JPH03196525A - シリコン窒化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン窒化膜の形成方法Info
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- JPH03196525A JPH03196525A JP33746389A JP33746389A JPH03196525A JP H03196525 A JPH03196525 A JP H03196525A JP 33746389 A JP33746389 A JP 33746389A JP 33746389 A JP33746389 A JP 33746389A JP H03196525 A JPH03196525 A JP H03196525A
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- silicon nitride
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン窒化膜の形成方法に関し、特にシラン
（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨｓ）あるいはジクロル
シラン（Ｓ ｉ Ｈ２ＣＩＩ ２） トアンモニア（Ｎ
Ｈｓ ）を用いた減圧化学気相成長（以下ＬＰＧＶＤ
と称す）法によるシリコン窒化膜の形成方法に関する。
（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨｓ）あるいはジクロル
シラン（Ｓ ｉ Ｈ２ＣＩＩ ２） トアンモニア（Ｎ
Ｈｓ ）を用いた減圧化学気相成長（以下ＬＰＧＶＤ
と称す）法によるシリコン窒化膜の形成方法に関する。
従来、この種の減圧化学気相成長法によるシリコン窒化
膜は第３図に示すようなＬＰＧＶＤ装置で形成されてい
た。ここで３１は反応管、３２は反応ガス供給系、３３
はハツチ、３４は加熱源、３５はメインバルブ、３６は
メカニカルブースターポンプ、３７はロータリーポンプ
、３８は石英ポート、３９はウェハーである。このよう
なウェハー３９上に化学気相成長を行なうにはウェハー
３９を石英ボート３８上に一定の間隔を保つように配置
し、これをウェハー移送治具で前方開口部より反応管３
１の中に入炉して加熱源３４により加熱されたウェハー
表面へ反応ガス供給系３２から反応ガスを供給すること
で反応ガスの熱分解反応によりシリコン窒化膜の薄膜を
生成する。
膜は第３図に示すようなＬＰＧＶＤ装置で形成されてい
た。ここで３１は反応管、３２は反応ガス供給系、３３
はハツチ、３４は加熱源、３５はメインバルブ、３６は
メカニカルブースターポンプ、３７はロータリーポンプ
、３８は石英ポート、３９はウェハーである。このよう
なウェハー３９上に化学気相成長を行なうにはウェハー
３９を石英ボート３８上に一定の間隔を保つように配置
し、これをウェハー移送治具で前方開口部より反応管３
１の中に入炉して加熱源３４により加熱されたウェハー
表面へ反応ガス供給系３２から反応ガスを供給すること
で反応ガスの熱分解反応によりシリコン窒化膜の薄膜を
生成する。
この場合、反応ガスとして５ｉＨｎとＮＨｓあるいは５
ｉＨｚＣｆｚとＮＨ，が使用され、前述の装置にてウェ
ハー上にシリコン窒化膜が成長された彷は未反応ガスあ
るいは反応生成ガスは、メカニカルブースタポンプ３６
とロータリーポンプ３７て排気され、更に窒素（Ｎ２）
やアルゴン（Ａｒ）九どの不活性ガスを反応管３１内に
供給することにより反応管３１内をパージしていた。
ｉＨｚＣｆｚとＮＨ，が使用され、前述の装置にてウェ
ハー上にシリコン窒化膜が成長された彷は未反応ガスあ
るいは反応生成ガスは、メカニカルブースタポンプ３６
とロータリーポンプ３７て排気され、更に窒素（Ｎ２）
やアルゴン（Ａｒ）九どの不活性ガスを反応管３１内に
供給することにより反応管３１内をパージしていた。
上述した従来のシリコン窒化膜の形成方法は、反応管内
壁に吸着した未反応ガスが、完全にはパージされず、ウ
ェハーを出炉する際に大気中の酸素と反応し、反応生成
物が多量に発生し、この反応生成物が次の成長を行う際
にウェハー上にゴミとして付着し、製品の歩留を著しく
低下させるといった欠点があった。
壁に吸着した未反応ガスが、完全にはパージされず、ウ
ェハーを出炉する際に大気中の酸素と反応し、反応生成
物が多量に発生し、この反応生成物が次の成長を行う際
にウェハー上にゴミとして付着し、製品の歩留を著しく
低下させるといった欠点があった。
本発明のシリコン窒化膜の形成方法は、半導体基板の一
主面上にシリコン窒化膜を減圧化学気相成長法により、
気相成長する工程と、次にシリコン窒化膜成長後にシリ
コン窒化膜が成長された前記基板が装填された状態で前
記減圧化学気相成長に使用した反応管内を１０−８Ｔｏ
ｒｒ以下の高真空に排気する工程と、しかる後、前記反
応管内にパージ用ガスを導入する工程をふくむことを特
徴とする。
主面上にシリコン窒化膜を減圧化学気相成長法により、
気相成長する工程と、次にシリコン窒化膜成長後にシリ
コン窒化膜が成長された前記基板が装填された状態で前
記減圧化学気相成長に使用した反応管内を１０−８Ｔｏ
ｒｒ以下の高真空に排気する工程と、しかる後、前記反
応管内にパージ用ガスを導入する工程をふくむことを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例で使用するＬＰＣＶＤ装置の
概要図である。ここで１は反応管、２はハツチ、３はバ
ルブＡ、４はメカニカルブースタポンプ、５はロータリ
ーポンプ、６はバルブＢ、７はターボ分子ポンプ、８は
バルブＣである。本実施例は、第１図に示した装置にて
、まずバルブＢ６、バルブＣ８を閉じ、バルブＡ３を開
き、メカニカルブースタポンプ４とロータリーポンプ５
を用いて従来と同じ方法でシリコン窒化膜を成長した後
、反応ガスの供給を停止する。次に、メカニカルブース
タポンプ４とロータリーポンプ５とで反応管１内をＩ
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで引く。次に、バルブＡ３を閉
じ、バルブＢ６とバルブＣ８を開き、ターボ分子ポンプ
７とロータリーポンプ５とで反応管１内を高真空にする
。例えば、本実施例では４０分程度で９ Ｘ １０−”
Ｔｏｒｒの真空度が達成できた６次に、反応管１内にＮ
２を供給して、反応管１内の圧力を０．１Ｔｏｒｒとし
た後、バルブＢ６とバルブＣ８を閉じると同時にバルブ
Ａ３を開ける。残りの工程は従来と同じ方法で成長を終
了させる。
概要図である。ここで１は反応管、２はハツチ、３はバ
ルブＡ、４はメカニカルブースタポンプ、５はロータリ
ーポンプ、６はバルブＢ、７はターボ分子ポンプ、８は
バルブＣである。本実施例は、第１図に示した装置にて
、まずバルブＢ６、バルブＣ８を閉じ、バルブＡ３を開
き、メカニカルブースタポンプ４とロータリーポンプ５
を用いて従来と同じ方法でシリコン窒化膜を成長した後
、反応ガスの供給を停止する。次に、メカニカルブース
タポンプ４とロータリーポンプ５とで反応管１内をＩ
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで引く。次に、バルブＡ３を閉
じ、バルブＢ６とバルブＣ８を開き、ターボ分子ポンプ
７とロータリーポンプ５とで反応管１内を高真空にする
。例えば、本実施例では４０分程度で９ Ｘ １０−”
Ｔｏｒｒの真空度が達成できた６次に、反応管１内にＮ
２を供給して、反応管１内の圧力を０．１Ｔｏｒｒとし
た後、バルブＢ６とバルブＣ８を閉じると同時にバルブ
Ａ３を開ける。残りの工程は従来と同じ方法で成長を終
了させる。
本実施例では、シリコン窒化膜成長後の工程で反応管１
内がＩ Ｏ−’Ｔｏｒｒ以下の真空度まで引かれている
ために未反応ガスあるいは反応生成ガスの残留度が著し
く少ない。したがって、反応管１内に大気中の酸素が混
入してもゴミの発生が少ないため、従来、５００個／ウ
ェハーのゴミレベルが、１００個／ウェハー以下まで低
減された。
内がＩ Ｏ−’Ｔｏｒｒ以下の真空度まで引かれている
ために未反応ガスあるいは反応生成ガスの残留度が著し
く少ない。したがって、反応管１内に大気中の酸素が混
入してもゴミの発生が少ないため、従来、５００個／ウ
ェハーのゴミレベルが、１００個／ウェハー以下まで低
減された。
第２図は本発明の他の実施例で使用するＬＰＧＶＤ装置
の概要図である。ここで第１図と違うのは、ターボ分子
ポンプ７がクライオポンプ９に変わっている点である。
の概要図である。ここで第１図と違うのは、ターボ分子
ポンプ７がクライオポンプ９に変わっている点である。
本実施例のシリコン窒化膜の形成方法は、第１の実施例
と基本的に同じであるが、高真空ポンプとしてクライオ
ポンプ９を使用しているため、反応管１内を１０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の高真空に引いた後、Ｎ２を供給する前にバ
ルブＢ６を閉じ、バルブＡ３を開けてからＮ、を供給し
た。
と基本的に同じであるが、高真空ポンプとしてクライオ
ポンプ９を使用しているため、反応管１内を１０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の高真空に引いた後、Ｎ２を供給する前にバ
ルブＢ６を閉じ、バルブＡ３を開けてからＮ、を供給し
た。
本実施例においても、未反応ガスや反応生成ガスの残留
量が著しく低減されたため、ゴミレベルを１００個／ウ
ェハー以下まで低減できた。
量が著しく低減されたため、ゴミレベルを１００個／ウ
ェハー以下まで低減できた。
本実施例では、高真空ポンプとして、ターボ分子ポンプ
７とクライオポンプ９を使用しているが、１０−”Ｔｏ
ｒｒ以下の高真空が達成できるポンプであれば、いかな
るポンプでも使用可能であることはいうまでもない。
７とクライオポンプ９を使用しているが、１０−”Ｔｏ
ｒｒ以下の高真空が達成できるポンプであれば、いかな
るポンプでも使用可能であることはいうまでもない。
以上説明したように本発明は、減圧化学気相成長法を用
いてシリコン窒化膜成長後、反応管内を高真空まで引き
未反応ガスや反応生成ガスの残留量を著しく低減させる
ことにより、大気中の酸素が混入してもゴミの発生を抑
制し、歩留りを向上させる効果がある。
いてシリコン窒化膜成長後、反応管内を高真空まで引き
未反応ガスや反応生成ガスの残留量を著しく低減させる
ことにより、大気中の酸素が混入してもゴミの発生を抑
制し、歩留りを向上させる効果がある。
第１図は本発明の一実施例で使用するＬＰＣＶＤ装置の
概要図、第２図は本発明の他の実施例で使用するＬＰＧ
ＶＤ装置の概要図、第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置の概
要図である。
概要図、第２図は本発明の他の実施例で使用するＬＰＧ
ＶＤ装置の概要図、第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置の概
要図である。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上にシリコン窒化膜を減圧化学気相
成長法により気相成長する工程と、次にシリコン窒化膜
成長後にシリコン窒化膜が成長された前記基板が装填さ
れた状態で前記減圧化学気相成長に使用した反応管内を
１０＾−＾８Ｔｏｒｒ以下の高真空に排気する工程と、
しかる後、前記反応管内にパージ用ガスを導入する工程
をふくむことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33746389A JPH03196525A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33746389A JPH03196525A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196525A true JPH03196525A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18308879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33746389A Pending JPH03196525A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | シリコン窒化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113117455A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-16 | 江西师范大学 | 氯化胆碱-甘油低共熔溶剂在吸收HCl气体中的应用 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33746389A patent/JPH03196525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113117455A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-16 | 江西师范大学 | 氯化胆碱-甘油低共熔溶剂在吸收HCl气体中的应用 |
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