JP3156920B2 - 半導体処理装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は，半導体ウエハの
製造装置に関し，特に半導体ウエハのエッチング処理装
置に関する。
製造装置に関し，特に半導体ウエハのエッチング処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ表面のシリコン酸化膜をエ
ッチングする方法として，ドライエッチまたはウエット
エッチと呼ばれる方法が周知である。ドライエッチと
は，HFまたはHF/H2Oなどのエッチングガスの雰囲気中に
半導体ウエハをさらすことによりエッチングする方法で
ある。一方，ウエットエッチとは例えばHF水溶液中に半
導体ウエハを所定の時間浸けることによりエッチングす
る方法である。近年の高集積デバイスへの要求の高まり
により，最近ではエッチング効率の良いドライエッチが
主流になっている。
ッチングする方法として，ドライエッチまたはウエット
エッチと呼ばれる方法が周知である。ドライエッチと
は，HFまたはHF/H2Oなどのエッチングガスの雰囲気中に
半導体ウエハをさらすことによりエッチングする方法で
ある。一方，ウエットエッチとは例えばHF水溶液中に半
導体ウエハを所定の時間浸けることによりエッチングす
る方法である。近年の高集積デバイスへの要求の高まり
により，最近ではエッチング効率の良いドライエッチが
主流になっている。
【０００３】しかし，ドライエッチにも，エッチング後
の副生成物がウエハ表面に残ってしまうという欠点があ
る。そこで考案されたのが，ドライ-ウエット-ドライエ
ッチング方式である。ドライ-ウエット-ドライエッチン
グとは，上記ドライエッチングの後に，純水等により当
該ウエハ表面を十分に洗浄し，その後水分を蒸発させ乾
燥させる方法である。この方法によれば，ドライエッチ
ング後の副生成物による汚染の心配はない。
の副生成物がウエハ表面に残ってしまうという欠点があ
る。そこで考案されたのが，ドライ-ウエット-ドライエ
ッチング方式である。ドライ-ウエット-ドライエッチン
グとは，上記ドライエッチングの後に，純水等により当
該ウエハ表面を十分に洗浄し，その後水分を蒸発させ乾
燥させる方法である。この方法によれば，ドライエッチ
ング後の副生成物による汚染の心配はない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが，ドライ-ウ
エット-ドライ方式を実行するためには，ドライエッチ
ング装置，洗浄装置，及び乾燥装置をそれぞれ準備しな
ければならず，装置スペースの問題と，ウエハの各装置
間の移動の際の汚染の問題もあった。
エット-ドライ方式を実行するためには，ドライエッチ
ング装置，洗浄装置，及び乾燥装置をそれぞれ準備しな
ければならず，装置スペースの問題と，ウエハの各装置
間の移動の際の汚染の問題もあった。
【０００５】また，ドライエッチの段階で，従来の装置
では，耐食性の問題からシール部材として発塵の少ない
磁気シールを使用できないという欠点があった。
では，耐食性の問題からシール部材として発塵の少ない
磁気シールを使用できないという欠点があった。
【０００６】さらに，乾燥段階の乾燥方法としては，ウ
エハを回転させ遠心力で水滴を飛ばすスピンドライ方式
が一般的であるが，その際，回転部の摩擦により生じる
塵によりウエハが汚染される心配があった。
エハを回転させ遠心力で水滴を飛ばすスピンドライ方式
が一般的であるが，その際，回転部の摩擦により生じる
塵によりウエハが汚染される心配があった。
【０００７】そこで，本願発明の目的は，一度に上記ド
ライ-ウエット-ドライエッチングを容易に実行できるよ
うな一体型の半導体処理装置を与えることである。
ライ-ウエット-ドライエッチングを容易に実行できるよ
うな一体型の半導体処理装置を与えることである。
【０００８】また，本願発明の他の目的は，ドライ-ウ
エット-ドライエッチングの実行中のすべての工程にお
いて，半導体ウエハが回転部からの発塵または反応チャ
ンバ外部からの塵により汚染させることのないようなシ
ール機構を与えることである。
エット-ドライエッチングの実行中のすべての工程にお
いて，半導体ウエハが回転部からの発塵または反応チャ
ンバ外部からの塵により汚染させることのないようなシ
ール機構を与えることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本願発明の半導体処理装置は以下の手段から成る。
に，本願発明の半導体処理装置は以下の手段から成る。
【００１０】本願発明の半導体ウエハを処理するための
装置は，反応チャンバと，前記反応チャンバ内で前記半
導体ウエハを保持するための保持手段と，前記保持手段
に回転力を与えるための回転動力源と，前記回転動力源
と前記保持手段との間にあって，前記反応チャンバ内部
を外部から遮断するためのシール機構とから成る。ここ
で該シール機構は，前記保持手段が回転する際には非接
触シールとなり当該保持手段が静止する際には接触シー
ルとなるところの可動式シール手段を含むことを特徴と
する。
装置は，反応チャンバと，前記反応チャンバ内で前記半
導体ウエハを保持するための保持手段と，前記保持手段
に回転力を与えるための回転動力源と，前記回転動力源
と前記保持手段との間にあって，前記反応チャンバ内部
を外部から遮断するためのシール機構とから成る。ここ
で該シール機構は，前記保持手段が回転する際には非接
触シールとなり当該保持手段が静止する際には接触シー
ルとなるところの可動式シール手段を含むことを特徴と
する。
【００１１】具体的には，前記可動式シール手段は，空
気圧によって体積を膨張させ回転軸に密着して完全なシ
ールを達成する伸縮自在な弾性部材から成る。
気圧によって体積を膨張させ回転軸に密着して完全なシ
ールを達成する伸縮自在な弾性部材から成る。
【００１２】また，前記シール機構は，磁気シール手段
を含むことができる。この場合，前記可動式シール手段
と当該磁気シール手段との間は真空排気され得る。
を含むことができる。この場合，前記可動式シール手段
と当該磁気シール手段との間は真空排気され得る。
【００１３】具体的には前記保持手段は，少なくとも１
枚の半導体ウエハを一定間隔で縦積みして保持するボー
ト手段である。
枚の半導体ウエハを一定間隔で縦積みして保持するボー
ト手段である。
【００１４】さらに，前記反応チャンバは，該反応チャ
ンバを真空排気するための少なくとも１つの排気口と，
少なくとも１つの排水口と，少なくとも１つのインジェ
クタ手段と，を有することができる。
ンバを真空排気するための少なくとも１つの排気口と，
少なくとも１つの排水口と，少なくとも１つのインジェ
クタ手段と，を有することができる。
【００１５】さらにまた，本願発明の半導体処理装置は
前記半導体ウエハを前記反応チャンバへ搬入または搬出
するための昇降手段を有することもできる。
前記半導体ウエハを前記反応チャンバへ搬入または搬出
するための昇降手段を有することもできる。
【００１６】具体的には前記昇降手段は，前記反応チャ
ンバから機械的に遮蔽されたボールネジと，前記ボール
ネジと螺合し，前記ボート手段を上下させるためのガイ
ド部材と,前記ボールネジを回転させるための回転駆動
装置と，から成ることができる。
ンバから機械的に遮蔽されたボールネジと，前記ボール
ネジと螺合し，前記ボート手段を上下させるためのガイ
ド部材と,前記ボールネジを回転させるための回転駆動
装置と，から成ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本願発明を図面を交えなが
ら説明する。図１は，本願発明に係る半導体処理装置の
好適実施例の断面図である。本発明に係る半導体処理装
置1は，反応チャンバ7と，該反応チャンバ内にあって半
導体ウエハ8を保持するためのボート手段9と，該ボート
手段9に回転力を与えるためのモータ手段2と，該モータ
手段2及びボート手段9の間にあって反応チャンバ7内部
を外界から遮断するためのシール機構4と，から成る。
好適には，モータ手段2とシール機構4との間には回転力
を回転軸12に伝達するためのカップリング手段3が取り
付けられ，さらに反応チャンバ7の開口端には，気密性
を維持するためのドア5が設けられる。
ら説明する。図１は，本願発明に係る半導体処理装置の
好適実施例の断面図である。本発明に係る半導体処理装
置1は，反応チャンバ7と，該反応チャンバ内にあって半
導体ウエハ8を保持するためのボート手段9と，該ボート
手段9に回転力を与えるためのモータ手段2と，該モータ
手段2及びボート手段9の間にあって反応チャンバ7内部
を外界から遮断するためのシール機構4と，から成る。
好適には，モータ手段2とシール機構4との間には回転力
を回転軸12に伝達するためのカップリング手段3が取り
付けられ，さらに反応チャンバ7の開口端には，気密性
を維持するためのドア5が設けられる。
【００１８】反応チャンバ7は，SUS（ステンレス鋼）に
テフロンコーティングされたもの又はニッケル系の耐食
合金から成る通常のタイプのものである。好適には該反
応チャンバ7全体は，シリコンラバーヒータ19により覆
われている。反応チャンバ7の側壁にはエッチングガス
(HFまたはHF+H2O)またはパージガス(好適にはN2)の排気
用の排気口6が設けられている。また反応チャンバ7の底
部には洗浄用の純水を排水するための排水口10が設けら
れている。当該排気口6及び排水口10はそれぞれ独立に
設けられ，所望により複数個ずつ設けることもできる。
さらに，反応チャンバ7の内壁面に沿って，中空の細管
から成るインジェクタ11が設けられている。インジェク
タ11の側面には複数個のアパーチャ13が所定の間隔で設
けられており，上記エッチングガス若しくはパージガス
または純水を噴射することができる。好適には，ガス用
と純水用のインジェクタ手段が独立に設けられる。
テフロンコーティングされたもの又はニッケル系の耐食
合金から成る通常のタイプのものである。好適には該反
応チャンバ7全体は，シリコンラバーヒータ19により覆
われている。反応チャンバ7の側壁にはエッチングガス
(HFまたはHF+H2O)またはパージガス(好適にはN2)の排気
用の排気口6が設けられている。また反応チャンバ7の底
部には洗浄用の純水を排水するための排水口10が設けら
れている。当該排気口6及び排水口10はそれぞれ独立に
設けられ，所望により複数個ずつ設けることもできる。
さらに，反応チャンバ7の内壁面に沿って，中空の細管
から成るインジェクタ11が設けられている。インジェク
タ11の側面には複数個のアパーチャ13が所定の間隔で設
けられており，上記エッチングガス若しくはパージガス
または純水を噴射することができる。好適には，ガス用
と純水用のインジェクタ手段が独立に設けられる。
【００１９】ボート手段9は複数の半導体ウエハ8を4〜2
0mmの一定間隔で平行に縦積みするための載置部14を有
する。好適には，載置部14の間隔は上記インジェクタ11
のアパーチャの間隔と等しく設定される。ボート手段9
の上端部は，上記モータ手段2からの回転動力を伝達す
るための回転軸12と結合し，その結果当該ボート手段9
は，ドア5，シール機構4及びカップリング3を介してモ
ータ2と連結される。
0mmの一定間隔で平行に縦積みするための載置部14を有
する。好適には，載置部14の間隔は上記インジェクタ11
のアパーチャの間隔と等しく設定される。ボート手段9
の上端部は，上記モータ手段2からの回転動力を伝達す
るための回転軸12と結合し，その結果当該ボート手段9
は，ドア5，シール機構4及びカップリング3を介してモ
ータ2と連結される。
【００２０】モータ手段2としては，好適には回転数が1
〜2000rpmの間で制御可能であるような通常の電動モー
タが使用される。該回転数は，ウエハの洗浄時には1〜1
000rpm，乾燥時には500〜2000rpmに制御され得る。
〜2000rpmの間で制御可能であるような通常の電動モー
タが使用される。該回転数は，ウエハの洗浄時には1〜1
000rpm，乾燥時には500〜2000rpmに制御され得る。
【００２１】シール機構4は以下に詳細に説明する可動
式シール手段を有する。該可動式シール手段によれば，
半導体ウエハの回転時と静止時で完全なシールが達成さ
れ，ドライ-ウエット-ドライエッチングの全工程におい
て，回転軸の摩擦により生じる塵及び反応チャンバの外
部からの塵による汚染を完全に防止できる。
式シール手段を有する。該可動式シール手段によれば，
半導体ウエハの回転時と静止時で完全なシールが達成さ
れ，ドライ-ウエット-ドライエッチングの全工程におい
て，回転軸の摩擦により生じる塵及び反応チャンバの外
部からの塵による汚染を完全に防止できる。
【００２２】さらに，本願発明の半導体処理装置１は，
半導体ウエハを搬入及び搬出する際にボート手段９を機
械的に上下させるための昇降手段２０を有することがで
きる。該昇降手段２０は発塵を抑えるためのシールド部
材１６と，表面が螺刻されシールド部材内部に鉛直方向
に設置されたボールネジ１５と，該ボールネジ１５に螺
合しかつ上記ドア５の一端と結合するガイド部材１８
と，ボールネジ１５を回転させるためのモータ１７と，
から成る。モータ１７によりボールネジ１５を一定方向
に回転させると，ガイド部材１８とともにドア５が上昇
する。それに伴って図１のボート手段９から上の部品が
一体となって上昇し，ウエハの搬入または搬出が可能と
なる。
半導体ウエハを搬入及び搬出する際にボート手段９を機
械的に上下させるための昇降手段２０を有することがで
きる。該昇降手段２０は発塵を抑えるためのシールド部
材１６と，表面が螺刻されシールド部材内部に鉛直方向
に設置されたボールネジ１５と，該ボールネジ１５に螺
合しかつ上記ドア５の一端と結合するガイド部材１８
と，ボールネジ１５を回転させるためのモータ１７と，
から成る。モータ１７によりボールネジ１５を一定方向
に回転させると，ガイド部材１８とともにドア５が上昇
する。それに伴って図１のボート手段９から上の部品が
一体となって上昇し，ウエハの搬入または搬出が可能と
なる。
【００２３】図２は，本願発明による半導体処理装置の
シール機構の拡大断面図である。本願発明に係るシール
機構４は，ベアリングボックス３０，磁気シール２２，
膨張弾性シール２５及びこれらを包含するハウジング２
１から成る。該膨張弾性シール２５は，好適には天然ゴ
ム，合成ゴムまたはシリコンゴムのいずれかから成るゴ
ムシールであって，ハウジング側面に設けられたポート
２６と連通している。膨張弾性シール２５内部の空気圧
が増加すると，体積が膨張し，内側のゴム表面が回転軸
１２と密着しシールを達成する（図３参照）。ハウジン
グ側面はハウジング内部の磁気シール２２と膨張弾性シ
ール２５との間の空間を真空引きするためのポート２３
が設けられている。図１のドア５とシール機構４はフラ
ンジ２９で係合し，シール面２７でシールされる。回転
軸１２及びハウジングの係合部周辺はニッケル系耐食合
金から成る。
シール機構の拡大断面図である。本願発明に係るシール
機構４は，ベアリングボックス３０，磁気シール２２，
膨張弾性シール２５及びこれらを包含するハウジング２
１から成る。該膨張弾性シール２５は，好適には天然ゴ
ム，合成ゴムまたはシリコンゴムのいずれかから成るゴ
ムシールであって，ハウジング側面に設けられたポート
２６と連通している。膨張弾性シール２５内部の空気圧
が増加すると，体積が膨張し，内側のゴム表面が回転軸
１２と密着しシールを達成する（図３参照）。ハウジン
グ側面はハウジング内部の磁気シール２２と膨張弾性シ
ール２５との間の空間を真空引きするためのポート２３
が設けられている。図１のドア５とシール機構４はフラ
ンジ２９で係合し，シール面２７でシールされる。回転
軸１２及びハウジングの係合部周辺はニッケル系耐食合
金から成る。
【００２４】次に，本願発明に係る上記半導体処理装置
を使用した半導体ウエハのエッチング処理の方法につい
て説明する。図１の装置を使用して以下の方法によりド
ライ-ウエット-ドライ方式のエッチングを実行すること
ができる。
を使用した半導体ウエハのエッチング処理の方法につい
て説明する。図１の装置を使用して以下の方法によりド
ライ-ウエット-ドライ方式のエッチングを実行すること
ができる。
【００２５】エッチング工程では，まず半導体ウエハ８
をボート手段９に搬送した後，昇降手段２０を作動させ
て反応チャンバ７内に搬入する。次に，反応チャンバ７
を真空排気して，インジェクタ手段１１からエッチング
ガスＨＦまたはＨＦ＋Ｈ２Ｏ［ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝（９９．
９９９％〜０．００１％）；（０．００１％〜９９．９
９９％）］を反応チャンバ７内に導入する。この時反応
チャンバ７内の圧力は５〜８００００Ｐａ，好適には１
０〜１３３００Ｐａに維持される。この間，シール機構
４の膨張弾性シール２５は，図３に示されるように，そ
の内側のゴム表面全体が回転軸の周囲全体を包むように
密着した状態となるよう圧力調節される（図３参照）。
該膨張弾性シール２５は，回転時の大気の巻き込み防止
用の磁気シール２２とともに，完全なシールを達成す
る。さらにシール効果を上げるために磁気シールと当該
膨張弾性シール２５との間の空間も真空排気される。こ
うすることにより，磁気シールからの微量な発塵も完全
に防止することができる。
をボート手段９に搬送した後，昇降手段２０を作動させ
て反応チャンバ７内に搬入する。次に，反応チャンバ７
を真空排気して，インジェクタ手段１１からエッチング
ガスＨＦまたはＨＦ＋Ｈ２Ｏ［ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝（９９．
９９９％〜０．００１％）；（０．００１％〜９９．９
９９％）］を反応チャンバ７内に導入する。この時反応
チャンバ７内の圧力は５〜８００００Ｐａ，好適には１
０〜１３３００Ｐａに維持される。この間，シール機構
４の膨張弾性シール２５は，図３に示されるように，そ
の内側のゴム表面全体が回転軸の周囲全体を包むように
密着した状態となるよう圧力調節される（図３参照）。
該膨張弾性シール２５は，回転時の大気の巻き込み防止
用の磁気シール２２とともに，完全なシールを達成す
る。さらにシール効果を上げるために磁気シールと当該
膨張弾性シール２５との間の空間も真空排気される。こ
うすることにより，磁気シールからの微量な発塵も完全
に防止することができる。
【００２６】エッチングが終了すると，インジェクタ手
段１１からパージガス（好適にはＮ２）が噴射されて反
応チャンバ内部のエッチングガスは完全に排気され，チ
ャンバ内部は大気圧に戻される。その状態で別のインジ
ェクタ手段（図示せず）からウエハ洗浄用の純水がボー
ト手段９に載置されたウエハ８に向かって噴射される。
洗浄用の純水にはアルコール等を添加して表面張力を下
げて使用することも可能である。反応チャンバ内部が大
気圧に戻されると同時に，シール機構４の膨張弾性シー
ル２５は，その内側のゴム表面が回転軸側面から離れ非
接触状態となるよう圧力調節される（図２参照）。膨張
弾性シール２５が非接触状態となった後に，モータ２を
作動させ，ボート手段９を１〜１０００ｒｐｍで回転さ
せながら，上記インジェクタから純水を噴射し半導体ウ
エハを洗浄する。洗浄工程の間中もシール機構の内部は
真空排気され，磁気シールからの微量な発塵が完全に防
止される。洗浄工程においては反応チャンバ内にはＮ２
ガスが存在するのみであるため浸食される心配もなく，
磁気シール２２を単独で使用することができる。
段１１からパージガス（好適にはＮ２）が噴射されて反
応チャンバ内部のエッチングガスは完全に排気され，チ
ャンバ内部は大気圧に戻される。その状態で別のインジ
ェクタ手段（図示せず）からウエハ洗浄用の純水がボー
ト手段９に載置されたウエハ８に向かって噴射される。
洗浄用の純水にはアルコール等を添加して表面張力を下
げて使用することも可能である。反応チャンバ内部が大
気圧に戻されると同時に，シール機構４の膨張弾性シー
ル２５は，その内側のゴム表面が回転軸側面から離れ非
接触状態となるよう圧力調節される（図２参照）。膨張
弾性シール２５が非接触状態となった後に，モータ２を
作動させ，ボート手段９を１〜１０００ｒｐｍで回転さ
せながら，上記インジェクタから純水を噴射し半導体ウ
エハを洗浄する。洗浄工程の間中もシール機構の内部は
真空排気され，磁気シールからの微量な発塵が完全に防
止される。洗浄工程においては反応チャンバ内にはＮ２
ガスが存在するのみであるため浸食される心配もなく，
磁気シール２２を単独で使用することができる。
【００２７】最後に乾燥工程で，再び上記インジェクタ
手段11から乾燥用のN2ガスを半導体ウエハに噴射する。
乾燥工程の間中，反応チャンバ7全体がシリコンラバー
ヒータ19により加熱される。好適には，乾燥用N2ガスも
予熱して使用される。乾燥は反応チャンバ内部を排気し
ながら減圧下で実行される。膨張弾性シール25は，非接
触状態のまま維持される。モータ2を作動させ，ボート
手段9を500〜2000rpmで回転させながら乾燥する。乾燥
が済んだら昇降手段14を作動させてボート手段9に載置
された半導体ウエハ8を反応チャンバ7から搬出する。
手段11から乾燥用のN2ガスを半導体ウエハに噴射する。
乾燥工程の間中，反応チャンバ7全体がシリコンラバー
ヒータ19により加熱される。好適には，乾燥用N2ガスも
予熱して使用される。乾燥は反応チャンバ内部を排気し
ながら減圧下で実行される。膨張弾性シール25は，非接
触状態のまま維持される。モータ2を作動させ，ボート
手段9を500〜2000rpmで回転させながら乾燥する。乾燥
が済んだら昇降手段14を作動させてボート手段9に載置
された半導体ウエハ8を反応チャンバ7から搬出する。
【００２８】
【発明の効果】本願発明の半導体処理装置により，１つ
の装置でドライ-ウエット-ドライエッチングを容易に実
行できるようになり，作業効率が向上した。
の装置でドライ-ウエット-ドライエッチングを容易に実
行できるようになり，作業効率が向上した。
【００２９】また，ドライ-ウエット-ドライエッチング
の実行中のすべての工程において，塵による汚染が格段
に抑制できた。従来の装置において，８インチウエハの
場合，1000〜10000個あった0.3ミクロン以上の塵が，本
願発明の装置を使用すると0〜5個に抑えられることが確
認できた。その結果歩留まりの向上も期待できる。
の実行中のすべての工程において，塵による汚染が格段
に抑制できた。従来の装置において，８インチウエハの
場合，1000〜10000個あった0.3ミクロン以上の塵が，本
願発明の装置を使用すると0〜5個に抑えられることが確
認できた。その結果歩留まりの向上も期待できる。
【図１】本願発明による半導体処理装置の好適実施例の
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の装置のシール機構の拡大断面図である。
【図３】図１の装置のシール機構の拡大断面図である。
１ 半導体処理装置 ２ モータ ３ カップリング ４ シール機構 ５ ドア ６ 排気口 ７ 反応チャンバ ８ 半導体ウエハ ９ ボート手段 １０ 排水口 １１ インジェクタ １２ 回転軸 １３ アパーチャ １４ 載置部 １５ ボールネジ １６ シールド部材 １７ 電動モータ １８ ガイド部材 １９ シリコンラバーヒータ ２０ 昇降手段 ２５ 膨張弾性シール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−350935（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235522（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−170862（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−125102（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304,21/306 H01L 21/3065,21/308 F16J 15/16 - 15/30 F16J 15/46 - 15/52
Claims (7)
- 【請求項１】半導体ウエハを処理するための装置であっ
て、 反応チャンバと、 前記反応チャンバ内で前記半導体ウエハを保持するため
の保持手段と、 前記保持手段に回転力を与えるための回転動力源と、 前記回転動力源と前記保持手段との間にあって、前記反
応チャンバ内部を外部から遮断するためのシール機構
と、 から成り、前記シール機構は前記保持手段が回転する際に非接触シ
ールを形成する第１シール手段(22)と、前記保持手段が
静止する際に接触シールを形成する第２シール手段(25)
を含む 、ことを特徴とする装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の装置であって、前記第２
シール手段は可動式シール手段であり、前記可動式シー
ル手段は伸縮自在な弾性部材から成り、内部の気体圧力
を増加させることによって体積を膨張させ、回転軸に密
着することで完全なシールを達成する、ところの装置。 - 【請求項３】請求項２に記載の装置であって前記第１シ
ール手段は磁気シール手段であり、前記可動式シール手
段と前記磁気シール手段との間が真空排気される、とこ
ろの装置。 - 【請求項４】請求項１または３に記載の装置であって、
前記保持手段は、少なくとも１枚の半導体基板を一定間
隔で縦積みして保持するボート手段である、ところの装
置。 - 【請求項５】請求項１または４に記載の装置であって、
前記反応チャンバは、 該反応チャンバを真空排気するための少なくとも１つの
排気口と、 少なくとも１つの排水口と、 少なくとも１つのインジェクタ手段と、 を有するところの装置。 - 【請求項６】請求項５に記載の装置であって、さらに、
前記半導体ウエハを前記反応チャンバへ搬入または搬出
するための昇降手段を有する、 ところの装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の装置であって、前記昇降
手段が、 前記反応チャンバから機械的に遮蔽されたボールネジ
と、 前記ボールネジと螺合し、前記ボート手段を上下させる
ためのガイド部材と、 前記ボールネジを回転させるための回転駆動装置と、 から成るところの装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10544697A JP3156920B2 (ja) | 1996-05-15 | 1997-04-09 | 半導体処理装置 |
| TW086106309A TW343366B (en) | 1996-05-15 | 1997-05-12 | Semiconductor treating apparatus |
| KR1019970018475A KR970077303A (ko) | 1996-05-15 | 1997-05-13 | 반도체 처리 장치 |
| US08/856,215 US5976312A (en) | 1996-05-15 | 1997-05-14 | Semiconductor processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14343296 | 1996-05-15 | ||
| JP8-143432 | 1996-05-15 | ||
| JP10544697A JP3156920B2 (ja) | 1996-05-15 | 1997-04-09 | 半導体処理装置 |
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|---|---|
| JPH1050658A JPH1050658A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3156920B2 true JP3156920B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=26445743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10544697A Expired - Fee Related JP3156920B2 (ja) | 1996-05-15 | 1997-04-09 | 半導体処理装置 |
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| JP (1) | JP3156920B2 (ja) |
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| JP2006179613A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Rigaku Corp | 半導体ウエハ縦型熱処理装置用磁性流体シールユニット |
| KR101288992B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2013-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어닐링 장치 |
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| US10351283B2 (en) * | 2015-12-17 | 2019-07-16 | Khs Usa, Inc. | Magnetically operated sealing bar assembly for packaging machines |
| US11289311B2 (en) * | 2018-10-23 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system |
| CN111326438B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-12-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 调平装置及反应腔室 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-04-09 JP JP10544697A patent/JP3156920B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-12 TW TW086106309A patent/TW343366B/zh active
- 1997-05-13 KR KR1019970018475A patent/KR970077303A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-05-14 US US08/856,215 patent/US5976312A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| US5976312A (en) | 1999-11-02 |
| TW343366B (en) | 1998-10-21 |
| JPH1050658A (ja) | 1998-02-20 |
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