JPH04214870A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH04214870A JPH04214870A JP3066154A JP6615491A JPH04214870A JP H04214870 A JPH04214870 A JP H04214870A JP 3066154 A JP3066154 A JP 3066154A JP 6615491 A JP6615491 A JP 6615491A JP H04214870 A JPH04214870 A JP H04214870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- vapor deposition
- chemical vapor
- raw material
- bubbler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 7
- 235000015073 liquid stocks Nutrition 0.000 abstract 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長装置に関
し、特に液体原料をバブリングにより気化し、原料ガス
を安定供給する供給系を有する化学気相成長装置に関す
る。
し、特に液体原料をバブリングにより気化し、原料ガス
を安定供給する供給系を有する化学気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液体原料をバブリングにより気化
し、原料ガスを供給する供給系を有する化学気相成長装
置を図３に示す。バブリングガスをマスフローコントロ
ーラー３１により、流量制御し、バブラー２９内に導入
する。バブラー２９内でバブリングにより気化された原
料ガスは、バブリングガスとともに、加熱された導入配
管４０へ送られる。成膜時には切り換えバルブ３３を開
け、膜形成を行なう反応部３２へ導入する。
し、原料ガスを供給する供給系を有する化学気相成長装
置を図３に示す。バブリングガスをマスフローコントロ
ーラー３１により、流量制御し、バブラー２９内に導入
する。バブラー２９内でバブリングにより気化された原
料ガスは、バブリングガスとともに、加熱された導入配
管４０へ送られる。成膜時には切り換えバルブ３３を開
け、膜形成を行なう反応部３２へ導入する。
【０００３】成膜を行なわない場合、３３の切り換えバ
ルブを閉め、逆に３４の切り換えバルブを開けて直接排
気している。
ルブを閉め、逆に３４の切り換えバルブを開けて直接排
気している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この図３に示した様な
従来の化学気相成長装置では、３３と３４のバルブを切
り換えた時に、原料ガス流量が不安定になり、安定な膜
成長を行なうことができないという問題がある。
従来の化学気相成長装置では、３３と３４のバルブを切
り換えた時に、原料ガス流量が不安定になり、安定な膜
成長を行なうことができないという問題がある。
【０００５】このバルブ切り換え時の液体ガス流量の不
安定性はバイパスラインと反応部のコンダクタンスの違
いにより、バブラー内の圧力が変動するという現象に起
因する。原理的には原料ガス流量ＱＬ は次式で与えら
れる。
安定性はバイパスラインと反応部のコンダクタンスの違
いにより、バブラー内の圧力が変動するという現象に起
因する。原理的には原料ガス流量ＱＬ は次式で与えら
れる。
【０００６】
ＱＬ ＝ＱＢ ・ＰＬ ／（ＰＯ −ＰＬ ）ここでＱ
Ｂ はバブリングガス流量、ＰＬ は液体原料の蒸気圧
、ＰＯ はバブラー内圧力である。バブリングガス流量
ＱＢ はマスフローコントローラーで制御されており、
また液体原料の蒸気圧ＰＬ は液体原料の温度をコント
ロールすることで制御される。しかし従来技術では、導
入配管側のコンダクタンスの変化によってバブラー内の
圧力ＰＯの変動が生じ、原料ガス流量ＱＬ が不安定と
なる。安定した原料ガス流量を得るためには、反応部側
の圧力の変化に伴うバブラー内圧力の変動を抑える必要
がある。
Ｂ はバブリングガス流量、ＰＬ は液体原料の蒸気圧
、ＰＯ はバブラー内圧力である。バブリングガス流量
ＱＢ はマスフローコントローラーで制御されており、
また液体原料の蒸気圧ＰＬ は液体原料の温度をコント
ロールすることで制御される。しかし従来技術では、導
入配管側のコンダクタンスの変化によってバブラー内の
圧力ＰＯの変動が生じ、原料ガス流量ＱＬ が不安定と
なる。安定した原料ガス流量を得るためには、反応部側
の圧力の変化に伴うバブラー内圧力の変動を抑える必要
がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の化学気相成長装
置は、液体原料気化部内の圧力が反応部の圧力より高く
なる様に制御する構造を有する。
置は、液体原料気化部内の圧力が反応部の圧力より高く
なる様に制御する構造を有する。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の第１の実施例で、液体原料としてＴＥ
ＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）、酸化剤として
オゾンを用いて、シリコン酸化膜を形成する分散板型常
圧気相成長装置の概略図である。１はＴＥＯＳを気化す
るバブラー、２はＴＥＯＳを加熱するヒーターでＴＥＯ
Ｓの液温を６５℃に保つ。ＴＥＯＳのバブリングガスと
してＮ２ を用い、３のマスフローコントローラーで制
御し、バブラー１内へ導入する。バブラー内でバブリン
グされたＴＥＯＳの一部は気化し、ＴＥＯＳとＮ２ の
混合ガスとして４導入配管へ送られる。
。図１は本発明の第１の実施例で、液体原料としてＴＥ
ＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）、酸化剤として
オゾンを用いて、シリコン酸化膜を形成する分散板型常
圧気相成長装置の概略図である。１はＴＥＯＳを気化す
るバブラー、２はＴＥＯＳを加熱するヒーターでＴＥＯ
Ｓの液温を６５℃に保つ。ＴＥＯＳのバブリングガスと
してＮ２ を用い、３のマスフローコントローラーで制
御し、バブラー１内へ導入する。バブラー内でバブリン
グされたＴＥＯＳの一部は気化し、ＴＥＯＳとＮ２ の
混合ガスとして４導入配管へ送られる。
【０００９】４導入配管には、コンダクタンスの小さな
オリフィス５を設け、導入配管４のコンダクタンスがバ
イパスライン６，ディスパージョンヘッド１２のコンダ
クタンスよりも小さくなる様にする。これにより、バブ
ラー１の圧力をディスパージョンヘッド１２，バイパス
ライン６の圧力よりも高くすることができる。
オリフィス５を設け、導入配管４のコンダクタンスがバ
イパスライン６，ディスパージョンヘッド１２のコンダ
クタンスよりも小さくなる様にする。これにより、バブ
ラー１の圧力をディスパージョンヘッド１２，バイパス
ライン６の圧力よりも高くすることができる。
【００１０】成膜前にはＴＥＯＳ，Ｎ２ の混合ガスは
６のバイパスラインより直接排気管へ排出する。成膜時
には、切り換えバルブ１５を閉じ、逆に切り換えバルブ
１４を開けて、ディスパージョンヘッド１２へＴＥＯＳ
，Ｎ２ 混合ガスを導入する。基板上でオゾンガスと反
応し、シリコン酸化膜の成膜を行なう。
６のバイパスラインより直接排気管へ排出する。成膜時
には、切り換えバルブ１５を閉じ、逆に切り換えバルブ
１４を開けて、ディスパージョンヘッド１２へＴＥＯＳ
，Ｎ２ 混合ガスを導入する。基板上でオゾンガスと反
応し、シリコン酸化膜の成膜を行なう。
【００１１】なおＴＥＯＳの凝結を防止するために、バ
ブラーからオリフィスまでの配管温度は７０℃、オリフ
ィスからディスパージョンヘッドまでの配管温度は８０
℃にヒーターを用いて加熱制御する。
ブラーからオリフィスまでの配管温度は７０℃、オリフ
ィスからディスパージョンヘッドまでの配管温度は８０
℃にヒーターを用いて加熱制御する。
【００１２】バイパスライン６からディスパージョンヘ
ッドへガスを切り換える際にコンダクタンスの差により
生ずる圧力変動はオリフィス５により、緩和されバブラ
ー１内の圧力変動はほとんど生じない。
ッドへガスを切り換える際にコンダクタンスの差により
生ずる圧力変動はオリフィス５により、緩和されバブラ
ー１内の圧力変動はほとんど生じない。
【００１３】この様にバブラー内の圧力変動が抑えられ
ることにより、成膜初期に起こるＴＥＯＳの不安定供給
が解消され、安定なシリコン酸化膜の成膜速度が得られ
る。形成されたＳｉＯ２ 膜は厚さ方向に対して膜質が
均一である。
ることにより、成膜初期に起こるＴＥＯＳの不安定供給
が解消され、安定なシリコン酸化膜の成膜速度が得られ
る。形成されたＳｉＯ２ 膜は厚さ方向に対して膜質が
均一である。
【００１４】図２は本発明の第２の実施例で液体原料と
してＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）、酸化
剤としてＯ２ を用いた場合のプラズマ気相成長装置の
概略図である。
してＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）、酸化
剤としてＯ２ を用いた場合のプラズマ気相成長装置の
概略図である。
【００１５】１７はＴＥＯＳを気化するバブラーであり
、ＴＥＯＳは１８の恒温槽によって３７℃に保たれる。 ＴＥＯＳのバブリングガスとしてＨｅを用い、１９のマ
スフローコトローラーで制御し、バブラー１７内へ導入
する。バブラー内でバブリングされたＴＥＯＳの一部は
気化し、ＴＥＯＳとＨｅの混合ガスとして２８導入配管
へ送られる。
、ＴＥＯＳは１８の恒温槽によって３７℃に保たれる。 ＴＥＯＳのバブリングガスとしてＨｅを用い、１９のマ
スフローコトローラーで制御し、バブラー１７内へ導入
する。バブラー内でバブリングされたＴＥＯＳの一部は
気化し、ＴＥＯＳとＨｅの混合ガスとして２８導入配管
へ送られる。
【００１６】成膜前に、ＴＥＯＳ，Ｈｅの混合ガスは、
２３のマスフローコントローラーで制御されたＯ２ と
混合され、２５のシャワー電極より反応室２４内へ導入
される。Ｈｅ，Ｏ２ の設定流量は５００ＳＣＣＭであ
る。また反応室２４内の圧力は９Ｔｏｒｒに設定する。 バブラー１７内の圧力は２０圧力検知器によって検出し
、２２の可変バルブにより制御する。バブラー１７内圧
力は圧力コントローラー２１によって反応室圧力より高
い２０Ｔｏｒｒに設定する。
２３のマスフローコントローラーで制御されたＯ２ と
混合され、２５のシャワー電極より反応室２４内へ導入
される。Ｈｅ，Ｏ２ の設定流量は５００ＳＣＣＭであ
る。また反応室２４内の圧力は９Ｔｏｒｒに設定する。 バブラー１７内の圧力は２０圧力検知器によって検出し
、２２の可変バルブにより制御する。バブラー１７内圧
力は圧力コントローラー２１によって反応室圧力より高
い２０Ｔｏｒｒに設定する。
【００１７】成膜時には、シャワー電極に１３．５６Ｍ
Ｈｚ，５００Ｗの高周波電力を印加する。高周波を印加
すると反応室２４内の原料ガスが分解され体積膨張を起
こす。従って反応室内の圧力は瞬間的に約１５Ｔｏｒｒ
まで増加し、その後反応室の圧力コントローラーによっ
て数秒後に設定圧力９Ｔｏｒｒへ収束する。
Ｈｚ，５００Ｗの高周波電力を印加する。高周波を印加
すると反応室２４内の原料ガスが分解され体積膨張を起
こす。従って反応室内の圧力は瞬間的に約１５Ｔｏｒｒ
まで増加し、その後反応室の圧力コントローラーによっ
て数秒後に設定圧力９Ｔｏｒｒへ収束する。
【００１８】バブラーの圧力制御系を有しない、従来の
バブリングシステムでは高周波印加時の圧力増加がバブ
ラーまで及び気化ＴＥＯＳ量が安定しないばかりか瞬間
的にバブラーの方が反応室より減圧状態になるため、原
料ガスが逆流してしまうという欠点を有していた。
バブリングシステムでは高周波印加時の圧力増加がバブ
ラーまで及び気化ＴＥＯＳ量が安定しないばかりか瞬間
的にバブラーの方が反応室より減圧状態になるため、原
料ガスが逆流してしまうという欠点を有していた。
【００１９】しかし図２に示す本発明の気相成長装置で
は、バブラー１７の圧力は、もともと２０Ｔｏｒｒに設
定しているため、原料ガスが逆流することはない。また
バブラー内の圧力変動の回復時間は反応室の圧力変動の
回復時間よりも速い。これにより、ＴＥＯＳの安定供給
が実現できる。
は、バブラー１７の圧力は、もともと２０Ｔｏｒｒに設
定しているため、原料ガスが逆流することはない。また
バブラー内の圧力変動の回復時間は反応室の圧力変動の
回復時間よりも速い。これにより、ＴＥＯＳの安定供給
が実現できる。
【００２０】図４は、本発明の第３の実施例で、液体原
料としてＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）を
用い、液体原料ガス絶対流量制御器を用いた場合の化学
気相成長装置の概略図である。
料としてＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト）を
用い、液体原料ガス絶対流量制御器を用いた場合の化学
気相成長装置の概略図である。
【００２１】バーブラー４１の１次側，２次側配管内の
ガスの熱伝導率を熱伝導検出器４６により検出し、２次
側でのＴＥＯＳガスの濃度を求める。この電気信号とバ
ブリングＮ２ ガスの流量（マスフローメーター４４か
らの信号）より、常にＴＥＯＳガス流量が一定になる様
なＮ２ 流量を算出し、流量制御器４５によって、Ｎ２
流量をコントロールする。この様な、液体原料ガス絶
対流量制御器を用いることにより、バブラー４１内のＴ
ＥＯＳ温度が変化しても常に一定なＴＥＯＳガスを導入
することができる。
ガスの熱伝導率を熱伝導検出器４６により検出し、２次
側でのＴＥＯＳガスの濃度を求める。この電気信号とバ
ブリングＮ２ ガスの流量（マスフローメーター４４か
らの信号）より、常にＴＥＯＳガス流量が一定になる様
なＮ２ 流量を算出し、流量制御器４５によって、Ｎ２
流量をコントロールする。この様な、液体原料ガス絶
対流量制御器を用いることにより、バブラー４１内のＴ
ＥＯＳ温度が変化しても常に一定なＴＥＯＳガスを導入
することができる。
【００２２】しかしながらこの様な熱伝導を用いた制御
系は、圧力変動に対して制御不能となり瞬間的な圧力変
動に追従できないという欠点がある。
系は、圧力変動に対して制御不能となり瞬間的な圧力変
動に追従できないという欠点がある。
【００２３】そこで本発明の特徴となるオリフィス４８
を反応部４３，バブラー４１の間に設け、バブラー４１
内の圧力が反応部４３，バイパスライン５１よりも高く
なる様にする。これにより、４９，５０の切り換えバル
ブを切り換えた時の圧力変動はバブラーまで達すること
がなく、液体原料ガス絶対流量制御器を効果的に用いる
ことができる。
を反応部４３，バブラー４１の間に設け、バブラー４１
内の圧力が反応部４３，バイパスライン５１よりも高く
なる様にする。これにより、４９，５０の切り換えバル
ブを切り換えた時の圧力変動はバブラーまで達すること
がなく、液体原料ガス絶対流量制御器を効果的に用いる
ことができる。
【００２４】なおあらかじめ反応部４３のコンダクタン
スとバイパスライン５１のコンダクタンスを等しくして
おくことにより、バブラー４１内の圧力変動を更に抑え
ることができる。
スとバイパスライン５１のコンダクタンスを等しくして
おくことにより、バブラー４１内の圧力変動を更に抑え
ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、液体原料の
気化部の圧力を反応部の圧力より高くする構造を有して
いるので反応部側で生じる圧力変動は、気化部前で緩和
され、気化部内の圧力変動が抑制される。それにより、
液体原料ガスが安定供給され、安定な成膜速度，均一な
材質が得られるという効果を有する。
気化部の圧力を反応部の圧力より高くする構造を有して
いるので反応部側で生じる圧力変動は、気化部前で緩和
され、気化部内の圧力変動が抑制される。それにより、
液体原料ガスが安定供給され、安定な成膜速度，均一な
材質が得られるという効果を有する。
【図１】本発明の第１実施例で常圧気相成長法を用いた
場合の装置概略図である。
場合の装置概略図である。
【図２】第２実施例でプラズマ気相成長法を用いた場合
の装置概略図である。
の装置概略図である。
【図３】従来の気相成長装置の概略図である。
【図４】第３実施例の化学気相成長装置の概略図である
。
。
Claims (3)
- 【請求項１】 成膜用液体原料ガスをバブリングによ
り気化する液体原料気化部と、基板への成膜を行なう反
応部とを有する化学気相成長装置において、該液体原料
気化部内の圧力が、反応部の圧力より高くなる様に制御
することを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の化学気相成長装置にお
いて、反応部と液体原料気化部の間の配管のコンダクタ
ンスを小さくすることにより、液体原料気化部内の圧力
を反応部圧力より高くすることを特徴とする化学気相成
長装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の化学気相成長装置にお
いて、液体原料気化部の圧力を検知し電気信号に変換す
る圧力検知器と該電気信号によって、気化部と反応部の
間の配管コンダクタンスを変化させる可変バルブを有し
、この可変バルブを制御することにより、気化部の圧力
を反応部圧力より高い応力で制御することを特徴とする
化学気相成長装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066154A JPH04214870A (ja) | 1990-05-08 | 1991-03-29 | 化学気相成長装置 |
| US07/853,618 US5288325A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-18 | Chemical vapor deposition apparatus |
| KR1019920005045A KR100222344B1 (ko) | 1991-03-29 | 1992-03-27 | 화학 기상 성장 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-118158 | 1990-05-08 | ||
| JP11815890 | 1990-05-08 | ||
| JP3066154A JPH04214870A (ja) | 1990-05-08 | 1991-03-29 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214870A true JPH04214870A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=26407317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066154A Pending JPH04214870A (ja) | 1990-05-08 | 1991-03-29 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214870A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08102442A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Yamagata Ltd | 化学気相成長装置 |
| JP2009016799A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2011035201A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置、気相処理方法および基板 |
| KR20140098684A (ko) | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체 |
| JP2017157744A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
| JP2021050380A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びガス供給方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3066154A patent/JPH04214870A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08102442A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Yamagata Ltd | 化学気相成長装置 |
| JP2009016799A (ja) * | 2007-06-07 | 2009-01-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2011035201A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置、気相処理方法および基板 |
| KR20140098684A (ko) | 2013-01-31 | 2014-08-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체 |
| US9563209B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-02-07 | Tokyo Electron Limited | Raw material gas supply method |
| JP2017157744A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
| JP2021050380A (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びガス供給方法 |
| WO2021060116A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及びガス供給方法 |
| CN114375347A (zh) * | 2019-09-24 | 2022-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给装置和气体供给方法 |
| US20220356581A1 (en) * | 2019-09-24 | 2022-11-10 | Tokyo Electron Limited | Gas supply device and gas supply method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100222344B1 (ko) | 화학 기상 성장 장치 | |
| US4640221A (en) | Vacuum deposition system with improved mass flow control | |
| WO2013008372A1 (ja) | 半導体製造装置の原料ガス供給装置 | |
| JP2553946B2 (ja) | 基板表面処理用ガスの供給方法 | |
| JPH0610144A (ja) | 低蒸気圧材料供給装置 | |
| JPH04214870A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2002009072A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 | |
| JP3063113B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| US5489446A (en) | Device for forming silicon oxide film | |
| KR100226763B1 (ko) | 화학기상증착 장치를 이용한 박막 형성방법 | |
| JPH01301506A (ja) | 水素化アモルファス炭素薄膜の製造方法 | |
| KR950007197B1 (ko) | 수증기의 공급장치 및 그 제어방법 | |
| JP7489499B2 (ja) | 流体供給システム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム | |
| JPS6052578A (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
| JP2001274147A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10150030A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH08279466A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100282488B1 (ko) | 예열수단을 갖는 반도체장치 제조용 가스공급장치 | |
| KR940012531A (ko) | 고유전율을 갖는 유전체박막의 제조방법 및 그 제조장치 | |
| JPH0355843A (ja) | 半導体基板酸化装置 | |
| JPH0499279A (ja) | 液体材料の気体化供給方法と供給装置 | |
| JP2002246315A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH04362176A (ja) | 半導体装置製造装置 | |
| KR20230130569A (ko) | 유체 공급 시스템, 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2023052350A (ja) | ＨｆＮ膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000125 |