CN107437521A - 一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，减少晶圆表面产生的冷凝颗粒，从而减少冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。

Description

一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种刻蚀机的晶圆传送方法和一种刻蚀机的晶圆传送装置。
背景技术
刻蚀(Etch)是芯片制造中形成图形图案的关键工艺，通常使用含卤素元素(氟、氯、溴)的气体或化合物在射频电压的作用下生产等离子体，由等离子体对晶圆表面进行刻蚀以形成需要的图案。
刻蚀结束后，晶圆表面通常会残留有卤素元素的气体或化合物，这些残留的卤素元素的气体或化合物会跟大气中的水汽发生冷凝反应，形成冷凝颗粒(Condensation particle)。
冷凝颗粒一般呈水滴状，不规则的分布在晶圆表面，不仅会腐蚀刻蚀设备的零部件，缩短刻蚀设备零部件的使用寿命，还会使得后续生产工艺失效、污染后续工艺的工艺设备，因此，在实际生产中需要消除冷凝颗粒的不利影响。
现有技术中，通常通过以下两种方式消除冷凝颗粒的不利影响：
一种方式是利用冷凝颗粒溶于水的特性，在刻蚀结束后采用湿法清洗除去绝大部分的冷凝颗粒，进而达到消除冷凝颗粒对后续工艺及后续工艺设备的不利影响，然而，由于该做法是在刻蚀结束后才得以清除冷凝颗粒，因而无法避免冷凝颗粒对刻蚀设备大气部分零部件的腐蚀。
另一种方式是在刻蚀设备上安装高温去光阻腔室，在刻蚀设备对晶圆刻蚀完成后，在真空下对晶圆持续进行高温等离子体处理，使大部分卤素元素的气体或化合物发生反应或高温挥发并被泵抽出，从而减少冷凝颗粒的生产，然而，由于晶圆刻蚀完成后仍需进行一段时间的高温等离子体处理，增加了生产所需时间，导致生产效率低下的问题。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种刻蚀机的晶圆传送方法和一种刻蚀机的晶圆传送装置。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：
当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
优选的，还包括：
在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
优选的，所述在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气的步骤包括：
维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
优选的，所述预设的停留时间通过以下方法生成：
获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
获取工艺腔室的数量；
将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
优选的，所述预设的停留时间为用户输入的时间。
同时，本发明还公开了一种刻蚀机的晶圆传送装置，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述装置包括：
第一传送模块，用于当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
第一抽气模块，用于在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
充气模块，用于对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
第二传送模块，用于将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
优选的，还包括：
第二抽气模块，用于在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
优选的，所述抽气模块进一步包括：
稳压抽气子模块，用于维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
优选的，所述预设的停留时间通过以下装置生成：
时间获取模块，用于获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
腔室数量获取模块，用于获取所述工艺腔室的数量；
停留时间计算模块，用于将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
优选的，所述预设的停留时间为用户输入的时间。
本发明实施例包括以下优点：
本发明实施例通过当晶圆在工艺腔室中刻蚀完成后，将晶圆从工艺腔室经由真空传送腔传送至处于真空状态的加锁容器，在预设的停留时间内对加锁容器持续抽气，再对加锁容器充气，直至加锁容器中的气压值回升至大气压值，并将晶圆从加锁容器传送至设备前端模组。通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，因此，当晶圆被传送回大气压状态下的设备前端模组时，只会在晶圆表面形成极少量的冷凝颗粒，从而减少了冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。
附图说明
图1是本发明的一种刻蚀机的晶圆传送方法实施例1的步骤流程图；
图2是本发明的一种刻蚀机的晶圆传送方法实施例2的步骤流程图；
图3是本发明实施例中刻蚀机的结构框图；
图4是本发明的一种刻蚀机的晶圆传送装置实施例的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明实施例的核心构思之一在于，当晶圆在工艺腔室中刻蚀完成后，将晶圆从工艺腔室经由真空传送腔传送至处于真空状态的加锁容器，在预设的停留时间内对加锁容器持续抽气，再对加锁容器充气，直至加锁容器中的气压值回升至大气压值，并将晶圆从加锁容器传送至设备前端模组。
参照图1，示出了本发明的一种刻蚀机的晶圆传送方法实施例1的步骤流程图，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器；所述的方法具体可以包括如下步骤：
步骤101，当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
在刻蚀机中设置有工艺腔室，对晶圆进行工艺处理。为了增加生成效率，对同一个工艺，可能会设置多个工艺腔室，使得多个晶圆可以同时进行相同的工艺处理。例如，刻蚀工艺包括：工艺1和工艺2，刻蚀机中设置有进行工艺1的工艺腔室(Process Module，PM)PM1和PM2；设置进行工艺2的工艺腔室PM3个PM4。
当晶圆完成需要完成的工艺后，将晶圆从工艺腔室传送至真空传送腔(Transfer Module，TM)，然后打开晶圆与真空传送腔之间的真空端门，再将晶圆从真空传送腔传输至加锁容器(Loadlock，LL)。
在理想情况下，真空传送腔为真空状态。在实际中，可以将设备抽气设备能达到的最低大气压强的情况，视为真空状态。将晶圆从真空传送腔传送至加锁容器时，需要保持加锁容器和设备前端模组(Equipment Front-EndModule，EFEM)之间的大气端门保持关闭，并使加锁容器抽气至设备支持的最低大气压强值。。
步骤102，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
当晶圆传送至加锁容器后，关闭加锁容器与真空传送腔之间的真空端门，对加锁容器持续进行抽气，以带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物。
步骤103，对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
在完成停留时间的抽气操作后，对加锁容器充气，直至加锁容器中的气压值回升至大气压值；
将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
步骤104，将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
当加锁容器的气压值回升至大气压值后，打开加锁容器与设备前端模组之间的大气端门，将晶圆传送至设备前端模组。
本发明实施例中，通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，因此，当晶圆被传送回大气压状态下的设备前端模组时，只会在晶圆表面形成极少量的冷凝颗粒，从而减少了冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。
参照图2，示出了本发明的一种刻蚀机的晶圆传送方法实施例2的步骤流程图，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器；所述的方法具体可以包括如下步骤：
步骤201，当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
步骤202，维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
在将晶圆从工艺腔室传送至加锁容器前，需要将加锁容器抽气至设备的最小压强值。在将晶圆传送至加锁容器后，需要维持加锁容器处于最小压强值，在停留时间内对加锁容器持续抽气。
作为本发明实施例的一种优选示例，所述预设的停留时间可以通过以下子步骤生成：
子步骤S11，获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
获取第一时间T1、第二时间T2、第三时间T3以及第四时间T4，其中，第一时间T1为一个工艺腔室中完成一个晶圆的工艺的时间；第二时间T2为将晶圆从工艺腔室传送至真空传送腔，然后从真空传送腔至加锁容器，最后从加锁容器传送至设备前端模组的设备传送时间；第三时间T3为：将加锁容器抽气至设备可达到的最小大气压的所需时间；第四时间T4为：打开加锁容器与真空传送腔之间的真空端门所需的时间。
子步骤S12，获取工艺腔室的数量；
获取工艺腔室PM的数量N。
子步骤S13，将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
停留时间T＝(T1-T2-T3-T4)/N。
步骤203，对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
步骤204，将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组；
步骤205，在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
在将晶圆从加锁容器传送至设备前端模组后，将加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。使得在下一个晶圆需要从真空传送腔传送至加锁容器时，加锁容器已经达到最小大气压强值。
参照图3所示，为本发明实施例中刻蚀机的结构框图，该刻蚀机包括设备前端模组302、真空传送腔304、工艺腔室、以及位于所述设备前端模组302和真空传送腔304之间的加锁容器。
设备前端模组302自带晶圆卡盒装载端口(Loadport)，不同的刻蚀机中，晶圆卡盒装载端口的数量可能不同，图3所示的刻蚀机中具有3个晶圆卡盒装载端口，分别为晶圆卡盒装载端口3011、晶圆卡盒装载端口3012和晶圆卡盒装载端口3013。
在本实施例中，刻蚀机具有2个加锁容器，如图3所示的加锁容器3031(LoadlockA)和加锁容器3032(LoadlockB)，刻蚀机中工艺腔室的数量视实际安装的工艺腔室而定，图3所示的刻蚀机中具有4个工艺腔室，分别为工艺腔室3051、工艺腔室3052、工艺腔室3053和工艺腔室3054。
在该刻蚀机中，晶圆卡盒装载端口、设备前端模组302和加锁容器为大气部分零部件，真空传送腔304处于真空状态；真空传送腔304和加锁容器之间具有真空端门；加锁容器和设备前端模组302之间具有大气端门。
晶圆从晶圆卡盒装载端口传送至工艺腔室进行刻蚀加工的传送流程如下：晶圆从晶圆卡盒装载端口(图3中的3011、3012和3013)经由设备前端模组302传送至加锁容器(图3中的3031和3032)，再从加锁容器经由真空传送腔304传送至工艺腔室(图3中的3051、3052、3053和3054)，在工艺腔室中进行刻蚀加工。
当晶圆在工艺腔室中刻蚀完成后，需要从工艺腔室中传送至设备前端模组302，本发明实施例对从工艺腔室中传送至设备前端模组302的晶圆传送流程进行改进，以减少晶圆表面上的冷凝颗粒。
在本发明实施例中，当晶圆在工艺腔室(图3中的3051、3052、3053和3054)中刻蚀完成后，将晶圆从工艺腔室经由真空传送腔304传送至加锁容器(图3中的3031和3032)，在晶圆传送至加锁容器前会先对加锁容器抽气，直至加锁容器处于真空状态，因而，当晶圆传送至加锁容器时，需要使加锁容器处于真空状态。
在本实施例中，刻蚀机设置有真空停留模式功能，用户可以根据需要选择是否启用真空停留模式。
在用户没有启用真空停留模式时，在晶圆传送至加锁容器后，直接对加锁容器充气，直至加锁容器中的气压值回升至大气压值，将晶圆从加锁容器传送至设备前端模组302。
在用户没有启用真空停留模式时，则确定停留时间，在本发明实施例中，停留时间通常由以下两种方式确定：
方式一是：通过公式T＝(T1-T2-T3-T4)/N计算获得停留时间，其中，其中，第一时间T1为一个工艺腔室中完成一个晶圆的工艺的时间；第二时间T2为将晶圆从工艺腔室传送至真空传送腔，然后从真空传送腔至加锁容器，最后从加锁容器传送至设备前端模组的设备传送时间；第三时间T3为：将加锁容器抽气至设备可达到的最小大气压的所需时间；第四时间T4为：打开加锁容器与真空传送腔之间的真空端门所需的时间；N为工艺腔室PM的数量。
在本发明实施例中，是利用工艺时间与刻蚀机中晶圆传送时间的差值来作为停留时间。在实际应用中，刻蚀工艺的工艺时间很长，晶圆产出能(waferper hour，wph)，即每小时刻蚀晶圆的数量的瓶颈在于工艺腔室的刻蚀时间，而并非是晶圆的传送时间，因而，采用第一种方式确定的停留时间并不会影响晶圆产出能，在有效减少晶圆表面冷凝颗粒的情况下，不影响晶圆产出能。
方式二是：停留时间是用户输入的时间，用户可以通过操作界面输入停留时间，输入的停留时间可以根据实际需要自定决定，若想要尽可能地减少晶圆表面的冷凝颗粒，可以输入相对较长的停留时间。
在具体实现中，用户可以根据晶圆刻蚀工艺的工艺配方(recipe)来确定采用方式一还是采用方式二来确定停留时间，若工艺配方要求尽可能是确保晶圆产出能，此时，冷凝颗粒对晶圆及刻蚀机的不利影响比较小，可以采用方式一来确定停留时间，若工艺配方要求尽可能地减少冷凝颗粒，此时，冷凝颗粒容易对晶圆的电性能、良率、以及刻蚀机的不利影响比较大，可以采用方式二来确定停留时间，将停留时间设置相对大些。
在本发明实施例中，当选择了真空停留模式，则在停留时间内对加锁容器持续抽气，通过抽气带走晶圆表面残留的卤素元素的气体或化合物，然后对加锁容器充气，直至加锁容器中的气压值回升至大气压值，并将晶圆从加锁容器传送至设备前端模组302，此时，由于在对加锁容器抽气阶段带走了圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，因此，晶圆被传送回大气压状态下的设备前端模组302中，也只会在晶圆表面形成极少量的冷凝颗粒，进而减少了冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
参照图4，示出了本发明的一种刻蚀机的晶圆传送装置实施例的结构框图，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，所述的装置具体可以包括如下模块：
第一传送模块41，用于当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
第一抽气模块42，用于在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
充气模块43，用于对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
第二传送模块44，用于将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
作为本发明实施例的一种优选示例，所述的装置还可以包括：
第二抽气模块，用于在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
作为本发明实施例的一种优选示例，所述第一抽气模块42可以进一步包括：
稳压抽气子模块，用于维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
作为本发明实施例的一种优选示例，所述预设的停留时间通过以下装置生成：
时间获取模块，用于获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
腔室数量获取模块，用于获取工艺腔室的数量；
停留时间计算模块，用于将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
作为本发明实施例的一种优选示例，所述预设的停留时间为用户输入的时间。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
以上对本发明所提供的一种刻蚀机的晶圆传送方法和一种刻蚀机的晶圆传送装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种刻蚀机的晶圆传送方法，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：
当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气的步骤包括：
维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
4.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述预设的停留时间通过以下方法生成：
获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
获取工艺腔室的数量；
将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
5.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述预设的停留时间为用户输入的时间。
6.一种刻蚀机的晶圆传送装置，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述装置包括：
第一传送模块，用于当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；
第一抽气模块，用于在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；
充气模块，用于对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；
第二传送模块，用于将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：
第二抽气模块，用于在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述抽气模块进一步包括：
稳压抽气子模块，用于维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
9.根据权利要求6或7或8所述的装置，其特征在于，所述预设的停留时间通过以下装置生成：
时间获取模块，用于获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；
腔室数量获取模块，用于获取所述工艺腔室的数量；
停留时间计算模块，用于将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值，除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。
10.根据权利要求6或7或8所述的装置，其特征在于，所述预设的停留时间为用户输入的时间。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109962002A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 长鑫存储技术有限公司 半导体干式蚀刻机台及其工艺流程
CN110943014A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 长鑫存储技术有限公司 一种延长制程等待时间的后制程方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288262A (ja) * 1995-04-20 1996-11-01 Hiroshima Nippon Denki Kk 半導体基板処理装置
US5795399A (en) * 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
CN1148466C (zh) * 1996-05-30 2004-05-05 三星电子株式会社 干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法
TW594876B (en) * 2003-02-07 2004-06-21 Taiwan Semiconductor Mfg Method and apparatus for removing condensed processing gas in a load lock chamber
US20050284572A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Heating system for load-lock chamber
US20110229987A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Advanced Ion Beam Technology Inc. Method for low temperature ion implantation
CN102870200A (zh) * 2010-04-30 2013-01-09 应用材料公司 用于将气体径向输送至腔室的装置及其使用方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795399A (en) * 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
JPH08288262A (ja) * 1995-04-20 1996-11-01 Hiroshima Nippon Denki Kk 半導体基板処理装置
CN1148466C (zh) * 1996-05-30 2004-05-05 三星电子株式会社 干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法
TW594876B (en) * 2003-02-07 2004-06-21 Taiwan Semiconductor Mfg Method and apparatus for removing condensed processing gas in a load lock chamber
US20050284572A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Heating system for load-lock chamber
US20110229987A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Advanced Ion Beam Technology Inc. Method for low temperature ion implantation
CN102870200A (zh) * 2010-04-30 2013-01-09 应用材料公司 用于将气体径向输送至腔室的装置及其使用方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109962002A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 长鑫存储技术有限公司 半导体干式蚀刻机台及其工艺流程
CN109962002B (zh) * 2017-12-14 2024-05-03 长鑫存储技术有限公司 半导体干式蚀刻机台及其工艺流程
CN110943014A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 长鑫存储技术有限公司 一种延长制程等待时间的后制程方法

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