CN217214646U - 输送装置及输送系统 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种输送装置及输送系统，输送装置包括储液室、第一管道以及第一供气组件，储液室具有用于容置待反应液体的容置空间，第一管道穿过储液室且部分伸入待反应液体内，第一供气组件与储液室连通，第一供气组件向储液室的容置空间内输送第一气体，以使储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，从而使待反应液体经由第一管道流出储液室外。通过该设计，能够有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

Description

输送装置及输送系统

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种输送装置及输送系统。

背景技术

在3D存储器件的制备工艺中，在采用金属材料(例如钨)填充半导体结构的沉积通道以形成导电通道之前，通常需要在沉积通道的壁面上先覆盖一层沉积薄膜，以防止金属材料与沉积通道的壁面直接接触而发生化学反应，而形成于沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度会对金属材料的填充产生较大影响。

实用新型内容

本申请实施例提供一种输送装置及输送系统，能够有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

第一方面，本申请实施例提供了一种输送装置；输送装置包括储液室、第一管道以及第一供气组件，储液室具有用于容置待反应液体的容置空间，第一管道穿过储液室且部分伸入待反应液体内，第一供气组件与储液室连通，第一供气组件向储液室的容置空间内输送第一气体，以使储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，从而使待反应液体经由第一管道流出储液室外。

基于本申请实施例的输送装置，待反应液体容置于储液室的容置空间内，当需要在半导体结构的沉积通道的壁面上覆盖沉积薄膜时，第一供气组件向储液室的容置空间内持续通入第一气体，随着第一气体的不断增加，储液室的容置空间内的气压逐渐上升，使得储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，待反应液体在储液室的内外压差的作用下会经由第一管道流出储液室外，通过控制第一供气组件单位时间内向储液室的容置空间内输送的第一气体的流量保持不变，可以使得单位时间内待反应液体经由第一管道流出储液室的流量保持不变，从而使得单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面上的待反应气体的体积保持不变，进而有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

在其中一些实施例中，第一供气组件包括第一气体发生器和第二管道，第一气体发生器用于提供第一气体，第二管道的一端与第一气体发生器连接，第二管道远离第一气体发生器的一端穿过储液室伸入容置空间内且位于待反应液体的液面上方。

基于上述实施例，第一气体发生器产生的第一气体经由第二管道通入储液室的容置空间内，使得储液室的容置空间内的气压随着第一气体的增加而增大，从而使得储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，储液室的容置空间内的待反应液体在储液室的内外压差的作用下会经由第一管道流出储液室外，通过第一气体发生器和第二管道的设计，通过控制单位时间内经由第二管道向储液室的容置空间内流动的第一气体的流量保持不变，可以使得单位时间内待反应液体流出储液室的流量保持不变，从而使得单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面的待反应气体的体积保持不变，进而提高了半导体结构的沉积通道的壁面的沉积薄膜的厚度的稳定性。

在其中一些实施例中，第一供气组件还包括控制阀，控制阀与第二管道连接，且用于控制经由第二管道流向储液室的容置空间内的第一气体的流量。

基于上述实施例，通过控制阀的设计，降低了控制经由第二管道流向储液室的容置空间内的第一气体的流量的难度，且通过控制阀调节经由第二管道流向储液室的容置空间内的第一气体的流量，可以调节储液室的容置空间内的气压的大小以与外界大气压形成不同的压差，从而调节储液室内的待反应液体流出储液室的流量，以适应在不同半导体结构的沉积通道上形成不同厚度的沉积薄膜。

在其中一些实施例中，储液室包括相对设置的底板和顶板、以及连接底板和顶板的侧板，底板、顶板和侧板共同围设形成容置空间，第一管道穿过顶板且部分伸入待反应液体内。

基于上述实施例，通过第一管道穿过顶板且部分伸入待反应液体内的设计，降低了待反应液体在储液室的内外压差的作用下向第一管道内流动并经由第一管道流出储液室的难度，同时使得输送装置的结构更加简单，易于加工，成本更低。

在其中一些实施例中，输送装置还包括雾化室，雾化室与第一管道远离储液室的一端连通，雾化室配置成将经由第一管道流入雾化室内的待反应液体雾化成液珠。

基于上述实施例，储液室的容置空间内的待反应液体经由第一管道流出后进入雾化室，雾化室对待反应液体进行雾化，使得进入雾化室的待反应液体被雾化成多个分散的液珠，从而提高了待反应液体在空间内的均匀性，进而降低了待反应液体在后续工序中转化为待反应气体的难度。

在其中一些实施例中，输送装置还包括气化室和第三管道，第三管道的一端与气化室连通，第三管道的另一端与雾化室连通，其中，气化室配置成将经由第三管道流入气化室内的液珠气化成待反应气体。

基于上述实施例，待反应液体经由雾化室雾化后变成多个分散的液珠，液珠经由第三管道进入气化室，气化室对进入气化室的液珠进行气化，使得进入气化室的液珠被气化成待反应气体，相较于相关技术中通过在储液室外包裹加热装置以将储液室内的待反应液体蒸发气化的设计，本设计通过气化室对待反应液体进行气化，气化效果更好，气化效率更高。

在其中一些实施例中，输送装置还包括第二供气组件，第二供气组件与第三管道连通并向第三管道内输送第二气体，以使流经第三管道内的液珠跟随第二气体流入气化室内。

基于上述实施例，第二供气组件与第三管道连通并向第三管道内输送第二气体，第二气体经由第三管道向气化室流动，以使得第三管道内的液珠在第二气体的气流作用下跟随第二气体流向气化室，液珠进入气化室后被气化成待反应气体，待反应气体在第二气体的气流作用下继续跟随第二气体流向半导体结构的沉积通道的壁面，从而提高了液珠从雾化室进入气化室的速度以及待反应气体从气化室到达半导体结构的沉积通道的壁面的流动速度，进而提高了输送装置的输送效率。

在其中一些实施例中，第二供气组件包括第二气体发生器和第四管道，第二气体发生器用于提供第二气体，第四管道的一端与第二气体发生器连通，第四管道远离第二气体发生器的一端与第三管道连通。

基于上述实施例，第二气体发生器产生的第二气体经由第四管道进入第三管道，使得第三管道内的液珠在第二气体的气流作用下跟随第二气体流向气化室，液珠进入气化室后被气化成待反应气体，待反应气体在第二气体的气流作用下继续跟随第二气体流向半导体结构的沉积通道的壁面，从而提高了液珠从雾化室进入气化室的速度以及待反应气体从气化室到达半导体结构的沉积通道的壁面的流动速度，进而提高了输送装置的输送效率。

在其中一些实施例中，输送装置还包括补液机构，补液机构与储液室连通，且补液机构用于向储液室的容置空间内补充待反应液体。

基于上述实施例，通过补液机构的设计，使得储液室的容置空间内的待反应液体被消耗后可以得到及时的补充，以提升补液的便携性。

第二方面，本申请实施例提供了一种输送系统，输送系统包括反应室、第一辅料输送装置、第二辅料输送装置以及上述输送装置，反应室与储液室连通，第一辅料输送装置用于向反应室输送第一待反应辅料，第二辅料输送装置用于向反应室输送第二待反应辅料。

基于本申请实施例中的输送系统，将需要在沉积通道上覆盖沉积薄膜的半导体结构放置于反应室内，启动第一供气组件，第一供气组件向储液室的容置空间内输送第一气体，以使储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，从而使待反应液体经由第一管道流出储液室外，流出储液室外的待反应液体经过一系列工序处理后变成待反应气体，待反应气体最终到达半导体结构的沉积通道的壁面，与通过第一辅料输送装置输送到半导体结构的沉积通道的壁面的第一待反应辅料发生反应，以在半导体结构的沉积通道的壁面上形成沉积薄膜，通过第二辅料输送装置向半导体结构的沉积通道的壁面输送第二待反应辅料，使得第二待反应辅料与半导体结构的沉积通道内由于待反应气体与第一待反应辅料反应产生的杂质气体发生反应，以避免杂质气体对沉积薄膜的沉积造成干扰。

基于本申请实施例的输送装置及输送系统，待反应液体容置于储液室的容置空间内，当需要在半导体结构的沉积通道的壁面上覆盖沉积薄膜时，第一供气组件向储液室的容置空间内持续通入第一气体，随着第一气体的不断增加，储液室的容置空间内的气压逐渐上升，使得储液室的容置空间内的气压大于外界大气压，待反应液体在储液室的内外压差的作用下会经由第一管道流出储液室外，通过控制第一供气组件单位时间内向储液室的容置空间内输送的第一气体的流量保持不变，可以使得单位时间内待反应液体经由第一管道流出储液室的流量保持不变，从而使得单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面上的待反应气体的体积保持不变，进而有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中输送装置的结构示意图；

图2为本申请一种实施例中输送装置的结构示意图；

图3为本申请一种实施例中输送系统的结构示意图。

附图标记：11'、储液室；12'、惰性气体；18'、待反应液体；19'、加热装置；

10、输送装置；11、储液室；111、顶板；112、侧板；113、底板；12、第一供气组件；121、第一气体发生器；1211、第一气体；122、第二管道；123、控制阀；13、第二供气组件；131、第二气体发生器；1311、第二气体；132、第四管道；14、第一管道；15、第三管道；16、雾化室；17、气化室；18、待反应液体；20、输送系统；21、反应室；22、第一辅料输送装置；221、第一待反应辅料；222、第五管道；223、第五管道控制阀；23、第二辅料输送装置；231、第二待反应辅料；232、第六管道；233、第六管道控制阀。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在3D存储器件的制备工艺中，在采用金属材料(例如钨)填充半导体结构的沉积通道以形成导电通道之前，通常需要在沉积通道的壁面上先覆盖一层沉积薄膜，以防止金属材料与沉积通道的壁面直接接触而发生化学反应，而形成于沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度会对金属材料的填充产生较大影响。

相关技术中，如图1所示，通过加热装置19'给储液室11'加热，并向储液室11'通入惰性气体12'，以使得储液室11'里的待反应液体18'经加热装置19'加热蒸发后变成待反应气体，待反应气体跟随惰性气体12'流出储液室11'，最终到达半导体结构的沉积通道的壁面并与其他气体通过化学气相沉积形成覆盖于沉积通道的壁面上的沉积薄膜。

但是，随着储液室11'内的待反应液体18'不断被消耗，能够被加热装置19'加热蒸发的待反应液体18'的体积不断减少，使得储液室11'里的待反应液体18'经加热装置19'加蒸发后变成待反应气体的体积不断减少，从而使得能够到达半导体结构的沉积通道的壁面上的待反应气体的体积不断减少，进而使得形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度降低，最终影响半导体结构的电学性能。因此，如何有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性，已成为亟待解决的问题。

为了解决上述技术问题，如图2所示，本申请的第一方面提出了一种输送装置10，能够有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

输送装置10包括储液室11、第一管道14以及第一供气组件12。

储液室11作为输送装置10中用来存放待反应液体18的部件，储液室11应采用具有良好强度且防腐蚀的材料制成，这里对储液室11的具体材质不做限定，设计人员可在尽可能节约成本的前提下根据需要进行合理的选择。

储液室11具有用于容置待反应液体18的容置空间，需要说明的是，储液室11具有最高液位和最低液位，其中，最高液位应该理解成储液室11的容置空间内可用于容置待反应液体18的上限容量，最低液位应该理解成储液室11的容置空间内可用于容置待反应液体18的下限容量。当储液室11的容置空间内的待反应液体18的液面高度小于或等于上述最低液位时，应及时向储液室11补充待反应液体18，且待反应液体18补充完成后，应保证储液室11的容置空间内的待反应液体18的液面高度小于或等于上述最高液位。

第一管道14作为输送装置10中用于输送待反应液体18的部件，第一管道14也应采用具有良好强度且防腐蚀的材料制成。第一管道14穿过储液室11且部分伸入待反应液体18内，可以理解的是，第一管道14具有位于储液室11的容置空间内的进液口、以及位于储液室11的容置空间外的出液口，第一管道14的进液口位于储液室11的最高液位和最低液位之间，且第一管道14的进液口应尽可能的靠近储液室11的最低液位。

第一供气组件12用于向储液室11的容置空间内提供气体，以使储液室11的容置空间内的气压大于外界大气压，从而将待反应液体18挤出储液室11外。第一供气组件12与储液室11连通，第一供气组件12向储液室11的容置空间内输送第一气体1211，以使储液室11的容置空间内的气压大于外界大气压，从而使待反应液体18经由第一管道14流出储液室11外。其中，第一气体1211应该为不与待反应液体18发生化学反应的气体，例如第一气体1211可以是氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等惰性气体。关于第一供气管的具体结构将在下文中展开介绍。

需要说明的是，待反应液体18可以是常温下为液体的四(二甲氨基)钛(C₈H₂₄N₄Ti)或氯化钛(TiCl₄)等物质，流出储液室11外的待反应液体18在经过一系列工序处理后变成待反应气体，待反应气体最终到达半导体结构的沉积通道的壁面上并与其他气体通过化学气相沉积形成覆盖于沉积通道的壁面上的沉积薄膜。

基于本申请实施例的输送装置10，待反应液体18容置于储液室11的容置空间内，当需要在半导体结构的沉积通道的壁面上覆盖沉积薄膜时，第一供气组件12向储液室11的容置空间内持续通入第一气体1211，随着第一气体1211的不断增加，储液室11的容置空间内的气压逐渐上升，使得储液室11的容置空间内的气压大于外界大气压，待反应液体18在储液室11的内外压差的作用下会经由第一管道14流出储液室11外，通过控制第一供气组件12单位时间内向储液室11的容置空间内输送的第一气体1211的流量保持不变，可以使得单位时间内待反应液体18经由第一管道14流出储液室11的流量保持不变，从而使得单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面上的待反应气体的体积保持不变，进而有效提高形成于半导体结构的沉积通道的壁面上的沉积薄膜的厚度的稳定性。

考虑到在半导体结构的沉积通道的壁面上进行化学气相沉积反应过程中，第一供气组件12需要持续地向储液室11的容置空间内输送第一气体1211，以使储液室11的内外形成压差，故进一步设计，第一供气组件12包括第一气体发生器121和第二管道122，第一气体发生器121用于提供第一气体1211，第二管道122的一端与第一气体发生器121连接，第二管道122远离第一气体发生器121的一端穿过储液室11伸入容置空间内且位于待反应液体18的液面上方，即第二管道122的出气口可以位于储液室11的最高液位的上方，也可以位于储液室11的最低液位和最高液位之间。该设计中，第一气体发生器121产生的第一气体1211经由第二管道122通入储液室11的容置空间内，使得储液室11的容置空间内的气压随着第一气体1211的增加而增大，从而使得储液室11的容置空间内的气压大于外界大气压，储液室11的容置空间内的待反应液体18在储液室11的内外压差的作用下会经由第一管道14流出储液室11外，通过第一气体发生器121和第二管道122的设计，通过控制单位时间内经由第二管道122向储液室11的容置空间内流动的第一气体1211的流量保持不变，可以使得单位时间内待反应液体18流出储液室11的流量保持不变，从而使得单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面的待反应气体的体积保持不变，进而提高了半导体结构的沉积通道的壁面的沉积薄膜的厚度的稳定性。

考虑到待反应液体18作为化学气相沉积后形成沉积薄膜的其中一种反应前驱体，故流出储液室11的待反应液体18的流量的多少会直接影响反应后形成的沉积薄膜的厚度，例如，当单位时间内流出储液室11的待反应液体18的流量较多时，则单位时间内到达半导体结构的沉积通道的壁面上的待反应气体的体积也较多，从而使得沉积薄膜的厚度较大，同理，当单位时间内流出储液室11的待反应液体18的流量较少时，半导体结构的沉积通道的壁面覆盖的沉积薄膜的厚底较小。为了使得第一供气组件12能够提供不同流量的第一气体1211，以根据需要用于形成不同厚度的沉积薄膜，来提升该第一供气组件12的适用性，故进一步设计，第一供气组件12还包括控制阀123，控制阀123与第二管道122连接，且控制阀123用于控制经由第二管道122流向储液室11的容置空间内的第一气体1211的流量。例如，当需要在半导体结构的沉积通道的壁面上形成厚度较小的沉积薄膜时，通过调节控制阀123来减小经由第二管道122流向储液室11的容置空间的第一气体1211的流量，以使得储液室11的容置空间内的气压与外界大气压的压差较小，从而减小经由第一管道14流出储液室11的待反应液体18的流量，最终使得到达半导体结构的沉积通道的壁面的待反应气体的体积减小。该设计中，通过控制阀123的设计，降低了控制经由第二管道122流向储液室11的容置空间内的第一气体1211的流量的难度，且通过控制阀123调节经由第二管道122流向储液室11的容置空间内的第一气体1211的流量，可以调节储液室11的容置空间内的气压的大小以与外界大气压形成不同的压差，从而调节储液室11内的待反应液体18流出储液室11的流量，以适应在不同半导体结构的沉积通道的壁面上形成不同厚度的沉积薄膜。

可以理解的是，第一管道14可以包括第一支管和第二支管，第二支管倾斜连接于第一支管的一端以形成一个类“L形”结构的第一管道14，第一支管穿过储液室11的侧板112且部分伸入待反应液体18内；当然，第一管道14还可以包括第一支管、第二支管和第三支管，第一支管和第二只管分别倾斜连接于第二支管的两端以形成一个类“U形”结构的第一管道14，第一支管远离第三只管的一端穿过储液室11的底板113且部分伸入待反应液体18内。为降低储液室11内的待反应液体18经由第一管道14流出储液室11的难度，以及降低成本，故进一步设计，储液室11包括相对设置的底板113和顶板111、以及连接底板113和顶板111的侧板112，底板113、顶板111和侧板112共同围设形成容置空间，第一管道14穿过顶板111且部分伸入待反应液体18内。其中，第一管道14与顶板111可在生产制造是采用一体成型的方式制成，也可以是在顶板111上开设孔截面大小与第一管道14的管径大致相等的通孔，并在通孔与第一管道14的连接处使用密封胶进行密封固定。该设计中，通过第一管道14穿过顶板111且部分伸入待反应液体18内的设计，降低了待反应液体18在储液室11的内外压差的作用下向第一管道14内流动并经由第一管道14流出储液室11的难度，同时使得输送装置10的结构更加简单，易于加工，成本更低。

可以理解的是，待反应液体18经由第一管道14流出储液室11后，可以直接将待反应液体18转换成待反应气体，并让待反应气体输送到达半导体结构的沉积通道的壁面上与其他气体通过化学气相沉积形成覆盖于沉积通道的壁面上的沉积薄膜。为了提高待反应液体18的分布均匀性以降低待反应液体18转化为待反应气体的难度，故进一步设计，输送装置10还包括雾化室16，雾化室16与第一管道14远离储液室11的一端连通，雾化室16配置成将经由第一管道14流入雾化室16内的待反应液体18雾化成液珠。其中，雾化室16包括超声雾化器，超声雾化器用于将经由第一管道14流入雾化室16内的待反应液体18雾化成液珠。该设计中，储液室11的容置空间内的待反应液体18经由第一管道14流出后进入雾化室16，雾化室16对待反应液体18进行雾化，使得进入雾化室16的待反应液体18被雾化成多个分散的液珠，从而提高了待反应液体18在空间内的均匀性，进而降低了待反应液体18在后续工序中转化为待反应气体的难度。

可以理解的是，流出储液室11外的待反应液体18需要转化为待反应气体，以和其他气体通过化学气相沉积形成沉积薄膜覆盖于沉积通道的壁面上，为提高形成待反应气体的效率，故进一步设计，输送装置10还包括气化室17和第三管道15，第三管道15的一端与气化室17连通，第三管道15的另一端与雾化室16连通，其中，气化室17配置成将经由第三管道15流入气化室17内的液珠气化成待反应气体。该设计中，待反应液体18经由雾化室16雾化后变成多个分散的液珠，液珠经由第三管道15进入气化室17，气化室17对进入气化室17的液珠进行气化，使得进入气化室17的液珠被气化成待反应气体，相较于相关技术中通过在储液室11外包裹加热装置以将储液室11内的待反应液体18蒸发气化的设计，本设计通过气化室17对待反应液体18进行气化，气化效果更好，气化效率更高。

可以理解的是，待反应液体18进入雾化室16后会被雾化成分散的液珠，液珠进入气化室17后会被气化成待反应气体，液珠从雾化室16到达气化室17的流动速度、待反应气体从气化室17到达半导体结构的沉积通道的壁面的流动速度会影响输送装置10的输送效率，为提高液珠的流动速度以及待反应气体的流动速度，以提高输送装置10的输送效率，故进一步设计，输送装置10还包括第二供气组件13，第二供气组件13与第三管道15连通并向第三管道15内输送第二气体1311，以使流经第三管道15内的液珠跟随第二气体1311流入气化室17内。其中，第二气体1311应该为不与液珠发生化学反应的气体，例如第二气体1311可以是氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)、氪气(Kr)等惰性气体。该设计中，第二供气组件13与第三管道15连通并向第三管道15内输送第二气体1311，第二气体1311经由第三管道15向气化室17流动，以使得第三管道15内的液珠在第二气体1311的气流作用下跟随第二气体1311流向气化室17，液珠进入气化室17后被气化成待反应气体，待反应气体在第二气体1311的气流作用下继续跟随第二气体1311流向半导体结构的沉积通道的壁面，从而提高了液珠从雾化室16进入气化室17的速度以及待反应气体从气化室17到达半导体结构的沉积通道的壁面的流动速度，进而提高了输送装置10的输送效率。

具体地，在一些实施例中，第二供气组件13包括第二气体发生器131和第四管道132，第二气体发生器131用于提供第二气体1311，第四管道132的一端与第二气体发生器131连通，第四管道132远离第二气体发生器131的一端与第三管道15连通。该设计中，第二气体发生器131产生的第二气体1311经由第四管道132进入第三管道15，使得第三管道15内的液珠在第二气体1311的气流作用下跟随第二气体1311流向气化室17，液珠进入气化室17后被气化成待反应气体，待反应气体在第二气体1311的气流作用下继续跟随第二气体1311流向半导体结构的沉积通道的壁面，从而提高了液珠从雾化室16进入气化室17的速度以及待反应气体从气化室17到达半导体结构的沉积通道的壁面的流动速度，进而提高了输送装置10的输送效率。

当然，在另一些实施例中，第二供气组件13包括第二气体发生器131、第四管道132以及控制阀，第二气体发生器131用于提供第二气体1311，第四管道132的一端与第二气体发生器131连通，第四管道132远离第二气体发生器131的一端与雾化室16连通，控制阀与第四管道132连接以控制第四管道132的通断。例如，当雾化室16正在对进入雾化室16的待反应液体18进行雾化室16时，通过调节控制阀使得第四管道132关闭，以使得第二气体1311不会经由第四管道132进入雾化室16而干扰雾化室16的雾化操作的正常进行；当雾化室16结束对进入雾化室16的待反应液体18进行雾化时，通过调节控制阀使得第四管道132打开，以使得第二气体1311可以经由第四管道132进入雾化室16，从而使得待反应液体18被雾化成液珠后，液珠跟随经由第四管道132进入雾化室16的第二气体1311一起向第三管道15流动。

考虑到随着半导体结构的沉积通道的壁面的化学气相沉积反应的不断进行，储液室11的容置空间内的待反应液体18被不断消耗，为提高工作人员向储液室11的容置空间内补充待反应液体18的便捷性，故进一步设计，输送装置10还包括补液机构，补液机构与储液室11连通，且补液机构用于向储液室11的容置空间内补充待反应液体18。具体的，补液装置可以包括补液罐、流量控制器和连接管道，补液罐用于存储待反应液体18，连接管道的一端与储液罐连通，连接管道的另一端与储液室11连通，流量控制器与连接管道连接以用于控制补液罐经由连接管道通入储液室11的容置空间内的待反应液体18的流量。该设计中，通过补液机构的设计，使得储液室11的容置空间内的待反应液体18被消耗后可以得到及时的补充，以提升补液的便携性。

如图3所示，本申请在第二方面提出了一种输送系统20，输送系统20包括反应室21、第一辅料输送装置22、第二辅料输送装置23以及上述输送装置10，反应室21与储液室11连通，第一辅料输送装置22用于向反应室21输送第一待反应辅料221，第二辅料输送装置23用于向反应室21输送第二待反应辅料231。该设计中，将需要在沉积通道上覆盖沉积薄膜的半导体结构放置于反应室21内，启动第一供气组件12，第一供气组件12向储液室11的容置空间内输送第一气体1211，以使储液室11的容置空间内的气压大于外界大气压，从而使待反应液体18经由第一管道14流出储液室11外，流出储液室11外的待反应液体18经过一系列工序处理后变成待反应气体，待反应气体最终到达半导体结构的沉积通道的壁面，与通过第一辅料输送装置22输送到半导体结构的沉积通道的壁面的第一待反应辅料221发生反应，以在半导体结构的沉积通道的壁面上形成沉积薄膜，通过第二辅料输送装置23向半导体结构的沉积通道的壁面输送第二待反应辅料231，使得第二待反应辅料231与半导体结构的沉积通道内由于待反应气体与第一待反应辅料221反应产生的杂质气体发生反应，以避免杂质气体对沉积薄膜的沉积造成干扰。

具体的，第一待反应辅料221可以是氮气(N₂)，对应的待反应液体18可以是四(二甲氨基)钛(C₈H₂₄N₄Ti)，第一待反应辅料221也可以是NH₃，对应的待反应液体18可以是氯化钛(TiCl₄)，第一辅料输送装置22可以包括第五管道222和控制阀223，第一待反应辅料221经由第五管道222输送到半导体结构的沉积通道的壁面与待反应气体反应，控制阀223与第五管道222连接，用于控制经由第五管道222输送的第一待反应辅料221的流量。

具体的，第二待反应辅料231可以是氢气(H₂)，第二辅料装置可以包括第六管道232和另一控制阀233，第二待反应辅料231经由第六管道232输送到半导体结构的沉积通道的壁面并与输送到半导体结构的沉积通道的壁面内因化学气相沉积反应产生的杂质气体反应，另一控制阀233与第六管道232连接，用于控制经由第六管道232输送的第二待反应辅料231的流量。

本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本申请的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种输送装置，其特征在于，包括：

储液室，具有用于容置待反应液体的容置空间；

第一管道，穿过所述储液室且部分伸入所述待反应液体内；

第一供气组件，与所述储液室连通，所述第一供气组件向所述储液室的所述容置空间内输送第一气体，以使所述储液室的所述容置空间内的气压大于外界大气压，从而使所述待反应液体经由所述第一管道流出所述储液室外。

2.如权利要求1所述的输送装置，其特征在于，所述第一供气组件包括；

第一气体发生器，用于提供所述第一气体；

第二管道，所述第二管道的一端与所述第一气体发生器连接，所述第二管道远离所述第一气体发生器的一端穿过所述储液室伸入所述容置空间内且位于所述待反应液体的液面上方。

3.如权利要求2所述的输送装置，其特征在于，所述第一供气组件还包括：

控制阀，与所述第二管道连接，且用于控制经由所述第二管道流向所述储液室的所述容置空间内的所述第一气体的流量。

4.如权利要求1所述的输送装置，其特征在于，

所述储液室包括相对设置的底板和顶板、以及连接所述底板和所述顶板的侧板，所述底板、所述顶板和所述侧板共同围设形成所述容置空间，所述第一管道穿过所述顶板且部分伸入所述待反应液体内。

5.如权利要求1所述的输送装置，其特征在于，

所述输送装置还包括雾化室，所述雾化室与所述第一管道远离所述储液室的一端连通，所述雾化室配置成将经由所述第一管道流入所述雾化室内的所述待反应液体雾化成液珠。

6.如权利要求5所述的输送装置，其特征在于，所述输送装置还包括：

气化室；

第三管道，所述第三管道的一端与所述气化室连通，所述第三管道的另一端与所述雾化室连通；

其中，所述气化室配置成将经由所述第三管道流入所述气化室内的所述液珠气化成待反应气体。

7.如权利要求6所述的输送装置，其特征在于，所述输送装置还包括第二供气组件，所述第二供气组件与所述第三管道连通并向所述第三管道内输送第二气体，以使流经所述第三管道内的所述液珠跟随所述第二气体流入所述气化室内。

8.如权利要求7所述的输送装置，其特征在于，所述第二供气组件包括：

第二气体发生器，用于提供所述第二气体；

第四管道，所述第四管道的一端与所述第二气体发生器连通，所述第四管道远离所述第二气体发生器的一端与所述第三管道连通。

9.如权利要求1所述的输送装置，其特征在于，

所述输送装置还包括补液机构，所述补液机构与所述储液室连通，且所述补液机构用于向所述储液室的所述容置空间内补充所述待反应液体。

10.一种输送系统，其特征在于，包括：

权利要求1-9中任一项所述的输送装置；

反应室，与所述储液室连通；

第一辅料输送装置，用于向所述反应室输送第一待反应辅料；

第二辅料输送装置，用于向所述反应室输送第二待反应辅料。

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