JP4080392B2 - ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 - Google Patents
ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4080392B2 JP4080392B2 JP2003276058A JP2003276058A JP4080392B2 JP 4080392 B2 JP4080392 B2 JP 4080392B2 JP 2003276058 A JP2003276058 A JP 2003276058A JP 2003276058 A JP2003276058 A JP 2003276058A JP 4080392 B2 JP4080392 B2 JP 4080392B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- gas
- processing gas
- mist
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、処理ガスに含まれるミスト等に起因する成膜欠陥を予防することができる技術を提供することを目的とする。
このため、ミストが存在しない状態で、所望の測定範囲において、両者の計測値が一致するように予め校正しておけば、両者の計測値の差分からミスト量を測定できる。
また、気化器で生成された処理ガスを用いて成膜を行う成膜工程での生産性を向上させることが可能になる。
図1は、本発明の一実施の形態に係る成膜方法を実施する成膜装置を示す断面図である。この成膜装置は、一例として、CVDによりHf(ハフニウム)酸化膜を成膜するものであり、処理部を構成するチャンバ10と、Hfを含む液体原料を供給する液体原料供給源20と、液体原料供給源20から供給される液体原料を気化して処理ガスを生成する気化器30と、生成された処理ガスをチャンバ10に供給する処理ガス配管40とを備えている。
本体31の側面には、気化空間32を処理ガス配管40に連通させるガス供給路39が設けられている。
まず、図3のフローチャートを参照して、ガス化モニタ50の作用を説明する。モニタコントローラ53は、クリスタルゲージ51にて計測された圧力Pqと、容量マノメータ52にて計測された圧力Pgの差分ΔPが零になるように、適宜、測定値を校正する初期化動作を行う(ステップ101)。本実施の形態では、圧力の絶対的な測定値は必要ないので、校正操作としては、たとえば両者の測定値のいずれかを加減して、差分ΔPが零になるようにする。
ガス化モニタ50の初期化契機の場合には、ステップ201に戻って、ガス化モニタ50に初期化(図3のステップ101の実行)を指示し、初期化契機でない場合には、ステップ202に戻って、成膜完了まで(ステップ203)成膜を継続する。
10a…天壁
10b…底壁
11…サセプタ
12…支持部材
14…ヒータ
15…電源
16…プロセスコントローラ
17…排気ポート
18…排気系
19…シャワーヘッド
19a…供給制御弁
19b…内部空間
19c…ガス吐出孔
20…液体原料供給源
20a…原料配管
30…気化器
31…本体
32…気化空間
32a…ノズル空間
33…気化ヒータ
34…気化ヒータ
35…気化ノズル
35a…原料流量制御弁
36…キャリアガス配管
37…キャリアガス制御弁
38…キャリアガス通路
39…ガス供給路
40…処理ガス配管
50…ガス化モニタ
51…クリスタルゲージ
51a…水晶振動子
51b…電極
51c…電極
51d…共振回路
52…容量マノメータ
52a…受圧室
52b…ダイアフラム
52c…固定電極
53…モニタコントローラ
P1…第1閾値
P2…第2閾値
Pg…容量マノメータで計測される処理ガスの圧力
Pq…クリスタルゲージで計測される処理ガスの圧力
ΔP…PqとPgの差分
W…半導体ウェハ
Claims (19)
- 液体原料または固体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器と前記処理ガスを用いる処理部との間におけるガス供給経路に配置されるガス化モニタであって、
前記処理部は、前記処理ガスの熱分解反応を利用して被処理体に薄膜を形成する成膜装置であり、
前記ガス供給経路に、このガス供給経路に送出された前記処理ガス中に含まれるミスト量を検出する機能を備え、
前記ミスト量を検出する機能が、前記処理ガス中に含まれるミスト量によって当該処理ガスの圧力の計測値が変化する第1圧力計と、前記処理ガス中に含まれるミスト量によって当該処理ガスの圧力の計測値が変化しない第2圧力計と、前記第1圧力計が計測した圧力Pqと前記第2圧力計が計測した圧力Pgの差分ΔPに基づいて前記処理ガス中に含まれるミスト量を検出する制御部とを備えたことを特徴とするガス化モニタ。 - 前記第1圧力計は、前記処理ガス中に配置された振動子の共振インピーダンスが前記処理ガスの圧力に依存して変化することを利用して前記処理ガスの圧力Pqを計測する機能を備え、前記第2圧力計は前記処理ガスの圧力を受ける受圧部の変形に基づいて前記処理ガスの圧力Pgを計測する機能を備えたことを特徴とする請求項1に記載のガス化モニタ。
- 前記第1圧力計は、前記振動子として水晶振動子を用いることで前記圧力Pqを検出するクリスタルゲージであり、前記第2圧力計は、前記受圧部としてダイアフラムを用い、前記ダイアフラムの変形を当該ダイアフラムと対向する固定電極との間の静電容量の変化として検出することで前記圧力Pgを検出する容量マノメータであることを特徴とする請求項2に記載のガス化モニタ。
- 前記処理ガスは、有機金属化合物であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のガス化モニタ。
- 薄膜の形成に使用される処理ガス中に含まれるミストを検出するミストの検出方法であって、
前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化する第1の方法で測定された前記ガスの圧力Pqと、前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化しない第2の方法で測定された前記ガスの圧力Pgの差分ΔPに基づいて前記ガス中に含まれるミスト量を検出することを特徴とするミストの検出方法。 - 前記圧力Pqは、前記ガス中に配置された振動子の共振インピーダンスが前記ガスの圧力に依存して変化することを利用して前記ガスの圧力を検出する第1圧力計にて計測され、前記圧力Pgは、前記ガスの圧力を受ける受圧部の変形に基づいて前記ガスの圧力を検出する第2圧力計にて計測されることを特徴とする請求項5に記載にミストの検出方法。
- 前記第1圧力計は、前記振動子として水晶振動子を用いることで前記圧力Pqを検出するクリスタルゲージであり、前記第2圧力計は、前記受圧部としてダイアフラムを用い、前記ダイアフラムの変形を当該ダイアフラムと対向する固定電極との間の静電容量の変化として検出することで前記圧力Pgを検出する容量マノメータであることを特徴とする請求項6に記載のミストの検出方法。
- 前記処理ガスは、成膜装置に用いられる有機金属化合物であることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載のミストの検出方法。
- 液体原料または固体原料を気化させて得られた処理ガスを熱分解して被処理体に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記液体原料または前記固体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器と前記処理ガスを用いて薄膜を形成する処理部との間におけるガス供給経路に、このガス供給経路に送出された前記処理ガスに含まれるミスト量を監視し、前記ミスト量が減少するように、前記液体原料または固体原料の気化条件を制御し、
前記ガス中に含まれるミスト量が、前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化する第1の方法で測定された前記ガスの圧力Pqと、前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化しない第2の方法で測定された前記ガスの圧力Pgの差分ΔPに基づいて検出されることを特徴とする成膜方法。 - 液体原料または固体原料を気化させて得られた処理ガスを熱分解して被処理体に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記液体原料または前記固体原料を気化させて処理ガスを生成する気化器と前記処理ガスを用いて薄膜を形成する処理部との間におけるガス供給経路に、このガス供給経路に送出された前記処理ガスに含まれるミスト量を監視し、前記ミスト量が所定の閾値を超過した場合に警報を出力するか、または成膜処理を中止し、
前記ガス中に含まれるミスト量が、前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化する第1の方法で測定された前記ガスの圧力Pqと、前記ガス中に含まれるミスト量によって検出される当該ガスの圧力値が変化しない第2の方法で測定された前記ガスの圧力Pgの差分ΔPに基づいて検出されることを特徴とする成膜方法。 - 前記圧力Pqは、前記処理ガス中に配置された振動子の共振インピーダンスが前記処理ガスの圧力に依存して変化することを利用して前記処理ガスの圧力を検出する第1圧力計に計測され、前記圧力Pgは、前記処理ガスの圧力を受ける受圧部の変形に基づいて前記処理ガスの圧力を検出する第2圧力計にて計測されることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の成膜方法。
- 前記第1圧力計は、前記振動子として水晶振動子を用いることで前記圧力Pqを検出するクリスタルゲージであり、前記第2圧力計は、前記受圧部としてダイアフラムを用い、前記ダイアフラムの変形を当該ダイアフラムと対向する固定電極との間の静電容量の変化として検出することで前記圧力Pgを検出する容量マノメータであることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。
- 前記処理ガスは、成膜装置に用いられる有機金属化合物であることを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 処理ガスを用いて被処理体に薄膜を形成する処理部と、
液体原料または固体原料を気化させ前記処理部に前記処理ガスとして供給する気化器と、
前記気化器と前記処理部との間における前記処理ガスの供給経路に、このガス供給経路に送出された前記処理ガス中に含まれるミスト量を検出するガス化モニタとを具備し、
前記ガス化モニタが、前記処理ガス中に含まれるミスト量によって当該処理ガスの圧力の計測値が変化する第1圧力計と、前記処理ガス中に含まれるミスト量によって当該処理ガスの圧力の計測値が変化しない第2圧力計と、前記第1圧力計が計測した圧力Pqと前記第2圧力計が計測した圧力Pgの差分ΔPに基づいて前記処理ガス中に含まれるミスト量を検出する制御部を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス化モニタから得られる前記ミスト量に基づいて、前記気化器の動作および前記処理部の動作の少なくとも一方を制御するプロセスコントローラをさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載の成膜装置。
- 前記第1圧力計は、前記処理ガス中に配置された振動子の共振インピーダンスが前記処理ガスの圧力に依存して変化することを利用して前記処理ガスの圧力Pqを計測する機能を備え、前記第2圧力計は前記処理ガスの圧力を受ける受圧部の変形に基づいて前記処理ガスの圧力Pgを計測する機能を備えたことを特徴とする請求項14または請求項15に記載の成膜装置。
- 前記第1圧力計は、前記振動子として水晶振動子を用いることで前記圧力Pqを検出するクリスタルゲージであり、前記第2圧力計は、前記受圧部としてダイアフラムを用い、前記ダイアフラムの変形を当該ダイアフラムと対向する固定電極との間の静電容量の変化として検出することで前記圧力Pgを検出する容量マノメータであることを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。
- 前記処理部では、前記処理ガスの熱分解反応を利用して被処理体に薄膜を形成する処理が行われることを特徴とする請求項14から請求項17のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記処理ガスは、有機金属化合物であることを特徴とする請求項14から請求項18のいずれか1項に記載の成膜装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003276058A JP4080392B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 |
US10/892,456 US7238238B2 (en) | 2003-07-17 | 2004-07-16 | Gasification monitor, method for detecting mist, film forming method and film forming apparatus |
US11/797,740 US7887873B2 (en) | 2003-07-17 | 2007-05-07 | Gasification monitor, method for detecting mist, film forming method and film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003276058A JP4080392B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005039120A JP2005039120A (ja) | 2005-02-10 |
JP4080392B2 true JP4080392B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=34056147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003276058A Expired - Fee Related JP4080392B2 (ja) | 2003-07-17 | 2003-07-17 | ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7238238B2 (ja) |
JP (1) | JP4080392B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4607474B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
KR100711885B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 |
KR100711886B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 |
KR100645689B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 선형 증착원 |
JP4317174B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2009-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置および成膜装置 |
JP4828918B2 (ja) | 2005-11-07 | 2011-11-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 気化器及び気相成長装置 |
KR101060652B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2011-08-31 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
JP6203476B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2017-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 |
US9207689B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate temperature control method and plasma processing apparatus |
KR20140054043A (ko) * | 2011-08-12 | 2014-05-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
CN103000549B (zh) * | 2011-09-15 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室装置和具有它的基片处理设备 |
US9176020B2 (en) | 2013-10-01 | 2015-11-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Pressure sensor having multiple pressure cells and sensitivity estimation methodology |
JP6444698B2 (ja) * | 2014-11-17 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN110643975B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-09-28 | 东北大学 | 一种金属有机化学源液体的蒸发输运装置 |
CN112097114A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-12-18 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 一种精确制备液态mo源和氢气混合气的装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5476002A (en) * | 1993-07-22 | 1995-12-19 | Femtometrics, Inc. | High sensitivity real-time NVR monitor |
US6244575B1 (en) * | 1996-10-02 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same |
KR100649852B1 (ko) | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
-
2003
- 2003-07-17 JP JP2003276058A patent/JP4080392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-16 US US10/892,456 patent/US7238238B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-07 US US11/797,740 patent/US7887873B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7887873B2 (en) | 2011-02-15 |
JP2005039120A (ja) | 2005-02-10 |
US20050011448A1 (en) | 2005-01-20 |
US7238238B2 (en) | 2007-07-03 |
US20070212485A1 (en) | 2007-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7887873B2 (en) | Gasification monitor, method for detecting mist, film forming method and film forming apparatus | |
US10612143B2 (en) | Raw material gas supply apparatus and film forming apparatus | |
US10483135B2 (en) | Etching method | |
JP4382750B2 (ja) | 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するcvd方法 | |
JP4393844B2 (ja) | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 | |
WO2004040630A1 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
US8697578B2 (en) | Film formation apparatus and method for using same | |
TWI686506B (zh) | 被帶走的蒸汽之測量系統及方法 | |
US9777377B2 (en) | Film forming method and film forming device | |
JP2014007289A (ja) | ガス供給装置及び成膜装置 | |
KR20060092966A (ko) | 누설 검출기 및 처리 가스 모니터 | |
US20070269596A1 (en) | Valve failure detection | |
JP2015073035A (ja) | エッチング方法 | |
TW202036711A (zh) | 用於將對基板體電阻率變動響應之沉積或蝕刻速率變化降低的射頻功率補償 | |
US20220178029A1 (en) | Deposition apparatus and deposition method | |
US11359286B2 (en) | Quartz crystal microbalance concentration monitor | |
KR100515864B1 (ko) | 반도체 장치의 막두께 측정 방법 | |
JP2013038169A (ja) | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 | |
JP6552552B2 (ja) | 膜をエッチングする方法 | |
US10431450B2 (en) | Film forming method | |
KR100808372B1 (ko) | 화학기상증착장치의 진공 시스템 및 이의 제어 방법 | |
CN117616148A (zh) | 原材料供应设备和罐体的温度的控制方法 | |
KR20240048353A (ko) | 캐니스터, 그것을 갖는 전구체 전달 시스 및 그것의 전구체 잔량 측정 방법 | |
TW202318493A (zh) | 用於沉積和蝕刻腔室的上游過程監視 | |
KR200419924Y1 (ko) | 기판 처리 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |