KR100809126B1 - 피처리체 처리 장치 - Google Patents

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KR100809126B1
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동경 엘렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 복수의 프로세스를 효율적으로 실행할 수 있는 피처리체 처리 장치에 관한 것이다. 복수의 처리 시스템은 종렬로 함께 연통가능하게 연결되고, 이 시스템에서 피처리체가 처리된다. 로드 로크 시스템은 처리 시스템에 연통가능하게 연결되고 피처리체를 각각의 처리 시스템 사이에서 반입 반출하는 반송 기구를 갖는다. 적어도 하나의 처리 시스템은 진공 처리 시스템이고, 로드 로크 시스템은 처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치된다.

Description

피처리체 처리 장치{PROCESSED OBJECT PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도,
도 2는 도 1의 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 측면도,
도 3a 및 도 3b는 도 1의 진공 처리 장치에 있어서 피처리체의 반송 시퀀스의 전반을 도시한 도면,
도 4a 및 도 4b는 도 3a 및 도 3b에 도시한 반송 시퀀스에 이은 후반을 도시한 도면,
도 5는 도 1의 진공 처리 장치의 압력 조정에 있어서 타이밍 차트를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도,
도 7은 도 6의 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 측면도,
도 8a 및 도 8b는 도 6의 진공 처리 장치에 있어서 피처리체의 반송 시퀀스를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 제 1 진공 처리실(COR 처리 장치) 12, 32 : 피처리체 유지기
13, 33, 53 : 기스 공급계
14, 34 : 배기계 압력 제어 밸브
20, 40, 60, 611, 614, 627 : 연결 유닛 2 : 제 1 플레이트
21, 41, 612, 615 : 단열 유닛
30 : 제 2 진공 처리실(열처리실)
본 발명은 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치, 피처리체 처리 방법, 압력 제어 방법, 피처리체 반송 방법 및 반송 장치에 관한 것으로, 특히 드라이 에칭(dry etching) 및 웨트 에칭(wet etching)을 대신한 COR(화학적 산화물 제거; Chemical 0xide Removal) 처리나 CVD(화학적 증착; Chemical Vapor Deposition) 처리를 실행하는 피처리체 처리 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 다수의 처리 시스템을 포함하는 피처리체 처리 장치, 그를 통해 피처리체를 반송하기 위한 피처리체 반송 방법 및 그를 통해 압력을 제어하기 위한 압력 제어 방법에 관한 것이다.
종래부터, 화학 반응을 이용한 박막의 형상 가공으로서 에칭이 있다. 보통, 에칭 공정은 리소그라피 공정과 세트를 형성하고, 리소그라피 공정에서는 레지스트 패턴을 형성하고, 에칭 공정에서는 형성된 레지스트 패턴을 따라 박막을 형상 가공한다.
에칭에는, 드라이 에칭과 웨트 에칭의 2종류가 있다. 드라이 에칭중에서 가장 일반적인 유형이 평행 평판형 반응성 이온 에칭(parallel plate reactive ion etching)이다. 이 평행 평판형 반응성 이온 에칭의 경우, 진공 처리 장치(피처리체 처리 장치)의 진공 처리실을 진공 상태로 하고, 상기 진공 처리실내에 피처리체인 웨이퍼를 넣고, 그 후에 에칭 가스를 진공 처리실내로 도입한다.
진공 처리실내에는 웨이퍼를 탑재하는 탑재대와, 이 탑재대의 웨이퍼 탑재면에 평행하게 대면한 상부 전극이 설치되어 있다. 탑재대에 고주파 전압을 가하 면, 에칭 가스는 플라즈마화한다. 이 플라즈마중에는 정(正)·부(負)의 이온이나 전자 등의 하전 입자, 에칭종인 중성 활성종 등이 분산된 상태로 존재하고 있다. 에칭종이 웨이퍼 표면의 박막에 흡착되면, 웨이퍼 표면에서 화학 반응이 일어나고, 생성물은 웨이퍼 표면에서 이탈하여 진공 처리실의 외부로 배기되어, 에칭이 진행한다. 더욱이, 조건에 따라서는 웨이퍼 표면에 에칭종이 스퍼터링되어 물리적 반응에 의해 에칭이 진행한다.
이 때, 고주파 전계가 웨이퍼 표면에 수직으로 인가되기 때문에 에칭종(라디칼)도 웨이퍼 표면에 수직한 방향으로 운동을 한다. 따라서, 에칭은 웨이퍼 표면에 수직한 방향으로 진행하고, 웨이퍼 표면상을 등방적으로 진행하지는 않는다. 즉, 에칭은 웨이퍼 표면상을 가로질러 측방향으로 퍼지지 않는다. 이 때문에, 드라이 에칭은 미세 가공에 적합하다.
그러나, 드라이 에칭에서는, 레지스트 패턴대로의 고정밀도 미세 가공을 실 행하기 위해서, 피에칭재와 레지스트재의 에칭 속도의 비를 크게 취하여, 결정 결함의 발생이나 불순물 오염 등에 의한 에칭 손상에 주의할 필요가 있다.
한편, 웨트 에칭의 경우, 약액(藥液)이 유입된 에칭조에 웨이퍼를 침지하는 딥핑(dipping)식과, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 약액을 스프레이하는 스피닝(spinning)식이 있다. 어떠한 경우에도, 에칭은 등방적으로 진행하기 때문에 측방향으로 발생한다. 이 때문에, 웨트 에칭은 미세 가공에는 이용할 수 없다. 단, 박막을 전면적으로 제거하는 등의 공정에서는 현재도 이용되고 있다.
더욱이, 화학반응을 이용한 박막의 형성법의 예에는 CVD(Chemical Vapor Deposition: 화학적 증착)법이 있다. CVD법에는, 2종 이상의 반응 가스가 기상중, 혹은 웨이퍼의 표면 근방 등에서 반응하고, 상기 반응에 의해서 생성된 생성물이 웨이퍼 표면에 박막으로서 형성된다. 이 때, 웨이퍼가 가열되고, 상기 가열된 웨이퍼로부터의 열복사에 의해서 반응 가스로 활성화 에너지가 공급되어 상술한 반응 가스의 반응이 여기된다.
종래, 평면 패널 디스플레이 등을 위한 집적 회로 및 다른 전자 소자의 제조에 있어서, 상술된 CVD 처리를 포함하는 성막 처리, 산화 처리, 확산 처리, 상술된 형상 가공을 위한 에칭 처리, 어닐링 처리 등의 각종 처리를 수행하기 위해, 진공 처리 장치가 이용되어 왔다. 진공 처리 장치는 통상 적어도 하나의 로드 로크실과, 적어도 하나의 반송실과, 적어도 하나의 처리실을 구비하고 있다. 이와 같은 진공 처리 장치는 적어도 2개의 타입이 공지되어 있다.
1개의 타입은 멀티 챔버형 진공 처리 장치이다. 이 진공 처리 장치는 3개 내지 6개의 진공 처리실로서의 프로세스 챔버와, 이들 각 프로세스 챔버에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 반입·반출하는 반송 기구를 구비한 진공 예비실(로드 로크실)과, 각 프로세스 챔버 및 로드 로크실이 주위에 배치되고, 프로세스 챔버 및 로드 로크실과 게이트 밸브를 거쳐 기밀하게 연통하는 복수개의 접속구를 주변 벽에 갖는 다각형 반송실과, 이 반송실내에 설치된 선회 및 신축가능한 반송 아암으로 구성되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제 1996-46013 호 공보 참조).
또한, 다른 타입은 직렬형 챔버를 구비한 진공 처리 장치이다. 이 진공 처리 장치는, 반도체 웨이퍼를 에칭 처리하는 진공 처리실과, 이 진공 처리실과의 사이에서 웨이퍼의 교환을 수행하기 위한 반송 수단으로서 스칼라형 싱글 픽 타입(scalar type single pick type) 또는 스칼라형 트윈 픽 타입(scalar type twin pick type)의 반송 아암을 내장한 로드 로크실을 구비하고 있다. 즉, 진공 처리실과 반송 아암을 내장한 로드 로크실이 1개의 모듈로서 되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제 2001-53131 호 공보 및 일본 특허 공개 제 2000-150618 호 공보 참조).
상술한 어떠한 진공 처리 장치에 있어서도, 로드 로크실에서 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환이 실행되고, 웨이퍼 캐리어에 설정된 웨이퍼를 반송하는 로더와 진공 처리실 사이에서 원활한 웨이퍼의 반송을 실현한다.
에칭 처리의 경우, 어떠한 진공 처리 장치에 있어서도, 진공 처리실에 도입된 에칭 가스(반응 처리 가스)에 고주파 전압을 인가하는 것에 의해 반응 처리 가스를 플라즈마화하여, 에칭을 실행하였다. 이들 드라이 에칭은 에칭종(etching species)이 인가 전압에 의해 제어되므로 수직 이방성이 우수한 에칭 처리가 되고, 그에 따라 리소그라피의 요구 선폭에 일치한 에칭이 수행될 수 있다.
그러나, 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 새기는 포토리소그라피 공정에서의 미세 가공 기술의 개발이 진행되고 있으며, 포토리소그라피의 광원으로서 KrF 엑시머 레이저(excimer laser)(파장 248nm)의 자외선으로 노광하는 프로세스가 실용화되고, 또한 보다 짧은 파장(파장 193nm)의 ArF 엑시머 레이저를 사용한 프로세스도 실용화 과정에 있다. 또한, 2005년의 차세대 프로세스에 있어서는, F2 레이저(파장 157nm)를 이용한 포토리소그라피가 선폭 70nm이하의 미세 패턴을 형성할 수 있는 기술로서 가장 유력하게 되고 있다. 그러나, 내 드라이 에칭성(dry etching resistance)을 손상시키지 않고, 150nm 내지 200nm의 막두께로 선폭 65nm 이하의 1:1 라인 앤드 스페이스 미세 패턴화(1:1 line-and-space fine patterning)를 가능하게 하는 레지스트 재료가 개발되지는 않았지만, 종래의 레지스트 재료에 의해서는 외부 가스에 의한 입자 오염이라는 실용상의 문제가 발생하여, 이방성 드라이 에칭에 의한 미세 패턴화는 한계에 다다르고 있다.
이에 따라, 드라이 에칭 및 웨트 에칭 대신에 미세화 에칭 처리 방법으로서 COR(Chemical Oxide Removal)이 기대되고 있다. COR의 경우, 가스 분자가 화학 반응되어 생성물이 피처리체의 산화막에 부착되며, 그 후 웨이퍼를 가열하여 생성물을 제거함으로써 리소그라피 패턴의 선폭보다도 가는 선폭을 얻을 수 있다. 더욱이, COR은 완만한 이방성 에칭을 포함하며, 에칭 속도는 압력, 가스 농도, 가스 농도비, 처리 온도, 가스 유량, 가스 유량비 등의 변수에 의해 제어되고, 소정의 처 리 시간 이상으로 처리량이 포화함으로써 에칭이 종료한다. 이에 따라, 포화점을 제어함으로써 소망의 에칭 속도를 얻을 수 있다.
이러한 COR 처리는, 소스/드레인 확산 활성화 어닐링과, 후에 제거되고 또한 폴리 실리콘 게이트 영역으로 치환되는 더미 게이트 영역 직전에서 발생하는 금속 규소화를 갖는 다마신-게이트 프로세스(damascene-gate process)를 사용하고, 최소 두께의 다공지층, 금속 실리사이드층이 형성된 소스/드레인 접합부 및 매우 낮은 막 저항 폴리게이트를 포함하는 서브 0.1㎛의 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 장치의 제조에 적합하다(예컨대, 미국 특허 제 6,440,808 호 명세서 참조).
종래의 에칭 처리를 실행하는 진공 처리 장치에서는 복수의 처리를 보다 효율적으로 실행하는 것이 요구되고 있다. 또한, COR 처리나 CVD 처리를 실행하는 진공 처리 장치에 대하여도, 이들의 처리에서는 가열된 웨이퍼를 냉각하는 처리가 필요하기 때문에, 특히 복수의 처리를 보다 효율적으로 실행하는 것이 요구된다. 그러나, 종래의 진공 처리 장치에서는, 상기한 바와 같이, 로드 로크실에 있어서 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 실행하는 한편, 상기 로드 로크실이 반송 아암과 웨이퍼를 냉각하는 냉각 기구를 구비하기 때문에, 로드 로크실의 용적은 필연적으로 커지고, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환에 많은 시간을 필요로 한다. 또한, 로드 로크실내에 반입된 웨이퍼는 장시간, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환으로 인한 공기 대류에 노출되기 때문에, 상기 대류에 의해 날려 올라간 입자가 부착할 위험이 있다.
본 발명의 목적은 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있는 피처리체 처리 장치, 그의 피처리체 처리 방법, 압력 제어 방법, 피처리체 반송 방법 및 반송 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 실시예에는, 종렬로 함께 연통가능하게 연결되고, 상기 피처리체를 처리하는 복수의 처리 시스템과, 상기 처리 시스템과 연통가능하게 연결되고, 상기 피처리체를 상기 처리 시스템 각각의 사이에서 반출입하는 반송 기구를 구비한 로드 로크 시스템을 포함하며, 상기 처리 시스템중 적어도 하나는 진공 처리 시스템이며, 상기 로드 로크 시스템은 상기 처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치되는, 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치가 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 상기 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 시스템과, 상기 COR 처리 시스템과 종렬로 함께 연통가능하게 연결되고, 상기 피처리체에 다른 처리를 실시하는 적어도 하나의 진공 처리 시스템과, 상기 COR 처리 시스템 및 상기 적어도 하나의 처리 시스템과 연통하도록 연결되고, 상기 피처리체를 상기 COR 처리 시스템 및 상기 적어도 하나의 처리 시스템의 각각의 사이에서 반출입하는 반송 기구를 구비한 로드 로크 시스템을 포함하는, 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 적어도 하나의 진공 처리 시스템은 상기 COR 처리 시스템에 연결되는 열처리 시스템이며, 열처리는 상기 COR 처리가 실시된 피처리체상에 수행된다.
보다 바람직하게는, 상기 COR 처리 시스템 및 상기 열처리 시스템은 항상 진공 상태에 있다.
보다 바람직하게는, 상기 로드 로크 시스템은 상기 적어도 하나의 진공 처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 3 실시예에는, 로드 로크 시스템과, 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 시스템과, 상기 COR 처리가 실시된 피처리체상에 열처리를 실시하는 열처리 시스템과, 상기 로드 로크 시스템과 연통가능하게 연결된 대기 반송 모듈을 적어도 갖는 피처리체 처리 장치의 피처리체 처리 방법에 있어서, 제 1 피처리체를 상기 로드 로크 시스템에 반입하는 제 1 로드 로크 시스템 반입 단계와, 상기 제 1 로드 로크 시스템 반입 단계의 실행후에 상기 로드 로크 시스템을 진공 처리하는 제 1 진공 처리 단계와, 상기 제 1 진공 처리 단계에서의 진공 처리가 종료한 후에, 상기 제 1 피처리체를 상기 COR 처리 시스템에 반입하는 제 1 COR 처리 시스템 반입 단계와, 상기 제 1 피처리체로의 COR 처리를 개시하는 COR 처리 개시 단계와, 상기 제 1 피처리체상의 COR 처리 동안에 제 2 피처리체를 상기 로드 로크 시스템에 반입하는 제 2 로드 로크 시스템 반입 단계와, 상기 제 2 로드 로크 시스템 반입 단계의 실행후에 상기 로드 로크 시스템을 진공 처리하는 제 2 진공 처리 단계와, 상기 진공 처리 단계에서 진공 처리가 종료한 후에, 상기 제 1 피처리상에 COR 처리가 종료하고 나서 상기 제 1 피처리체를 상기 COR 처리 시스템으로부터 상기 열처리 시스템으로 이동시키는 제 1 이동 단계와, 상기 제 2 피처리체를 상기 로드 로크 시스템으로부터 상기 COR 처리 시스템으로 이동시키는 제 2 이동 단계와, 상기 COR 처리 시스템에서 상기 제 2 피처리체로의 COR 처리를 개시하고, 상기 열처리 시스템에서 상기 제 1 피처리체에 열처리를 개시하는 동시 처리 개시 단계와, 상기 제 1 피처리체로의 상기 열처리가 종료한 후에 상기 제 1 피처리체를 상기 열처리 시스템으로부터 상기 로드 로크 시스템으로 이동시키는 제 3 이동 단계와, 로드 로크 시스템과 상기 대기 반송 모듈을 서로 연통시켜 상기 로드 로크 시스템내의 상기 제 1 피처리체와 상기 대기 반송 모듈에서 대기하고 있는 제 3 피처리체를 교체하는 교체 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치의 피처리체 처리 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 4 실시예에는, 로드 로크 시스템과, 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 시스템과, 상기 COR 처리가 실시된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템과, 상기 피처리체를 상기 로드 로크 시스템의 사이에서 반출·반입하는 대기 반송 모듈을 적어도 갖는 피처리체 처리 장치의 압력 제어 방법에 있어서, 상기 열처리 시스템을 진공 처리중에, 상기 로드 로크 시스템을 대기압 상태에 배치하여 상기 COR 처리를 실시하지 않은 피처리체를 상기 대기 반송 모듈로부터 상기 로드 로크 시스템에 반입하는 반입 단계와, 상기 열처리 시스템의 진공 처리를 종료하고 상기 로드 로크 시스템을 설정 압력까지 진공 처리하는 로드 로크 시스템 진공 처리 단계와, 상기 로드 로크 시스템이 상기 설정 압력에 도달한 후, 상기 로드 로크 시스템의 진공 처리를 종료하고, 열처리 시스템내의 압력이 로드 로크 시스템내의 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 상기 열처리 시스템을 진공 처리하는 열처리 시스템 진공 처리 단계와, 상기 열처리 시스템내의 압력이 로드 로크 시스템내의 압력보다 낮은 조건이 만족된 후에, 상기 열처리 시스템을 계속 배기하면서 상기 로드 로크 시스템과 상기 열처리 시스템을 연통하는 제 1 연통 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치의 압력 제어 방법이 제공된다.
바람직하게는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압력 제어 방법은, 상기 제 1 연통 단계의 실행후에, 상기 열처리 시스템내의 압력을 모니터링하는 제 1 압력 모니터링 단계와, 열처리 시스템내의 압력이 COR 처리 시스템내의 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 상기 열처리 시스템를 계속 배기하면서 상기 COR 처리 시스템을 배기하는 COR 처리 시스템 배기 단계와, 상기 열처리 시스템내의 압력이 상기 COR 처리 시스템내의 압력보다 낮은 조건이 만족된 시점에서, 상기 COR 처리 시스템의 배기를 종료하고, 상기 열처리 시스템을 계속 배기하면서 상기 열처리 시스템과 상기 COR 처리 시스템을 연통하는 제 2 연통 단계를 더 포함한다.
보다 바람직하게는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압력 제어 방법은, 상기 제 2 연통 단계의 실행후에, 상기 로드 로크 시스템 및 상기 COR 처리 시스템내로 유체를 유입시키는 유입 단계를 더 포함한다.
보다 바람직하게는, 상기 로드 로크 시스템으로부터 상기 열처리 시스템내로의 유체의 유량과, 상기 COR 처리 시스템으로부터 상기 열처리 시스템내로의 유체의 유량이 서로 동일하다.
또한 바람직하게는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 압력 제어 방법은, 상기 COR 처리를 실시한 피처리체를 상기 COR 처리 시스템으로부터 반출한 후에, 상기 열처리 시스템 및 상기 COR 처리 시스템을 배기하여 상기 COR 처리 시스템내의 압력을 ESC 잔류 전하 제거를 위한 제전 압력으로 설정하는 배기 단계를 더 포함한다.
상기 목적을 달성하게 위하여, 본 발명의 제 5 실시예에는, 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 시스템과, 상기 COR 처리가 실시된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템을 적어도 갖는 피처리체 처리 장치의 압력 제어 방법에 있어서, 상기 열처리 시스템을 배기하면서 상기 열처리 시스템내의 압력을 모니터링하는 압력 모니터링 단계와, 상기 열처리 시스템내의 압력이 상기 COR 처리 시스템내의 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 상기 COR 처리 시스템을 배기하는 COR 처리 시스템 배기 단계와, 상기 열처리 시스템내의 압력이 COR 처리 시스템내의 압력보다 낮은 조건이 만족된 시점에서, 상기 COR 처리 시스템의 배기를 종료하고, 상기 열처리 시스템과 상기 COR 처리 시스템을 연통하는 연통 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치의 압력 제어 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 6 실시예에는, 상기 피처리체에 제 1 처리를 실시하는 제 1 처리 시스템과, 상기 제 1 처리 시스템과 연통가능하게 연결되고, 상기 피처리체에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 시스템과, 상기 제 1 처리 시스템과 제 2 처리 시스템 사이에 개재되고, 상기 제 1 처리 시스템 및 상기 제 2 처리 시스템 각각과 연통가능하게 연결되며, 상기 피처리체를 상기 제 1 처리 시스템 및 상기 제 2 처리 시스템 각각의 사이에서 반출입하는 반송 기구를 갖는 로드 로크 시스템을 포함하는, 피처리체 처리하는 피처리체 처리 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 제 2 처리 시스템은 상기 제 1 처리가 실시된 피처리체에 냉각 처리를 실시하는 냉각 처리 시스템이다.
보다 바람직하게는, 상기 제 1 처리 시스템은 항상 진공 상태에 있고, 상기 제 2 처리 시스템은 항상 대기압 상태에 있다.
또한 바람직하게는, 상기 로드 로크 시스템은 상기 제 1 처리 시스템 및 상기 제 2 처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 7 실시예에는, 진공 처리가 실시된 피처리체에 냉각 처리를 실시하는 대기 처리 시스템과, 대기 반송 모듈을 적어도 갖는 피처리체 처리 장치의 피처리체 처리 방법에 있어서, 피처리체를 상기 대기 반송 모듈로부터 상기 로드 로크 시스템에 반입하는 로드 로크 시스템 반입 단계와, 상기 로드 로크 시스템 반입 단계의 실행후에 상기 로드 로크 시스템을 진공 처리하는 제 1 진공/대기압의 전환 단계와, 상기 제 1 진공/대기압의 전환 단계의 실행후에, 상기 피처리체를 상기 진공 처리 시스템에 반입하는 진공 처리 시스템 반입 단계와, 상기 진공 처리 시스템에 반입된 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리 단계와, 상기 진공 처리가 실시된 피처리체를 상기 로드 로크 시스템에 반출하는 로드 로크 시스템 반출 단계와, 상기 로드 로크 시스템 반출 단계의 실행후에 상기 로드 로크 시스템의 내부를 대기로 개방하는 제 2 진공/대기압의 전환 단계와, 상기 피처리체를 상기 로드 로크 시스템으로부터 상기 대기 처리 시스템에 반출하는 대기 처리 시스템 반출 단계와, 상기 대기 처리 시스템에 반출된 피 처리체에 냉각 처리를 실시하는 대기 처리 단계와, 상기 냉각 처리가 실시된 피처리체를 상기 대기 반송 모듈에 반출하는 대기반송 모듈 반출 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치의 피처리체 처리 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 8 실시예에는, 피처리체를 반송하는 반송 수단을 갖는 로드 로크 시스템과, 상기 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리 시스템과, 상기 진공 처리를가 실시된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템과, 상기 로드 로크 시스템과 연통가능하게 연결된 대기 반송 모듈을 적어도 갖는 피처리체 처리 장치에 있어서의 상기 반송 수단의 피처리체 반송 방법에 있어서, 피처리체를 상기 로드 로크 시스템에 반입하는 로드 로크 시스템 반입 단계와, 상기 로드 로크 시스템 반입 단계의 실행후에 상기 로드 로크 시스템을 진공 처리하는 진공 처리 단계와, 상기 진공 처리 단계에서의 진공 처리가 종료한 후에, 상기 피처리체를 상기 진공 처리 시스템에 반입하는 진공 처리 시스템 반입 단계와, 상기 진공 처리 시스템 반입 단계의 실행후에, 상기 진공 처리를 개시하는 진공 처리 개시 단계와, 상기 진공 처리가 종료한 후에, 상기 피처리체를 상기 진공 처리 시스템으로부터 상기 열처리 시스템내로 이동시키는 제 1 이동 단계와, 상기 열처리 시스템에서 열처리를 개시하는 열처리 개시 단계와, 상기 열처리가 종료한 후에, 상기 피처리체를 상기 열처리 시스템으로부터 상기 로드 로크 시스템내로 이동시키는 제 2 이동 단계와, 상기 로드 로크 시스템과 상기 대기 반송 모듈을 서로 연통시켜, 상기 피처리체를 상기 대기 반송 모듈에 반출하는 대기 반송 모듈 반출 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치내의 반송 수단용 피처리체 반송 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 9 실시예에는, 제 1 탑재대를 갖고, 상기 제 1 탑재대에 탑재된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템과, 제 2 탑재대를 갖고, 상기 제 2 탑재대에 탑재된 상기 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리 시스템과, 상기 열처리 시스템 및 상기 진공 처리 시스템과 연통하도록 배치되고 또한 상기 피처리체를 반송하는 반송 수단을 갖는 로드 로크 시스템과, 상기 반송 수단을 제어하는 제어 장치를 구비하고, 상기 반송 수단이 상기 피처리체를 유지하는 동시에 상기 열처리 시스템 및 상기 진공 처리 시스템내를 자유롭게 이동가능한 피처리체 유지부를 갖고, 상기 피처리체 유지부가 상기 피처리체의 존재 유무에 관한 정보를 검지하는 제 1 검지 수단을 갖고, 상기 제 1 및 제 2 탑재대중 적어도 하나가 상기 피처리체의 존재 유무에 관한 정보를 검지하는 제 2 검지 수단을 갖고, 상기 제어 장치가 상기 검지된 정보에 기초하여 상기 피처리체의 위치를 검출하는, 피처리체 처리 장치에 있어서의 상기 반송 수단의 피처리체 반송 방법에 있어서, 초기 위치에서의 상기 피처리체의 중심과 상기 제 1 및 제 2 탑재대중 한쪽의 중심 사이의 제 1 상대적인 위치 관계를 검출하는 제 1 위치 관계 검출 단계와, 상기 검출된 제 1 상대적인 위치 관계에 기초하여 상기 피처리체의 반송 경로를 결정하고, 상기 결정된 반송 경로를 따라 상기 피처리체를 반송하는 반송 단계와, 상기 제 1 및 제 2 탑재대중 한쪽에 반송된 상기 피처리체의 중심과 상기 초기 위치에서의 상기 피처리체의 중심 사이의 제 2 상대적인 위치 관계를 검출하는 제 2 위치 관계 검출 단계와, 상기 제 1 및 제 2 상대적인 위치 관계의 차 이에 기초하여 상기 피처리체의 위치를 보정하는 위치 보정 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치내의 반송 수단용 피처리체 반송 방법이 제공된다.
바람직하게는, 본 발명의 제 9 실시예에 따른 피처리체 반송 방법은, 위치 보정이 실시된 피처리체의 기준면의 위치를 소정의 위치와 맞추도록 상기 피처리체 유지부가 상기 피처리체를 유지하면서 회전하는 피처리체 유지부 회전 단계를 더 포함한다.
보다 바람직하게는, 상기 초기 위치에서의 상기 피처리체의 중심은 반송전의 상기 로드 로크 시스템에 있어서의 상기 피처리체의 중심이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 10 실시예에는, 제 1 탑재대를 갖고, 상기 제 1 탑재대에 탑재된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템에 연통가능하게 연결되는 동시에, 제 2 탑재대를 갖고, 상기 제 2 탑재대에 탑재된 상기 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리 시스템에 상기 열처리 시스템을 거쳐서 연통가능하게 연결되고, 상기 피처리체를 반송하는 반송 수단을 갖는 로드 로크 시스템을 구비하고, 상기 반송 수단은, 적어도 2개의 아암형상 부재를 포함하고 상기 아암형상 부재가 그 각각의 일단부에서 서로 회전가능하게 접속되는 반송 아암과, 한쪽의 상기 아암형상 부재에 있어서의 타단부에 접속되고, 상기 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부를 갖는 피처리체 처리 장치에 있어서의 상기 반송 수단의 피처리체 반송 방법에 있어서, 상기 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 상기 타단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 상기 피처리체 유지부를 회전시키고, 상기 한쪽의 아암형상 부재의 상기 일단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 상기 한쪽의 아암형상 부재를 회전시키고, 또한 상기 다른 아암형상 부재의 타단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 다른 아암형상 부재를 회전시키는 피처리체 이동 단계를 포함하는, 피처리체 처리 장치내의 반송 수단용 피처리체 반송 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 피처리체 이동 단계에서는, 상기 제 1 및 제 2 탑재대의 배열방향을 따라 상기 피처리체를 이동시키기 위해 상기 아암형상 부재 및 상기 피처리체 유지부가 서로 협동하여 회전되는 피처리체 반송 방법이 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 11 실시예에는, 제 1 탑재대를 갖고, 상기 제 1 탑재대에 탑재된 피처리체에 열처리를 실시하는 열처리 시스템에 연통가능하게 연결되는 동시에, 제 2 탑재대를 갖고, 상기 제 2 탑재대에 탑재된 상기 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리 시스템에 상기 열처리 시스템을 거쳐서 연통가능하게 연결되는 로드 로크 시스템에 설치되는 반송 장치에 있어서, 적어도 2개의 아암형상 부재를 포함하고, 상기 아암형상 부재가 그 각각의 일단부에서 서로 회전가능하게 접속되는 반송 아암과, 한쪽의 상기 아암형상 부재에 있어서의 타단부에 접속되고 또한 상기 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부와, 상기 피처리체 유지부가 상기 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 상기 타단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전되도록 배치되며, 상기 한쪽의 아암형상 부재가 상기 한쪽의 아암형상 부재의 상기 일단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전되도록 배치되고, 또한 다른 아암형상 부재가 상기 다른 아암형상 부재의 타단부를 중심으로 하여 상기 피처리체의 표 면과 평행한 평면내에서 회전되도록 배치되는, 반송 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 제 1 및 제 2 탑재대의 배열방향을 따라 상기 피처리체를 이동시키기 위해 상기 아암형상 부재 및 상기 피처리체 유지부가 서로 협동하여 회전되도록 배치된다.
본 발명의 상기 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부한 도면과 함께 취해진 상세한 설명으로부터 보다 명백하게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하는 도면을 참조하면서 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 1에 있어서, 진공 처리 장치(100)는 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 처리하는 제 1 진공 처리실(10)과, 이 제 1 진공 처리실(10)과 연통가능하고 종렬로 연결되어 피처리체를 처리하는 제 2 진공 처리실(30)과, 제 1 진공 처리실(10)과 제 2 진공 처리실(30)과 종렬을 이루는 위치에서 제 2 진공 처리실(30)에 연통가능하게 연결된 로드 로크실(50)과, 로드 로크실(50)에 연통가능하게 연결된 대기 반송 모듈(Loader Module)(70)을 구비하고 있다.
제 1 진공 처리실(10)의 내부에는 처리시에 피처리체를 탑재해 두는 탑재대(11) 및 피처리체의 교환을 위한 피처리체 유지기(12)가 설치되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 진공 처리실(10)의 상부에는 N2 가스 등을 공급하는 가스 공급계(13)가 접속되어 있고, 하부에는 배기계 압력 제어 밸브(14)가 부착되어 있다. 또한, 제 1 진공 처리실(10)에는 실내의 압력을 측정하기 위한 압력 측정기(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
이 제 1 진공 처리실(10)의 측벽에는 피처리체를 반입 반출하기 위한 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 제 1 반송구(도시하지 않음)가 제 2 진공 처리실(30)에도 형성되어 있다. 반송구가 형성된 제 1 진공 처리실(10)의 부분과 제 1 반송구가 형성된 제 2 진공 처리실(30)의 부분은 연결 유닛(20)에 의해서 서로 연결되어 있다. 이 연결 유닛(20)은 제 1 진공 처리실(10)과 제 2 진공 처리실(30)의 내부를 주위 대기로부터 격리하는 게이트 밸브(21)나 단열 유닛(22)을 구비하고 있다.
제 2 진공 처리실(30)내에는 처리시에 피처리체를 탑재해 두는 탑재대(31) 및 피처리체의 교환을 위한 피처리체 유지기(32)가 설치되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제 2 진공 처리실(30)의 상부에는 N2 가스 등을 공급하는 가스 공급계(33)가 접속되어 있고, 하부에는 배기계 압력 제어 밸브(34)가 부착되어 있다. 또한, 제 2 진공 처리실(30)에는 실내의 압력을 측정하기 위한 압력 측정기(도시하지 않음)가 부착되어 있다.
이 제 2 진공 처리실(30)에는 상기의 제 1 반송구 외에 제 2 반송구(도시하 지 않음)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 제 1 반송구(도시하지 않음)가 로드 로크실(50)에도 형성되어 있다. 제 2 반송구가 형성된 제 2 진공 처리실(30)의 부분과 제 1 반송구가 형성된 로드 로크실(50)의 부분은 연결 유닛(40)에 의해 연결되어 있다. 이에 의해, 제 1 진공 처리실(10), 제 2 진공 처리실(30) 및 로드 로크실(50)은 종렬로 배치되어 있다. 연결 유닛(40)은 제 2 진공 처리실(30)의 내부와 로드 로크실(50)내의 환경을 주위 대기로부터 격리하는 게이트 밸브(41)나 단열 유닛(42)을 구비하고 있다.
로드 로크실(50)의 내부에는, 피처리체의 교환을 수행하도록 반송중의 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부(51), 및 상기 피처리체 유지부(51)를 제 1 진공 처리실(10), 제 2 진공 처리실(30) 및 대기 반송 모듈(70)로 반송하는 반송 기구(52)가 배치되어 있다. 피처리체를 유지하고 있는 피처리체 유지부(51)를 반송하는 반송 기구(52)에 의해, 피처리체를 제 1 진공 처리실(10), 제 2 진공 처리실(30) 및 대기 반송 모듈(70) 사이에서 반송하여, 피처리체의 교환을 수행할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 로드 로크실(50)의 상부에는 N2 가스 등을 공급하는 가스 공급계(53)가 접속되어 있고, 하부에는 배기계(80)가 접속되어 있다. 또한, 로드 로크실(50)에는 실내의 압력을 측정하기 위한 압력 측정기(도시하지 않음)가 장착되어 있다.
이 로드 로크실(50)에는 상기의 제 1 반송구 이외에 제 2 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 마찬가지로, 반송구(도시하지 않음)가 대기 반송 모듈(70)에도 형성되어 있다. 제 2 반송구가 형성된 로드 로크실(50)의 부분과 반송구가 형성된 대기 반송 모듈(70)의 부분은 연결 유닛(60)에 의해 서로 연결되어 있다. 연결 유닛(60)은 로드 로크실(50)의 내부와 대기 반송 모듈(70)내의 환경을 주위 대기로부터 격리하는 도어 밸브(61)나 단열 유닛(62)을 구비하고 있다.
상술한 진공 처리 장치(100)의 구성에 있어서, 2개의 진공 처리실, 즉 서로 종렬로 연결된 제 1 진공 처리실(10) 및 제 2 진공 처리실(30)이 있다. 그러나, 진공 처리실의 수는 2개로 제한하지 않고, 3개 이상의 진공 처리실을 종렬로 연결할 수도 있다.
상술한 진공 처리 장치(100)에서는, 후술하는 바와 같이 피처리체의 반송 시퀀스가 실행되지만, 피처리체가 정상적으로 반송되지 않을 때, 피처리체에 부적절한 처리가 실시되는 것을 방지하기 위해서, 피처리체의 반송 시퀀스는 즉시 중단되어야 한다. 따라서, 진공 처리 장치(100)는 반송되는 피처리체의 위치를 정확하게 파악하는 능력을 가져야 한다. 그 때문에, 진공 처리 장치(100)는 후술하는 바와 같이 복수의 위치 센서를 구비한다.
우선, 각 피처리체에 직접 접촉하는 구성 부품, 특히 탑재대(31)[혹은, 피처리체 유지기(32)], 반송 기구(52)[또는, 피처리체 유지부(51)], 및 로드 로크실(50)내에 구비된 피처리체를 일시 유지하기 위한 탑재대(도시하지 않음)는 각각 위치 센서를 구비하고, 상기 위치 센서를 사용하여 피처리체의 존재 유무를 검지한다. 더욱이, 제 1 진공 처리실(10)내의 탑재대(11)에 내장하는 ESC 척의 상태나 위치 센서에 의해 피처리체의 존재 유무를 검지한다. 이러한 검지에 의해 얻어진 정보에 근거하여 피처리체의 위치를 검출하는 소프트웨어를 형성하는 것은 진공 처리 장치의 당업자에게 용이한 사항이며, 이러한 소프트웨어에 의해, 예를 들면 반송 기구(52) 등의 동작을 제어하는 제어기(도시하지 않음)는 진공 처리 장치(100)를 통과하여 반송되는 피처리체의 위치를 검출할 수 있다.
또한, 제 1 진공 처리실(10), 제 2 진공 처리실(30) 및 로드 로크실(50)에는, 피처리체의 반송 경로를 따라 각 게이트 밸브(21, 41) 및 도어 밸브(61)의 어느 한 측상의 위치에 위치 센서 유닛(90, 91, 92, 93, 94, 95)이 설치된다. 각 위치 센서 유닛은 피처리체의 외주연에 지향하는 3개의 위치 센서, 예를 들면 레이저 센서로 이루어지고, 레이저 센서는 피처리체의 외주연을 향해서 반경방향으로 배치되거나, 또는 피처리체의 외주연에 대응한 위치에 배치되어, 피처리체의 위치를 검출할 뿐만 아니라, 피처리체의 중심 위치도 검출한다.
제어기는 반송전의 로드 로크실(50)에 있어서의 피처리체의 중심 위치(이하 "초기 위치"로 불림)와 탑재대(11, 31)의 중심 위치 사이의 제 1 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 검출된 제 1 상대적인 위치 관계에 기초하여 피처리체의 반송 경로를 결정하고, 상기 결정된 반송 경로에 따라 피처리체를 반송시켜, 탑재대(11, 31)에 반송된 피처리체의 중심 위치와 초기 위치 사이의 제 2 상대적인 위치 관계를 검출하고, 제 1 및 제 2 상대적인 위치 관계의 차이에 기초하여 탑재대(11, 31)상에 있어서 피처리체의 위치를 보정한다. 이에 의해, 각 탑재대로의 반송 경로를 짧게 설정할 수 있는 동시에, 각 피처리체를 각 탑재대(11, 31)에 대하여 정확한 위치에 탑재할 수 있어, 반송 작업의 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
반송 기구(52)는 스칼라형 싱글 픽 타입 또는 스칼라형 트윈 픽 타입 등의 다관절 아암을 구비한 반송 아암이며, 반송 아암 기부에는 연결 풀리가 배치되고, 상기 연결 풀리는 타이밍 벨트를 거쳐서 아암의 관절부에 배치된 지지 풀리에 연결되어, 회전 구동력을 지지 풀리에 전달한다. 또한, 연결 풀리는 다른 타이밍 벨트를 거쳐서 아암의 회전각을 검출하는 인코더가 갖는 회전각 풀리에도 접속된다.
인코더는 회전각 풀리의 회전 개시 위치, 즉 반송 아암의 이동 개시 위치를 원점으로서 전기적으로 보존하는 한편, 다른 타이밍 벨트에 의해 회전 구동되는 회전각 풀리의 회전각을 회전각 센서에 의해 디지털 신호의 형식으로 검출함으로써 반송 아암의 이동 거리를 검출하고, 상기 검출된 이동 거리를 피처리체의 반송, 예를 들면 피처리체의 위치 결정 등이 정확하게 실행되고 있는지의 여부의 판정에 사용하는 교시 데이터(teaching data)로서 출력한다.
진공 처리 장치(100)는 위치 센서에 의해 검출된 피처리체의 위치와 인코더가 출력하는 교시 데이터를 비교함으로써, 피처리체의 위치 결정, 특히 탑재대(11 또는 13)에 있어서 피처리체의 위치 결정을 정확하게 실행하고 있는지의 여부를 판정한다.
더욱이, 반송 기구(52)로서의 반송 아암은 적어도 2개의 아암형상 부재로 이루어지고, 상기 2개의 아암형상 부재는 그 각각의 일단부에서 서로 회전가능하게 접속되고, 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부에는 피처리체 유지부(51)가 접 속된다. 그리고, 피처리체 유지부(51)가 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면에 평행한 평면내에서 회전하는 동시에, 한쪽의 아암형상 부재가 한쪽의 아암형상 부재의 일단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면에 평행한 평면내에서 회전하고 또한 다른 아암형상 부재가 상기 다른 아암형상 부재의 타단부를 중심으로 하여 상기 표면에 평행한 평면내에서 회전한다. 이에 의해, 각 피처리체를 제 2 진공 처리실(30) 또는 제 1 진공 처리실(10)에 있어서의 임의의 위치에, 임의의 반송 경로를 따라 반송할 수 있어, 반송 작업의 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
2개의 아암형상 부재 및 피처리체 유지부(51)가 임의의 반송 경로, 예를 들면 탑재대(11, 31)의 배열방향을 따라 각 피처리체를 이동시키기 위해 서로 협동하여 회전한다. 이에 의해, 피처리체의 반송 경로를 훨씬 더 짧게 할 수 있고, 작업 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
더욱이, 피처리체 유지부(51)는 탑재대(11, 31)상에 있어서, 피처리체(웨이퍼)의 오리엔테이션 플랫(orientation flat)(기준면)의 위치를 소정의 위치에 맞추기 위해 피처리체를 유지한 채 회전한다. 이에 의해, 탑재대(11, 31)에 대한 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫의 위치를 소정의 위치에 용이하게 맞출 수 있고, 작업 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
다음에, 진공 처리 장치(100)가 실행하는 피처리체 처리 방법 및 상기 방법에 있어서의 피처리체의 반송 시퀀스에 대해서 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 진공 처리 장치(100)에 있어서의 피처리체의 반송 시퀀스의 전반을 도시한 도면이다. 도 4a 및 도 4b는 도 3a 및 도 3b에 도시한 반송 시퀀스에서 연속한 후반을 도시한 도면이다.
이하의 설명에서는, 진공 처리 장치(100)는 피처리체에 종래의 에칭 처리(드라이 에칭 또는 웨트 에칭)를 실행하는 대신에 COR(Chemical Oxide Removal) 처리 및 PHT(Post Heat Treatment) 처리(열처리)를 실행하는 것을 예로 든다. COR 처리는 피처리체의 산화막에 가스 분자를 화학 반응시켜서 생성물을 부착되게 하는 처리이며, PHT 처리는 COR 처리가 실시된 피처리체를 가열하여, COR 처리의 화학 반응에 의해 피처리체에 생성한 생성물을 기화·열산화(Thermal Oxidation)시켜 피처리체로부터 비산하도록 제거하는 처리이다.
여기서, 하지(foundation)를 형성하는 기판과 상기 기판상에 형성된 소정의 층을 갖는 피처리체에 실시되는 COR 처리에서는, 상기 소정의 층에 있어서 게이트 영역의 폴리실리콘층을 제거한 후에 노출되는 폴리실리콘, 혹은 산화물층(산화막)이 선택적으로 에칭되지만, 이 COR 처리에서는 상기 에칭의 진행이 기판의 표면에서 정지하도록 에칭 속도가 제어된다. 또한, 이 COR 처리에는, 게이트 개구부를 형성하기 위해서, HF 및 NH3의 증기를 에칭제 가스로서 사용함으로써 저압에서 실현가능한 기상 화학적 산화물 제거 프로세스(Vaporphase Chemical Oxide Removal Process)가 포함된다.
이하에 있어서, 제 1 진공 처리실(10)은 피처리체에 COR 처리를 실행하는 COR 처리실(10)로 하고, 제 2 진공 처리실(30)은 피처리체에 PHT 처리를 실행하는 PHT 처리실(30)로 한다. 여기서 COR 처리실(10)에 있어서의 가스 공급계(13)는 샤워 헤드인 것이 바람직하고, 이 경우 COR 처리실(10)내에 균일하게 유입 가스를 공급하는 것이 가능하다.
COR 처리실(10)의 용적은 약 30리터이며, COR 처리실(10) 내부의 압력은 0.5mTorr 내지 30mTorr이며, COR 처리실(10) 내부의 온도는 15℃ 내지 50℃이며, 도입 가스는 F를 함유한 반응성 가스, 환원성 가스, 불활성 가스 등이다. 불활성 가스는 Ar, He, Ne, Kr, Xe 등의 가스이지만, Ar 가스가 바람직하다.
또한, PHT 처리실(30)의 용적은 약 50리터이며, PHT 처리실(30) 내부의 압력은 반송시의 압력과 상이한 프로세스시의 압력으로 2단 감압된다. 또한, 2단 감압에 제한하지 않고, 프로세스 조건에 따라 2단 이상의 다단 감압이여도 좋다. 또한, PHT 처리실(30) 내부의 온도는 80℃ 내지 200℃이며, 진공 펌프 배기 속도는 1600 내지 1800L/분(200 mTorr시)이며, 프로세스 종료시(0.5 mTorr시)에는 0 내지 100L/분이지만, PHT 처리실(30)의 진공도가 달성되면, 펌프는 작동하지 않는다. PHT 처리실(30)에 도입되는 가스는 입자 비산 방지 및 냉각을 위한 가스이며, 다운플로우 가스(downflow gas)(N2)이다.
도 3a의 (1)에 도시한 바와 같이, 우선, 피처리체(W1)가 대기 반송 모듈(70)에 있고, 연결 유닛(20, 40)이 폐쇄 상태에 있으며, 그에 따라 COR 처리실(10)과 PHT 처리실(30)이 서로 격리되어 있다. 한편, 연결 유닛(60)은 개방 상태에 있다. 피처리체(W1)는 종래의 처리에 의해 표면에 소정의 패턴이 이미 형성되어 있다. (2)에 도시한 바와 같이, 제 1 피처리체(W1)를 대기 반송 모듈(70)로부터 로드 로크실(50)로 반입하고, 연결 유닛(60)의 도어 밸브(61)를 폐쇄한다. 다음에, 배기계 압력 제어 밸브(34)를 폐쇄하여 로드 로크실(50)을 진공 처리한다. 로드 로크실(50)의 진공 처리를 종료한 후에, (3)에 도시한 바와 같이 배기계 압력 제어 밸브(34)를 개방하고, 연결 유닛(40)의 게이트 밸브(41)를 개방한다. 그 후, 연결 유닛(20)의 게이트 밸브(21)를 개방한다.
다음에, (4)에 도시한 바와 같이 피처리체 유지부(51)에 의해 유지된 피처리체(W1)를 반송 기구(52)에 의해 COR 처리실(10)로 반입하고, (5)에 도시한 바와 같이 피처리체 유지부(51) 및 반송 기구(52)가 로드 로크실(50)로 복귀한 후에 게이트 밸브(21, 41)를 폐쇄하여 COR 처리를 개시한다. 이러한 처리시, 로드 로크실(50)의 내부를 대기로 개방한다.
다음에, (6) 및 (7)에 도시한 바와 같이 제 2 피처리체(W2)를 대기 반송 모듈(70)로부터 로드 로크실(50)로 반입하고, 도어 밸브(61)를 폐쇄하는 동시에 배기계 압력 제어 밸브(34)를 폐쇄하여 로드 로크실(50)의 진공 처리를 개시한다. 로드 로크실(50)의 진공 처리를 종료한 후에 배기계 압력 제어 밸브(34) 및 게이트 밸브(41)를 개방하여 COR 처리의 종료를 대기한다.
(8) 및 (9)에 도시한 바와 같이, COR 처리가 종료한 후에 게이트 밸브(21)를 개방하고, 피처리체(W1)를 COR 처리실(10)로부터 PHT 처리실(30)로 이동한다.
다음에, (10) 및 (11)에 도시한 바와 같이, 피처리체(W2)를 로드 로크실(50)로부터 COR 처리실(10)로 이동하고, (12)에 도시한 바와 같이 피처리체 유지부(51) 및 반송 기구(52)가 로드 로크실(50)내로 복귀한 후에 게이트 밸브(21, 41)를 폐쇄하고, COR 처리실(10)에서는 COR 처리를 개시하고, PHT 처리실(30)에서는 PHT 처리를 개시한다.
PHT 처리가 종료한 후에는, (13)에 도시한 바와 같이 게이트 밸브(41)를 개방하여 PHT 처리실(30)의 피처리체(W1)를 로드 로크실(50)로 이동한다.
다음에, (14) 내지 (16)에 도시한 바와 같이, 게이트 밸브(41)를 폐쇄하여 로드 로크실(50) 내부를 대기로 개방한 후에, 로드 로크실(50)내의 피처리체(W1)와 대기 반송 모듈(70)에 대기하고 있는 제 3 피처리체(W3)를 교체한다. 그 후, (17)에 도시한 바와 같이 로드 로크실(50)을 진공 처리한다. 또한, 게이트 밸브(41)를 개방하여 피처리체(W2)에 대한 COR 처리가 종료할 때까지 대기한다. 상기 반송 시퀀스는 압력 제어에 의해 수행된다. 상기 반송 시퀀스를 피처리체의 전체 로트의 처리가 종료할 때까지 반복한다.
상술한 반송 시퀀스에 있어서의 (1) 내지 (16)의 각 단계에서는, 상기 위치 센서에 의해 검출된 피처리체의 위치와 교시 데이터의 비교에 근거하여 각 피처리체의 위치 결정의 판정이 실행될 수도 있고, 특정 단계에서 피처리체의 위치 결정이 정확하게 실행되고 있지 않을 경우에는, 피처리체의 반송을 중단하는 동시에, 상기 단계와, 상기 단계에 있어서의 피처리체의 위치를 보존할 수 있어, 보존된 데이터를 재처리 방법의 기초 데이터로서 활용할 수도 있다.
이상의 설명은 반송 방법의 일례이며, 예를 들면 로드 로크실(50) →제 1 진공 처리실(10) →로드 로크실(50), 로드 로크실(50) →제 2 진공 처리실(30) →로 드 로크실(50), 로드 로크실(50) →제 2 진공 처리실(30) →제 1 진공 처리실(10) →로드 로크실(50) 등의 다른 반송 패턴도 가능하다.
또한, 필요에 따라서 제 1 진공 처리실(10)과 제 2 진공 처리실(30) 사이에서 왕복 운동도 가능하다. 피처리체를 상기의 COR 처리실(10)[제 1 진공 처리실(10)]과 PHT 처리실(30)[제 2 진공 처리실(30)] 사이에서 왕복시켜, COR 처리 및 PHT 처리를 반복 수행함으로써, 이론적으로는 피처리체에 형성된 패턴의 선폭을 보다 가늘게 할 수 있다. 따라서, 패턴의 미세화에 대응할 수 있다.
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공 처리 장치에 따르면, 반송 기구(52)가 피처리체(W1)를 로드 로크실(50)로 반입하고, 로드 로크실(50)의 진공 처리가 종료한 후에, 피처리체(W1)를 COR 처리실(10)로 반입하고, COR 처리가 종료하고 나서 피처리체(W1)를 COR 처리실(10)로부터 PHT 처리실(30)로 이동시키고, PHT 처리가 종료한 후에 PHT 처리실(30)의 피처리체(W1)를 로드 로크실(50)로 이동하고, 또한 피처리체(W1)를 대기 반송 모듈(70)로 반출한다. 이에 의해, 복수의 처리실 사이에서 피처리체(W1)를 반송하는 동작을 간이화할 수 있어, 적어도 하나의 COR 처리를 포함하는 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공 처리 장치에 따르면, 다음 프로세스 조건을 만족할 경우에는, 제 1 진공 처리실(10)을 대기시키지 않고, 2개의 연속한 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
프로세스 조건: (제 1 처리 시간) ≥(제 2 처리 시간) + (제 1 교체 시간) + (제 2 교체 시간) + [로드 로크실(50)의 가스 급배기 시간]
여기서:
제 1 처리 시간 = 제 1 진공 처리실(10)에 있어서의 처리의 시간
제 2 처리 시간 = 제 2 진공 처리실(30)에 있어서의 처리의 시간
제 1 교체 시간 = 로드 로크실(50)과 제 2 진공 처리실(30) 사이의 피처리체의 교체에 걸린 시간
제 2 교체 시간 = 로드 로크실(50)과 대기 반송 모듈(70) 사이의 피처리체의 교체에 걸린 시간
제 1 진공 처리실(10) 및 제 2 진공 처리실(30)은, 상술한 예에 제한되지 않고, 에칭 시스템, 성막 시스템, 코팅 시스템, 계측 시스템, 열처리 시스템 등 필요한 모듈을 조합하여 구성할 수 있다.
또한, 제 1 진공 처리실(10) 및 제 2 진공 처리실(30)이 항상 진공 상태에 있는 경우에는, 제 2 진공 처리실(30) 및 로드 로크실(50)을 동시에 진공 처리하는 경우는 없기 때문에, 이러한 경우에 제 2 진공 처리실(30) 및 로드 로크실(50)은 동일한 배기계(80)를 공용할 수 있다.
다음에, 진공 처리 장치(100)의 동작중에 있어서의 압력 조정에 대해서 설명한다.
도 5는 진공 처리 장치(100)의 압력 조정에 있어서의 타이밍 차트를 도시한 도면이다.
1) PHT 처리실(30)을 진공 처리하는 중에, 로드 로크실(50)의 내부를 대기로 개방하여 COR 처리전의 피처리체를 대기 반송 모듈(70)로부터 로드 로크실(50)로 반입한 후, PHT 처리실(30)에 장착되어 있는 배기계 압력 제어 밸브(34)[이하, "PHT 배기 밸브(34)"로 칭함]를 폐쇄하고, 로드 로크실(50)의 진공 처리를 개시한다.
일단 로드 로크실(50)이 설정 압력에 도달하면, 로드 로크실(50)의 배기 밸브(LLM 배기 밸브, 도 1 또는 도 2에 도시하지 않음)를 폐쇄하고, PHT 배기 밸브(34)를 개방하고, PHT 처리실(30)내의 압력이 로드 로크실(50)내의 압력보다 낮도록 제어하고; 이 제어 완료를 확인 후, 로드 로크실(50)과 PHT 처리실(30) 사이의 게이트 밸브(41)[이하, "PHT측 게이트 밸브(41)"]를 개방하여, 로드 로크실(50)을 PHT 처리실(30)과 연통시킨다.
PHT측 게이트 밸브(41)를 개방한 후에도 계속해서 PHT 배기 밸브(34)를 개방하여 두고 PHT 처리실(30)을 배기함으로써 PHT 분위기가 로드 로크실(50)내로 들어가는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 로드 로크실(50)로부터 적극적으로 유체(N2)를 흘려서, 대류의 발생 등을 막는 것도 가능하다.
2) PHT 처리실(30)을 진공 처리하면서 PHT 처리실(30)내의 압력을 모니터링하고, PHT 처리실(30)내의 압력이 COR 처리실(10)내의 압력보다 낮도록 COR 처리실(10)내의 압력을 압력 제어한다.
PHT 처리실(30)내 압력이 COR 처리실(10)내 압력보다 낮게 되면, COR 처리실(10)에 장착된 배기계 압력 제어 밸브(14)[이하, "COR 배기 밸브(14)"]를 폐쇄하고, PHT 처리실(30)과 COR 처리실(10) 사이의 게이트 밸브(21)[이하, "COR측 게이 트 밸브(21)"]를 개방한다.
COR측 게이트 밸브(21)를 개방한 후에도 계속해서 PHT 배기 밸브(34)를 개방하여 두고 PHT 처리실(30)을 배기함으로써, PHT 처리실(30)내의 분위기가 COR 처리실(10)의 내부로 들어가는 것을 방지할 수 있다. 또한, COR 처리실(10)로부터 적극적으로 유체(N2)를 흘려서, 대류의 발생 등을 막는 것도 가능하다.
3) 상기 1)에 기술된 시퀀스를 이용하여 PHT측 게이트 밸브(41)를 개방하고, 로드 로크실(50)과 PHT 처리실(30)을 하나의 모듈로 상정하고, 상기 2)에 기술된 시퀀스를 이용하여 COR측 게이트 밸브(21)를 개방한다. PHT측 게이트 밸브(41), COR측 게이트 밸브(21)가 개방된 후에도 계속해서 PHT 배기 밸브(34)를 개방하여 두고 PHT 처리실(30)을 배기함으로써, PHT 처리실(30)내의 분위기가 로드 로크실(50)의 내부, COR 처리실(10)의 내부로 들어가는 것을 방지할 수 있다.
또한, 적극적으로 로드 로크실(50), COR 처리실(10)로 유체(N2)를 유입시켜서, 대류 등의 발생을 막는 것도 가능해지며, PHT 처리실(30)로의 유체의 유량을 로드 로크실(50)로부터의 유량과 COR 처리실(10)로부터의 유량이 동일하게 되도록 함으로써, 역류가 발생하는 것을 방지할 수도 있다.
4) 상기 3)에 기술한 시퀀스에 있어서, COR 처리를 실시한 피처리체를 COR 처리실(10)로부터 반출한 후에 ESC 잔류 전하 제거를 위해, PHT 배기 밸브(34)를 이용하여 COR 처리실(10)내의 압력을 제전 압력으로 제어한다. 이에 의해, PHT 처리실(30)내의 분위기가 COR 처리실(10)내로 들어로는 일이 없이 ESC 제전을 수행할 수 있다.
또한, PHT 처리실(30) 및 COR 처리실(10)에 있어서의 처리를 항상 진공 상태에서 연속해서 실행할 수 있으므로, COR 처리후의 피처리체의 산화막이 대기로부터 수분을 흡수하는 등의 화학 반응이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 반송 방법에서는 제품으로 사용되는 웨이퍼(즉, 제품 웨이퍼)가 피처리체로서 반송되었지만, 반송되는 피처리체는 제품 웨이퍼에 제한되지 않고, 진공 처리 장치(100)의 각 처리실이나 디바이스의 작동을 검사하기 위한 더미 웨이퍼(dummy wafer)나, 각 처리실의 시즈닝(seasoning)에 사용되는 다른 더미 웨이퍼이여도 좋다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 7은 도 6의 진공 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 6에 있어서, 진공 처리 장치(600)는 피처리체에 진공 처리를 실시하는 진공 처리실(601)과, 이 진공 처리실(601)과 연통가능하게 또는 종렬로 연결되고 피처리체에 다른 처리를 실시하는 대기 처리실(602)과, 진공 처리실(601) 및 대기 처리실(602) 사이에 위치되고, 이들과 열을 이루는 위치에서 진공 처리실(601) 및 대기 처리실(602)에 연통가능하게 연결된 로드 로크실(603)과, 대기 처리실(602)에 연통가능하게 연결된 대기 반송 모듈(604)을 구비하고 있다.
진공 처리실(601)의 내부에는, 처리시, 진공 처리실(601)의 내부에 있어서 플라즈마를 발생시키기 위해 고주파 전압이 인가되는 하부 전극 및 피처리체를 탑재하여 두기 위한 플랫폼을 겸하는 탑재대(605)와, 상기 탑재대(605)에 내장되고 또한 탑재대(605)에 탑재된 피처리체를 가열하는 히터(606)와, 진공 처리실(601)의 내부에 반응 가스를 공급하는 공급계 및 하부 전극으로서의 탑재대(605)와 협력하여 진공 처리실(601)의 내부에 고주파 전계를 발생시키는 상부 전극을 겸하는 샤워 헤드(607)와, 개폐가능한 밸브(도시하지 않음)를 갖고 또한 진공 처리실(601)의 내부에 발생된 플라즈마나 생성물의 잔류물을 배출하는 배출구(608)와, 진공 처리실(601)내의 압력을 측정하기 위한 압력 측정기(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 진공 처리실(601)의 내부는 항상 진공 상태이며, 여기에서는 진공 처리가 실행가능한 상태로 되어 있다.
이 진공 처리실(601)의 측벽에는 피처리체를 진공 처리실(601)로 반입 반출하기 위한 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 진공 처리실(601)에 인접하여 배치된 로드 로크실(603)의 측벽에도 마찬가지로 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 진공 처리실(601)과 로드 로크실(603)의 반송구가 형성된 부분은 연결 유닛(611)에 의해 서로 연결되어 있다. 이 연결 유닛(611)은 진공 처리실(601)의 내부와 로드 로크실(603)내의 환경을 주위 대기로부터 격리하는 게이트 밸브(612)및 단열 유닛(613)을 구비하고 있다.
대기 처리실(602)의 내부에는, 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대(609)와, 탑재대(609)에 탑재된 피처리체를 유지하는 유지구(610)가 설치된다. 탑재대(609)는 냉매가 순환가능한 냉각 기구로서 냉각 회로(도시하지 않음)를 내장하여, 탑재대(609)상에 탑재된 피처리체를 냉각한다. 또한, 대기 처리실(602)의 내부는 항상 대기로 개방된다. 따라서, 대기 처리실(602)에 있어서, CVD 처리 등에 의해 가열된 피처리체의 냉각 처리를 대기압 상태에서 수행할 수 있다.
또한, 대기 처리실(602)은 냉각 기구로서, 상술한 냉각 회로 외에, 냉각을 위한 다운플로우 가스, 예컨대 N2, Ar, He 가스 등의 불활성 가스 등을 대기 처리실(602)내로 도입하는 도입구를 구비할 수도 있다.
이 대기 처리실(602)의 측벽에는 피처리체를 대기 처리실(602)에 반출입하기 위한 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 대기 처리실(602)에 인접하여 배치되는 로드 로크실(603)의 측벽에도 상술한 반송구와는 별도로, 다른 반송구(도시하지 않음)가 마찬가지로 형성되어 있다. 대기 처리실(602)과 로드 로크실(603)의 반송구가 형성된 부분은 연결 유닛(614)에 의해 서로 연결되어 있다. 이에 의해, 진공 처리실(601), 로드 로크실(603) 및 대기 처리실(602)은 순차적으로 열을 이루도록 배치된다. 연결 유닛(614)은 대기 처리실(602)의 내부와 로드 로크실(603)내의 환경을 주위 대기로부터 격리하는 게이트 밸브(615) 및 단열 유닛(616)을 구비하고 있다.
로드 로크실(603)의 내부에는, 피처리체의 교환을 수행할 수 있도록 반송중의 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부(617), 및 상기 피처리체 유지부(617)를 진공 처리실(601) 및 대기 처리실(602)로 반송하는 반송 기구(618)가 설치되어 있 다. 피처리체를 유지하고 있는 피처리체 유지부(617)를 반송하는 반송 기구(618)에 의해, 피처리체를 진공 처리실(601)과 대기 처리실(602) 사이에서 반송하여, 피처리체의 교환을 수행할 수 있다. 또한, 로드 로크실(603)의 내부 용적은 반송 기구(618)의 작동을 저해하지 않는 정도의 필요 최소 공간을 확보하도록 설정된다.
도 7에 도시한 바와 같이 로드 로크실(603)의 하부에는 로드 로크실(603)의 내부와 외부를 연통하는 파이프(619)가 설치된다. 상기 파이프(619)에는 터보 분자 펌프 등의 진공 처리용 펌프(623)와, 로드 로크실(603)의 내부 및 진공 처리용 펌프(623)의 연통·차단이 가능한 밸브(624)가 배치된다. 또한, 로드 로크실(603)에는 로드 로크실(603)내의 압력을 측정하기 위한 압력 측정기(도시하지 않음)가 장착되어 있다. 또한, 로드 로크실(603)의 하부에는 N2 가스 등을 공급하는 가스 공급계(620)가 접속되어 있다. 따라서, 로드 로크실(603)은 파이프(619)와 가스 공급계(620)에 의해 그 내부를 진공 상태와 대기압 사이에서 전환할 수 있는 구성으로 되어 있다.
대기 반송 모듈(604)의 내부에는, 상술한 피처리체 유지부(617) 및 반송 기구(618)와 유사한 피처리체 유지부(625) 및 반송 기구(626)가 설치되어 있다. 그리고, 피처리체 유지부(625) 및 반송 기구(626)에 의해 피처리체를 대기 반송 모듈(604)에 장착된 피처리체의 캐리어(도시하지 않음) 및 대기 처리실(602) 사이에서 반송하여, 피처리체의 교환을 수행할 수 있다.
이 대기 반송 모듈(604)의 측벽에는 반송구(도시하지 않음)가 형성되어 있 다. 또한, 대기 반송 모듈(604)에 인접하여 배치되는 대기 처리실(602)의 측벽에도 상술한 반송구와는 별도로, 다른 반송구(도시하지 않음)가 마찬가지로 형성되어있다. 대기 반송 모듈(604)과 대기 처리실(602)의 반송구가 형성된 부분은 연결 유닛(627)에 의해 서로 연결되어 있다.
상술된 진공 처리 장치(600)의 구성에 있어서, 2개의 처리실, 즉 종렬로 서로 연결된 진공 처리실(601) 및 대기 처리실(602)이 있다. 그러나, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공 처리 장치(100)에서와 같이, 처리실의 수는 2개에 제한하지 않고 3개 이상의 처리실을 종렬로 연결할 수도 있다.
다음에, 진공 처리 장치(600)가 실행하는 피처리체 처리 방법 및 상기 방법에 사용되는 피처리체의 반송 시퀀스에 대해서 설명한다.
도 8a 및 도 8b는 도 6의 진공 처리 장치(600)에 있어서의 피처리체의 반송 시퀀스를 도시한 도면이다.
이하의 설명에서는, 진공 처리 장치(600)는 피처리체에 CVD 처리 및 냉각 처리를 실행하는 것을 예로 한다.
이하, 진공 처리실(601)은 CVD 처리실(601)로서 피처리체에 CVD 처리를 실행하고, 대기 처리실(602)은 피처리체에 대기 처리로서의 냉각 처리를 실행한다. 도 3a 내지 도 4b에서와 같이 도 8a 및 도 8b에서 백색인 연결 유닛은 게이트 밸브의 개방 상태를 나타내고, 흑색인 연결 유닛은 게이트 밸브의 폐쇄 상태를 나타낸다.
우선, 도 8a의 (1)에 도시한 바와 같이, 대기 반송 모듈(604)에 있는 피처리체(W1)가 대기 처리실(602)로 반입된다. 이 때, 게이트 밸브(612)는 폐쇄 상태에 있고, 로드 로크실(603)과 CVD 처리실(601)이 격리되어 있다. 한편, 게이트 밸브(615)는 개방 상태에 있고, 대기 처리실(602)과 로드 로크실(603)이 서로 연통되어 있다.
다음에, (2)에 도시한 바와 같이, 피처리체(W1)를 대기 처리실(602)로부터 로드 로크실(603)로 반입한 후, (3)에 도시한 바와 같이 게이트 밸브(615)를 폐쇄 하고, 또한 파이프(619)에 있어서의 밸브(624)를 개방하고, 그 후에 진공 처리용 펌프(623)를 작동시켜서 로드 로크실(603)을 진공 처리한다.
다음에, (4)에 도시한 바와 같이 게이트 밸브(612)를 개방한 후, 피처리체 유지부(617)에 의해 유지된 피처리체(W1)를 반송 기구(618)에 의해 CVD 처리실(601)로 반입한다. 이어서, (5)에 도시한 바와 같이 피처리체 유지부(617) 및 반송 기구(618)가 로드 로크실(603)로 복귀한 후에 게이트 밸브(612)를 폐쇄하고, CVD 처리실(601)에 있어서 피처리체(W1)에 CVD 처리를 실시한다.
다음에, (6)에 도시한 바와 같이, CVD 처리가 종료한 후에 게이트 밸브(612)를 개방하고, CVD 처리가 실시된 피처리체(W1)를 CVD 처리실(601)로부터 로드 로크실(603)로 반출한다.
다음에, (7)에 도시한 바와 같이, 피처리체(W1)가 로드 로크실(603)로 반출된 후, 게이트 밸브(612)를 폐쇄하고, 또한 파이프(619)에 있어서의 밸브(624)를 폐쇄하고, 가스 공급계(620)로부터의 N2 가스 등의 공급을 개시하여 로드 로크실(603)의 내부를 대기로 개방한다. 로드 로크실(603)의 내부의 압력이 대기압에 도달하면, (8)에 도시한 바와 같이 게이트 밸브(615)를 개방한 후, 피처리체(W1)를 반송 기구(618)에 의해 대기 처리실(602)로 반출하고, 피처리체(W1)를 탑재대(609)에 탑재하고, 또한 유지구(610)에 의해 유지한다.
다음에, (9)에 도시한 바와 같이 탑재대(609)는 피처리체(W1)를 냉각하고, 피처리체(W1)가 소정 온도(약 70℃)까지 냉각되면, (10)에 도시한 바와 같이 피처리체(W1)는 대기 반송 모듈(604)로 반출된다.
그리고, 진공 처리 장치(600)는 이상의 반송 시퀀스를 피처리체의 전체 로트의 처리를 완료할 때까지 반복한다.
이상 설명한 반송 시퀀스에서 (1) 내지 (10)의 각 단계에 있어서도, 본 발명의 제 1 실시예에서 설명한 바와 같이, 위치 센서에 의해 검출된 피처리체의 위치와 교시 데이터의 비교에 근거하여 각 피처리체의 위치 결정의 판정이 실행될 수도 있고, 특정 단계에서 피처리체의 위치 결정이 정확하게 실행되지 않는 경우에는, 피처리체의 반송을 중단하는 동시에, 상기 단계와 상기 단계에 있어서의 피처리체의 위치를 보존하여, 보존된 데이터를 재처리 방법의 기초 데이터로서 활용할 수도 있다.
또한, 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치에 있어서도, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서 설명한 바와 같이, 위치 센서에 의해 검지된 정보에 기초하여 초기 위치와 탑재대(605, 609)의 중심 위치의 제 1 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 검출된 제 1 상대적인 위치 관계에 기초하여 피처리체의 반송 경로를 결정하고, 상기 결정된 반송 경로를 따라 피처리체를 반송시켜, 탑재대(605, 609)로 반송된 피처리체의 중심 위치와 초기 위치의 제 2 상대적인 위치 관계를 검출하고, 제 1 및 제 2 상대적인 위치 관계의 차이에 기초하여 탑재대(605, 609)상에 있어서 피처리체의 위치를 보정할 수도 있다. 이에 의해 상술된 효과와 동일한 효과를 달성할 수 있다.
또한, 반송 기구(618) 및 피처리체 유지부(617)는 제 1 실시예에 있어서의 반송 기구(52) 및 피처리체 유지부(51)와 동일한 구성을 가질 수도 있고, 이에 의해 상술한 효과와 동일한 효과를 달성할 수 있다.
이상의 설명은 반송 시퀀스의 일례이며, 다른 반송 시퀀스에서는, 필요에 따라서 진공 처리실(601)과 대기 처리실(602) 사이에서 왕복 운동도 가능하다. 피처리체(W1)를 상기의 CVD 처리실(601)[진공 처리실(601)]과 대기 처리실(602) 사이에서 왕복시켜, CVD 처리 및 냉각 처리를 반복함으로써, 피처리체(W1)의 표면에 형성되는 박막의 두께의 편차를 억제할 수 있다.
또한, 진공 처리실(601) 및 대기 처리실(602)의 구성은, 상기의 예에 제한하지 않고, 에칭 시스템, 성막 시스템, 코팅/현상 시스템, 계측 시스템, 열처리 시스템 등에 따라 필요한 모듈을 조합하여 구성할 수 있다.
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치에 따르면, 피처리체(W1)에 CVD 처리를 실시하는 CVD 처리실(601) 및 피처리체(W1)에 냉각 처리를 실시하는 대기 처리실(602)이 연통가능하게 연결되어 있으며, 로드 로크실(603)은 CVD 처리실(601) 및 대기 처리실(602) 사이에 이들의 처리실과 열을 이루는 위치에 배치되고 CVD 처리실(601) 및 대기 처리실(602)에 서로 연통가능하게 연결되어 있다. 이에 의해, CVD 처리실(601) 및 대기 처리실(602) 사이에 있어서의 피처리체(W1)의 반송의 동작을 간이화할 수 있고, CVD 처리 및 냉각 처리를 포함하는 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있고, 특히 피처리체(W1)의 CVD 처리후의 냉각 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
또한, 대기 처리실(602)에 있어서의 냉각 처리를 항상 대기압 상태에서 실행하므로, 대기 처리실(602)에 있어서 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 실행할 필요가 없고, 냉각 처리를 단시간에 실행할 수 있는 동시에, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 실행하는 로드 로크실(603)은 냉각 기구를 구비할 필요가 없기 때문에, 로드 로크실(603)의 용적을 작게 할 수 있고, 또한 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 단시간에 실행할 수 있다. 그 결과, 피처리체(W1)의 냉각 처리 및 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 포함하는 복수의 처리를 보다 효율적으로 실행할 수 있다.
예를 들면, 종래의 진공 처리 장치와 같이, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 및 냉각 처리를 동시에 실행할 경우, 로드 로크실이 반송 기구뿐만 아니라, 냉각 기구를 구비할 필요가 있기 때문에, 로드 로크실의 용적이 커지고, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 및 냉각 처리에 약 126초를 필요로 했지만, 상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치와 같이, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 및 냉각 처리를 별도의 처리실에서 실행할 경우, 로드 로크실이 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환만을 실행하고, 또한 대기 처리실이 냉각 처리만을 실행하면 되며, 그에 따라 로드 로크실의 용적이 작아지고, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환에 약 20초만을 필요로 하며, 또한 냉각 처리에 약 15초만을 필요로 하며, 즉 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 및 냉각 처리에 총 약 35초만을 필요로 할 뿐이다.
또한, 로드 로크실(603)내에 반입된 후에 피처리체(W1)는 장시간 동안 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환에 기인하는 공기의 대류에 노출되는 일이 없기 때문에, 상기 대류에 의해 날아 오른 입자가 부착될 위험이 저감될 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피처리체 처리 방법에 따르면, 피처리체(W1)의 CVD 처리후에 있어서의 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 및 냉각 처리를 로드 로크실(603) 및 대기 처리실(602)로 각각 분할하였기 때문에, 각각의 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 또한 진공/대기의 전환 및 냉각 처리를 포함하는 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있더. 더욱이, 피처리체(W1)의 CVD 처리후, 로드 로크실(603)로의 반출 처리, 로드 로크실(603)에서의 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환 처리, 및 대기 처리실(602)로의 반출 처리를 거쳐서 대기 처리실(602)에서의 냉각 처리가 실행되기 때문에, 냉각 처리를 실행하기 전에도 피처리체(W1)의 냉각이 진행하고, 예를 들면 CVD 처리 직후에 있어서의 피처리체(W1)의 온도가 약 650℃일 경우, 대기 처리실(602)로의 반출 처리후에 있어서의 피처리체(W1)의 온도는 약 400℃가 된다. 그 결과, 대기 처리실(602)에서 피처리체(W1)상에 수행된 냉각 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
한편, 상술한 제 2 실시예에 따른 진공 처리 장치에서는, 피처리체에 CVD 처리를 실시했지만, 상기 진공 처리 장치가 피처리체에 실시하는 진공 처리는 CVD 처 리에 제한되지 않고, 열처리를 수반하는 어떠한 진공 처리에서도 실시할 수 있고, 이 경우에 있어서도 상술한 효과를 나타낼 수 있다는 것은 말할 필요도 없다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 피처리체를 처리하는 복수의 처리 시스템이 연통가능하게 서로 연결되고, 처리 시스템중 적어도 하나는 진공 처리 시스템이다. 그 결과, 처리 시스템 사이에서 피처리체를 반송하는 동작을 간이화할 수 있고, 또한 적어도 하나의 진공 처리를 포함하는 복수의 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리 시스템 및 피처리체에 다른 처리를 실시하는 적어도 하나의 진공 처리 시스템이 연통가능하게 서로 연결되어 있고, 로드 로크 시스템은 COR 처리 시스템 및 적어도 하나의 진공 처리 시스템에 연통가능하게 연결되어 있다. 그 결과, COR 처리 시스템과 다른 복수의 처리 시스템 사이에서 피처리체를 반송하는 동작을 간이화할 수 있고, 또한 복수의 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
제 2 실시예에 따르면, COR 처리 시스템에 열처리를 실시하기 위한 열처리 시스템이 연결되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, COR 처리후의 열처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
제 2 실시예에 따르면, COR 처리 시스템 및 열처리 시스템은 항상 진공 상태에 있는 것이 바람직하다. 그 결과, COR 처리 시스템 및 열처리 시스템에서의 각 처리를 진공의 해제 없이 연속하여 수행할 수 있기 때문에, COR 처리후의 피처리체 표면에 수분이 흡착하지 않고, COR 처리후의 피처리체의 산화막에 화학 반응이 일어나는 것을 회피할 수 있다.
제 2 실시예에 따르면, 로드 로크 시스템은 COR 처리 시스템 및 열처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 그 결과, 피처리체를 반출입하는 동작을 보다 간이화할 수 있고, 또한 COR 처리 및 열처리를 포함하는 복수의 처리를 훨씬 더 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따르면, COR 처리 시스템에서 피처리체에 COR 처리를 실시하는 동시에, 이미 COR 처리를 실시한 피처리체에 열처리 시스템에서 열처리를 실시할 수 있고, 또한 COR 처리의 종료를 기다리는 동안에 COR 처리를 실시하고 있지 않은 피처리체를 준비할 수 있다. 그 결과, 일련의 처리간에 낭비 시간이 생기지 않고 COR 처리 및 열처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따르면, 로드 로크 시스템과 열처리 시스템을 서로 연통하기 전에, 열처리 시스템내 압력이 로드 로크 시스템내 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 열처리 시스템을 배기하고, 그 후에 열처리 시스템을 계속 배기한다. 이에 의해, 열처리 시스템내의 분위기가 로드 로크 시스템내로 들어가는 것을 방지할 수 있다.
제 4 실시예에 따르면, 바람직하게는, 로드 로크 시스템과 열처리 시스템을 서로 연통시킨 후에, 열처리 시스템내 압력이 COR 처리 시스템내 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 열처리 시스템을 배기하고, 열처리 시스템과 COR 처리 시스템을 연통시킨 후도 계속해서 열처리 시스템을 배기한다. 이에 의해, 열처리 시스템내의 분위기가 로드 로크 시스템내로 들어가는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 열처리 시스템내의 분위기가 COR 처리 시스템의 내부로 들어가는 것도 방지할 수 있다.
제 4 실시예에 따르면, 로드 로크 시스템 및 COR 처리 시스템내로 유체를 유입시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열처리 시스템으로부터의 배기시에 대류 등의 발생을 방지할 수 있다.
제 4 실시예에 따르면, 로드 로크 시스템으로부터 열처리 시스템으로의 유체의 유량 및 COR 처리 시스템으로부터 열처리 시스템으로의 유체의 유량이 동일한 것이 바람직하다. 이에 의해, 열처리 시스템의 압력 평형 상태를 유지할 수 있고, 또한 배기가 흐르는 방향을 일정하게 할 수 있다.
제 4 실시예에 따르면, COR 처리를 실시한 피처리체를 COR 처리 시스템으로부터 반출한 후에, 열처리 시스템 및 COR 처리 시스템을 배기해서 COR 처리 시스템내의 압력을 ESC 잔류 전하 제거를 위한 제전 압력으로 설정하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열처리 시스템내의 분위기가 COR 처리 시스템내로 들어가는 일이 없이 ESC 제전을 수행할 수 있다.
본 발명의 제 5 실시예에 따르면, 열처리 시스템과 COR 처리 시스템을 연통하기 전에, 열처리 시스템내 압력이 COR 처리 시스템내 압력보다 낮은 조건을 만족하도록 열처리 시스템을 배기한다. 이에 의해, 열처리 시스템내의 분위기가 COR 처리 시스템의 내부로 들어가는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 6 실시예에 따르면, 피처리체에 제 1 처리를 실시하는 제 1 처리 시스템 및 피처리체에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리 시스템이 서로 연통가능하게 연결되어 있고, 또한 로드 로크 시스템이 제 1 처리 시스템과 제 2 처리 시스템 사이에 개재되고 또한 그들 각각에 연통가능하게 연결되어 있다. 이에 의해, 제 1 처리 시스템 및 제 2 처리 시스템 사이에서 피처리체를 반송하는 동작을 간이화할 수 있고, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
제 6 실시예에 따르면, 제 1 처리 시스템에 로드 로크 시스템을 거쳐서 냉각 처리를 실시하기 위한 냉각 처리 시스템이 연결되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제 1 처리후의 냉각 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
제 6 실시예에 따르면, 제 2 처리 시스템에 있어서의 냉각 처리를 항상 대기압 상태에서 실행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제 2 처리 시스템에 있어서 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 실행할 필요가 없어, 냉각 처리를 단시간에 실행할 수 있으며, 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 실행하는 로드 로크 시스템은 냉각 기구를 구비할 필요가 없기 때문에, 로드 로크 시스템의 용적을 작게 할 수 있어, 또한 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환을 단시간에 실행할 수 있다. 그 결과, 복수의 처리를 보다 효율적으로 실행할 수 있다. 더욱이, 로드 로크 시스템내로 반입된 후에, 피처리체(웨이퍼)는 장시간 동안 진공 상태와 대기압 상태 사이의 전환으로 인한 공기의 대류에 노출되지 않기 때문에, 상기 대류에 의해 날아 오른 입자가 부착될 위험도 저감할 수 있다.
제 6 실시예에 따르면, 로드 로크 시스템은 제 1 처리 시스템 및 제 2 처리 시스템과 종렬을 이루는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 피처리체의 반출입의 동작을 보다 간이화할 수 있고, 또한 제 1 처리 및 제 2 처리를 포함하는 복수의 처리를 훨씬 더 효율적으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 7 실시예에 따르면, 피처리체(웨이퍼)의 진공 처리후에 수행되는 제 2 진공/대기압의 전환 단계와 대기 처리 단계를 분리한다. 이에 의해, 이들 단계에 요구되는 총시간을 단축할 수 있고, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다 더욱이, 피처리체(웨이퍼)의 진공 처리후, 로드 로크 시스템 반출 단계, 제 2 진공/대기압의 전환 단계 및 대기 처리 시스템 반출 단계 후에만, 대기 처리 단계에 이르기 때문에, 대기 처리 단계전에도 피처리체(웨이퍼)의 냉각이 진행하고, 또한 대기 처리 단계에 있어서의 냉각 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 8 실시예에 따르면, 반송 수단이 피처리체를 로드 로크 시스템에 반입하고, 다음에 로드 로크 시스템의 진공 처리를 종료한 후에, 피처리체를 진공 처리 시스템에 반입하고, 진공 처리를 종료한 후에 피처리체를 진공 처리 시스템으로부터 열처리 시스템으로 반송하고, 열처리가 종료한 후에 피처리체를 로드 로크 시스템으로 반입하고, 또한 피처리체를 대기 반송 모듈내로 반출한다. 이에 의해, 처리 시스템 사이에서 피처리체를 반송하는 동작을 간이화할 수 있고, 또한 적어도 하나의 진공 처리를 포함하는 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
본 발명의 제 9 실시예에 따르면, 각 탑재대에 대해서 초기 위치에서의 피처리체의 중심과 탑재대의 중심 사이의 제 1 상대적인 위치 관계를 검출하고, 상기 검출된 제 1 상대적인 위치 관계에 기초하여 피처리체의 반송 경로를 결정하고, 상기 결정된 반송 경로를 따라 피처리체를 반송한다. 이에 의해, 탑재대로의 반송 경로를 짧게 설정할 수 있다. 또한, 탑재대에 반송된 후의 피처리체의 중심과 초기 위치에서의 피처리체의 중심 사이의 제 2 상대적인 위치 관계를 검출하고, 제 1 및 제 2 상대적인 위치 관계의 차이에 기초하여 피처리체의 위치를 보정한다. 이에 의해, 피처리체를 탑재대에 대하여 정확한 위치에 탑재할 수 있고, 반송 작업의 효율을 향상할 수 있으며, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
제 9 실시예에 따르면, 피처리체 유지부가 피처리체를 유지한 채 회전되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 탑재대에 대하여 피처리체의 기준면의 위치를 소정의 위치에 용이하게 정렬할 수 있고, 반송 작업의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
제 9 실시예에 따르면, 초기 위치에서의 피처리체의 중심은 반송전의 로드 로크 시스템에 있어서의 피처리체의 중심인 것이 바람직하다. 이에 의해, 각 탑재대로의 반송 경로를 훨씬 더 짧게 설정할 수 있다.
본 발명의 제 10 실시예에 따르면, 열처리 시스템 및 진공 처리 시스템에 연통가능하게 연결되는 로드 로크 시스템이 갖는 반송 수단은 그 각각의 일단부에서 서로 회전가능하게 접속된 적어도 2개의 아암형상 부재를 포함하는 반송 아암과, 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부에 접속되고 또한 피처리체를 유지하는 피처리체를 포함하며, 상기 피처리체 유지부는 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전하고, 한쪽의 아암형상 부재가 상기 한쪽의 아암형상 부재의 일단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전하고 또한 다른 아암형상 부재가 상기 다른 아암형 상 부재의 타단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전한다. 이에 의해, 피처리체를 열처리 시스템 또는 진공 처리 시스템에 있어서의 임의의 위치에 임의의 반송 경로를 따라 반송할 수 있어, 반송 작업의 효율을 향상할 수 있고, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
제 10 실시예에 따르면, 제 1 및 제 2 탑재대의 배열방향을 따라 피처리체를 이동시키기 위해 아암형상 부재 및 피처리체 유지부가 서로 협동하여 회전되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 피처리체의 반송 경로를 짧게 할 수 있어, 반송 작업의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제 11 실시예에 따르면, 열처리 시스템 및 진공 처리 시스템에 연통가능하게 연결되는 로드 로크 시스템에 설치되는 반송 수단은 그 각각의 일단부에서 서로 회전가능하게 접속된 적어도 2개의 아암형상 부재를 포함하며, 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부에 접속되고 또한 피처리체를 유지하는 피처리체 유지부를 구비하고, 상기 피처리체 유지부가 한쪽의 아암형상 부재에 있어서의 타단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전되고, 한쪽의 아암형상 부재가 상기 한쪽의 아암형상 부재의 일단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전되고 또한 다른 아암형상 부재가 상기 다른 아암형상 부재의 타단부를 중심으로 하여 피처리체의 표면과 평행한 평면내에서 회전된다. 이에 의해, 피처리체를 열처리 시스템 또는 진공 처리 시스템에 있어서의 임의의 위치에 임의의 반송 경로를 따라 반송할 수 있어, 반송 작업의 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 복수의 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.
제 11 실시예에 따르면, 제 1 및 제 2 탑재대의 배열방향을 따라 피처리체를 이동시키기 위해 아암형상 부재 및 피처리체 유지부가 서로 협동하여 회전되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 피처리체의 반송 경로를 짧게 할 수 있어, 반송 작업의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.

Claims (17)

  1. 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치(100)에 있어서,
    연통가능하며 인접하여 연결된, 상기 피처리체를 처리하는 제 1 및 제 2 처리실(10, 30)과,
    상기 제 2 처리실(30)과 연통가능하며 인접하여 연결되고, 상기 피처리체를 상기 제 1 및 제 2 처리실(10, 30)의 각각에 반출입하는, 피처리체 유지부(51)와 반송 아암을 갖는 반송 기구(52)를 구비한 로드 로크실(50)을 포함하며,
    상기 제 2 처리실(30)은 진공 처리실이며, 상기 로드 로크실(50)은 상기 제 1 및 제 2 처리실(10, 30)과 종렬을 이루는 위치에 배치되는
    피처리체 처리 장치.
  2. 피처리체를 처리하는 피처리체 처리 장치(100)에 있어서,
    상기 피처리체에 COR 처리를 실시하는 COR 처리실(10)과,
    상기 COR 처리실(10)과 연통가능하며 인접하여 연결되고, 상기 피처리체에 다른 처리를 실시하는 진공 처리실(30)과,
    상기 진공 처리실(30)과 연통 가능하며 인접하여 연결되고, 상기 피처리체를 상기 COR 처리실(10) 및 상기 진공 처리실(30)의 각각에 반출입하는, 피처리체 유지부(51)와 반송 아암을 갖는 반송 기구(52)를 구비한 로드 로크실(50)을 포함하며,
    상기 로드 로크실(50)은 상기 COR 처리실(10) 및 상기 진공 처리실(30)과 종렬을 이루는 위치에 배치되는
    피처리체 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 처리실(30)은 상기 COR 처리가 실시된 피처리체에 열처리를 실시하기 위한 열처리실(30)인
    피처리체 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 COR 처리실(10) 및 상기 열처리실(30)은 항상 진공 상태에 있는
    피처리체 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 기구(52)는 상기 제 2 처리실(30)이 피처리체를 수용하고 있는 동안에 다른 피처리체를 상기 제 1 처리실(10)에 반입하는
    피처리체 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 기구(52)는 상기 로드 로크실(50)이 피처리체를 수용하고 있는 동안에 다른 피처리체를 상기 제 1 처리실(10)로부터 상기 제 2 처리실(30)로 반송하는
    피처리체 처리 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구(52)는 상기 진공 처리실(30)이 피처리체를 수용하고 있는 동안에 다른 피처리체를 상기 COR 처리실(10)에 반입하는
    피처리체 처리 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구(52)는 상기 로드 로크실(50)이 피처리체를 수용하고 있는 동안에 다른 피처리체를 상기 COR 처리실(10)로부터 상기 진공 처리실(30)로 반송하는
    피처리체 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드 로크실(50)과 연통가능하며 인접하여 연결된 대기 반송 모듈(70)을 더 포함하는
    피처리체 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 처리실(10)과 상기 제 2 처리실(30)의 연결 유닛(20), 상기 제 2 처리실(30)과 상기 로드 로크실(50)의 연결 유닛(40), 상기 로드 로크실(50)과 상기 대기 반송 모듈(70)의 연결 유닛(60)은 하나의 직선상에 배치되는
    피처리체 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드 로크실(50)은 그 내부를 진공 흡인 및 대기 개방이 가능하도록 구성되는
    피처리체 처리 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 대기 반송 모듈(70)은 그 내부가 대기압인
    피처리체 처리 장치.
  14. 제 2 항에 있어서,
    상기 로드 로크실(50)과 연통가능하며 인접하여 연결된 대기 반송 모듈(70)을 더 포함하는
    피처리체 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 COR 처리실(10)과 상기 진공 처리실(30)의 연결 유닛(20), 상기 진공 처리실(30)과 상기 로드 로크실(50)의 연결 유닛(40), 상기 로드 로크실(50)과 상기 대기 반송 모듈(70)의 연결 유닛(60)은 하나의 직선상에 배치되는
    피처리체 처리 장치.
  16. 제 2 항에 있어서,
    상기 로드 로크실(50)은 그 내부를 진공 흡인 및 대기 개방이 가능하도록 구성되는
    피처리체 처리 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 대기 반송 모듈(70)은 그 내부가 대기압인
    피처리체 처리 장치.
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Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6814844B2 (en) * 2001-08-29 2004-11-09 Roche Diagnostics Corporation Biosensor with code pattern
US7877161B2 (en) 2003-03-17 2011-01-25 Tokyo Electron Limited Method and system for performing a chemical oxide removal process
JP5001388B2 (ja) * 2003-06-24 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置の圧力制御方法
JP4860219B2 (ja) * 2005-02-14 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、電子デバイスの製造方法及びプログラム
JP4843285B2 (ja) * 2005-02-14 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 電子デバイスの製造方法及びプログラム
JP4475136B2 (ja) 2005-02-18 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム、前処理装置及び記憶媒体
JP2007088401A (ja) * 2005-08-25 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置,基板処理方法,プログラム,プログラムを記録した記録媒体
JP4791110B2 (ja) * 2005-09-02 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空チャンバおよび真空処理装置
JP5046506B2 (ja) * 2005-10-19 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置,基板処理方法,プログラム,プログラムを記録した記録媒体
JP4890025B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び記録媒体
JP4854317B2 (ja) 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP4933789B2 (ja) * 2006-02-13 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US7660640B2 (en) * 2006-03-07 2010-02-09 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for predictive control of a power generation system
JP4688764B2 (ja) * 2006-09-19 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の載置台除電方法
JP5084250B2 (ja) * 2006-12-26 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
JP2008186865A (ja) 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5048352B2 (ja) 2007-01-31 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2008192643A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20080217293A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Tokyo Electron Limited Processing system and method for performing high throughput non-plasma processing
KR100851237B1 (ko) * 2007-03-15 2008-08-20 피에스케이 주식회사 기판 처리 방법
KR101411421B1 (ko) * 2007-09-21 2014-07-01 호재혁 반입/반출챔버, 이송챔버, 이를 포함하는 진공처리시스템
JP5374039B2 (ja) 2007-12-27 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
US20120088370A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 Lam Research Corporation Substrate Processing System with Multiple Processing Devices Deployed in Shared Ambient Environment and Associated Methods
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
CN102506712A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 中国科学院微电子研究所 一种激光检测装置
US8998553B2 (en) * 2011-12-07 2015-04-07 Intevac, Inc. High throughput load lock for solar wafers
CN104094394A (zh) * 2012-02-08 2014-10-08 应用材料公司 用于分散的基板的具有蜂巢式结构的动态负载锁定
KR101707295B1 (ko) 2012-05-23 2017-02-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 산화물 에칭 방법
KR101715460B1 (ko) 2012-06-08 2017-03-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 방법
JP5997555B2 (ja) 2012-09-14 2016-09-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
JP6097192B2 (ja) 2013-04-19 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6139986B2 (ja) * 2013-05-31 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6258656B2 (ja) 2013-10-17 2018-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6239339B2 (ja) 2013-10-17 2017-11-29 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構
US20150219565A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Application of in-line thickness metrology and chamber matching in display manufacturing
KR20150110947A (ko) * 2014-03-21 2015-10-05 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2016012609A (ja) 2014-06-27 2016-01-21 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2016025195A (ja) 2014-07-18 2016-02-08 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6494226B2 (ja) 2014-09-16 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
KR102418643B1 (ko) * 2015-05-14 2022-07-08 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법
US10290553B2 (en) * 2015-06-24 2019-05-14 Tokyo Electron Limited System and method of determining process completion of post heat treatment of a dry etch process
US10388553B2 (en) * 2015-12-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
JP6635888B2 (ja) 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
JP6640759B2 (ja) * 2017-01-11 2020-02-05 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7109165B2 (ja) 2017-05-30 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6615153B2 (ja) 2017-06-16 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法
JP6796559B2 (ja) 2017-07-06 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法および残渣除去方法
US10964608B2 (en) * 2018-03-20 2021-03-30 Tokyo Electron Limited Platform and method of operating for integrated end-to-end gate contact process
CN112074943A (zh) * 2018-05-15 2020-12-11 瑞士艾发科技 基体真空处理设备及其方法
JP7204348B2 (ja) 2018-06-08 2023-01-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP7034320B2 (ja) 2018-09-26 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング残渣の除去方法、および記憶媒体
JP7224160B2 (ja) 2018-12-04 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 発光モニタ方法、基板処理方法、および基板処理装置
CN111690914B (zh) * 2019-03-13 2023-05-02 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种化学气相沉积设备及其控制方法和控制装置
CN112397411A (zh) * 2019-08-13 2021-02-23 台湾积体电路制造股份有限公司 包含抽出装置的制程系统及其监测方法
JP7296825B2 (ja) * 2019-08-26 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 載置装置の制御方法、載置装置および検査装置
JP2021180281A (ja) 2020-05-15 2021-11-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP2022077419A (ja) 2020-11-11 2022-05-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
KR20220087623A (ko) * 2020-12-17 2022-06-27 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US20230048337A1 (en) * 2021-08-16 2023-02-16 Applied Materials, Inc. Prevention of contamination of substrates during pressure changes in processing systems
CN115088922B (zh) * 2022-06-17 2023-10-13 瑞安市大虎鞋业有限公司 一种皮鞋生产加工用表面清灰装置及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置
KR0167480B1 (ko) * 1991-03-25 1999-02-01 이노우에 아키라 반도체층 표면의 처리방법
KR100256215B1 (ko) 1993-02-26 2000-06-01 히가시 데쓰로 멀티챔버 시스템

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2723284A1 (de) * 1977-05-24 1978-12-07 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Transporteinrichtung fuer die bewegung von gegenstaenden in abgeschlossenen raeumen
DE2812271C2 (de) * 1978-03-21 1983-01-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung mit mehreren Schleusenkammern zum chargenweisen Beschichten von Substraten
DE2831710B1 (de) * 1978-07-19 1979-10-25 Messerschmitt Boelkow Blohm Einrichtung zur Erhoehung des Vakuums in einer von einem Band durchlaufenen Vakuumkammer
US5174881A (en) * 1988-05-12 1992-12-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate
DE3935002A1 (de) * 1989-10-20 1991-04-25 Plasonic Oberflaechentechnik G Verfahren und vorrichtung zur kontinuierlichen bearbeitung von substraten
JPH04162709A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Fujitsu Ltd 半導体製造装置および反応処理方法
US5558482A (en) * 1992-07-29 1996-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-chamber system
JPH0653304A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Tokyo Electron Ltd 減圧処理装置
US5636960A (en) * 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
JP3422583B2 (ja) 1994-03-23 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
DE4417026A1 (de) * 1994-05-14 1995-12-14 Norbert Stegmann Verfahren und Vorrichtung zum Dekontaminieren von mit Schadstoffen belasteter Materialien
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
JPH0874028A (ja) * 1994-09-01 1996-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置および薄膜形成方法
KR100269097B1 (ko) 1996-08-05 2000-12-01 엔도 마코토 기판처리장치
JPH10107124A (ja) * 1996-08-05 1998-04-24 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
US5753161A (en) * 1996-08-14 1998-05-19 Owens-Corning Fiberglas Technology, Inc. Vacuum extrusion system and method
US5914493A (en) * 1997-02-21 1999-06-22 Nikon Corporation Charged-particle-beam exposure apparatus and methods with substrate-temperature control
ATE262052T1 (de) * 1998-03-27 2004-04-15 Empa Vakuumbandbeschichtungsanlage
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
JP2000012649A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造方法
JP3629371B2 (ja) * 1998-10-29 2005-03-16 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2000150618A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 真空処理システム
TW442891B (en) 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
JP2000195921A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP4256551B2 (ja) * 1998-12-25 2009-04-22 東京エレクトロン株式会社 真空処理システム
TW444321B (en) 1999-01-12 2001-07-01 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing apparatus
JP2000349134A (ja) 1999-06-02 2000-12-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001135704A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Sharp Corp 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
JP2001150618A (ja) * 1999-11-30 2001-06-05 Daicel Chem Ind Ltd 積層体
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
US6335261B1 (en) * 2000-05-31 2002-01-01 International Business Machines Corporation Directional CVD process with optimized etchback
US6440808B1 (en) * 2000-09-28 2002-08-27 International Business Machines Corporation Damascene-gate process for the fabrication of MOSFET devices with minimum poly-gate depletion, silicided source and drain junctions, and low sheet resistance gate-poly
DE10237311A1 (de) * 2001-08-14 2003-05-22 Samsung Corning Co Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen von Dünnschichten auf einen Glasträger
US6660598B2 (en) * 2002-02-26 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method of forming a fully-depleted SOI ( silicon-on-insulator) MOSFET having a thinned channel region
US6797617B2 (en) * 2002-05-21 2004-09-28 Asm America, Inc. Reduced cross-contamination between chambers in a semiconductor processing tool
US6858532B2 (en) * 2002-12-10 2005-02-22 International Business Machines Corporation Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0167480B1 (ko) * 1991-03-25 1999-02-01 이노우에 아키라 반도체층 표면의 처리방법
KR100256215B1 (ko) 1993-02-26 2000-06-01 히가시 데쓰로 멀티챔버 시스템
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置

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