JPH05132779A - 液体材料気化装置 - Google Patents
液体材料気化装置Info
- Publication number
- JPH05132779A JPH05132779A JP29460191A JP29460191A JPH05132779A JP H05132779 A JPH05132779 A JP H05132779A JP 29460191 A JP29460191 A JP 29460191A JP 29460191 A JP29460191 A JP 29460191A JP H05132779 A JPH05132779 A JP H05132779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid material
- flow rate
- casing
- supplied
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体材料の温度を精密に制御しなくても、液
体材料を安定に気化供給できる液体材料気化装置を提供
することを目的とする。 【構成】 気化させることによって用いられる液体材料
の流量を制御する液体流量制御手段３と、液体流量制御
手段３によって制御された液体材料を、超音波振動によ
り霧状にするとともに、加熱気化させる気化手段８とを
備えた液体材料気化装置である。
体材料を安定に気化供給できる液体材料気化装置を提供
することを目的とする。 【構成】 気化させることによって用いられる液体材料
の流量を制御する液体流量制御手段３と、液体流量制御
手段３によって制御された液体材料を、超音波振動によ
り霧状にするとともに、加熱気化させる気化手段８とを
備えた液体材料気化装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ（化学気相成長）
法において用いられる蒸気圧の低い液体材料を供給す
る、供給方法に関する。
法において用いられる蒸気圧の低い液体材料を供給す
る、供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ法において用いられる液体
材料の気化は、図２に示すような構成の装置で行なわれ
てきた。図２において、液体材料を収容する密閉構造の
アンプル１１が、アンプル１１内の液体材料を気化しや
すい所定の温度に保つために、恒温槽１２内に内蔵され
ている。アンプル１１には、上部の蓋にアンプル１１内
部と通じる２本の配管が接続され、一方の配管はアンプ
ル１１の底部付近まで延びている。その配管は、ガスの
流量を制御するための流量制御装置１４を介して、不活
性ガスを収容したボンベ１３に連結されている。又他方
の配管は、化学気相成長させるための真空室にガス導入
口１６を介して連結され、アンプル１１の出口付近に、
搬出するガスを加熱するためのヒータ１５が設けられて
いる。
材料の気化は、図２に示すような構成の装置で行なわれ
てきた。図２において、液体材料を収容する密閉構造の
アンプル１１が、アンプル１１内の液体材料を気化しや
すい所定の温度に保つために、恒温槽１２内に内蔵され
ている。アンプル１１には、上部の蓋にアンプル１１内
部と通じる２本の配管が接続され、一方の配管はアンプ
ル１１の底部付近まで延びている。その配管は、ガスの
流量を制御するための流量制御装置１４を介して、不活
性ガスを収容したボンベ１３に連結されている。又他方
の配管は、化学気相成長させるための真空室にガス導入
口１６を介して連結され、アンプル１１の出口付近に、
搬出するガスを加熱するためのヒータ１５が設けられて
いる。
【０００３】ボンベ１３内の不活性ガスは流量制御装置
１４によって流量制御され、アンプル１１内に導入され
る。不活性ガスを搬送する配管の出口は、液体材料の中
に存在するため、導入された不活性ガスは加熱された液
体材料をバブリングして、液体材料に振動を与える。気
化した液体材料と不活性ガスは、アンプル１１から搬出
されるときに、ヒータ１５によって恒温槽より高い温度
に加熱され、ガス導入口１６を通って真空室内に供給さ
れる。
１４によって流量制御され、アンプル１１内に導入され
る。不活性ガスを搬送する配管の出口は、液体材料の中
に存在するため、導入された不活性ガスは加熱された液
体材料をバブリングして、液体材料に振動を与える。気
化した液体材料と不活性ガスは、アンプル１１から搬出
されるときに、ヒータ１５によって恒温槽より高い温度
に加熱され、ガス導入口１６を通って真空室内に供給さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のや
り方では、液体材料の流量を直接制御していないため、
恒温槽１２の温度、不活性ガスの流量、液体材料の量等
が液体材料の供給量に微妙に影響したり、あるいは又装
置構成の変化にともない液体材料の流量が変化する。従
って、液体材料を安定に気化供給するためには、アンプ
ル１１（液体材料）の温度や圧力を精密に制御しなけれ
ばならないという課題がある。
り方では、液体材料の流量を直接制御していないため、
恒温槽１２の温度、不活性ガスの流量、液体材料の量等
が液体材料の供給量に微妙に影響したり、あるいは又装
置構成の変化にともない液体材料の流量が変化する。従
って、液体材料を安定に気化供給するためには、アンプ
ル１１（液体材料）の温度や圧力を精密に制御しなけれ
ばならないという課題がある。
【０００５】本発明は、液体材料の温度を精密に制御し
なくても、液体材料を安定に気化供給できる液体材料気
化装置を提供することを目的とするものである。
なくても、液体材料を安定に気化供給できる液体材料気
化装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、気化させるこ
とによって用いられる液体材料の流量を制御する液体流
量制御手段と、液体流量制御手段によって制御された液
体材料を、超音波振動により霧状にするとともに、加熱
気化させる気化手段とを備えた液体材料気化装置であ
る。
とによって用いられる液体材料の流量を制御する液体流
量制御手段と、液体流量制御手段によって制御された液
体材料を、超音波振動により霧状にするとともに、加熱
気化させる気化手段とを備えた液体材料気化装置であ
る。
【０００７】
【作用】本発明は、液体流量制御手段が、液体材料の流
量を制御し、気化手段が、制御された液体材料を超音波
振動により霧状にするとともに、加熱気化させる。
量を制御し、気化手段が、制御された液体材料を超音波
振動により霧状にするとともに、加熱気化させる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明をその実施例を示す図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例における液体材
料気化装置の概略図である。すなわち、液体材料気化装
置には、液体材料、例えばＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5などを収
容するための密閉構造のアンプル１が設けられ、アンプ
ル１には、上部の蓋にアンプル１内部と通じる２本の配
管が接続され、一方の配管は、アンプル１内の液体材料
を加圧するための不活性ガスの入ったボンベ２に連結さ
れ、又アンプル１の底部付近まで延びた別の配管は、液
体材料の流量を制御するための液体流量制御手段である
液体流量制御装置３に連結されている。その液体流量制
御装置３は液体材料を気化するための気化手段８に連結
されている。気化手段８は、ケーシング９、ケーシング
９内部に設けられ、超音波振動を与えることにより、液
体材料を霧状にする超音波振動子４、及びケーシング９
の外側周囲に設けられた、霧状になった液体材料を加熱
して気化するためのヒータ５などにより構成されてい
る。
料気化装置の概略図である。すなわち、液体材料気化装
置には、液体材料、例えばＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5などを収
容するための密閉構造のアンプル１が設けられ、アンプ
ル１には、上部の蓋にアンプル１内部と通じる２本の配
管が接続され、一方の配管は、アンプル１内の液体材料
を加圧するための不活性ガスの入ったボンベ２に連結さ
れ、又アンプル１の底部付近まで延びた別の配管は、液
体材料の流量を制御するための液体流量制御手段である
液体流量制御装置３に連結されている。その液体流量制
御装置３は液体材料を気化するための気化手段８に連結
されている。気化手段８は、ケーシング９、ケーシング
９内部に設けられ、超音波振動を与えることにより、液
体材料を霧状にする超音波振動子４、及びケーシング９
の外側周囲に設けられた、霧状になった液体材料を加熱
して気化するためのヒータ５などにより構成されてい
る。
【００１０】また、気化手段８のケーシング９には、超
音波振動子４の近くに出口があり、気化された液体材料
を真空室へ導入するための不活性ガスなどを供給する配
管が別に連結され、その配管は不活性ガスなどの流量を
制御するための流量制御装置６を介して、不活性ガスな
どが入ったボンベ７に連結されている。
音波振動子４の近くに出口があり、気化された液体材料
を真空室へ導入するための不活性ガスなどを供給する配
管が別に連結され、その配管は不活性ガスなどの流量を
制御するための流量制御装置６を介して、不活性ガスな
どが入ったボンベ７に連結されている。
【００１１】次に上記実施例の動作について説明する。
【００１２】まず、本実施例では液体材料としてＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5を用いた。アンプル１内に収容されてい
る液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5はボンベ２内のＨｅ等の
不活性ガスによって加圧されて、液体流量制御装置３に
導入される。液体流量制御装置３に導入された液体材料
Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5は、所定の流量に制御され、ケーシ
ング９内の超音波振動子４の表面に導入される。超音波
振動子４の表面に導入された液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）
5は、超音波振動子４によって超音波振動が与えられ、
その効果によって霧状となりケーシング９内部に噴霧さ
れる。噴霧されて、微細な水滴となった液体材料Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5は、ケーシング９の外側からヒータ５に
よって加熱される。そうすると液体材料Ｔａ（ＯＣ
2Ｈ5）5は、微細な水滴であるため少ない熱エネルギー
で完全に気化される。一方、ボンベ７内に収容されてい
るガスは、流量制御装置６によって所定のガス流量に制
御されて、気化手段８のケーシング９内に導入される。
このボンベ７内のガスは、例えば酸素等の反応ガス、Ａ
ｒ等の不活性ガスまたはそれらの混合ガスであり、気化
した液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5を真空室へ搬送する。
（ＯＣ2Ｈ5）5を用いた。アンプル１内に収容されてい
る液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5はボンベ２内のＨｅ等の
不活性ガスによって加圧されて、液体流量制御装置３に
導入される。液体流量制御装置３に導入された液体材料
Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5は、所定の流量に制御され、ケーシ
ング９内の超音波振動子４の表面に導入される。超音波
振動子４の表面に導入された液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）
5は、超音波振動子４によって超音波振動が与えられ、
その効果によって霧状となりケーシング９内部に噴霧さ
れる。噴霧されて、微細な水滴となった液体材料Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5は、ケーシング９の外側からヒータ５に
よって加熱される。そうすると液体材料Ｔａ（ＯＣ
2Ｈ5）5は、微細な水滴であるため少ない熱エネルギー
で完全に気化される。一方、ボンベ７内に収容されてい
るガスは、流量制御装置６によって所定のガス流量に制
御されて、気化手段８のケーシング９内に導入される。
このボンベ７内のガスは、例えば酸素等の反応ガス、Ａ
ｒ等の不活性ガスまたはそれらの混合ガスであり、気化
した液体材料Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5を真空室へ搬送する。
【００１３】なお、上記実施例では、真空室とは別にケ
ーシング９を設けることによって気化手段８を構成した
が、これに替えて、ケーシング９をなくして真空室内の
一端部に超音波振動子、ヒータなどを配置して気化手段
を構成し、その超音波振動子の位置まで液体材料を導入
するようにしてもよい。
ーシング９を設けることによって気化手段８を構成した
が、これに替えて、ケーシング９をなくして真空室内の
一端部に超音波振動子、ヒータなどを配置して気化手段
を構成し、その超音波振動子の位置まで液体材料を導入
するようにしてもよい。
【００１４】また、上記実施例では、ヒータ５をケーシ
ング９の外側に配置したが、これに替えてケーシング９
内部に配置してもよい。
ング９の外側に配置したが、これに替えてケーシング９
内部に配置してもよい。
【００１５】また、上記実施例では、霧状にされた液体
材料を加熱するのにヒータ５を用いたが、これに限ら
ず、液体材料を完全に気化できるまで加熱できれば何で
もよく、例えば赤外線ランプなどであってもよい。
材料を加熱するのにヒータ５を用いたが、これに限ら
ず、液体材料を完全に気化できるまで加熱できれば何で
もよく、例えば赤外線ランプなどであってもよい。
【００１６】また、上記実施例では、液体材料にＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5を例として用いたが、これに限られず、
気相成長に必要とする液体材料を用いればよいことは言
うまでもない。
（ＯＣ2Ｈ5）5を例として用いたが、これに限られず、
気相成長に必要とする液体材料を用いればよいことは言
うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、気化させることによって用いられる液体材料の
流量を制御する液体流量制御手段と、液体流量制御手段
によって制御された液体材料を、超音波振動により霧状
にするとともに、加熱気化させる気化手段とを備えてい
るので、液体材料の温度を精密に制御しなくても、液体
材料を安定に気化供給できるという長所を有する。
発明は、気化させることによって用いられる液体材料の
流量を制御する液体流量制御手段と、液体流量制御手段
によって制御された液体材料を、超音波振動により霧状
にするとともに、加熱気化させる気化手段とを備えてい
るので、液体材料の温度を精密に制御しなくても、液体
材料を安定に気化供給できるという長所を有する。
【００１８】また、液体材料を超音波振動により霧状に
して加熱気化させるので、加熱部が少なくてすみ気化し
やすいという利点がある。
して加熱気化させるので、加熱部が少なくてすみ気化し
やすいという利点がある。
【図１】本発明の一実施例における液体材料気化装置の
概略図である。
概略図である。
【図２】従来の液体材料気化装置の概略図である。
１ アンプル ２ ボンベ ３ 液体流量制御装置 ４ 超音波振動子 ５ ヒータ ６ 流量制御装置 ７ ボンベ ８ 気化手段 ９ ケーシング １１ アンプル １２ 恒温槽 １３ ボンベ １４ 流量制御装置 １５ ヒータ １６ ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 気化させることによって用いられる液体
材料の流量を制御する液体流量制御手段と、その液体流
量制御手段によって制御された前記液体材料を、超音波
振動により霧状にするとともに、加熱気化させる気化手
段とを備えたことを特徴とする液体材料気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29460191A JPH05132779A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 液体材料気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29460191A JPH05132779A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 液体材料気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132779A true JPH05132779A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17809874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29460191A Pending JPH05132779A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 液体材料気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736613A1 (en) * | 1995-04-03 | 1996-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Cyclone evaporator |
| US6277201B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-08-21 | Asm Japan K.K. | CVD apparatus for forming thin films using liquid reaction material |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29460191A patent/JPH05132779A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736613A1 (en) * | 1995-04-03 | 1996-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Cyclone evaporator |
| US5653813A (en) * | 1995-04-03 | 1997-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Cyclone evaporator |
| US5901271A (en) * | 1995-04-03 | 1999-05-04 | Novellus Systems, Inc. | Process of evaporating a liquid in a cyclone evaporator |
| US6277201B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-08-21 | Asm Japan K.K. | CVD apparatus for forming thin films using liquid reaction material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6155540A (en) | Apparatus for vaporizing and supplying a material | |
| KR100368319B1 (ko) | 액체운송장치 | |
| US5224202A (en) | Apparatus for the evaporation of liquids | |
| EP2016206B1 (en) | Device for introducing, injecting or spraying a mixture of a carrier gas and liquid compounds and method for implementing said device | |
| JP5680565B2 (ja) | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム、およびその方法 | |
| JP2001507757A (ja) | フラッシュ気化器 | |
| US6424800B1 (en) | Bubbler | |
| JPH11209876A (ja) | 薄膜形成装置及び方法 | |
| JP2002088486A (ja) | 高周波誘導熱プラズマ装置 | |
| JPH05132779A (ja) | 液体材料気化装置 | |
| JP2796975B2 (ja) | 液体原料気化装置 | |
| JP2002346372A (ja) | 液体気化供給装置および液体気化供給方法 | |
| JPH0726365Y2 (ja) | 気相表面処理装置用の薬液気化装置 | |
| JPH05156448A (ja) | Ｃｖｄ用原料蒸発器 | |
| JP2003013233A (ja) | 液体原料気化供給装置 | |
| JP3676403B2 (ja) | 液体の気化供給装置 | |
| JPH0225602A (ja) | 蒸気発生方法およびその装置 | |
| JP4445702B2 (ja) | 液体材料気化供給装置、薄膜堆積装置および薄膜堆積装置への液体材料気化供給方法 | |
| JP3532066B2 (ja) | 液体原料の蒸着方法および装置 | |
| JP2001295046A (ja) | 銅薄膜の気相成長装置 | |
| JPH0536268Y2 (ja) | ||
| JP2002173777A (ja) | Ｃｖｄ装置の金属液体気化ユニット及び気化方法 | |
| JP2662993B2 (ja) | 液体原料気化装置 | |
| JPH062142A (ja) | 液体蒸気原料の供給装置 | |
| JPH1133390A (ja) | 粉末原料気化装置 |