容纳旋转卡盘98以及冲洗液喷嘴100。
旋转卡盘98包括：圆盘状的旋转基座102，其水平保持基板W，并能够围绕通过该基板W的中心的铅直轴线旋转；旋转马达103，其使该旋转基座102围绕铅直轴线旋转。
旋转卡盘98，可以是以水平方向夹持基板W而保持该基板W水平的夹持式的卡盘，也可以是通过对作为非装置形成面的基板W的背面（下表面）进行吸附来将该基板W保持为水平的真空式的卡盘。在图5的例子中，旋转卡盘98是夹持式的卡盘。旋转卡盘98将基板W保持为水平。
冲洗液喷嘴100与安装有冲洗液阀106的冲洗液供给管107相连接。通过控制冲洗液阀106的开闭，来对冲洗液喷嘴100供给冲洗液。控制装置4控制冲洗液阀106。被供给至冲洗液喷嘴100的冲洗液，向保持在旋转卡盘98上的基板W的上表面中央部喷出。作为被供给至冲洗液喷嘴100的冲洗液，能够举例出纯水（脱离子水）、碳酸水、电解离子水、富氢水、臭氧水、稀释浓度（例如，10～100ppm程度）的盐酸水等。
腔室101包括：隔壁109，其形成有开口108，该开口108用于针对腔室101内进行基板W的搬入/搬出；门闸110，其覆盖该开口108。门闸110配置在隔壁109外。在门闸110上结合有含有液压缸的门开闭机构111。门开闭机构111使门闸110在闭锁位置和开放位置之间移动，所述闭锁位置是门闸110紧贴隔壁109的外表面从而使开口108密闭的位置，所述开放位置是门闸110向隔壁109的侧方远离并且下降从而使开口108大开的位置。
接下来，说明清洗单元7d中进行的基板W的处理的一例。
中央机械手CR将基板W搬入清洗单元7d内。在向清洗单元7d内搬入基板W之前，门开闭机构111被控制装置4驱动。由此，门闸110被配置在开放位置，腔室101的开口108开放。然后，中央机械手CR将基板W搬入腔室101内，将该基板W配置在旋转卡盘98上。控制装置4通过中央机械手CR将基板W载置在旋转卡盘98上之后，从腔室101内退出中央机械手CR。然后，控制装置4驱动门开闭机构111，将门闸110配置在闭锁位置。由此，门闸110使腔室101的开口108密闭。在使腔室101的开口108密闭之后，控制装置4控制旋转马达103，使保持在旋转卡盘98上的基板W旋转。
接下来，对基板W供给冲洗液进行冲洗处理，用于冲洗掉附着在基板W上的药液成分（主要是在蚀刻单元7c上附着的蚀刻剂成分）。具体来说，控制装置4一边通过旋转卡盘98使基板W旋转，一边打开冲洗液阀106，从冲洗液喷嘴100向保持在旋转卡盘98上的基板W的上表面中央部喷出冲洗液。从冲洗液喷嘴100喷出的冲洗液，被供给至基板W的上表面中央部，受到因基板W旋转而产生的离心力，沿着基板W的上表面而向外侧扩散。由此，对基板W的整个上表面供给冲洗液，从而冲洗掉附着在基板W上的蚀刻液。然后，如果从打开冲洗液阀106开始经过了规定时间，则控制装置4关闭冲洗液阀106，停止从冲洗液喷嘴100喷出冲洗液。
接下来，进行使基板W干燥的干燥处理（旋转脱水）。具体来说，控制装置4控制旋转马达103，以高旋转速度（例如数千rpm）旋转基板W。由此，对附着在基板W上的冲洗液作用大的离心力，将该冲洗液甩到基板W的周围。这样一来，从基板W上除去冲洗液，使基板W干燥。在进行了规定时间的干燥处理之后，控制装置4控制旋转马达103，停止旋转卡盘98进行的基板W旋转。然后，控制装置4驱动门开闭机构111，使门闸110配置在开放位置。由此，腔室101的开口108开放。然后，保持在旋转卡盘98上的基板W被中央机械手CR从腔室101内搬出。
图6A-6E是用于说明基板处理装置1所进行的基板W的处理的一例的图。下面，说明如下的选择蚀刻的一例：对形成了作为氧化膜一例的SiO2膜和作为氮化膜一例的SiN膜的基板W的表面供给蚀刻剂，选择性除去SiN膜。对于形成在基板W的表面上的氧化膜，可以是使用TEOS（Tetra EthylOrtho Silicate：硅酸乙酯）而形成的膜（TEOS膜）。在对露出多孔质氧化膜等的吸湿性的氧化膜和氮化膜的基板进行氮化膜的选择蚀刻时，本实施方式特别有效。下面，参照图1以及图6A－6E。
通过分度器机械手IR，将容纳在被搬运器保持部5保持的搬运器C内的未处理的基板W搬出。然后，分度器机械手IR将从搬运器C内搬出的基板W交接至中央机械手CR。中央机械手CR将从分度器机械手IR接受的未处理的基板W搬入水分除去单元7a。
如图6A所示，进行除去水分的处理：在水分除去单元7a中，将基板W载置在加热板9的基板载置面9a上，以此对基板W进行加热，进行预烘焙处理。通过该预烘焙处理，使吸附在基板W上的水分蒸发，将水分排出至基板W外。更具体来说，特别使基板W的表面的氧化膜所吸附的水分蒸发进而被排出。由此，即使形成在基板W的表面上的氧化膜是多孔质氧化膜、LTO膜这样的吸湿性的氧化膜，也能够除去该氧化膜中吸附的水分。如果用于从基板W除去吸附水分的预烘焙处理结束，则通过中央机械手CR将该基板W从水分除去单元7a中搬出。从水分除去单元7a中搬出的基板W，被中央机械手CR搬入硅烷化单元7b。
如图6B所示，进行硅烷化处理：在硅烷化单元7b中，对基板W供给硅烷化试剂的蒸汽，使基板W被硅烷化（硅烷化处理）。具体来说，对保持在基板保持台34上的基板W的表面，供给作为硅烷化试剂一例的HMDS（六甲基二硅胺）的蒸汽，使基板W的表面硅烷化。由此，在露出在基板W上的氧化膜的表面形成保护膜。然后，对基板W的表面进行了硅烷化之后，通过中央机械手CR将该基板W从硅烷化单元7b搬出。从硅烷化单元7b搬出的基板W，被中央机械手CR搬入蚀刻单元7c。
如图6C所示，进行蚀刻处理：在蚀刻单元7c中，对基板W供给氢氟酸的蒸汽，对露出在基板W上的氮化膜进行选择性蚀刻。此时，露出在基板W上的氧化膜，被因硅烷化而形成的保护膜覆盖，因此氧化膜几乎没有损失。这样，如果对基板W上的氮化膜的选择蚀刻结束，则通过中央机械手CR将该基板W从蚀刻单元7c搬出。从蚀刻单元7c搬出的基板W，被中央机械手CR搬入清洗单元7d。
如图6D所示，进行冲洗处理：在清洗单元7d中，将冲洗液（例如纯水）供给至保持在旋转卡盘98上的基板W的表面，冲洗掉附着在基板W表面上的药液（特别是蚀刻剂）（冲洗处理）。在该冲洗处理之后，如图6E所示，进行干燥处理：通过基板W的高速旋转，将附着在基板W上的冲洗液从基板W上除去。由此，使保持在旋转卡盘98上的基板W干燥（干燥处理）。
在清洗单元7d中进行了干燥处理的基板W，被中央机械手CR从清洗单元7d中搬出。然后，中央机械手CR将该基板W交接至分度器机械手IR。分度器机械手IR将从中央机械手CR接受的处理完的基板W搬入被搬运器保持部5保持的搬运器C。由此，对基板处理装置1的一系列的处理结束。控制装置4重复执行这样的动作，从而对多张基板W一张一张地进行处理。
图7表示利用氢氟酸蒸汽进行的氮化膜的选择蚀刻相关的实验结果。第一试料、第二试料以及第三试料是比较例，第四试料是实施例。这些试料都是在硅基板上形成氮化膜（SiN）以及多孔质氧化硅膜（Porous SiO2）并且这些膜露出的试料。对于第一试料，没有进行水分除去处理（预烘焙处理）以及硅烷化处理，仅利用氢氟酸蒸汽进行了蚀刻。对于第二试料，没有进行水分除去处理（预烘焙处理），进行了硅烷化处理，然后，利用氢氟酸蒸汽进行了蚀刻。对于第三试料，进行了水分除去处理（预烘焙处理：250℃、10分），然后，没有进行硅烷化处理，而直接利用氢氟酸蒸汽进行了蚀刻。对于第四试料，进行了水分除去处理（预烘焙处理：250℃、10分），接着进行了硅烷化处理，然后，利用氢氟酸蒸汽进行了蚀刻。
对第一试料、第二试料进行比较，可知通过硅烷化处理使多孔质氧化硅膜的蚀刻量降低。进一步，通过对第一试料、第二试料、第三试料进行比较，可知通过水分除去处理，能够与硅烷化处理相同程度地降低多孔质氧化膜的蚀刻量。然后，通过对第一试料、第二试料、第三试料、第四试料进行比较，可知通过在硅烷化处理前进行水分除去处理，能够使多孔质氧化硅膜的蚀刻量几乎为零，使氮化膜蚀刻的选择比实质上无限大。即，在硅烷化处理之前进行水分除去处理，能够使通过硅烷化而形成的保护膜的效果显著增大，因此，能够使氮化膜蚀刻的选择比显著提高。
如上述，在第一实施方式中，对基板W进行了水分除去处理之后，对基板W供给硅烷化试剂，然后，对基板W供给蚀刻剂（本实施方式中为氢氟酸蒸汽）。由此，在形成在基板W上的氧化膜的表面，能够通过硅烷化而可靠地形成保护膜，因此，通过之后进行的蚀刻，能够对形成在基板W上的氮化膜进行高选择比的蚀刻。
图8表示水分除去单元7a的其它结构例。在图8中，对与前述的图2所示的各部对应部分标注同一附图标记。在该结构例中，取代加热板9而具有基板保持台9A。即，基板保持台9A具有保持基板W的功能，但不具有对基板W进行加热的功能。然后，水分除去单元7a发挥减压干燥单元的功能。具体来说，将基板W保持在基板保持台9A上，在门闸17使门16关闭后，腔室8内呈密闭状态。然后，将腔室8内的环境气体置换为非活性气体，然后，关闭非活性气体阀24，通过真空装置91从排气口19经由排气管20来吸出腔室8内的环境气体。由此，对腔室8内进行减压，由此，吸附在基板W上的水分（特别是形成在基板W上的氧化膜所吸附的水分）被除去。
图9表示水分除去单元7a另一其它结构例。在图9中，对前述的图8所示的各部的对应部分标注同一附图标记。在该结构例中，在基板保持台9A的上方配置加热用灯93（例如卤素灯或氙闪光灯灯）。使该加热用灯93发光，利用该光来照射基板W进行加热，能够使配置在基板保持台9A上的基板W所吸附的水分瞬间蒸发除去。
图10是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置201的布局的图解俯视图。在图10中，对与图1的对应部分标注同一附图标记。该第二实施方式与前述的第一实施方式间的主要不同点在于，处理单元的结构不同。即，在第一实施方式中，多个处理单元包括：除去基板W所吸附的水分的水分除去单元7a、对基板W进行硅烷化的硅烷化单元7b、对基板W进行蚀刻的蚀刻单元7c、对基板W进行清洗的清洗单元7d；在第二实施方式中，多个处理单元包括水分除去及硅烷化单元7e，该水分除去及硅烷化单元7e，在除去了基板W的吸附水分之后，对基板W的表面进行硅烷化。水分除去及硅烷化单元7e也可以是烘焙及硅烷化单元，其在对基板W进行通过加热而使吸附水分蒸发的烘焙处理之后，再对基板W的表面进行硅烷化。烘焙及硅烷化单元例如可以具有与图3所示的硅烷化单元7b同样的结构。
更具体地说明，第二实施方式的基板处理装置201包括：一个水分除去及硅烷化单元7e、两个蚀刻单元7c、两个清洗单元7d，在俯视时，它们被配置为包围中央机械手CR。通过该结构，也能够进行与前述的第一实施方式同样的处理。
图11是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置301的布局的图解俯视图。在图11中，对与图1的对应部分标注同一附图标记。该第三实施方式与前述的第一实施方式间的主要不同点在于，处理单元的结构不同。即，在该第三实施方式中，多个处理单元包括硅烷化及蚀刻单元7f，该硅烷化及蚀刻单元7f，在对基板W的表面进行硅烷化之后，对基板W进行蚀刻处理。
更具体地说明，第三实施方式的基板处理装置301包括：一个水分除去单元7a、两个硅烷化及蚀刻单元7f、两个清洗单元7d，俯视时，它们被配置为包围中央机械手CR。通过该结构，也能够进行与前述的第一实施方式同样的处理。
图12是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置401的布局的图解俯视图。在图12中，对与图1的对应部分标注同一附图标记。该第四实施方式与前述的第一实施方式间的主要不同点在于，处理单元的结构不同。即，在该第四实施方式中，多个处理单元包括水分除去及硅烷化及蚀刻单元7g，该水分除去及硅烷化及蚀刻单元7g，在除去了基板W所吸附的水分之后，对基板W的表面进行硅烷化，然后，对基板W进行蚀刻处理。水分除去及硅烷化及蚀刻单元7g也可以是烘焙及硅烷化及蚀刻单元，其在对基板W进行了加热而使吸附水分蒸发的烘焙处理之后，对基板W的表面进行硅烷化，然后进行蚀刻处理。
更具体地说明，第四实施方式的基板处理装置401包括：两个水分除去及硅烷化及蚀刻单元7g、两个清洗单元7d，俯视时，它们被配置为包围中央机械手CR。通过该结构，也能够进行与前述的第一实施方式同样的处理。
图13是表示本发明的第五实施方式的基板处理装置501的布局的图解俯视图。在图13中，对与图1的对应部分标注同一附图标记。该第五实施方式与前述的第一实施方式间的主要不同点在于，处理单元的结构不同。即，在该第四实施方式中，多个处理单元包括水分除去及硅烷化及蚀刻及清洗单元7h，该水分除去及硅烷化及蚀刻及清洗单元7ｈ，在除去基板W所吸附的水分之后，对基板W的表面进行硅烷化，然后，对基板W进行蚀刻处理，然后进一步执行用于将基板W的表面的药液成分冲洗掉的清洗处理。水分除去及硅烷化及蚀刻及清洗单元7h也可以是烘焙及硅烷化及蚀刻及清洗单元，其对基板W进行了通过加热而使吸附水分蒸发的烘焙处理之后，对基板W的表面进行硅烷化，然后进行蚀刻处理，然后进一步进行基板W的清洗处理。
更具体地说明，第五实施方式的基板处理装置501包括：四个水分除去及硅烷化及蚀刻及清洗单元7h，俯视时，它们被配置为包围中央机械手CR。通过该结构，也能够进行与前述的第一实施方式同样的处理。
图14是表示本发明的第六实施方式的基板处理装置601的布局的图解俯视图。在图14中，对与图1的对应部分标注同一附图标记。该第六实施方式与前述的第一实施方式间的主要不同点在于，处理单元的配置不同。具体来说，第六实施方式的基板处理装置601包括：一个水分除去单元7a、一个硅烷化单元7b、一个蚀刻单元7c、一个清洗单元7d，俯视时，它们被配置为包围中央机械手CR。在第一实施方式中，水分除去单元7a配置在相对于中央机械手CR而与分度器部2相反的一侧的流体阀箱27、27之间。与此相对，在第六实施方式的基板处理装置601中，水分除去单元7a与分度器部2侧的一个流体阀箱26相邻配置。通过该结构，也能够进行与前述的第一实施方式同样的处理。但是，在本实施方式中，蚀刻单元7c只有一个，而第一实施方式的基板处理装置1具有两个蚀刻单元7c，因此第一实施方式的结构的生产率更优。
以上，说明了本发明的实施方式，但本发明还能够以其它方式实施。例如，在前述的实施方式中，例示了对基板逐张（一张一张地）进行处理的单张式的基板处理装置，但本发明也能够适用于对多张基板W一并进行处理的批量式的基板处理装置。具体来说，应用本发明的基板处理装置只要包括如下单元即可，即：对多张基板W一并进行干燥处理的批量式水分除去单元、对多张基板W一并进行硅烷化处理的批量式硅烷化单元、对多张基板W一并进行蚀刻处理的批量式蚀刻单元、对多张基板W一并进行清洗的批量式清洗单元。批量式硅烷化单元、批量式蚀刻单元、批量式清洗单元，可以由共通（共用）的批量式处理单元构成。批量式处理单元例如包括：处理槽，其贮存用于浸渍多张基板W的处理液；硅烷化试剂供给机构，其对处理槽供给硅烷化试剂；蚀刻剂供给机构，其对处理槽供给蚀刻剂；清洗液供给机构，其对处理槽供给清洗液；排液机构，其排出处理槽内的液体。
另外，在前述的实施方式中，例示出以蒸汽方式供给蚀刻剂进行气相蚀刻的蚀刻单元，但也可以使用对基板供给蚀刻液来作为蚀刻剂的蚀刻单元。
另外，在前述的实施方式中，分别执行了一次水分除去工序、硅烷化工序以及蚀刻工序，但也可以对执行了水分除去工序、硅烷化工序以及蚀刻工序的基板W，再次执行水分除去工序、硅烷化工序以及蚀刻工序。虽然能够通过供给硅烷化试剂来抑制氧化膜被蚀刻，但如果长时间进行蚀刻工序，则抑制氧化膜被蚀刻的效果会随着时间的经过而降低，有可能导致选择比降低。因此，在长时间进行蚀刻工序的情况下，在蚀刻工序之间再次执行水分除去工序以及硅烷化工序，从而能够在蚀刻工序中保持高选择比。
虽然详细说明了本发明的实施方式，但这些只是为了说明本发明的技术内容而使用的具体例子，本发明并不被这些具体例限定，而仅由权利要求书限定。
本申请与2012年3月29日向日本国特许厅提出的JP特愿2012－77130号对应，该申请的全部内容皆引用组合于此。
Claims (10)
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
水分除去工序，从基板上除去水分，
硅烷化工序，在所述水分除去工序之后，对基板供给硅烷化试剂，
蚀刻工序，在所述硅烷化工序之后，对所述基板供给蚀刻剂。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板的表面上，露出氮化膜以及氧化膜，
所述蚀刻工序，是用于通过所述蚀刻剂对所述氮化膜进行选择性蚀刻的选择蚀刻工序。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述氧化膜包括多孔质氧化硅或低温形成氧化膜。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述蚀刻剂是含有蚀刻成分的蒸汽。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述蚀刻成分是氢氟酸。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述水分除去工序，包括对基板进行加热的加热工序、使基板周边的气压下降的减压工序以及对基板照射光的照射工序中的至少一个工序。
7.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
在进行了所述蚀刻工序之后，对所述基板供给冲洗液的冲洗工序，
干燥工序，在进行了所述冲洗工序之后，使所述基板干燥。
8.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
加热工序，与所述硅烷化工序并行地，对所述基板进行加热。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
水分除去单元，其从基板上除去水分，
硅烷化试剂供给单元，其对基板供给硅烷化试剂，
蚀刻剂供给单元，其对基板供给蚀刻剂，
控制单元，其通过控制所述水分除去单元，来执行从基板上除去水分的水分除去工序，通过控制所述硅烷化试剂供给单元，来在所述水分除去工序之后执行对所述基板供给硅烷化试剂的硅烷化工序，通过控制所述蚀刻剂供给单元，来在所述硅烷化工序之后执行对所述基板供给蚀刻剂的蚀刻工序。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述水分除去单元，包括对基板进行加热的加热单元、对基板照射光的照射单元以及使基板周边的气压下降的减压单元中的至少一个单元。
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