JP2003529212A - 半導体ウエハ処理システムのウエハのロードロックにおける汚染を減少するための装置及び方法 - Google Patents

半導体ウエハ処理システムのウエハのロードロックにおける汚染を減少するための装置及び方法

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JP2003529212A JP2001570867A JP2001570867A JP2003529212A JP 2003529212 A JP2003529212 A JP 2003529212A JP 2001570867 A JP2001570867 A JP 2001570867A JP 2001570867 A JP2001570867 A JP 2001570867A JP 2003529212 A JP2003529212 A JP 2003529212A
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Abstract

(57)【要約】 ロードロック内の汚染物質の形成を防止するために、ロードロックを加熱する方法及び装置である。少なくとも１つのヒータがロードロック内の表面から汚染物質を加熱するために、ロードロックの壁に取り付けられる。これらの脱離された汚染物質は真空ポンプによって排出される。代わりに、ロードロックは加熱されている間に、パージガスがロードロックへ供給される。パージガスの流れによって、ロードロックから脱離された汚染物質は除去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は、半導体ウエハの処理システムに関する。特に、本発明は、半導体ウ
エハ処理システムのウエハロードロックにおける汚染を制御するための装置及び
方法に関する。
【０００２】 （従来の技術） 半導体ウエハ処理システムは、システム内で処理を待っている複数のウエハが
積み重ねられているロードロックを有する。これらのウエハは、ロボットによっ
て一度にロードロックの１つから取り出され、システム内のいろいろな処理チャ
ンバヘ移される。処理されると、ウエハは、システムから取り出すために、プロ
セスチャンバからロードロック内のウエハカセットへ戻される。
【０００３】 システム内のウエハ処理の間、汚染物質がウエハへ吸収する。一般に、処理ガ
スがウエハ表面に吸収し、ウエハがロードロックへ戻されたとき、吸収された物
質が脱離する。脱離されたガスは、ロードロックにおいて湿気と結合してロード
ロックの内面とウエハを覆う腐蝕性の膜を形成する。このような内面の被膜はロ
ードロック内の面の腐蝕を生じ、ウエハ上に凝縮粒子の形成を生じる。この表面
の腐蝕はロードロック全体にわたって分散する大量の腐蝕副産物の粒子を作り、
ウエハを汚染する。
【０００４】 従って、ロードロック内の腐食性汚染物質を制御する方法及び装置に対する必
要性がある。
【０００５】 （発明の概要） 従来技術に関連したこれらの欠点は、ロードロックの雰囲気を加熱する方法及
び装置によって解決される。特に、その装置はロードロックを加熱して、腐蝕性
副産物の粒子の形成を妨げる。さらに、装置はパージガスをロードロックへ供給
して、ロードロックから湿気及び腐蝕性ガスを希釈し及び除去する。ロードロッ
クへ熱を加えるために、ロードロックの壁に少なくとも１つのヒータが取りつけ
られ、ロードロック内の表面化汚染物質を脱離する。脱離した汚染物質は、真空
ポンプによってロードロックから排出されるか、またはパージガスの流れによっ
てロードロックから除かれる。このように、ウエハの汚染源を取り除くために、
加熱することとパージングすることの組合せによって、ロードロックから湿気及
び腐蝕性ガスの両方を効果的に取り除くことができる。
【０００６】 （発明の実施の形態） 図１は、本発明のロードロックの汚染物質制御システム１０４に結合されたシ
ステムハードウエア１０２を有する半導体ウエハ処理システム１００を示す。こ
のシステムハードウエアは従来知られた方法で動作し、一方、汚染物質制御シス
テムは、ウエハの汚染源を除去するために、ロードロックにおける雰囲気を加熱
し、排気するための独特な技術を提供する。パージガスが加熱の間ロードロック
へ供給される。
【０００７】 特に、ウエハ処理ハードウエア１０２は、複数のプロセスチャンバ１１２と１
１０、及び移動チャンバ１０３を含む中央のプラットフォーム１１３に結合され
た一対のロードロック１２２と１２４を有する。移送チャンバ１０３内には、ロ
ボットアームの先端に配置されたブレード１０８を有し、１つのプロセスチャン
バから他のプロセスチャンバへ、及びロードロックとプロセスチャンバ間で半導
体ウエハを運ぶためのロボット１０６がある。ロボットのブレート１０８は、そ
れぞれのスリットバルブ１１４と１１６をとおしてチャンバ１１２と１１０ヘア
クセスする。プラットフォーム１１３は、少なくとも１つのロードロック１２２
へも結合されている。図示されたプラットフォームには、２つのロードロック１
２２と１２４がある。各々のロードロック１２２と１２４は、それぞれスリット
バルブ１１８と１２０を通して移送チャンバ１０３に結合されている。
【０００８】 動作において、ロードロック内のウエハ１２８と１２６は、それぞれのスリッ
トバルブ１１８と１２４を通してロボットのブレード１０８によってアクセスさ
れる。ウエハは、特定のプロセスチャンバ１１２または１１０に運ばれ、そこで
それらが処理され、その後システムから取り出されるためにロードロックへ戻さ
れる。一般に、ウエハがチャンバ１１２と１１０内で処理されるにしたがって、
腐蝕物及び他の処理副産物がウエハ上に吸収し、、ロードロック汚染制御システ
ム１０４がこれらの腐蝕物を取り除く。このように、腐蝕物がロードロックの内
面を攻撃し、ロードロックの湿気と結合してロードロック内の未処理のウエハ上
へ凝縮粒子を形成するするのを防止しする。
【０００９】 本発明の１つの実施の形態において、汚染制御システム１０４は、ガス入力サ
ブシステム１６０、ガス排気サブシステム１６２及びロードロック加熱サブシス
テム１６４を有する。ガス入力サブシステム１６０は任意である。ガス入力サブ
システム１６０はガス源１４０、複数のバルブ１３６Ａ、１３６Ｂ、１３６Ｃ、
及び複数のセットスクリュー（調整ねじ）１３８Ａ、１３８Ｂを有する。排気サ
ブシステムは一対のバルブ１３４Ａ、１３４Ｂ及びポンプ１４４を有する。加熱
サブシステムはヒータ・コントローラ１４６、熱電対１３０、及びロードロック
１２２及び／または１２４の（１つまたは複数の）側壁に取り付けられた、また
は埋め込まれた少なくとも１つの加熱素子１３２を有する。
【００１０】 動作において、ガス源１４０は、バルブ１３６Ｃ、調整ねじ１３８Ａ、１３８
Ｂ、及びバルブ１３６Ａ、１３６Ｂを介して不活性ガス、例えば窒素をロードロ
ック１２２、１２４へ供給する。調整ねじ１３８Ａ、１３８Ｂは、システム開始
のとき、ガス流が一方のロードロックと他方の間でバランスされ、ロードロック
内の圧力が湿気と腐蝕物の効率的な除去に対して正しい状況にあるように、チャ
ンバへの流速を設定するために用いられるニードルバルブである。複数のバルブ
１３６Ａ、１３６Ｂ、１３６Ｃは、ガスがウエハをロードロックから取出したり
、追加のウエハをロードロックへ加えたりするために開かれるロードロックから
減結合されるように、それぞれのロードロックへのガスの流れを制御するために
用いられる。
【００１１】 ポンプシステムは、排気ガスをポンプ１４４へ運ぶマニホルド１３５に結合さ
れた一対の排気バルブ１３４Ａ、１３４Ｂを有する。このようにして、不活性ガ
スは、ロードロックへ供給され、汚染物質がガス流によってロードロックからポ
ンプ１４４へ除去されるようにロードロックを介して流れる。４００〜５００mT
orrの圧力が各々のロードロック内に維持される場合、ガス流は約２５０sccmに
保たれる。
【００１２】 ロードロックの表面上に腐蝕性の粒子の形成を防止するために、少なくとも１
つの加熱素子（ヒータ）１３２が各々のロードロック１２２と１２４の側壁に取
りつけられるか、または埋め込まれる。ヒータのコントローラは電流を加熱素子
にくわえて、ロードロック１２２の内部ガスを加熱する。ロードロックの内部は
約５０〜５５℃或いはそれ以上に保たれる。加熱プロセスの動的制御を容易にす
るために、少なくとも１つの熱電対１３０がロードロックの壁に取りつけられる
。熱電対１３０からの出力電圧は、熱電対からの信号に応答して、ヒータへ印加
される電圧を制御するヒータ・コントローラ１４６へ接続され、ロードロック内
を一定温度に保つ。ロードロック内の上部から下部までの温度変化は約５〜６℃
である。この厳しい温度差を容易にするために、ヒータ・コントローラ１４６は
がヒータの複数のゾーンを制御するために用いられ、また複数の熱電対が各々の
ゾーンに関して、フィードバック電圧を与えるために用いられる。ゾーンのヒー
タ制御システムの詳細は、図４を参照して説明される。
【００１３】 汚染物質の制御システム１０４は、ウエハ処理システム・コントローラ１４８
の一部を形成するコントローラ１５０を有する。コントローラ１５０は中央処理
装置（ＣＰＵ）１５２、メモリ１５８、支援回路１５６及び入出力（Ｉ／Ｏ）回
路１５４を有する。ＣＰＵ１５２は、メモリ１５８に含まれるソフトウエアを実
行することによってプログラムされると、汚染物質の制御システム１０４のハー
ドウエア要素を制御するための特定用途のコンピュータになる汎用コンピュータ
である。メモリ１５８は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセス
メモリ（ＲＡＭ）、取り外し可能な記憶装置、ハードディスドライブ、またはあ
らゆる形態のディジタルメモリ装置を有することができる。Ｉ／Ｏ回路は、情報
の出力用の既知のディスプレイ及びキーボード、マウス、トラックボール、或い
は情報の入力をゆうする。支援回路１５６は、従来知られており、例えば、キャ
ッシュ、クロック、電源等の回路を有する。
【００１４】 メモリ１５８は、ＣＰＵ１５２によって実行されると、コントローラが汚染物
質の制御システム１０４のいろいろな要素をディジタル的に制御することができ
る制御ソフトウエア１５９を有する。制御ソフトウエアによって実行されるプロ
セスの詳細は、図５を参照して説明される。
【００１５】 ヒータ・コントローラ１４６は、一般に自律的であるけれども、このヒータ・
コントローラ１４６は、コントローラにヒータの動作に関する故障やエラー情報
を与える。代わりに、ヒータ・コントローラは、ディジタルシステムのコントロ
ーラ１５０の一部であってもよい。実際に、システム１０２ばかりでなく汚染物
質の制御システム１０４内で行なうプロセスを制御する半導体ウエハ処理システ
ム１０２のコントローラ１４８は、コントローラ１５０ばかりでなくヒータ・コ
ントローラ１４６を囲む点線で示された箱によって示されたヒータ・コントロー
ラ１４６を内蔵することもできる。
【００１６】 図２は、個々のロードロック１２２の斜視図を示し、図３は、図２の３−３線
に沿ったロードロック１２２の断面図を示す。図２と図３は、本発明を最もよく
理解するために同時に参照するのがよい。
【００１７】 ロードロック１２２は、上部１２２Ｔ、底部１２２Ｂ、及び４つの側壁１２２
Ｓ1−１２２Ｓ4を有する。側壁１２２Ｓ4は、ドア２００によって覆われる開口
を含む。ドア２００、上部１２２Ｔ、下部１２２Ｂと同様に側壁１２２Ｓ1と１
２２Ｓ3は、そこにヒータ素子１３２が取りつけられる。図示された実施の形態
におけるヒータ１３２は自己接着性の抵抗性ブランケットヒータである。代わり
に、抵抗性ブランケットヒータ１３２は、埋め込まれたヒータカートリッジや加
熱された液体を通す導管で置き換えることもできる。他の外部ヒータ、例えば赤
外線ランプは、本発明の範囲内あると考えられる。これらのヒータは、ロードロ
ック内に含まれる汚染物質を吸収する温度まで、ロードロック１２２の内部雰囲
気を加熱するために必要とされる。腐蝕性ガスの吸収された分子（参照番号３１
０で示される）は、ロードロック１２２内の雰囲気の加熱によって脱離され、パ
ージガスの流れによってロードロックから排出される。典型的な吸収された物質
は、臭化水素（ＨＢｒ）を含み、５０−５５℃或いはそれ以上の温度で脱離され
る。
【００１８】 ガスは、多孔のセラミック素子２０４を通して与えられる。素子２０４は、フ
ランジ３００を取りつけた電気研磨されたステンレス鋼及び０.５ミクロンの大
きさの孔を有するアルミナ部分３０２を有する。セラミック素子２０４は、フラ
ンジ３００によって側壁１２２Ｓ3に取りつけられ、不活性ガスを運ぶ導管が素
子２０４に結合される。フランジ３００は側壁１２２Ｓ3にシールされる。ガス
がチャンバに入るが、ガスが高速で入らないように、また、ガスがウエハカセッ
ト３０６に収容されたウエハ３０８を通して分配されるように、セラミック素子
によって分散される。腐蝕物の際凝縮が排気マニホルド内で起きないことを確か
にするために、導管を上昇された温度に保つように、ヒータ素子をポンプに導か
れる導管上に配置することができる。
【００１９】 図４は、ヒータ・コントローラ１４６ばかりでなく、複数の加熱ゾーン回路４
００、４０２、４０４を有する加熱システム１６４の概略図を示す。各々のゾー
ンは、熱電対１３０1、１３０2、１３０3及び加熱素子１３２1、１３２2、１３
２3を有している。いずれのゾーンも、ロードロックの多数の領域が１つまたは
それ以上の熱電対の信号に応答して加熱されるように、多数の加熱素子を有する
ことができる。例えば、ゾ０ン４００はロードロックの１つの側壁に熱電対を、
そして側壁１２２Ｓ1、１２２Ｓ2、１２２Ｓ4に加熱素子を有することができる
。一方、第２のゾーン４０２は、ドア２００に熱電対１３０2とドアに配置され
た加熱パッド１３２有することができる。第３のゾーンは、チャンバの上部１２
２Ｔに熱電対とこの上部に配置された加熱パッド１３２を有することができる。
各々のゾーンは独立して制御され、ロードロック内の雰囲気を均一に加熱するよ
うに、温度を調節する。熱電対の温度に関して生成される電圧をモニターするた
めに標準のフィードバック回路の使用によって、ヒータに与えられる電流が制御
される。このように、ロードロックの全体の温度は、全体の温度は約５０度で、
±５度以内に均一に保たれる。高温を用いることもできる。
【００２０】 図１に示されるように、２つのチャンバが同時に使用される場合、バルブアッ
センブリは、第１のロードロックがウエハをハードウエアに供給し、第２のロー
ドロックは雰囲気に開かれるために用いることができるように使用される。この
ように、２つのチャンバ１２２と１２４の間で通気と排気の組合わせが行なわれ
る。バルブの選択的な開閉によって、本発明のシステムは、一方のチャンバから
他方のチャンバへガスが逆流するのを避ける。
【００２１】 図５は、本発明によって使用されるプロセスの流れ図を示す。このプロセスは
、図１のロードロック１２２と１２４のいずれか一方または双方を排気したり、
通気したりする組み合わせを提供する。プロセス５５０は、ＣＰＵ１５２におい
て制御ソフトウエア１５９を実行することによって実現される。プロセス５５０
は、ロードロック１２２と１２４が開、バルブ１３６Ａ、Ｂ、Ｃが閉、全てのヒ
ータがアクティブである初期状態のシステム１０４によって開始する。ステップ
５０２において、ウエハのカセットがロードロック１２２内に配置され、ロード
ロックが“ロード／アンロード”コマンドを発すると、ドアが閉じられる。ステ
ップ５０４において、バルブ１３４Ａが開かれる。ステップ５０６において、ル
ーティンが、ロードロック１２２の圧力（Ｐ122）がロードロックの基礎圧力（
ＰB）より小さいか否かを問い合わせる。ロードロックの圧力が基礎圧力に達す
ると、ルーティンはステップ５０８へ進む。ステップ５０８で、バルブ１３６Ａ
と１３６Ｃが開けられ、ロードロック１２２は４００〜５００mTorrの公称圧力
へ排気される。ステップ５１０において、ガスと加熱が汚染物質を除去するにし
たがって、ウエハは１つづつウエハ処理ハードウエア１０２へ移送され、またウ
エハ処理ハードウエア１０２から出される。ステップ５１２において、プロセス
は、第２のロードロック１２４が用いられるべきか否かを問い合わせる。一般に
、この質問は、ロードロック１２４に置かれているカセット及び押されている“
ロード”ボタンによって答えられる。もし、ロード要求がなされないなら、プロ
セスはステップ５１４で終了する。もし、ロード要求がなされるなら、プロセス
５５０はステップ５１６へ進む。
【００２２】 ステップ５１６において、バルブ１３６Ｃが不活性ガスの流れを一時的に止め
るために閉じられる。その後、ステップ５１８において、バルブ１３６Ａがロー
ドロックを互いに分離するために閉じられる。ステップ５２２において、バルブ
１３４Ａがロードロック１２２からポンプを分離するために閉じられる前に約１
秒間の遅延が生じる。ステップ５２４において、約１秒間の遅延が生じた後に、
ステップ５２６がバルブ１３４Ｂを開く。ステップ５２８において、ルーティン
は、ロードロック１２４の圧力がロードロック１２２の圧力より小さいか否かを
問い合わせる。ロードロック１２４の圧力（Ｐ124）がロードロック１２２の圧
力（Ｐ122）より大きいか、或いはそれと等しいとき、ルーティンはステップ５
３０へ進む。その後、ステップ５３０において、バルブ１３４Ａがロードロック
１２４を４００〜５００ミリトル（mTorr）へ排気するために開けられる。ステ
ップ５３１において、バルブ１３６Ａと１３６Ｂが開けられる。その後、ステッ
プ５３２において、ルーティンは約１秒間の遅延を待つ。ステップ５３４におい
て、不活性のパージガスを与えるために、バルブ１３６Ｃが開けられ、ステップ
５３６において、プロセス５５０は終了する。このとき、両方のロードロック５
５０は加熱され、汚染物質が除去される。
【００２３】 ウエハカセットをアンロードするために、オペレータは、一般に、ロードロッ
クの１つ、例えば、ロードロック１２２に相当する“アンロード”ボタンを押す
。自動的なアンロードシーケンスをソフトウエアによって実行することもできる
。いずれの場合においても、バルブ１３６Ａが閉じられ、その後バルブ１３４Ａ
が閉じられる。ロードロックの雰囲気は、その後、窒素で大気圧に通気される。
この方法で、何れかのロードロックが汚染物質の制御システムから分離されて、
カセットを取出すことを可能にするが、他のロードロックは使用される。新しい
カセットがロードされると、ロードロック１２２はプロセス５５０のステップ５
１６から５３６までを用いて排気され、パージされる。しかし、バルブ１３６Ｂ
が１３６Ａのために置き換えられ、バルブ１３４Ｂがバルブ１３４Ａのために置
き換えられる等である。また、ロードロック１２４を分離するためにバルブ１３
４Ｂと１３６Ｂが用いられることを除いて、ロードロック１２４をアンロードす
るために、ロードロック１２２をアンロードするために上に述べたプロセスを用
いることができる。
【００２４】 本発明の教示を含むいろいろな実施の形態が示され、詳細に説明されたが、当
業者はこれらの教示を含むたの多くの変更された実施の形態を容易に考えること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 １つまたはそれ以上のロードロックから汚染物質を取り除くための装置を含む
半導体処理システムを示す。
【図２】 ロードロックの外部表面に取りつけられた複数のブランケットヒータを有する
ロードロックの斜視図を示す。
【図３】 図２のライン３−３に沿ったロードロックの断面図を示す。
【図４】 ヒータ装置の概略図を示す。
【図５】 本発明の動作を表すフロー図を示す。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１４年４月１２日（２００２．４．１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マカリスター ダグラス アール アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94588 プレザントン マーティン アヴ ェニュー 2972 (72)発明者 エヴァンス デイヴィッド アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ ペブル ビーチ ドライヴ 2594

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ロードロックにおける汚染物質を制御する方法であって、 前記ロードロックにおける雰囲気を加熱するステップと、 前記ロードロックから前記雰囲気を排出して、ロードロックから汚染物質を除
    去するステップと、 を有することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 更に、パージガスをロードロックへ連続的に供給するステッ
    プを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記パージガスは不活性ガスであることを特徴とする請求項
    ２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする請求項３に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 前記加熱するステップはロードロック内の雰囲気を約５０℃
    に加熱することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 複数のロードロックが設けられ、前記方法は、更に、パージ
    ガスを前記ロードロックへ選択的に供給するステップと、 前記パージガスを前記ロードロックから選択的に排出するステップと、 を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
  7. 【請求項７】 更に、選択されたロードロックをパージガスと前記排出から
    分離するステップと、 前記選択されたロードロックの雰囲気を通気するステップと、 を有することを特著とする請求項７に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記加熱は、前記ロードロック内の腐蝕反応を防止すること
    を特徴とする請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記加熱は、複数の加熱ゾーンに独立して与えられることを
    特徴とする請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記加熱は、前記ロードロック内の腐蝕粒子の形成を防止
    することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記加熱から生じる、前記ロードロック内の温度は、動的
    に制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 一対のロードロック内の汚染物質を制御する方法であって
    、 第１のロードロックを加熱し、同時に前記第１のロードロックを通してパージ
    ガスを流すステップ、前記第１のロードロックの雰囲気は第１の圧力であり、 前記第１のロードロックをパージガス源及び真空ポンプから分離することによ
    って、前記第１のロードロックへのパージガスの流れを停止するステップと、 前記第１のロードロックを前記第２のロードロックから分離するステップと、 第２のロードロックを加熱し、同時に前記第２のロードロックを通してパージ
    ガスを流すステップ、前記第２のロードロックの雰囲気は第２の圧力であり、 前記第１の圧力及び前記第２の圧力が同じであるとき、前記第１のチャンバを
    前記真空ポンプ及び前記パージガス源に接続するステップと、 を有することを特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 前記パージガスは不活性ガスであることを特徴とする請求
    項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記不活性ガスは窒素であることを特徴とする請求項１３
    に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記加熱するステップはロードロック内の雰囲気を約５０
    ℃に加熱することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 更に、選択されたロードロックを前記パージガス源と真空
    ポンプから分離するステップと、 前記選択されたロードロックの雰囲気を通気するステップと、 を有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記加熱は、前記ロードロック内の腐蝕反応を防止するこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記加熱は、複数の加熱ゾーンに独立して与えられること
    を特徴とする請求項１２に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記加熱は、前記ロードロック内の腐蝕粒子の形成を防止
    することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記加熱から生じる、前記ロードロック内の温度は、動的
    に制御されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。 前記加熱するステップは
  21. 【請求項２１】 ロードロックにおける汚染物質を制御する装置であって、 前記ロードロックへ取り付けられたヒータと、 前記ロードロックへ接続されたポンプと を有することを特徴とする装置。
  22. 【請求項２２】 更に、前記ロードロックに接続されたパージガス源を有す
    ることを特徴とする請求項２１に記載の装置。
  23. 【請求項２３】 更に、前記パージガス源と前記ロードロック間に第１のソ
    ース分離バルブと、 前記ポンプと前記ロードロックの間に第１のポンプ分離バルブと、 を有することを特徴とする請求項２２に記載の装置。
  24. 【請求項２４】 前記ヒータは、ヒータ・コントローラと少なくとも１つの
    ヒータ素子を有することを特徴とする請求項２１に記載の装置。
  25. 【請求項２５】 前記ヒータ・コントローラは、前記少なくとも１つのヒー
    タ素子を動的に制御することを特徴とする請求項２４に記載の装置。
  26. 【請求項２６】 前記少なくとも１つのヒータ素子は、抵抗性のヒータであ
    ることを特徴とする請求項２５に記載の装置。
  27. 【請求項２７】 前記ヒータ・コントローラは、更に、温度センサーを有す
    ることを特徴とする請求項２６に記載の装置。
  28. 【請求項２８】 更に、第２のソース分離バルブを介して前記パージガス源
    に接続され、且つ第２のポンプ分離バルブを介して前記ポンプに接続される第２
    のロードロックを有することを特徴とする請求項２２に記載の装置。
  29. 【請求項２９】 さらに、第１と第２のソース分離バルブの各々、及び前記
    ガス玄関に配置された主ソースバルブを有することを特徴とする請求項２８に記
    載の装置。
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