JPH04337075A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPH04337075A
JPH04337075A JP11008191A JP11008191A JPH04337075A JP H04337075 A JPH04337075 A JP H04337075A JP 11008191 A JP11008191 A JP 11008191A JP 11008191 A JP11008191 A JP 11008191A JP H04337075 A JPH04337075 A JP H04337075A
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JP
Japan
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liquid source
source
chamber
fed
reaction chamber
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Pending
Application number
JP11008191A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Ishinaga
石永　智之
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NEC Yamaguchi Ltd
Original Assignee
NEC Yamaguchi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置に関し、特
に液体ソースを気化させ材料ガスとして使用する気相成
長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の気相成長装置は、図３に示すよう
に、液体ソース１を気化しソースガスとする為のタンク
３Ａ及びヒータ８Ａと、ソースガスを反応室１２Ａに送
気する配管４Ａとマスフローコントローラー５Ａと、そ
の配管４Ａを加熱するヒーター１３とから主に構成され
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の気相成長装
置では、タンク及び配管の温度が変動することにより液
体ソースの蒸気圧が変化し液体ソースガスの供給量が変
動する為、反応室内で半導体ウェハーに形成される酸化
膜等の膜厚や膜質を一定に保つことが困難であった。ま
たタンクから反応室までの配管の温度分布が適正でない
場合、配管内のソースガスが再液化するという問題点も
あった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置は
、反応室と、この反応室の上部に設けられた気化室と、
この気化室に液体ソースを供給するソース供給手段とを
含むものである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の第１の実施例の気相成長装置の構成図
である。以下液体ソースの流れにそって説明する。
【０００６】テトラエトキシオルソシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）等の液体ソース１は、配管２により供給される不活
性ガスにて液体ソースのタンク３から配管４側へ圧送さ
れ、液体用のマスフローコントローラ５により流量制御
されて気化室６内に入る。液体ソース１の供給及び停止
はバルブ７の開閉によって行われる。気化室６内に入っ
た液体ソースは、ヒータ８により約１００℃に加熱され
気化してソースガスとなる。ソースガスはノズル９を通
り予備室１０へ送られ、シャワーノズル１１により均一
な流れとなっれ反応室にへ送られ、反応して半導体ウェ
ハー上へ酸化膜等を形成する。
【０００７】図２は本発明の第２の実施例の構成図であ
る。第１の実施例と同様に、気化室６Ａ内に入った液体
ソース１はメッシュ状ヒータ２０を通過することにより
、加熱され気化してソースガスとなる。このソースガス
はシャワーノズル１１により均一な流れとなり反応室１
２へ送られ反応する。
【０００８】この第２の実施例では、メッシュ状ヒータ
を用いることにより、ヒーター表面積が大きく液体ソー
スを気化させる量が多い為、供給する液体ソース流量を
多くできるという利点が有る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、液体ソー
スを気化室へ送り、そこで気化させる機構を用いている
為、ソースガスの供給量が、液体ソースの温度の影響を
受けることがない。従って、反応室内で形成されるウェ
ーハ上の酸化膜等の膜厚や膜質が一定に保たれるという
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の構成図。
【図２】本発明の第２の実施例の構成図。
【図３】従来の気相成長装置の構成図。
【符号の説明】
１　　　　液体ソース ２，４，４Ａ　　　　配管 ３，３Ａ　　　　タンク ５，５Ａ　　　　マスフローコントローラ６，６Ａ　　
　　気化室 ７　　　　バルブ ８，８Ａ　　　　ヒータ ９　　　　ノズル １０　　　　予備室 １１　　　　シャワーノズル １２，１２Ａ　　　　反応室 １３　　　　配管用ヒータ ２０　　　　メッシュ状ヒータ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　反応室と、この反応室の上部に設けら
    れた気化室と、この気化室に液体ソースを供給するソー
    ス供給手段とを含むことを特徴とする気相成長装置。
JP11008191A 1991-05-15 1991-05-15 気相成長装置 Pending JPH04337075A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02145769A (ja) * 1988-11-29 1990-06-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成法および薄膜形成装置
JPH02197571A (ja) * 1989-01-26 1990-08-06 Hitachi Ltd 薄膜形成法とそれによって得られた半導体装置及びその製造方法
JPH038330A (ja) * 1989-06-06 1991-01-16 Hitachi Electron Eng Co Ltd 液状半導体形成材料気化供給装置

Patent Citations (3)

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Effective date: 19971111