JPH08288262A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
- Publication number
- JPH08288262A JPH08288262A JP9525895A JP9525895A JPH08288262A JP H08288262 A JPH08288262 A JP H08288262A JP 9525895 A JP9525895 A JP 9525895A JP 9525895 A JP9525895 A JP 9525895A JP H08288262 A JPH08288262 A JP H08288262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lock chamber
- load lock
- semiconductor substrate
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ロードロック室３を有する半導体基板処理装置
において、ロードロック室３のウェハ１２にごみなどの
物質を付着させることなく処理室４にウェハ１２を搬入
することのできるように図る 【構成】ウェハ１２がロードロック室に搬送された後、
排気口８より真空排気される時に赤外線ランプ１から赤
外線を放射する。これにより、真空排気時の断熱膨張の
温度低下により発生する結露を防止し、結露によりウェ
ハ１２に付着するごみを低減する。
において、ロードロック室３のウェハ１２にごみなどの
物質を付着させることなく処理室４にウェハ１２を搬入
することのできるように図る 【構成】ウェハ１２がロードロック室に搬送された後、
排気口８より真空排気される時に赤外線ランプ１から赤
外線を放射する。これにより、真空排気時の断熱膨張の
温度低下により発生する結露を防止し、結露によりウェ
ハ１２に付着するごみを低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板であるウェ
ハをエッチングやＣＶＤ膜あるいはエピタキシアル成長
膜など処理する半導体基盤処理装置に関する。
ハをエッチングやＣＶＤ膜あるいはエピタキシアル成長
膜など処理する半導体基盤処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の一例を示すドライエッチン
グ装置の模式断面図である。従来、この種の半導体基板
処理装置であるドライエッチング装置は、例えば、図２
に示すように、処理ガスを導入するガス導入口１１と導
入された処理ガスを一定に圧力に維持するために排気す
る排気口９とを有しウェハを処理する処理室４と、この
処理室４に隣接しゲートバルブ７を介して配設されるロ
ードロック室３とを備えていた。
グ装置の模式断面図である。従来、この種の半導体基板
処理装置であるドライエッチング装置は、例えば、図２
に示すように、処理ガスを導入するガス導入口１１と導
入された処理ガスを一定に圧力に維持するために排気す
る排気口９とを有しウェハを処理する処理室４と、この
処理室４に隣接しゲートバルブ７を介して配設されるロ
ードロック室３とを備えていた。
【０００３】このドライエッチング装置へのウェハ１２
の流れは、まず、ロードロック室３に空気導入口ス導入
口１０より空気を入れてロードロック室３を大気圧にし
た後、開閉弁６を開きロードロック室３をウェハ１２を
収納する。次に、ロードロック室３を排気口８から排気
し真空する。そして、ゲートバルブ７を開け処理室４に
ウェハ１２を収納する。その後、処理室４でウェハ１２
はエッチングされる。そして、エッチング終了後ゲート
バルブ７を開き、処理室４より処理済みのウェハ１２は
ロードロック室３へ、未処理のウェハ１２はロードロッ
ク室３から処理室４へ移載される。そして、ゲートバル
ブ７を閉じ、処理室４では未処理ウェハはエッチング処
理され、ロードロック室３のウェハ１２は大気に戻され
た後、ウェハ１２はロードロック室３より引出される。
の流れは、まず、ロードロック室３に空気導入口ス導入
口１０より空気を入れてロードロック室３を大気圧にし
た後、開閉弁６を開きロードロック室３をウェハ１２を
収納する。次に、ロードロック室３を排気口８から排気
し真空する。そして、ゲートバルブ７を開け処理室４に
ウェハ１２を収納する。その後、処理室４でウェハ１２
はエッチングされる。そして、エッチング終了後ゲート
バルブ７を開き、処理室４より処理済みのウェハ１２は
ロードロック室３へ、未処理のウェハ１２はロードロッ
ク室３から処理室４へ移載される。そして、ゲートバル
ブ７を閉じ、処理室４では未処理ウェハはエッチング処
理され、ロードロック室３のウェハ１２は大気に戻され
た後、ウェハ１２はロードロック室３より引出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のドライ
エッチング装置では、ロードロック室を備えているの
で、ウェハの搬送およびエッチング処理を連続的に行な
えるものの、ウェハを収納したロードロック室を排気す
る時、つまりロードロック室内の気体が断熱膨張作用に
よりロードロック室内の温度が下がり結露が生じる。こ
の結露による水滴がウェハに付着すると、水分は蒸発す
るものの水滴に含まれる物質が付着したままになる。こ
の物質が付着したままウェハをエッチングすると、この
付着物がエッチングすべき場所を覆うことになり、エッ
チングされずに残ってしまい不良品を発生させるという
問題がある。
エッチング装置では、ロードロック室を備えているの
で、ウェハの搬送およびエッチング処理を連続的に行な
えるものの、ウェハを収納したロードロック室を排気す
る時、つまりロードロック室内の気体が断熱膨張作用に
よりロードロック室内の温度が下がり結露が生じる。こ
の結露による水滴がウェハに付着すると、水分は蒸発す
るものの水滴に含まれる物質が付着したままになる。こ
の物質が付着したままウェハをエッチングすると、この
付着物がエッチングすべき場所を覆うことになり、エッ
チングされずに残ってしまい不良品を発生させるという
問題がある。
【０００５】従って、本発明の目的は、ロードロック室
のウェハにごみなどの物質を付着させることなく処理室
にウェハを搬入することのできる半導体基板処理装置を
提供することである。
のウェハにごみなどの物質を付着させることなく処理室
にウェハを搬入することのできる半導体基板処理装置を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板であるウェハを処理する処理室に隣接して仕切弁を
介して設けられるとともに未処理あるいは処理済みの前
記ウェハを収納するロードロック室を有する半導体基盤
処理装置において、前記ロードロック室内に配設される
熱エネルギー放出手段を備える半導体基板処理装置であ
る。
基板であるウェハを処理する処理室に隣接して仕切弁を
介して設けられるとともに未処理あるいは処理済みの前
記ウェハを収納するロードロック室を有する半導体基盤
処理装置において、前記ロードロック室内に配設される
熱エネルギー放出手段を備える半導体基板処理装置であ
る。
【０００７】また、前記熱エネルギー放出手段が赤外線
ランプであって前記ウェハの上方に配設されているかま
たは前記熱エネルギー放出手段がヒータであって前記ウ
ェハの直下に配設されていることが望ましい。
ランプであって前記ウェハの上方に配設されているかま
たは前記熱エネルギー放出手段がヒータであって前記ウ
ェハの直下に配設されていることが望ましい。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示すドライエッ
チング装置の模式断面図である。このドライエッチング
装置は、図１に示すように、ロードロック室３内に熱エ
ネルギー放出手段である赤外線ランプ１を設けたことで
ある。それ以外は従来例と同じである。
チング装置の模式断面図である。このドライエッチング
装置は、図１に示すように、ロードロック室３内に熱エ
ネルギー放出手段である赤外線ランプ１を設けたことで
ある。それ以外は従来例と同じである。
【００１０】この赤外線ランプ１が配設されたロードロ
ック室３へのウェハ１２の搬送は、まず、大気に戻され
たロードロック室３に搬送された後、ロードロック室３
を真空排気を開始する。これと同時に赤外線ランプ１を
点灯し、ロードロック室３内を加熱する。このことによ
りロードロック室３の内壁およびウェハ１２の温度が上
昇し、ロードロック室３の空気中に含む水分は排気口８
より排出される。このことは、真空排気（断熱膨張）時
に赤外線を照射することによって温度低下を防ぎ結露の
発生を防止するものである。
ック室３へのウェハ１２の搬送は、まず、大気に戻され
たロードロック室３に搬送された後、ロードロック室３
を真空排気を開始する。これと同時に赤外線ランプ１を
点灯し、ロードロック室３内を加熱する。このことによ
りロードロック室３の内壁およびウェハ１２の温度が上
昇し、ロードロック室３の空気中に含む水分は排気口８
より排出される。このことは、真空排気（断熱膨張）時
に赤外線を照射することによって温度低下を防ぎ結露の
発生を防止するものである。
【００１１】図２は図１のロードロック室の圧力の時間
の経過に伴ない変化するグラフである。ちなみに、上述
した赤外線１を照射するタイミングを求めるために、結
露の有無を調査しながら種々の点灯開始時間を変えてみ
て実験してみると、図２の真空排気が開始される時間ｔ
１から急激な圧力の変化がある時間ｔ２まで赤外線を照
射するのが最も効果的であった。
の経過に伴ない変化するグラフである。ちなみに、上述
した赤外線１を照射するタイミングを求めるために、結
露の有無を調査しながら種々の点灯開始時間を変えてみ
て実験してみると、図２の真空排気が開始される時間ｔ
１から急激な圧力の変化がある時間ｔ２まで赤外線を照
射するのが最も効果的であった。
【００１２】図３は本発明の他の実施例を示すドライエ
ッチング装置の模式断面図である。このドライエッチン
グ装置は、図３に示すように、真空排気時に、ロードロ
ック室３のウェハ１２をを温めるヒータ２を設けたもの
である。それ以外は前述の実施例と同じである。
ッチング装置の模式断面図である。このドライエッチン
グ装置は、図３に示すように、真空排気時に、ロードロ
ック室３のウェハ１２をを温めるヒータ２を設けたもの
である。それ以外は前述の実施例と同じである。
【００１３】この実施例も作用としては、上述したもの
と同様に、真空排気（断熱膨張）時に温度低下により発
生する結露を防止している。また、ウェハ１２を加熱す
ることで、ロードロック室３の内壁に結露しても、ウェ
ハ１２自体に結露することを防止している。ものであ
る。
と同様に、真空排気（断熱膨張）時に温度低下により発
生する結露を防止している。また、ウェハ１２を加熱す
ることで、ロードロック室３の内壁に結露しても、ウェ
ハ１２自体に結露することを防止している。ものであ
る。
【００１４】ヒータ２による加熱のタイミングとして
は、温度制御装置を用いてある一定の温度に保つ様にす
るのが最も効果的と考える。温度としては、利用するロ
ードロック室の大きさまたは半導体基板処理装置の処理
室の圧力により異なる。
は、温度制御装置を用いてある一定の温度に保つ様にす
るのが最も効果的と考える。温度としては、利用するロ
ードロック室の大きさまたは半導体基板処理装置の処理
室の圧力により異なる。
【００１５】
【発明の効果】上述したように本発明は、真空排気によ
りロードロック室内の気体の断熱膨張による温度低下を
避けるために熱エネルジー放出手段を設けることによっ
て、温度低下に伴なうウェハへの結露を防止することが
でき、ウェハ全面に一様に処理できるという効果があ
る。
りロードロック室内の気体の断熱膨張による温度低下を
避けるために熱エネルジー放出手段を設けることによっ
て、温度低下に伴なうウェハへの結露を防止することが
でき、ウェハ全面に一様に処理できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すドライエッチング装置
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図２】図１のロードロック室の圧力の時間の経過に伴
ない変化するグラフである。
ない変化するグラフである。
【図３】本発明の他の実施例を示すドライエッチング装
置の模式断面図である。
置の模式断面図である。
【図４】従来の一例を示すドライエチング装置の模式断
面図である。
面図である。
１ 赤外線ランプ ２ ヒータ ３ ロードロック室 ４ 処理室 ６ 開閉弁 ７ ゲートバルブ ８，９ 排気口 １０ 空気導入口 １１ ガス導入口 １２ ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板であるウェハを処理する処理
室に隣接して仕切弁を介して設けられるとともに未処理
あるいは処理済みの前記ウェハを収納するロードロック
室を有する半導体基盤処理装置において、前記ロードロ
ック室内に配設され熱エネルギー放出手段を備えること
を特徴とする半導体基板処理装置。 - 【請求項２】 前記熱エネルギー放出手段は赤外線ラン
プであって前記ウェハの上方に配設されていることとを
特徴とする請求項１記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項３】 前記熱エネルギー放出手段がヒータであ
って前記ウェハの直下に配設されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9525895A JPH08288262A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9525895A JPH08288262A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288262A true JPH08288262A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14132747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9525895A Pending JPH08288262A (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288262A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345771A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 枚葉式真空処理方法及び装置 |
| JP2005299659A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Boc Group Inc:The | 組み合わせ式真空ポンプ・ロードロック組立体 |
| US7946759B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
| CN107437521A (zh) * | 2016-05-26 | 2017-12-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582474A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Anelva Corp | 枚葉式ドライエツチング装置 |
| JPH06158314A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および方法 |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP9525895A patent/JPH08288262A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582474A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Anelva Corp | 枚葉式ドライエツチング装置 |
| JPH06158314A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345771A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 枚葉式真空処理方法及び装置 |
| JP2005299659A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Boc Group Inc:The | 組み合わせ式真空ポンプ・ロードロック組立体 |
| US7946759B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
| CN107437521A (zh) * | 2016-05-26 | 2017-12-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971202 |