JPH0684877A - Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置 - Google Patents
Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置Info
- Publication number
- JPH0684877A JPH0684877A JP23112092A JP23112092A JPH0684877A JP H0684877 A JPH0684877 A JP H0684877A JP 23112092 A JP23112092 A JP 23112092A JP 23112092 A JP23112092 A JP 23112092A JP H0684877 A JPH0684877 A JP H0684877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage case
- main body
- drying
- wafer
- chamber main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】表面変化発生率の小さいＳｉウエーハ保管ケー
スの乾燥方法及び乾燥装置を提供すること。 【構成】本願第１の発明たる乾燥方法は、鏡面加工及び
薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法
であって、前記保管ケースを、真空度１〜１００Ｔｏｒ
ｒの不活性ガスの雰囲気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜
８０゜Ｃとして所定時間加熱する乾燥方法。本願第２の
発明たる乾燥装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウ
エーハを保管するケースの乾燥装置であって、保管ケー
スを収納する気密保持可能な室本体と、該室本体に接続
された吸気ポンプと、上記室本体内の温度を調整するヒ
ータとからなる。
スの乾燥方法及び乾燥装置を提供すること。 【構成】本願第１の発明たる乾燥方法は、鏡面加工及び
薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法
であって、前記保管ケースを、真空度１〜１００Ｔｏｒ
ｒの不活性ガスの雰囲気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜
８０゜Ｃとして所定時間加熱する乾燥方法。本願第２の
発明たる乾燥装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウ
エーハを保管するケースの乾燥装置であって、保管ケー
スを収納する気密保持可能な室本体と、該室本体に接続
された吸気ポンプと、上記室本体内の温度を調整するヒ
ータとからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、 鏡面加工及び薬
液洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法及
び乾燥装置に関する。
液洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法及
び乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉウエーハは、通常、鏡面加工及び薬
液洗浄後、保管ケースに収納される。
液洗浄後、保管ケースに収納される。
【０００３】上記保管ケースに収められるＳｉウエーハ
の表面はきわめて活性であり、長期間の保管の場合、保
管状態によっては、経時的な表面変化を起こし、該経時
的な表面変化がデバイス工程での歩留りを低下させる原
因となる。
の表面はきわめて活性であり、長期間の保管の場合、保
管状態によっては、経時的な表面変化を起こし、該経時
的な表面変化がデバイス工程での歩留りを低下させる原
因となる。
【０００４】上記経時的な表面変化を起こさせる物質と
して各種イオンが上げられ、また、水分が経時的な表面
変化の促進剤として働くことが知られている。そこで、
従来から上記保管ケースは、その使用の前に乾燥処理さ
れている。
して各種イオンが上げられ、また、水分が経時的な表面
変化の促進剤として働くことが知られている。そこで、
従来から上記保管ケースは、その使用の前に乾燥処理さ
れている。
【０００５】具体的には、第５図に示すように、扉２か
ら保管ケース３を常圧の室本体１内に入れ、上記扉を閉
めてヒータ４により所定時間保管ケース３を加熱してい
る。図中、５はファンを示す。
ら保管ケース３を常圧の室本体１内に入れ、上記扉を閉
めてヒータ４により所定時間保管ケース３を加熱してい
る。図中、５はファンを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の乾
燥処理が施された保管ケース３では、該保管ケース３に
収められたＳｉウエーハ６に、第４図に示すような経時
変化発生部７が、かなりの割合で生じる。
燥処理が施された保管ケース３では、該保管ケース３に
収められたＳｉウエーハ６に、第４図に示すような経時
変化発生部７が、かなりの割合で生じる。
【０００７】本願発明者は、その原因を探るべく、経時
的な表面変化を起こしたＳｉウエーハと経時的な表面変
化を起こさなかったＳｉウエーハとを対比調査したとこ
ろ、水分はもとより経時的な表面変化を起こしたＳｉウ
エーハの有機物評価値が、経時的な表面変化を起こさな
かったＳｉウエーハのそれに比して高いことが判明し
た。上記経時的な表面変化を起こさせる有機物は、Ｓｉ
ウエーハに付着していたものと保管ケースに付着してい
たものとの双方が考えられるが、少なくとも、保管ケー
スに付着していた水分及び有機物を取り除けばその分だ
け経時的な表面変化発生率が小さくなるはずである。本
願発明は、このような観点に立ってより経時的な表面変
化発生率の小さいＳｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及
び乾燥装置を提供する目的でなされた。
的な表面変化を起こしたＳｉウエーハと経時的な表面変
化を起こさなかったＳｉウエーハとを対比調査したとこ
ろ、水分はもとより経時的な表面変化を起こしたＳｉウ
エーハの有機物評価値が、経時的な表面変化を起こさな
かったＳｉウエーハのそれに比して高いことが判明し
た。上記経時的な表面変化を起こさせる有機物は、Ｓｉ
ウエーハに付着していたものと保管ケースに付着してい
たものとの双方が考えられるが、少なくとも、保管ケー
スに付着していた水分及び有機物を取り除けばその分だ
け経時的な表面変化発生率が小さくなるはずである。本
願発明は、このような観点に立ってより経時的な表面変
化発生率の小さいＳｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及
び乾燥装置を提供する目的でなされた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本願第１の発
明たる乾燥方法は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエ
ーハを保管するケースの乾燥方法であって、前記保管ケ
ースを、真空度１〜１００Ｔｏｒｒの不活性ガスの雰囲
気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとして所定時
間加熱するものであり、また、本願第２の発明たる乾燥
装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管
するケースの乾燥装置であって、保管ケースを収納する
気密保持可能な室本体と、該室本体に接続された吸気ポ
ンプと、上記室本体内の温度を調整するヒータとからな
る。
明たる乾燥方法は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエ
ーハを保管するケースの乾燥方法であって、前記保管ケ
ースを、真空度１〜１００Ｔｏｒｒの不活性ガスの雰囲
気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとして所定時
間加熱するものであり、また、本願第２の発明たる乾燥
装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管
するケースの乾燥装置であって、保管ケースを収納する
気密保持可能な室本体と、該室本体に接続された吸気ポ
ンプと、上記室本体内の温度を調整するヒータとからな
る。
【０００９】ここで、真空度１〜１００Ｔｏｒｒとした
のは、実用的室本体の真空下限が１Ｔｏｒｒであり、更
に、真空度を１００Ｔｏｒｒを超えると沸点の変化が大
きくなり不安定となるからである。また、乾燥温度を４
０゜Ｃ〜８０゜Ｃとしたのは、４０゜Ｃを下ると乾燥効
果が減少し、８０゜Ｃを超えると保管ケースに変形を生
じる可能性が存するからである。
のは、実用的室本体の真空下限が１Ｔｏｒｒであり、更
に、真空度を１００Ｔｏｒｒを超えると沸点の変化が大
きくなり不安定となるからである。また、乾燥温度を４
０゜Ｃ〜８０゜Ｃとしたのは、４０゜Ｃを下ると乾燥効
果が減少し、８０゜Ｃを超えると保管ケースに変形を生
じる可能性が存するからである。
【００１０】
【作用】本願第１の発明たる乾燥方法によれば、加熱真
空処理によって水分及び有機物が取り除かれる。
空処理によって水分及び有機物が取り除かれる。
【００１１】本願第２の発明たる乾燥装置によれば、保
管ケースを一つの室本体内で加熱処理し負圧（真空処
理）による水分及び有機物除去処理がなされる。
管ケースを一つの室本体内で加熱処理し負圧（真空処
理）による水分及び有機物除去処理がなされる。
【００１２】
【実施例】以下、本願発明を図１ないし図３に基づき説
明する。図１は、本願発明装置（請求項２）の一実施例
を示す断面図あって、１１は保管ケース１２を収める気
密保持可能な室本体である。１３は上記室本体１１内に
設けられた扉である。１４は上記室本体１１に付設され
たヒータであって、本実施例では熱効率を考慮してパネ
ルヒータが採用されている。１５は上記室本体１１内の
温度を検知する温度センサである。また、上記室本体１
１には、真空バルブ１６、排気量調整弁２０を介して吸
気ポンプ１８が接続されている。１９はガスパージバル
ブ、１７は圧力センサを示す。
明する。図１は、本願発明装置（請求項２）の一実施例
を示す断面図あって、１１は保管ケース１２を収める気
密保持可能な室本体である。１３は上記室本体１１内に
設けられた扉である。１４は上記室本体１１に付設され
たヒータであって、本実施例では熱効率を考慮してパネ
ルヒータが採用されている。１５は上記室本体１１内の
温度を検知する温度センサである。また、上記室本体１
１には、真空バルブ１６、排気量調整弁２０を介して吸
気ポンプ１８が接続されている。１９はガスパージバル
ブ、１７は圧力センサを示す。
【００１３】次に、上記乾燥装置を用いた本願の第１発
明たる乾燥方法について具体的に説明する。まず、扉１
３を開けて洗浄された保管ケース１２を上記室本体１１
内に収め、ヒータ１４で室本体１１内の温度を６０゜Ｃ
となし、この状態を数十分間維持して保管ケース１２を
加熱させた。上記実施例ではヒータ１４がパネルヒータ
であるため、保管ケース１２が室本体１１の内壁を伝わ
ってくる伝播熱で加熱される。上記乾燥処理の終った保
管ケース１２を真空度５０Ｔｏｒｒでオーブン処理（負
圧で一定時間加熱すること）した。すなわち、まず、保
管ケース１２を上記室本体１１内に収めたまま、上記真
空バルブ１６を開にして室本体１１内を５０Ｔｏｒｒに
まで減圧した。この場合において、室本体１１の急激な
空気排出は、室本体１１の急激な温度低下を招き水分の
再付着を生ずる虞があるため、少なくとも室本体１１の
温度を常温以上に保つように排気量調整弁２０を調節操
作する。この真空オーブン処理によって、室本体１１内
水分を含んだ空気が外部に排出されると同時に保管ケー
ス１２に付着している有機物も上記空気とともに外部に
吸引排出される。そしてその後、ガスバージバルブ１９
を開にしてアルゴンガス（その他例えば窒素ガス、ドラ
イエアー等）を室本体１１内に封入し、室本体１１内を
常圧にまで戻した。
明たる乾燥方法について具体的に説明する。まず、扉１
３を開けて洗浄された保管ケース１２を上記室本体１１
内に収め、ヒータ１４で室本体１１内の温度を６０゜Ｃ
となし、この状態を数十分間維持して保管ケース１２を
加熱させた。上記実施例ではヒータ１４がパネルヒータ
であるため、保管ケース１２が室本体１１の内壁を伝わ
ってくる伝播熱で加熱される。上記乾燥処理の終った保
管ケース１２を真空度５０Ｔｏｒｒでオーブン処理（負
圧で一定時間加熱すること）した。すなわち、まず、保
管ケース１２を上記室本体１１内に収めたまま、上記真
空バルブ１６を開にして室本体１１内を５０Ｔｏｒｒに
まで減圧した。この場合において、室本体１１の急激な
空気排出は、室本体１１の急激な温度低下を招き水分の
再付着を生ずる虞があるため、少なくとも室本体１１の
温度を常温以上に保つように排気量調整弁２０を調節操
作する。この真空オーブン処理によって、室本体１１内
水分を含んだ空気が外部に排出されると同時に保管ケー
ス１２に付着している有機物も上記空気とともに外部に
吸引排出される。そしてその後、ガスバージバルブ１９
を開にしてアルゴンガス（その他例えば窒素ガス、ドラ
イエアー等）を室本体１１内に封入し、室本体１１内を
常圧にまで戻した。
【００１４】
【効果】上述した本願の第１発明たる乾燥方法によれ
ば、図２に示すように、従来方法に比し水分の除去率が
良く、また、図３に示すように、従来方法と比較して経
時的な表面変化発生率が小さく、デバイス工程での歩留
りが向上する。なお、これら図において、黒丸は本願発
明の結果を、白丸は従来法の結果を示す。
ば、図２に示すように、従来方法に比し水分の除去率が
良く、また、図３に示すように、従来方法と比較して経
時的な表面変化発生率が小さく、デバイス工程での歩留
りが向上する。なお、これら図において、黒丸は本願発
明の結果を、白丸は従来法の結果を示す。
【００１５】本願第２の発明たる乾燥装置は、本願乾燥
方法を実施するのに適したものであって、保管ケース１
２を室本体１１内において連続して加熱処理し乾燥処理
することができる。
方法を実施するのに適したものであって、保管ケース１
２を室本体１１内において連続して加熱処理し乾燥処理
することができる。
【図１】本願発明装置の一実施例を示す断面図。
【図２】処理時間とケース重量との関係図（本発明によ
る場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
る場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
【図３】処理時間と経時変化発生率との関係図（本発明
による場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
による場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
【図４】Ｓｉウエーハの経時変化の態様図。
【図５】従来装置を例示する断面図。
１１ 室本体 １２ 保管ケース １４ ヒータ １８ 吸気ポンプ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方
法及び乾燥装置
法及び乾燥装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本願の発明は、鏡面加工及び薬液
洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法及び
乾燥装置に関する。
洗浄後のＳｉウエーハを保管するケースの乾燥方法及び
乾燥装置に関する。
【従来の技術】Ｓｉウエーハは、通常、鏡面加工及び薬
液洗浄後、保管ケースに収納される。上記保管ケースに
収められるＳｉウエーハの表面はきわめて活性であり、
長期間の保管の場合、保管状態によっては、経時的な表
面変化を起こし、該経時的な表面変化がデバイス工程で
の歩留りを低下させる原因となる。上記経時的な表面変
化を起こさせる物質として各種イオンが上げられ、ま
た、水分が経時的な表面変化の促進剤として働くことが
知られている。そこで、従来から上記保管ケースは、そ
の使用の前に乾燥処理されている。具体的には、図５に
示すように、扉２から保管ケース３を常圧の室本体１内
に入れ、上記扉を閉めてヒータ４により所定時間保管ケ
ース３を加熱している。図中、５はファンを示す。
液洗浄後、保管ケースに収納される。上記保管ケースに
収められるＳｉウエーハの表面はきわめて活性であり、
長期間の保管の場合、保管状態によっては、経時的な表
面変化を起こし、該経時的な表面変化がデバイス工程で
の歩留りを低下させる原因となる。上記経時的な表面変
化を起こさせる物質として各種イオンが上げられ、ま
た、水分が経時的な表面変化の促進剤として働くことが
知られている。そこで、従来から上記保管ケースは、そ
の使用の前に乾燥処理されている。具体的には、図５に
示すように、扉２から保管ケース３を常圧の室本体１内
に入れ、上記扉を閉めてヒータ４により所定時間保管ケ
ース３を加熱している。図中、５はファンを示す。
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の乾
燥処理が施された保管ケース３では、該保管ケース３に
収められたＳｉウエーハ６に、図４に示すような経時変
化発生部７が、かなりの割合で生じる。本願発明者は、
その原因を探るべく、経時的な表面変化を起こしたＳｉ
ウエーハと経時的な表面変化を起こさなかったＳｉウエ
ーハとを対比調査したところ、水分はもとより経時的な
表面変化を起こしたＳｉウエーハの有機物評価値が、経
時的な表面変化を起こさなかったＳｉウエーハのそれに
比して高いことが判明した。上記経時的な表面変化を起
こさせる有機物は、Ｓｉウエーハに付着していたものと
保管ケースに付着していたものとの双方が考えられる
が、少なくとも、保管ケースに付着していた水分及び有
機物を取り除けばその分だけ経時的な表面変化発生率が
小さくなるはずである。本願発明は、このような観点に
立ってより経時的な表面変化発生率の小さいＳｉウエー
ハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置を提供する目的で
なされた。
燥処理が施された保管ケース３では、該保管ケース３に
収められたＳｉウエーハ６に、図４に示すような経時変
化発生部７が、かなりの割合で生じる。本願発明者は、
その原因を探るべく、経時的な表面変化を起こしたＳｉ
ウエーハと経時的な表面変化を起こさなかったＳｉウエ
ーハとを対比調査したところ、水分はもとより経時的な
表面変化を起こしたＳｉウエーハの有機物評価値が、経
時的な表面変化を起こさなかったＳｉウエーハのそれに
比して高いことが判明した。上記経時的な表面変化を起
こさせる有機物は、Ｓｉウエーハに付着していたものと
保管ケースに付着していたものとの双方が考えられる
が、少なくとも、保管ケースに付着していた水分及び有
機物を取り除けばその分だけ経時的な表面変化発生率が
小さくなるはずである。本願発明は、このような観点に
立ってより経時的な表面変化発生率の小さいＳｉウエー
ハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置を提供する目的で
なされた。
【課題を解決するための手段】すなわち、本願第１の発
明たる乾燥方法は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエ
ーハを保管するケースの乾燥方法であって、前記保管ケ
ースを、真空度１３０〜１３０００Ｐａ（パスカル：Ｎ
／ｍ2，１３０Ｐａ＝１Ｔｏｒｒ）の不活性ガスの雰囲
気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとして所定時
間加熱するものであり、また、本願第２の発明たる乾燥
装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管
するケースの乾燥装置であって、保管ケースを収納する
気密保持可能な室本体と、該室本体に接続された吸気ポ
ンプと、上記室本体内の温度を調整するヒータとからな
る。ここで、真空度１３０〜１３０００Ｐａ（１〜１０
０Ｔｏｒｒ）としたのは、実用的室本体の真空下限が１
３０Ｐａであり、更に、真空度が１３０００Ｐａを超え
ると沸点の変化が大きくなり不安定となるからである。
また、乾燥温度を４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとしたのは、４０
゜Ｃを下ると乾燥効果が減少し、８０゜Ｃを超えると保
管ケースに変形を生じる可能性が存するからである。
明たる乾燥方法は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエ
ーハを保管するケースの乾燥方法であって、前記保管ケ
ースを、真空度１３０〜１３０００Ｐａ（パスカル：Ｎ
／ｍ2，１３０Ｐａ＝１Ｔｏｒｒ）の不活性ガスの雰囲
気中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとして所定時
間加熱するものであり、また、本願第２の発明たる乾燥
装置は、鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエーハを保管
するケースの乾燥装置であって、保管ケースを収納する
気密保持可能な室本体と、該室本体に接続された吸気ポ
ンプと、上記室本体内の温度を調整するヒータとからな
る。ここで、真空度１３０〜１３０００Ｐａ（１〜１０
０Ｔｏｒｒ）としたのは、実用的室本体の真空下限が１
３０Ｐａであり、更に、真空度が１３０００Ｐａを超え
ると沸点の変化が大きくなり不安定となるからである。
また、乾燥温度を４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとしたのは、４０
゜Ｃを下ると乾燥効果が減少し、８０゜Ｃを超えると保
管ケースに変形を生じる可能性が存するからである。
【作用】本願第１の発明たる乾燥方法によれば、加熱真
空処理によって水分及び有機物が取り除かれる。本願第
２の発明たる乾燥装置によれば、保管ケースを一つの室
本体内で加熱処理し負圧（真空処理）による水分及び有
機物除去処理がなされる。
空処理によって水分及び有機物が取り除かれる。本願第
２の発明たる乾燥装置によれば、保管ケースを一つの室
本体内で加熱処理し負圧（真空処理）による水分及び有
機物除去処理がなされる。
【実施例】以下、本願発明を図１ないし図３に基づき説
明する。図１は、本願発明装置（請求項２）の一実施例
を示す断面図あって、１１は保管ケース１２を収める気
密保持可能な室本体である。１３は上記室本体１１内に
設けられた扉である。１４は上記室本体１１に付設され
たヒータであって、本実施例では熱効率を考慮してパネ
ルヒータが採用されている。１５は上記室本体１１内の
温度を検知する温度センサである。また、上記室本体１
１には、真空バルブ１６、排気量調整弁２０を介して吸
気ポンプ１８が接続されている。１９はガスパージバル
ブ、１７は圧力センサを示す。次に、上記乾燥装置を用
いた本願の第１発明たる乾燥方法について具体的に説明
する。まず、扉１３を開けて洗浄された保管ケース１２
を上記室本体１１内に収め、ヒータ１４で室本体１１内
の温度を６０゜Ｃとなし、この状態を数十分間維持して
保管ケース１２を加熱させた。上記実施例ではヒータ１
４がパネルヒータであるため、保管ケース１２が室本体
１１の内壁を伝わってくる伝播熱で加熱される。上記乾
燥処理の終った保管ケース１２を真空度６５００Ｐａ
（５０Ｔｏｒｒ）でオーブン処理（負圧で一定時間加熱
すること）した。すなわち、まず、保管ケース１２を上
記室本体１１内に収めたまま、上記真空バルブ１６を開
にして室本体１１内を６５００Ｐａにまで減圧した。こ
の場合において、室本体１１の急激な空気排出は、室本
体１１の急激な温度低下を招き水分の再付着を生ずる虞
があるため、少なくとも室本体１１の温度を常温以上に
保つように排気量調整弁２０を調節操作する。この真空
オーブン処理によって、室本体１１内水分を含んだ空気
が外部に排出されると同時に保管ケース１２に付着して
いる有機物も上記空気とともに外部に吸引排出される。
そしてその後、ガスバージバルブ１９を開にしてアルゴ
ンガス（その他例えば窒素ガス、ドライエアー等）を室
本体１１内に封入し、室本体１１内を常圧にまで戻し
た。
明する。図１は、本願発明装置（請求項２）の一実施例
を示す断面図あって、１１は保管ケース１２を収める気
密保持可能な室本体である。１３は上記室本体１１内に
設けられた扉である。１４は上記室本体１１に付設され
たヒータであって、本実施例では熱効率を考慮してパネ
ルヒータが採用されている。１５は上記室本体１１内の
温度を検知する温度センサである。また、上記室本体１
１には、真空バルブ１６、排気量調整弁２０を介して吸
気ポンプ１８が接続されている。１９はガスパージバル
ブ、１７は圧力センサを示す。次に、上記乾燥装置を用
いた本願の第１発明たる乾燥方法について具体的に説明
する。まず、扉１３を開けて洗浄された保管ケース１２
を上記室本体１１内に収め、ヒータ１４で室本体１１内
の温度を６０゜Ｃとなし、この状態を数十分間維持して
保管ケース１２を加熱させた。上記実施例ではヒータ１
４がパネルヒータであるため、保管ケース１２が室本体
１１の内壁を伝わってくる伝播熱で加熱される。上記乾
燥処理の終った保管ケース１２を真空度６５００Ｐａ
（５０Ｔｏｒｒ）でオーブン処理（負圧で一定時間加熱
すること）した。すなわち、まず、保管ケース１２を上
記室本体１１内に収めたまま、上記真空バルブ１６を開
にして室本体１１内を６５００Ｐａにまで減圧した。こ
の場合において、室本体１１の急激な空気排出は、室本
体１１の急激な温度低下を招き水分の再付着を生ずる虞
があるため、少なくとも室本体１１の温度を常温以上に
保つように排気量調整弁２０を調節操作する。この真空
オーブン処理によって、室本体１１内水分を含んだ空気
が外部に排出されると同時に保管ケース１２に付着して
いる有機物も上記空気とともに外部に吸引排出される。
そしてその後、ガスバージバルブ１９を開にしてアルゴ
ンガス（その他例えば窒素ガス、ドライエアー等）を室
本体１１内に封入し、室本体１１内を常圧にまで戻し
た。
【効果】上述した本願の第１発明たる乾燥方法によれ
ば、図２に示すように、従来方法に比し水分の除去率が
良く、また、図３に示すように、従来方法と比較して経
時的な表面変化発生率が小さく、デバイス工程での歩留
りが向上する。なお、これら図において、黒丸は本願発
明の結果を、白丸は従来法の結果を示す。本願第２の発
明たる乾燥装置は、本願乾燥方法を実施するのに適した
ものであって、保管ケース１２を室本体１１内において
連続して加熱処理し乾燥処理することができる。
ば、図２に示すように、従来方法に比し水分の除去率が
良く、また、図３に示すように、従来方法と比較して経
時的な表面変化発生率が小さく、デバイス工程での歩留
りが向上する。なお、これら図において、黒丸は本願発
明の結果を、白丸は従来法の結果を示す。本願第２の発
明たる乾燥装置は、本願乾燥方法を実施するのに適した
ものであって、保管ケース１２を室本体１１内において
連続して加熱処理し乾燥処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明装置の一実施例を示す断面図。
【図２】処理時間とケース重量との関係図（本発明によ
る場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
る場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
【図３】処理時間と経時変化発生率との関係図（本発明
による場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
による場合は黒丸、従来法による場合は白丸で示す）。
【図４】Ｓｉウエーハの経時変化の態様図。
【図５】従来装置を例示する断面図。
【符号の説明】 １１ 室本体 １２ 保管ケース １４ ヒータ １８ 吸気ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエー
ハを保管するケースの乾燥方法であって、前記保管ケー
スを、真空度１〜１００Ｔｏｒｒの不活性ガスの雰囲気
中で、該ガスを温度４０゜Ｃ〜８０゜Ｃとして所定時間
加熱することを特徴とするＳｉウエーハ保管ケースの乾
燥方法。 - 【請求項２】 鏡面加工及び薬液洗浄後のＳｉウエー
ハを保管するケースの乾燥装置であって、保管ケースを
収納する気密保持可能な室本体と、前記室本体に接続さ
れた吸気ポンプと、前記室本体内の温度を調整するヒー
タとからなることを特徴とするＳｉウエーハ保管ケース
の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23112092A JPH0684877A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23112092A JPH0684877A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684877A true JPH0684877A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16918604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23112092A Pending JPH0684877A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684877A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669591B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-01-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 가열로, 기판 건조 방법 및 장치의 제조 방법 |
| JP2011222630A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2013070097A (ja) * | 2007-08-13 | 2013-04-18 | Alcatel-Lucent | 半導体基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法、ならびにそのような方法を実施するための処理ステーション |
| TWI681469B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-01-01 | 創意電子股份有限公司 | 烘乾設備 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23112092A patent/JPH0684877A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669591B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2007-01-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 가열로, 기판 건조 방법 및 장치의 제조 방법 |
| JP2013070097A (ja) * | 2007-08-13 | 2013-04-18 | Alcatel-Lucent | 半導体基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法、ならびにそのような方法を実施するための処理ステーション |
| US8898930B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-12-02 | Alcatel Lucent | Method for treating a transport support for the conveyance and atmospheric storage of semiconductor substrates, and treatment station for the implementation of such a method |
| JP2011222630A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法 |
| TWI681469B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-01-01 | 創意電子股份有限公司 | 烘乾設備 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5759287A (en) | Method of purging and passivating a semiconductor processing chamber | |
| JP2009506551A (ja) | パルス式エッチング冷却 | |
| JPH0684877A (ja) | Ｓｉウエーハ保管ケースの乾燥方法及び乾燥装置 | |
| JPS63302521A (ja) | 半導体基板の乾燥装置 | |
| JPH10233389A (ja) | 半導体処理装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP3440685B2 (ja) | ウエハ処理装置および処理方法 | |
| JPH10318676A (ja) | 熱処理炉 | |
| TWI669771B (zh) | 用來處理用於基板的輸送及大氣儲存的塑膠搬運盒之方法及工作站 | |
| JPH09148255A (ja) | 反応容器内のクリーニング方法 | |
| JPH10173025A (ja) | 半導体製造装置のロードロック室 | |
| JP2657254B2 (ja) | 処理装置及びその排気方法 | |
| JP3336108B2 (ja) | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 | |
| JP7572124B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH1147668A (ja) | 基板乾燥装置 | |
| JPH01189910A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0693427A (ja) | 真空成膜方法 | |
| JP3328853B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2976314B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3446352B2 (ja) | 真空予備室の真空排気方法 | |
| JPH0528943A (ja) | 真空装置 | |
| JPH04349929A (ja) | 真空装置 | |
| JPS6167919A (ja) | 基板後処理装置 | |
| JP2002367952A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH0992589A (ja) | 真空装置及び真空排気方法 | |
| JPS6173334A (ja) | 処理装置 |