JPH10273780A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH10273780A JPH10273780A JP8127097A JP8127097A JPH10273780A JP H10273780 A JPH10273780 A JP H10273780A JP 8127097 A JP8127097 A JP 8127097A JP 8127097 A JP8127097 A JP 8127097A JP H10273780 A JPH10273780 A JP H10273780A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 供給開始時における原料の無駄を無くすこと
ができるとともに、原料を安定した状態で反応室に供給
することができるＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 溶液原料Ａを加熱気化させて反応室３に
供給する気化器７に、溶液原料を供給する溶液原料供給
経路１２と、該溶液原料と同程度の蒸発熱を有する代替
溶媒Ｂを供給する代替溶媒供給経路１３とを流路切換弁
１４を介して切換え可能に接続する。
ができるとともに、原料を安定した状態で反応室に供給
することができるＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 溶液原料Ａを加熱気化させて反応室３に
供給する気化器７に、溶液原料を供給する溶液原料供給
経路１２と、該溶液原料と同程度の蒸発熱を有する代替
溶媒Ｂを供給する代替溶媒供給経路１３とを流路切換弁
１４を介して切換え可能に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ（ケミカル
ベーパーデポジション）装置に関し、詳しくは、固体原
料を溶媒に溶解した溶液を原料として用いるＣＶＤ装置
に関する。
ベーパーデポジション）装置に関し、詳しくは、固体原
料を溶媒に溶解した溶液を原料として用いるＣＶＤ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置における薄膜生成原料として
固体原料を用いる際には、固体原料を直接加熱するとと
もに該固体原料にキャリヤガスを接触させ、気化した原
料蒸気をキャリヤガスで搬送して反応室に供給する方法
と、固体原料を溶媒に溶解させて溶液（溶液原料）と
し、この溶液原料を気化器内で加熱して気化させ、これ
をキャリヤガスで搬送して反応室に供給する方法とが知
られている。
固体原料を用いる際には、固体原料を直接加熱するとと
もに該固体原料にキャリヤガスを接触させ、気化した原
料蒸気をキャリヤガスで搬送して反応室に供給する方法
と、固体原料を溶媒に溶解させて溶液（溶液原料）と
し、この溶液原料を気化器内で加熱して気化させ、これ
をキャリヤガスで搬送して反応室に供給する方法とが知
られている。
【０００３】固体原料を直接加熱する方法では、原料供
給量を増やすために固体原料を２００℃前後の高温に加
熱しているため、熱によって重合や分解が進んでしまう
ことがあった。また、固体原料の蒸気をキャリヤガスに
同伴させて反応室に供給するので、キャリヤガスと固体
原料とを効率よく接触させる必要があるが、接触状態が
経時的に変化してしまうので、再現性よく薄膜を作製す
ることが困難であった。
給量を増やすために固体原料を２００℃前後の高温に加
熱しているため、熱によって重合や分解が進んでしまう
ことがあった。また、固体原料の蒸気をキャリヤガスに
同伴させて反応室に供給するので、キャリヤガスと固体
原料とを効率よく接触させる必要があるが、接触状態が
経時的に変化してしまうので、再現性よく薄膜を作製す
ることが困難であった。
【０００４】一方、溶液状態とした原料を用いる方法
は、固体原料を直接加熱する方法に比べて、原料を高温
に保持する必要がないため、熱による原料の変質が抑え
られ、成膜速度も向上することが知られており、比較的
大径の基板上にも均一な薄膜を作製することができるの
で、８インチ以上の基板に薄膜を形成する際に好適に用
いられている。
は、固体原料を直接加熱する方法に比べて、原料を高温
に保持する必要がないため、熱による原料の変質が抑え
られ、成膜速度も向上することが知られており、比較的
大径の基板上にも均一な薄膜を作製することができるの
で、８インチ以上の基板に薄膜を形成する際に好適に用
いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の溶液原料を用い
る場合は、反応室に供給する前に気化器で溶液原料を加
熱して気化させる必要があり、溶液原料を効率よく気化
させるために様々な形式の気化器が用いられている。
る場合は、反応室に供給する前に気化器で溶液原料を加
熱して気化させる必要があり、溶液原料を効率よく気化
させるために様々な形式の気化器が用いられている。
【０００６】しかし、いずれの形式の気化器を用いた場
合でも、溶液原料の供給開始時に、空の気化器内に溶液
原料を流入させると、溶液原料の蒸発によって気化器の
温度が低下してしまうことに変わりはない。この温度低
下は、気化器に設けられている温度調節機構によって徐
々に回復するが、このときの温度変化に伴い、溶液原料
の気化量も、その温度における蒸気圧に従って変化し、
気化器から流出する原料の量も変動することになる。し
たがって、気化器の温度が安定し、溶液原料の気化量が
一定になるまでの間は、原料を反応室に供給することが
できず、高価な原料を捨てることになる。
合でも、溶液原料の供給開始時に、空の気化器内に溶液
原料を流入させると、溶液原料の蒸発によって気化器の
温度が低下してしまうことに変わりはない。この温度低
下は、気化器に設けられている温度調節機構によって徐
々に回復するが、このときの温度変化に伴い、溶液原料
の気化量も、その温度における蒸気圧に従って変化し、
気化器から流出する原料の量も変動することになる。し
たがって、気化器の温度が安定し、溶液原料の気化量が
一定になるまでの間は、原料を反応室に供給することが
できず、高価な原料を捨てることになる。
【０００７】また、原料供給中に、気化器内の所定の気
化ポイントより手前で溶媒のみが蒸発してしまうと、そ
こに固体原料が析出することになる。同様に、溶液原料
の供給を停止するため、気化ポイントより上流側の弁を
閉じると、この弁から気化ポイントまでの間に残った溶
液原料から溶媒のみが先に気化し、固体原料が流路中に
析出してしまう。
化ポイントより手前で溶媒のみが蒸発してしまうと、そ
こに固体原料が析出することになる。同様に、溶液原料
の供給を停止するため、気化ポイントより上流側の弁を
閉じると、この弁から気化ポイントまでの間に残った溶
液原料から溶媒のみが先に気化し、固体原料が流路中に
析出してしまう。
【０００８】このように固体原料が析出すると、安定し
た気化状態が得られなくなり、反応室への原料供給量が
変動して成膜操作に影響を与えることがある。また、次
に送られてくる溶液原料中に析出した固体原料が溶解
し、原料濃度が高くなってしまうこともあった。さら
に、固体原料の析出量が多い場合は、流路が閉塞されて
液体原料の供給を行えなくなることもある。
た気化状態が得られなくなり、反応室への原料供給量が
変動して成膜操作に影響を与えることがある。また、次
に送られてくる溶液原料中に析出した固体原料が溶解
し、原料濃度が高くなってしまうこともあった。さら
に、固体原料の析出量が多い場合は、流路が閉塞されて
液体原料の供給を行えなくなることもある。
【０００９】そこで本発明は、供給開始時における原料
の無駄を無くすことができるとともに、原料を安定した
状態で反応室に供給することができるＣＶＤ装置を提供
することを目的としている。
の無駄を無くすことができるとともに、原料を安定した
状態で反応室に供給することができるＣＶＤ装置を提供
することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＣＶＤ装置は、溶液原料を気化器で加熱気
化させて反応室に供給し、所定温度に加熱された基板上
に薄膜を作製するＣＶＤ装置において、前記気化器に、
前記溶液原料を供給する経路と、該溶液原料と同程度の
蒸発熱を有する代替溶媒を供給する経路とを切換え可能
に接続したことを特徴としている。
め、本発明のＣＶＤ装置は、溶液原料を気化器で加熱気
化させて反応室に供給し、所定温度に加熱された基板上
に薄膜を作製するＣＶＤ装置において、前記気化器に、
前記溶液原料を供給する経路と、該溶液原料と同程度の
蒸発熱を有する代替溶媒を供給する経路とを切換え可能
に接続したことを特徴としている。
【００１１】さらに、本発明は、前記気化器が、複数枚
積層した円盤間から前記溶液原料を滲出させる形式のも
のであり、前記積層した円盤の締付け力を調節する手段
を備えていることを特徴としている。
積層した円盤間から前記溶液原料を滲出させる形式のも
のであり、前記積層した円盤の締付け力を調節する手段
を備えていることを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＣＶＤ装置の一
形態例を示す系統図である。このＣＶＤ装置は、基板１
を加熱するヒーター２を備えた反応室３と、この反応室
３に薄膜生成原料を供給する原料供給系４とにより形成
されている。この原料供給系４には、固体原料を溶媒に
溶解した溶液原料Ａを入れる溶液原料容器５と、該溶液
原料容器５内の溶液原料を供給するためのポンプ６と、
溶液原料を加熱して気化させる気化器７と、気化器７で
気化した原料蒸気を搬送するためのキャリヤガスを流量
制御器８を介して供給するキャリヤガス供給経路９と、
前記溶液原料Ａと同程度の蒸発熱を有する代替溶媒Ｂを
入れる代替溶媒容器１０と、該代替溶媒容器１０内の代
替溶媒を供給するためのポンプ１１とが設けられてお
り、前記溶液原料容器５からポンプ６を経て気化器７に
至る溶液原料供給経路１２と、代替溶媒容器１０からポ
ンプ１１を経て気化器７に至る代替溶媒供給経路１３と
は、気化器７の上流に設けられた流路切換弁１４に切換
え可能な状態で接続されている。通常、この原料供給系
４は、薄膜の生成に必要な原料の種類に応じて複数系統
設けられている。
形態例を示す系統図である。このＣＶＤ装置は、基板１
を加熱するヒーター２を備えた反応室３と、この反応室
３に薄膜生成原料を供給する原料供給系４とにより形成
されている。この原料供給系４には、固体原料を溶媒に
溶解した溶液原料Ａを入れる溶液原料容器５と、該溶液
原料容器５内の溶液原料を供給するためのポンプ６と、
溶液原料を加熱して気化させる気化器７と、気化器７で
気化した原料蒸気を搬送するためのキャリヤガスを流量
制御器８を介して供給するキャリヤガス供給経路９と、
前記溶液原料Ａと同程度の蒸発熱を有する代替溶媒Ｂを
入れる代替溶媒容器１０と、該代替溶媒容器１０内の代
替溶媒を供給するためのポンプ１１とが設けられてお
り、前記溶液原料容器５からポンプ６を経て気化器７に
至る溶液原料供給経路１２と、代替溶媒容器１０からポ
ンプ１１を経て気化器７に至る代替溶媒供給経路１３と
は、気化器７の上流に設けられた流路切換弁１４に切換
え可能な状態で接続されている。通常、この原料供給系
４は、薄膜の生成に必要な原料の種類に応じて複数系統
設けられている。
【００１３】また、反応室３の直前には、原料の一つで
ある酸素を流量制御器１５を介して供給するための酸素
供給経路１６と、キャリヤガスに同伴された原料蒸気と
酸素とを混合するための混合器１７とが設けられてお
り、各原料供給系４から供給される原料蒸気は、混合器
１７で酸素と混合した状態で反応室３内に供給される。
さらに、各原料供給系４には、原料供給ラインと排気ラ
インとを切換えるための切換弁１８ａ，１８ｂと排気管
１９とが設けられ、反応室３には排気ポンプ２０が接続
されている。
ある酸素を流量制御器１５を介して供給するための酸素
供給経路１６と、キャリヤガスに同伴された原料蒸気と
酸素とを混合するための混合器１７とが設けられてお
り、各原料供給系４から供給される原料蒸気は、混合器
１７で酸素と混合した状態で反応室３内に供給される。
さらに、各原料供給系４には、原料供給ラインと排気ラ
インとを切換えるための切換弁１８ａ，１８ｂと排気管
１９とが設けられ、反応室３には排気ポンプ２０が接続
されている。
【００１４】前記気化器７は、中心部に液流路を有する
円盤（ディスク）２１を複数枚積層し、各ディスク同士
の接触面間からディスク外周に液を滲出させ、この滲出
した液を気化させる形式のものであって、気化器７の外
周には、気化器内を所定温度に加熱するための温度調節
機構を備えたヒーター（図示せず）が設けられている。
すなわち、気化器７に流入した液は、ディスク中央部を
流れて各ディスク間から所定温度に保持されているディ
スク外周に滲出し、ここで全量が気化するとともに、キ
ャリヤガス供給経路９から供給されるキャリヤガスに同
伴されて気化器７から流出する。
円盤（ディスク）２１を複数枚積層し、各ディスク同士
の接触面間からディスク外周に液を滲出させ、この滲出
した液を気化させる形式のものであって、気化器７の外
周には、気化器内を所定温度に加熱するための温度調節
機構を備えたヒーター（図示せず）が設けられている。
すなわち、気化器７に流入した液は、ディスク中央部を
流れて各ディスク間から所定温度に保持されているディ
スク外周に滲出し、ここで全量が気化するとともに、キ
ャリヤガス供給経路９から供給されるキャリヤガスに同
伴されて気化器７から流出する。
【００１５】また、この気化器７には、コイルバネ２２
と調節ボルト２３とからなるディスク接触圧（締付け
力）調節手段が設けられており、ディスク２１の締付け
力を、調節ボルト２３のねじ込み量を調節してコイルバ
ネ２２の弾発力を調節することにより行えるように形成
されている。
と調節ボルト２３とからなるディスク接触圧（締付け
力）調節手段が設けられており、ディスク２１の締付け
力を、調節ボルト２３のねじ込み量を調節してコイルバ
ネ２２の弾発力を調節することにより行えるように形成
されている。
【００１６】このように形成したＣＶＤ装置で薄膜を作
製する際には、まず、切換弁１８ａ，１８ｂを排気ライ
ン側に切換えた状態で、気化器７を所定温度に加熱する
とともに、前記流路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３
側に切換え、気化器７に代替溶媒を所定流量で供給す
る。気化器７では、代替溶媒の気化によって気化器７内
の温度が一旦低下するが、周知の温度調節機構の作用で
次第に温度が上昇し、あらかじめ設定された温度で安定
した状態となるので、この状態で流路切換弁１４を溶液
原料供給経路１２側に切換えて溶液原料の供給を開始す
る。このとき、気化器７は、溶液原料と同程度の蒸発熱
を有する代替溶媒が気化している状態で温度が安定して
いるので、代替溶媒の気化から溶液原料の気化に切替わ
っても気化器７内の温度が変動することはなく、安定し
た状態で原料の供給を開始することができる。したがっ
て、排気ラインから排出される原料の量を大幅に低減さ
せることができる。なお、実際の成膜開始は、切換弁１
８ａ，１８ｂを原料供給ライン側に切換え開閉すること
により行われる。
製する際には、まず、切換弁１８ａ，１８ｂを排気ライ
ン側に切換えた状態で、気化器７を所定温度に加熱する
とともに、前記流路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３
側に切換え、気化器７に代替溶媒を所定流量で供給す
る。気化器７では、代替溶媒の気化によって気化器７内
の温度が一旦低下するが、周知の温度調節機構の作用で
次第に温度が上昇し、あらかじめ設定された温度で安定
した状態となるので、この状態で流路切換弁１４を溶液
原料供給経路１２側に切換えて溶液原料の供給を開始す
る。このとき、気化器７は、溶液原料と同程度の蒸発熱
を有する代替溶媒が気化している状態で温度が安定して
いるので、代替溶媒の気化から溶液原料の気化に切替わ
っても気化器７内の温度が変動することはなく、安定し
た状態で原料の供給を開始することができる。したがっ
て、排気ラインから排出される原料の量を大幅に低減さ
せることができる。なお、実際の成膜開始は、切換弁１
８ａ，１８ｂを原料供給ライン側に切換え開閉すること
により行われる。
【００１７】さらに、成膜操作を終了するときには、流
路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３側に切換えて気化
器７に代替溶媒を供給することにより、流路切換弁１４
からディスク２１の外周の気化ポイントまでの間の流路
を代替溶媒で洗浄することができるので、溶液原料中の
溶媒のみが気化して固体原料が流路に析出することを防
止できる。これにより、次の成膜操作の開始をスムーズ
に行うことができる。
路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３側に切換えて気化
器７に代替溶媒を供給することにより、流路切換弁１４
からディスク２１の外周の気化ポイントまでの間の流路
を代替溶媒で洗浄することができるので、溶液原料中の
溶媒のみが気化して固体原料が流路に析出することを防
止できる。これにより、次の成膜操作の開始をスムーズ
に行うことができる。
【００１８】また、成膜操作を一時的に停止する場合
も、流路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３側に切換え
ておくことにより、気化器７を所定温度で安定した状態
のまま保持しておくことができるので、成膜操作の再開
に要する時間を短縮できるとともに、原料の無駄な排出
を抑えることができる。さらに、この操作を適宜行うこ
とにより、流路切換弁１４からディスク２１の外周の気
化ポイントまでの流路を洗浄することができるので、原
料の供給を常に安定した状態で行うことができる。
も、流路切換弁１４を代替溶媒供給経路１３側に切換え
ておくことにより、気化器７を所定温度で安定した状態
のまま保持しておくことができるので、成膜操作の再開
に要する時間を短縮できるとともに、原料の無駄な排出
を抑えることができる。さらに、この操作を適宜行うこ
とにより、流路切換弁１４からディスク２１の外周の気
化ポイントまでの流路を洗浄することができるので、原
料の供給を常に安定した状態で行うことができる。
【００１９】特に、流路切換弁１４から気化器７に至る
配管を細くかつ短くしておくことにより、代替溶媒Ｂと
溶液原料Ａとの供給切換えを極めて短時間で行うことが
でき，原料の無駄を更に低減することができるととも
に、洗浄操作も簡単に行うことができる。
配管を細くかつ短くしておくことにより、代替溶媒Ｂと
溶液原料Ａとの供給切換えを極めて短時間で行うことが
でき，原料の無駄を更に低減することができるととも
に、洗浄操作も簡単に行うことができる。
【００２０】なお、この代替溶媒による上記各作用は、
気化器７の形式にかかわらず発揮することができるの
で、各種形式の気化器を用いたＣＶＤ装置に適用するこ
とができる。
気化器７の形式にかかわらず発揮することができるの
で、各種形式の気化器を用いたＣＶＤ装置に適用するこ
とができる。
【００２１】また、ＣＶＤ装置における気化器では、気
化ポイントより手前で溶媒のみが気化することを防止
し、気化ポイントで溶媒と固体原料とが同時にかつ全量
が気化するように、気化器の温度や気化ポイントの表面
積、溶液の圧力等を調整する必要がある。しかしなが
ら、気化器７での溶液原料の気化の様子は、溶媒の種
類、溶液の濃度、溶液の流量、気化器の温度等によって
異なり、正確に気化ポイントにおいて溶媒と固体原料と
を同時に気化させるためには、溶液の圧力を随時調節す
る必要がある。例えば、溶液の圧力が低いと気化ポイン
トが上流側に移動してディスク内の温度の低い部分で気
化が始まる状態となり、固体原料が析出し易くなる。逆
に高くし過ぎるとポンプ等の負担が大きくなり、所定流
量を維持するのが困難になる。
化ポイントより手前で溶媒のみが気化することを防止
し、気化ポイントで溶媒と固体原料とが同時にかつ全量
が気化するように、気化器の温度や気化ポイントの表面
積、溶液の圧力等を調整する必要がある。しかしなが
ら、気化器７での溶液原料の気化の様子は、溶媒の種
類、溶液の濃度、溶液の流量、気化器の温度等によって
異なり、正確に気化ポイントにおいて溶媒と固体原料と
を同時に気化させるためには、溶液の圧力を随時調節す
る必要がある。例えば、溶液の圧力が低いと気化ポイン
トが上流側に移動してディスク内の温度の低い部分で気
化が始まる状態となり、固体原料が析出し易くなる。逆
に高くし過ぎるとポンプ等の負担が大きくなり、所定流
量を維持するのが困難になる。
【００２２】したがって、前述のように、気化器７にデ
ィスク締付け力調節手段を設けておくことにより、ディ
スク間から滲出する溶液の圧力を調節することが可能と
なり、溶媒の種類や溶液の流量等に応じた最適な圧力に
設定することができ、溶液原料の気化ポイントをディス
ク２１の外周部に確実に位置させることができる。な
お、溶液の圧力は、前記溶液原料供給経路１２に圧力計
Ｐを設けておくことにより確認することができる。
ィスク締付け力調節手段を設けておくことにより、ディ
スク間から滲出する溶液の圧力を調節することが可能と
なり、溶媒の種類や溶液の流量等に応じた最適な圧力に
設定することができ、溶液原料の気化ポイントをディス
ク２１の外周部に確実に位置させることができる。な
お、溶液の圧力は、前記溶液原料供給経路１２に圧力計
Ｐを設けておくことにより確認することができる。
【００２３】また、コイルバネ２２と調節ボルト２３と
で締付け力を調節するように形成することにより、締付
け力を外部から無段階で調節することができ、コイルバ
ネ２２の強さや調節ボルト２３のストロークを適当に選
択することにより、ディスク２１を略完全に締付けた状
態から、気化器内の圧力に応じた減圧状態までの範囲で
の圧力調節が可能となり、溶媒や固体原料の種類及び気
化温度、溶液の濃度や粘度、溶液の流量、気化器の温
度、気化器内の圧力等の各種操作条件に応じた幅広い範
囲での圧力調節が可能となる。
で締付け力を調節するように形成することにより、締付
け力を外部から無段階で調節することができ、コイルバ
ネ２２の強さや調節ボルト２３のストロークを適当に選
択することにより、ディスク２１を略完全に締付けた状
態から、気化器内の圧力に応じた減圧状態までの範囲で
の圧力調節が可能となり、溶媒や固体原料の種類及び気
化温度、溶液の濃度や粘度、溶液の流量、気化器の温
度、気化器内の圧力等の各種操作条件に応じた幅広い範
囲での圧力調節が可能となる。
【００２４】すなわち、成膜操作の終了時に、ディスク
２１を最大限に締付けておくことにより、ディスク２１
より上流側に溶液原料を閉じ込めておくことができるの
で、溶液原料から溶媒のみが気化することを防止でき、
溶液原料の濃度変化を抑えることができるとともに、固
体原料の析出も防止できる。
２１を最大限に締付けておくことにより、ディスク２１
より上流側に溶液原料を閉じ込めておくことができるの
で、溶液原料から溶媒のみが気化することを防止でき、
溶液原料の濃度変化を抑えることができるとともに、固
体原料の析出も防止できる。
【００２５】また、前記代替溶媒で気化器７内を洗浄す
る場合には、ディスク２１を緩めて圧力を下げるように
しておくことにより、ディスク部分に残存する固体原料
の分圧が下がって気化し易くなるので、洗浄効果を一層
向上させることができる。
る場合には、ディスク２１を緩めて圧力を下げるように
しておくことにより、ディスク部分に残存する固体原料
の分圧が下がって気化し易くなるので、洗浄効果を一層
向上させることができる。
【００２６】なお、本発明で使用できる上記固体原料と
しては、Ｂａ（ＤＰＭ）2 ，Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ，Ｔｉ
（ＯｉＰｒ）2 （ＤＰＭ）2 ，Ｔｉ（ＯＭｅ）2 （ＤＰ
Ｍ）2，Ｃｕ（ＤＰＭ）2 ，Ｃａ（ＤＰＭ）2 ，Ｂｉ
（Ｃ6 Ｈ5 ）3 ，Ｂｉ｛（Ｃ6 Ｈ5 ）ＣＨ3 ｝3 ，Ｙ
（ＤＰＭ）3 ，Ｂａ（ＨＦＡ）2 ，Ｓｒ（ＨＦＡ）2 ，
Ｃｕ（ＨＦＡ）2 ，Ｃａ（ＨＦＡ）2 等のβ−ジケトネ
ート金属錯体や、この他、シクロペンタジエニル，フェ
ニル化合物及びその誘導体等を挙げることができ、これ
らの固体原料を溶解する溶媒としては、ジエチルアミ
ン，トリエチルアミン，エチレンジアミン，ピリジン，
ビピリジル，ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン等
を挙げることができる。なお、前記ＤＰＭはジピバロイ
ルメタン、ＨＦＡはヘキサフロオロアセチルアセトネー
ト、ＯｉＰｒはイソプロポキシをそれぞれ示す。
しては、Ｂａ（ＤＰＭ）2 ，Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ，Ｔｉ
（ＯｉＰｒ）2 （ＤＰＭ）2 ，Ｔｉ（ＯＭｅ）2 （ＤＰ
Ｍ）2，Ｃｕ（ＤＰＭ）2 ，Ｃａ（ＤＰＭ）2 ，Ｂｉ
（Ｃ6 Ｈ5 ）3 ，Ｂｉ｛（Ｃ6 Ｈ5 ）ＣＨ3 ｝3 ，Ｙ
（ＤＰＭ）3 ，Ｂａ（ＨＦＡ）2 ，Ｓｒ（ＨＦＡ）2 ，
Ｃｕ（ＨＦＡ）2 ，Ｃａ（ＨＦＡ）2 等のβ−ジケトネ
ート金属錯体や、この他、シクロペンタジエニル，フェ
ニル化合物及びその誘導体等を挙げることができ、これ
らの固体原料を溶解する溶媒としては、ジエチルアミ
ン，トリエチルアミン，エチレンジアミン，ピリジン，
ビピリジル，ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン等
を挙げることができる。なお、前記ＤＰＭはジピバロイ
ルメタン、ＨＦＡはヘキサフロオロアセチルアセトネー
ト、ＯｉＰｒはイソプロポキシをそれぞれ示す。
【００２７】また、このような固体原料を用いて得られ
る薄膜としては、ＢＳＴ（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、Ｙ１
（ＳｒＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ9 ）、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 ）、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等の各種高誘電体や強誘
電体、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−Ｏ系等の超電導体酸化物薄膜がある。
る薄膜としては、ＢＳＴ（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、Ｙ１
（ＳｒＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ9 ）、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 ）、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等の各種高誘電体や強誘
電体、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−Ｏ系等の超電導体酸化物薄膜がある。
【００２８】そして、前記代替溶媒には、前記固体原料
を溶解した溶媒と同じものの他、蒸発熱が溶液原料と同
程度であれば、各種溶媒、例えばアセトンやエタノール
等を用いることができる。
を溶解した溶媒と同じものの他、蒸発熱が溶液原料と同
程度であれば、各種溶媒、例えばアセトンやエタノール
等を用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＣＶＤ装
置によれば、溶液原料を加熱して気化させる気化器を安
定した状態で運転することができ、原料の無駄を低減で
きるとともに、得られる薄膜の膜質や膜厚の安定化が図
れ、再現性も向上させることができる。
置によれば、溶液原料を加熱して気化させる気化器を安
定した状態で運転することができ、原料の無駄を低減で
きるとともに、得られる薄膜の膜質や膜厚の安定化が図
れ、再現性も向上させることができる。
【図１】 本発明のＣＶＤ装置の一形態例を示す系統図
である。
である。
１…基板、３…反応室、４…原料供給系、５…溶液原料
容器、６…ポンプ、７…気化器、８…流量制御器、９…
キャリヤガス供給経路、１０…代替溶媒容器、１１…ポ
ンプ、１２…溶液原料供給経路、１３…代替溶媒供給経
路、１４…流路切換弁、１６…酸素供給経路、１７…混
合器、２１…ディスク、２２…コイルバネ、２３…調節
ボルト、Ａ…溶液原料、Ｂ…代替溶媒
容器、６…ポンプ、７…気化器、８…流量制御器、９…
キャリヤガス供給経路、１０…代替溶媒容器、１１…ポ
ンプ、１２…溶液原料供給経路、１３…代替溶媒供給経
路、１４…流路切換弁、１６…酸素供給経路、１７…混
合器、２１…ディスク、２２…コイルバネ、２３…調節
ボルト、Ａ…溶液原料、Ｂ…代替溶媒
Claims (2)
- 【請求項１】 溶液原料を気化器で加熱気化させて反応
室に供給し、所定温度に加熱された基板上に薄膜を作製
するＣＶＤ装置において、前記気化器に、前記溶液原料
を供給する経路と、該溶液原料と同程度の蒸発熱を有す
る代替溶媒を供給する経路とを切換え可能に接続したこ
とを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記気化器は、複数枚積層した円盤間か
ら前記溶液原料を滲出させる形式のものであり、前記積
層した円盤の締付け力を調節する手段を備えていること
を特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127097A JPH10273780A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8127097A JPH10273780A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273780A true JPH10273780A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13741682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8127097A Pending JPH10273780A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10273780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170800A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
| JPWO2016203594A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2018-01-11 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 金属酸化膜の成膜方法 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8127097A patent/JPH10273780A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170800A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法 |
| JPWO2016203594A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2018-01-11 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 金属酸化膜の成膜方法 |
| US11555245B2 (en) | 2015-06-18 | 2023-01-17 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Metal oxide film formation method |
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