JP4975838B2 - マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル - Google Patents
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Description
(マスク洗浄装置の構成)
図1は、第1の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。このマスク洗浄装置1は、例えば、半導体装置を製造する際の露光処理に用いられるマスク2を洗浄するものである。
以下では、繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜22上にヘイズ7が成長したマスク2の洗浄方法の一例について説明する。ここで、ヘイズ7とは、例えば、露光処理において発生する成長性異物のことであり、露光処理の環境雰囲気からマスク膜22上に付着した微量物質等がマスク膜22上に付着して成長した異物である。ヘイズ7としてシリコン酸化物を含む異物がマスク膜22に付着した場合の洗浄方法について説明する。
第1の実施の形態に係るマスクの洗浄方法によれば、従来、除去することが困難であったシリコン酸化物を含むヘイズ7を、マスク膜22に形成されたパターン形状を保ちながら除去することができるので、マスク2を再利用することができる。さらに、上記のマスクの洗浄方法によれば、マスク膜22に付着したヘイズ7を除去することができるので、洗浄後のマスク2を用いて製造された半導体装置の歩留まりが向上する。さらにまた、上記のマスクの洗浄方法によれば、歩留まりが向上し、また、マスク2を再利用することができることから、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
第2の実施の形態は、ペリクルが貼り付けられていないマスクを洗浄する点で第1の実施の形態と異なっている。なお、以下において、第1の実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分については、第1の実施の形態と同様の符号を付し、その説明は省略するものとする。
図3は、第2の実施の形態に係るマスクの洗浄方法に関する概略図である。まず、繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜22上にヘイズ7が成長したマスク2に貼り付けられたペリクル3を剥がす。
第2の実施の形態に係るマスクの洗浄方法によれば、従来、除去することが困難であったシリコン酸化物を含むヘイズ7を、マスク膜22に形成されたパターン形状を保ちながら除去することができるので、マスク2を再利用することができる。
図4は、第3の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。このマスク洗浄装置9は、図4に示すように、DHF蒸気発生部90と、DHF蒸気調整部91と、マスク洗浄部92と、加熱処理部94と、を備えて概略構成されている。
まず、ペリクル3付きマスク2をマスク洗浄装置9のマスク洗浄部92に入れる。
第3の実施の形態に係るマスク洗浄装置9によれば、マスク2に形成されたマスク膜22のパターン形状を保ちながら、マスク膜22に付着したシリコン酸化物を含むヘイズ7を除去することができる。上記のマスク洗浄装置9によれば、ペリクル3をマスク2に貼り付けたまま、マスク2の洗浄処理を行うことができる。上記のマスク洗浄装置9によれば、混合ガス6と排気ガス8の流量を等しくするので、流量を等しくしない場合と比べて、吸気開口38及び排気開口39を大きく形成することが可能となり、混合ガス6の供給量を増やすことができるので、効率よくマスク2を洗浄することができ、半導体装置の製造にかかる時間を短縮することができる。
Claims (5)
- シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、
希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に前記マスクを保持する工程と、
前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする工程と、
を含むマスク洗浄方法。 - 前記洗浄ガスを供給する前に前記マスク上に耐フッ酸性のある材質を表面に有するペリクルを載置する工程をさらに備え、
前記ペリクル内に前記洗浄ガスを供給する請求項1に記載のマスク洗浄方法。 - 前記異物をエッチングする工程は、前記マスク上に載置された前記ペリクルに形成された第1の開口から前記ペリクル内に供給される前記洗浄ガスの流量と、前記ペリクルに形成された第2の開口から排出される排気ガスの流量と、を等しくするように行われる請求項2に記載のマスク洗浄方法。
- 請求項2に記載のマスク洗浄方法に用いられ、前記耐フッ酸性のある材質を前記表面に有するペリクル。
- シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に保持する保持部と、
前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする供給部と、
を備えるマスク洗浄装置。
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