JP2011174979A - マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル - Google Patents

マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル Download PDF

Info

Publication number
JP2011174979A
JP2011174979A JP2010037144A JP2010037144A JP2011174979A JP 2011174979 A JP2011174979 A JP 2011174979A JP 2010037144 A JP2010037144 A JP 2010037144A JP 2010037144 A JP2010037144 A JP 2010037144A JP 2011174979 A JP2011174979 A JP 2011174979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
pellicle
cleaning
film
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010037144A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4975838B2 (ja
Inventor
Eri Kamimura
絵理 上村
Makiko Katano
真希子 片野
Yuji Yamada
裕司 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010037144A priority Critical patent/JP4975838B2/ja
Priority to US12/965,006 priority patent/US20110203611A1/en
Publication of JP2011174979A publication Critical patent/JP2011174979A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4975838B2 publication Critical patent/JP4975838B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルに関する。
従来の技術として、遮光パターンをマスクとして、ＭｏＳｉを含む半透光膜パターンを形成した後に、アルカリ処理又は酸処理、又はその両方の処理により洗浄を行うハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、上記の酸処理は、遮光パターンをマスクとして半透光膜パターンが露出しない状態で行われるものであり、ＭｏＳｉを含む半透光膜パターンが表面に露出する状態で行うことはできなかった。
特開２００３−１２１９７８号公報
本発明の目的は、マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供することにある。
本発明の一態様は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に前記マスクを保持する工程と、前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする工程と、を含むマスク洗浄方法を提供する。
本発明の他の一態様は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に保持する保持部と、前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする供給部と、を備えるマスク洗浄装置を提供する。
本発明によれば、マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができる。
図１は、第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。 図２は、ＤＨＦ蒸気によるＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜のエッチングレートの温度依存性に関するグラフである。 図３は、第２の実施の形態に係るマスクの洗浄方法に関する概略図である。 図４は、第３の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。
[第１の実施の形態]
（マスク洗浄装置の構成）
図１は、第１の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。このマスク洗浄装置１は、例えば、半導体装置を製造する際の露光処理に用いられるマスク２を洗浄するものである。
マスク洗浄装置１は、主に、シリコン酸化物を含む異物としてのヘイズ７が付着したマスク膜２２を表面２Ａに有するマスク２を、ＤＨＦ（希フッ酸；Diluted Hydrofluoric Acid）蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜２２に対するエッチングレートよりもヘイズ７に対するエッチングレートが高くなる温度に保持する保持部としての加熱部１６と、マスク２の表面に洗浄ガスを供給してヘイズ７をエッチングする供給部としてのＤＨＦ蒸気調整部１０と、を備えて概略構成されている。
また、マスク洗浄装置１は、例えば、図１に示すように、第１及び第２の流量調整部１２、１４と、制御部１００と、記憶部１０１と、を備えて概略構成されている。
ＤＨＦ蒸気調整部１０は、例えば、供給されたＤＨＦ蒸気４及び不活性ガスを調整して混合ガス６を発生させる。このＤＨＦ蒸気４中の水分量は、例えば、ＤＨＦ：Ｈ２Ｏ＝４：６を満たす量である。不活性ガスは、例えば、Ｎ２ガス５である。洗浄ガスとしての混合ガス６は、例えば、ＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５を所定の割合で混合したものである。なお、ＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５の混合の割合（所定の割合）は、例えば、マスク膜２２とヘイズ７のエッチングレートの比が最適となる割合やエッチング時間から決定される。
また、ＤＨＦ蒸気調整部１０は、例えば、ＤＨＦ蒸気４の温度を調整する。ＤＨＦ蒸気４の温度は、例えば、効率よくヘイズ７を除去するため、保持されるマスク２の温度範囲内となるように調整される。
第１の流量調整部１２は、例えば、第１の開口としての吸気開口３８を介してペリクル３内に供給する混合ガス６の流量を調整するものである。第２の流量調整部１４は、例えば、第２の開口としての排気開口３９から排気する排気ガス８の流量を調整するものである。
加熱部１６は、例えば、内部に電熱線を有し、電熱線に対する通電により、マスク２を加熱する。なお、本実施の形態に係る室温を２０℃とする。加熱部１６は、後述するマスク膜２２とヘイズ７のエッチングレートの差が生じる温度範囲が、室温時のマスク２の温度よりも低い場合は、マスク２を冷やす構成を有するものとする。
制御部１００は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等からなるマイクロコンピュータであり、記憶部１０１に記憶されるプログラム１０２に基づいてＤＨＦ蒸気調整部１０、第１及び第２の流量調整部１２、１４及び加熱部１６等を制御する。
制御部１００は、例えば、ＤＨＦ蒸気４中の水分量及び温度、ＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５の割合が設定された値となるようにＤＨＦ蒸気調整部１０を制御する。
制御部１００は、例えば、混合ガス６が所定の流量となるように第１の流量調整部１２を制御する。また、制御部１００は、例えば、排気ガス８が所定の流量となるように第２の流量調整部１４を制御する。混合ガス６と排気ガス８の流量は、例えば、等しくなるように調整され、その流量は、好ましくは０．１〜０．５Ｌ／ｍｉｎである。なお、混合ガス６及び排気ガス８の流量は、例えば、ペリクル膜３６が破損しない程度に差があっても良い。
制御部１００は、例えば、ペリクル３が８０℃以下となるように加熱部１６による加熱を制御する。
記憶部１０１は、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）や半導体メモリからなる記憶装置であり、プログラム１０２を記憶する。
プログラム１０２は、例えば、マスク２の洗浄方法の工程や、ＤＨＦ蒸気調整部１０、第１及び第２の流量調整部１２、１４及び加熱部１６等を制御するための命令が記載され、制御部１００により実行される。
マスク２は、例えば、多諧調マスクであるハーフトーンマスクであり、図１に示すように、基板２０の表面２Ａ側にマスク膜２２が形成されている。このマスク膜２２は、ペリクル３によって覆われている。なお、マスク２は、ハーフトーンマスクに限定されず、多諧調マスクであるグレイトーンマスク、２階調マスクであり、Ｃｒ等によりマスクパターンを形成するバイナリーマスク、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ法に用いられる反射型マスク等でも良い。
基板２０は、例えば、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板である。
マスク膜２２は、例えば、ＭｏＳｉ又はＳｉＮを主成分とする膜である。マスク膜２２には、マスクパターンが形成されている。
ペリクル３は、マスク膜２２に埃等が付着するのを防止するものであり、耐フッ酸性のある材質を表面に有する。この表面とは、例えば、混合ガス６が触れる可能性があるペリクル３の内面である。ペリクル３は、例えば、基板２０上に粘着剤３０を介して設けられたペリクルフレーム３２と、ペリクルフレーム３２上に、接着剤３４を介して設けられたペリクル膜３６と、を備えて概略構成されている。
粘着剤３０は、例えば、耐フッ酸性が高く、発生ガスが少ないシリコン、フッ素樹脂等が用いられる。
ペリクルフレーム３２は、例えば、カーボン系、フッ素樹脂等の耐フッ酸性を有する材質から形成されている。また、ペリクルフレーム３２は、例えば、アルミニウム等からなるフレームの表面を、耐フッ酸性のある材質（例えば、フッ素樹脂）でコーティングしたものであっても良い。
このペリクルフレーム３２には、例えば、少なくとも１つの吸気開口３８と、吸気開口３８と対向するペリクルフレーム３２に形成される少なくとも１つの排気開口３９を備えている。吸気開口３８及び排気開口３９には、例えば、埃等を防ぐフィルタ３８ａ、３９ａが設けられている。吸気開口３８及び排気開口３９は、ペリクルフレーム３２にそれぞれ２つ以上形成されることが望ましい。
また、吸気開口３８は、例えば、第１の流量調整部１２に接続されている。排気開口３９は、例えば、第２の流量調整部１４に接続されている。吸気開口３８及び排気開口３９は、例えば、混合ガス６と排気ガス８の流量が等しくなることから、従来ならペリクル膜３６が破損する可能性がある大きさを超えて形成することが可能となる。
フィルタ３８ａ、３９ａは、例えば、ガスを供給及び排出する際にごみが発生せず、耐フッ酸性を有するＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene；ポリテトラフルオロエチレン）等の材質からなる。
ペリクル膜３６は、露光光の吸収が無く、露光光の透過率が高い（９９％以上）ものであり、かつ、耐フッ酸性を有する材質から形成されることが望ましく、例えば、フッ素系有機化合物等から形成される。
接着剤３４は、例えば、耐フッ酸性を有し、高い接着強度を有するフッ素樹脂等が用いられる。
（マスクの洗浄方法）
以下では、繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜２２上にヘイズ７が成長したマスク２の洗浄方法の一例について説明する。ここで、ヘイズ７とは、例えば、露光処理において発生する成長性異物のことであり、露光処理の環境雰囲気からマスク膜２２上に付着した微量物質等がマスク膜２２上に付着して成長した異物である。ヘイズ７としてシリコン酸化物を含む異物がマスク膜２２に付着した場合の洗浄方法について説明する。
まず、ヘイズ７が付着したマスク膜２２を表面２Ａに有するマスク２を用意する。このマスク２は、マスク２上にペリクル３が貼り付けられている。続いて、このマスク２をマスク洗浄装置１の加熱部１６上に載せ、ペリクル３の吸気開口３８に第１の流量調整部１２を接続し、排気開口３９に第２の流量調整部１４を接続する。
次に、マスク洗浄装置１の制御部１００は、ＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５から混合ガス６を発生させるようにＤＨＦ蒸気調整部１０を制御する。混合ガス６は、例えば、上記に示した水分量及び温度となるＤＨＦ蒸気４を含んでペリクル３内に供給される。
次に、制御部１００は、混合ガス６の流量が所定の流量になるように第１の流量調整部１２を制御すると共に、第１の排気ガスとしての排気ガス８の流量が混合ガス６の流量と等しくなるように第２の流量調整部１４を制御する。また、制御部１００は、例えば、混合ガス６を供給すると共に加熱部１６を制御して基板２０を最適な温度範囲で加熱する。以下に、最適な温度範囲について説明する。
図２は、ＤＨＦ蒸気によるＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜のエッチングレートの温度依存性に関するグラフである。横軸は基板２０の温度（℃）であり、縦軸はエッチングレート（Å／ｍｉｎ）である。図２に示す温度ｔ１（例えば、約２０℃）は、ＤＨＦ蒸気４を発生させるためのフッ酸の沸点温度である。
図２に示すように、ＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜のエッチングレートを比較すると、基板２０の温度ｔ２（例えば、約３８℃）でＳｉＯ２膜とＳｉＮ膜のエッチングレートがほぼ等しくなる。また、ヘイズ７は、ＳｉＯ２を含み、マスク膜２２は、ＳｉＮを含んでいる。このことから、ＤＨＦ蒸気４を含む混合ガス６において、マスク２に形成されたマスク膜２２に対するエッチングレートよりも洗浄対象としてのヘイズ７に対するエッチングレートが高くなる温度範囲は、図２に示すように、ｔ１からｔ２の温度範囲Ａとなる。
また、特に、３０℃以下におけるＳｉＯ２膜のエッチングレートの変化が、他の温度域の変化よりも小さいので、洗浄処理を行うのに最適な温度範囲は、例えば、２０℃以上３０℃以下である。
また、ＤＨＦ蒸気４を含む混合ガス６によるヘイズ７のエッチング処理では、例えば、低い温度（例えば、３８℃より低い温度）におけるエッチングレートがＳｉＯ２＞ＭｏＳｉ（ＳｉＮ）＞Ｃｒであることから、マスク膜２２にＭｏＳｉが露出した状態であっても、シリコン酸化物を含む異物のみがエッチングされる。
次に、上記のエッチング処理が終了した後、制御部１００は、例えば、基板２０を加熱しながらペリクル３内の雰囲気をＣＤＡ（Clean Dry Air）又はＮ２ガスにて置換して洗浄処理を終了する。加熱部１６は、例えば、主に、粘着剤３０及び接着剤３４の耐熱温度に基づいて８０℃以下の温度で基板２０を加熱する。
（第１の実施の形態の効果）
第１の実施の形態に係るマスクの洗浄方法によれば、従来、除去することが困難であったシリコン酸化物を含むヘイズ７を、マスク膜２２に形成されたパターン形状を保ちながら除去することができるので、マスク２を再利用することができる。さらに、上記のマスクの洗浄方法によれば、マスク膜２２に付着したヘイズ７を除去することができるので、洗浄後のマスク２を用いて製造された半導体装置の歩留まりが向上する。さらにまた、上記のマスクの洗浄方法によれば、歩留まりが向上し、また、マスク２を再利用することができることから、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
上記のマスクの洗浄方法によれば、ペリクル３をマスク２に貼り付けたまま、マスク２の洗浄処理を行うことができる。上記のマスクの洗浄方法によれば、混合ガス６と排気ガス８の流量を等しくするので、流量を等しくしない場合と比べて、吸気開口３８及び排気開口３９を大きく形成することが可能となり、混合ガス６の供給量を増やすことができるので、効率よくマスク２を洗浄することができ、半導体装置の製造にかかる時間を短縮することができる。
上記のマスクの洗浄方法によれば、ＤＨＦ蒸気４を含む混合ガス６によるエッチング処理の後の加熱処理により、接着剤３４等から発生するアウトガスを除去することができる。
上記のペリクル３は、吸気開口３８及び排気開口３９を大きく形成することが可能となり、混合ガス６の供給量を増やすことができるので、効率よくマスク２を洗浄することができ、半導体装置の製造にかかる時間を短縮することができる。
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態は、ペリクルが貼り付けられていないマスクを洗浄する点で第１の実施の形態と異なっている。なお、以下において、第１の実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分については、第１の実施の形態と同様の符号を付し、その説明は省略するものとする。
（マスクの洗浄方法）
図３は、第２の実施の形態に係るマスクの洗浄方法に関する概略図である。まず、繰り返して露光処理に用いられ、マスク膜２２上にヘイズ７が成長したマスク２に貼り付けられたペリクル３を剥がす。
次に、図３に示すように、マスク２のマスク膜２２が形成された表面２Ａ及び裏面２Ｂ側からＤＨＦ蒸気調整部１０により発生された混合ガス６を吹き付けると共に加熱部１６によって最適な温度範囲でマスク２を加熱し、ヘイズ７のエッチング処理を行う。この混合ガス６は、例えば、上記に示した水分量及び温度範囲となるＤＨＦ蒸気４を含んでいる。
次に、上記のエッチング処理が終了した後、例えば、ＣＤＡ又はＮ２ガスを基板２０の表面２Ａ及び裏面２Ｂに吹き付けてＤＨＦ蒸気４の残りを除去し、洗浄処理を終了する。なお、ＤＨＦ蒸気４の残りを除去する処理は、例えば、基板２０を加熱しながら行われる。この加熱処理は、ペリクル３が剥がされたマスク２で行われるため、第１の実施の形態における温度よりも高温度で行われても良い。
なお、上記の洗浄処理後に、シリコン酸化物以外のヘイズ７を除去するための洗浄処理を行っても良い。また、混合ガス６は、例えば、マスク２の表面２Ａ又は裏面２Ｂのいずれかの面のみに吹き付けられても良い。ＣＤＡ又はＮ２ガスは、例えば、マスク２の表面２Ａ又は裏面２Ｂのいずれかの面のみに吹き付けられても良い。
（第２の実施の形態の効果）
第２の実施の形態に係るマスクの洗浄方法によれば、従来、除去することが困難であったシリコン酸化物を含むヘイズ７を、マスク膜２２に形成されたパターン形状を保ちながら除去することができるので、マスク２を再利用することができる。
また、上記のマスクの洗浄方法によれば、シリコン酸化物を含むヘイズ７を除去した後、シリコン酸化物以外のヘイズ７を除去するための洗浄処理が行えるので、異物の付着がないマスク２を得られる。さらに、上記のマスクの洗浄方法によれば、マスク膜２２に付着したヘイズ７を除去することができるので、洗浄後のマスク２を用いて製造された半導体装置の歩留まりが向上する。また、上記のマスクの洗浄方法によれば、歩留まりが向上し、また、マスク２を再利用することができることから、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
［第３の実施の形態］
図４は、第３の実施の形態に係るマスク洗浄装置の概略図である。このマスク洗浄装置９は、図４に示すように、ＤＨＦ蒸気発生部９０と、ＤＨＦ蒸気調整部９１と、マスク洗浄部９２と、加熱処理部９４と、を備えて概略構成されている。
ＤＨＦ蒸気発生部９０は、例えば、ＤＨＦ蒸気４を発生させる。
ＤＨＦ蒸気調整部９１は、例えば、ＤＨＦ蒸気発生部９０で発生したＤＨＦ蒸気４の水分量と温度を調整し、調整したＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５を含む混合ガス６としてマスク洗浄部９２に送出する。
マスク洗浄部９２は、例えば、パージ機構９３を備えて概略構成されている。このパージ機構９３は、例えば、第１の実施の形態に係る第１及び第２の流量調整部１２、１４と同様の機能を有し、ペリクル３に供給する混合ガス６の流量と排出される排気ガス８の流量を等しくするように調整する。
加熱処理部９４は、例えば、パージ機構９５と、加熱機構９６と、を備えて概略構成されている。このパージ機構９３は、例えば、第１の実施の形態に係る第１及び第２の流量調整部１２、１４と同様の機能を有し、ペリクル３に供給するＣＤＡ又はＮ２ガスの流量と排出される排気ガスの流量を等しくするように調整する。
加熱機構９６は、例えば、第１の実施の形態に係る加熱部１６と同様の機能を有し、マスク２を加熱する。
また、マスク洗浄装置９は、例えば、第１の実施の形態に係る制御部１００及び記憶部１０１を有する。この制御部１００は、例えば、ＤＨＦ蒸気発生部９０、ＤＨＦ蒸気調整部９１、マスク洗浄部９２及び加熱処理部９４を制御するものとする。
（マスクの洗浄方法）
まず、ペリクル３付きマスク２をマスク洗浄装置９のマスク洗浄部９２に入れる。
次に、ＤＨＦ蒸気発生部９０により、ＤＨＦ蒸気４を発生させ、ＤＨＦ蒸気４をＤＨＦ蒸気調整部９１に送出する。
次に、ＤＨＦ蒸気調整部９１により、温度、水分量を調整された後、Ｎ２ガス５を含む混合ガス６としてマスク洗浄部９２に送出する。混合ガス６の温度は、エッチングレートに差が生じる最適な温度に設定され、この混合ガス６によってマスク２の温度が最適な温度となるように処理が行われる。
次に、マスク洗浄部９２のパージ機構９３により、混合ガス６がペリクル３内に供給される。
次に、パージ機構９３は、混合ガス６の流量が所定の流量になるように調整すると共に、排気ガス８の流量が混合ガス６の流量と等しくなるように調整する。
次に、上記のエッチング処理が終了した後、マスク洗浄部９２から加熱処理部９４にマスク２が搬送される。加熱処理部９４では、例えば、加熱機構９６により基板２０を加熱しながら、ペリクル３内の雰囲気を、パージ機構９５から送出されるＣＤＡ又はＮ２ガスにて置換する。なお、加熱処理部９４のパージ機構９５は、例えば、吸気開口３８に供給されるガスの流量、及び排気開口３９から排気されるガスの流量が等しくなるように調整する。また、加熱機構９６による基板２０の加熱処理の温度は、例えば、第１の実施の形態と同じ温度である。
マスク洗浄装置９は、上記の処理を行った後、洗浄処理を終了する。なお、本実施の形態では、ペリクル３が貼り付けられたマスク２の洗浄方法について説明したが、ペリクル３が剥がされたマスク２、又はペリクル３が貼られていないマスク２の洗浄処理を行っても良い。
（第３の実施の形態の効果）
第３の実施の形態に係るマスク洗浄装置９によれば、マスク２に形成されたマスク膜２２のパターン形状を保ちながら、マスク膜２２に付着したシリコン酸化物を含むヘイズ７を除去することができる。上記のマスク洗浄装置９によれば、ペリクル３をマスク２に貼り付けたまま、マスク２の洗浄処理を行うことができる。上記のマスク洗浄装置９によれば、混合ガス６と排気ガス８の流量を等しくするので、流量を等しくしない場合と比べて、吸気開口３８及び排気開口３９を大きく形成することが可能となり、混合ガス６の供給量を増やすことができるので、効率よくマスク２を洗浄することができ、半導体装置の製造にかかる時間を短縮することができる。
また、上記のマスク洗浄装置９によれば、ペリクル３が貼り付けられていないマスク２において、シリコン酸化物を含むヘイズ７を除去した後、シリコン酸化物以外のヘイズ７を除去するための洗浄処理が行えるので、異物の付着がないマスク２を得られる。
さらに、上記のマスク洗浄装置９によれば、マスク膜２２に付着したヘイズ７を除去することができるので、洗浄後のマスク２を用いて製造された半導体装置の歩留まりが向上する。また、上記のマスクの洗浄方法によれば、歩留まりが向上し、また、マスク２を再利用することができることから、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形及び組み合わせが可能である。
上記の各実施の形態では、ＤＨＦ蒸気４とＮ２ガス５は、混合ガス６としてペリクル３内に供給されたが、別々に供給されても良い。
１…マスク洗浄装置、２…マスク、２Ａ…表面、３…ペリクル、４…ＤＨＦ蒸気、５…Ｎ２ガス、６…混合ガス、７…ヘイズ、８…排気ガス、９…マスク洗浄装置、１０…ＤＨＦ蒸気調整部、１２…第１の流量調整部、１４…第２の流量調整部、１６…加熱部、２２…マスク膜、３８…吸気開口、３８ａ、３９ａ…フィルタ、３９…排気開口

Claims (5)

  1. シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、
    希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に前記マスクを保持する工程と、
    前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする工程と、
    を含むマスク洗浄方法。
  2. 前記洗浄ガスを供給する前に前記マスク上に耐フッ酸性のある材質を表面に有するペリクルを載置する工程をさらに備え、
    前記ペリクル内に前記洗浄ガスを供給する請求項１に記載のマスク洗浄方法。
  3. 前記異物をエッチングする工程は、前記マスク上に載置された前記ペリクルに形成された第１の開口から前記ペリクル内に供給される前記洗浄ガスの流量と、前記ペリクルに形成された第２の開口から排出される排気ガスの流量と、を等しくするように行われる請求項２に記載のマスク洗浄方法。
  4. 請求項２に記載のマスク洗浄方法に用いられ、前記耐フッ酸性のある材質を前記表面に有するペリクル。
  5. シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、前記マスク膜に対するエッチングレートよりも前記異物に対するエッチングレートが高くなる温度に保持する保持部と、
    前記マスクの表面に前記洗浄ガスを供給して前記異物をエッチングする供給部と、
    を備えるマスク洗浄装置。
JP2010037144A 2010-02-23 2010-02-23 マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル Expired - Fee Related JP4975838B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010037144A JP4975838B2 (ja) 2010-02-23 2010-02-23 マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル
US12/965,006 US20110203611A1 (en) 2010-02-23 2010-12-10 Mask cleaning method, mask cleaning apparatus, and pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010037144A JP4975838B2 (ja) 2010-02-23 2010-02-23 マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011174979A true JP2011174979A (ja) 2011-09-08
JP4975838B2 JP4975838B2 (ja) 2012-07-11

Family

ID=44475439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010037144A Expired - Fee Related JP4975838B2 (ja) 2010-02-23 2010-02-23 マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110203611A1 (ja)
JP (1) JP4975838B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013207220A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
WO2015045414A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 三井化学株式会社 ペリクル膜、それを用いたペリクル、露光原版および露光装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2015200868A (ja) * 2014-04-02 2015-11-12 信越化学工業株式会社 ペリクル用接着剤及びこれを用いたペリクル
JP2016086152A (ja) * 2014-03-27 2016-05-19 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 シリコン酸化膜及びその製造方法、並びにシリコン酸化膜の製造装置
JP2016105519A (ja) * 2016-03-04 2016-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9857680B2 (en) 2014-01-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning module, cleaning apparatus and method of cleaning photomask
US20210302827A1 (en) * 2018-10-11 2021-09-30 Applied Materials, Inc. Photomask cleaning

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000147750A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2000347386A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Sony Corp 露光用マスクの欠陥修正方法、露光用マスク、露光方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2003121978A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2005091855A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6797188B1 (en) * 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
US20080241711A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Yun Henry K Removal and prevention of photo-induced defects on photomasks used in photolithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000147750A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Mitsui Chemicals Inc ペリクル
JP2000347386A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Sony Corp 露光用マスクの欠陥修正方法、露光用マスク、露光方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP2003121978A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2005091855A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013207220A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
WO2015045414A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 三井化学株式会社 ペリクル膜、それを用いたペリクル、露光原版および露光装置、ならびに半導体装置の製造方法
JPWO2015045414A1 (ja) * 2013-09-30 2017-03-09 三井化学株式会社 ペリクル膜、それを用いたペリクル、露光原版および露光装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2016086152A (ja) * 2014-03-27 2016-05-19 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 シリコン酸化膜及びその製造方法、並びにシリコン酸化膜の製造装置
JP2015200868A (ja) * 2014-04-02 2015-11-12 信越化学工業株式会社 ペリクル用接着剤及びこれを用いたペリクル
JP2016105519A (ja) * 2016-03-04 2016-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4975838B2 (ja) 2012-07-11
US20110203611A1 (en) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4975838B2 (ja) マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル
KR100918233B1 (ko) 리소그래피 마스크의 제조 방법 및 리소그래피 마스크
TWI512846B (zh) Water-based protective film formation liquid
JP6921725B2 (ja) 判定方法および基板処理装置
TWI534857B (zh) Method of Pattern Repair on Silicon Substrate
TW201943833A (zh) 晶圓之表面處理方法及用於該方法之組合物
TW202111424A (zh) 護膜薄膜
JP5693042B2 (ja) 洗浄装置、および洗浄方法
CN103426980B (zh) 图案化蓝宝石衬底的制作工艺
JP2011099956A (ja) レジストのベーク方法及びベーク装置
KR102008057B1 (ko) 펠리클 제조방법
JP2009200423A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法
CN108666203A (zh) 改善晶圆边缘形貌的方法
JP2007078712A (ja) 基板洗浄方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2004165624A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4739170B2 (ja) 基板の乾燥方法
JPH11323576A (ja) ウエットエッチング方法
KR20080001473A (ko) 헤이즈 결함을 제거한 포토 마스크의 제조 방법
JP2012238843A (ja) 撥水性保護膜形成用薬液
JP2001293442A (ja) 光学素子の洗浄方法
JP2011066259A (ja) マスク洗浄方法及びマスク洗浄装置
JP2008311588A (ja) 液浸多重露光方法及び液浸露光システム
JP6674809B2 (ja) 位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、位相シフトマスクブランクスの製造方法
JPH10270424A (ja) 半導体素子パターンの形成方法
WO2013179568A1 (ja) シリコンウェーハの乾燥方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110627

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110628

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110629

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120316

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120411

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees