JPWO2019180906A1 - 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照してより詳細に説明する。
まず、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を実施する基板処理装置10の構成例について、図1及び図2を用いて説明する。本基板処理装置10は、過酸化水素(H2O2)を含有する液体原料、すなわち過酸化水素水を気化させて生成される処理ガス用いて基板を処理する装置である。例えばシリコン等からなる基板としてのウエハ200を処理する装置である。本基板処理装置10は、微細構造である凹凸構造(空隙)を有するウエハ200に対する処理に用いる場合に好適である。本実施形態では、微細構造の溝にシリコン含有膜であるポリシラザン(SiH2NH)の膜が充填されており、当該ポリシラザン膜を処理ガスにより処理することによりSiO膜を形成する。
図1に示すように、基板処理装置10を構成する処理炉202は処理容器(反応管)203を備えている。処理容器203は、下端が開口した円筒形状に形成されている。処理容器203の筒中空部には処理室201が形成され、基板としてのウエハ200を、後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
基板保持部としてのボート217は、複数枚のウエハ200を多段に保持できるように構成されている。ボート217は、底板217bと天板217cとの間に架設された複数本の支柱217aを備えている。複数枚のウエハ200は、支柱217aに水平姿勢で整列されて管軸方向に多段に保持される。
処理容器203の下方には、ボート217を昇降させる昇降部としてのボートエレベータが設けられている。ボートエレベータには、ボートエレベータによりボート217が上昇された際に炉口を封止するシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボート217を回転させるボート回転機構267が設けられている。
処理容器203の外側には、処理容器203の側壁面を囲う同心円状に、処理容器203内のウエハ200を加熱する第1の加熱部207が設けられている。第1の加熱部207は、ヒータベース206により支持されて設けられている。図2に示すように、第1の加熱部207は第1〜第4のヒータユニット207a〜207dを備えている。処理容器203内には、加熱部としての第1〜第4のヒータユニット207a〜207d毎に、ウエハ200又は周辺温度を検出する温度検出器として、例えば熱電対等の第1〜第4の温度センサ263a〜263dが、処理容器203とボート217との間にそれぞれ設けられている。
図1、図2に示すように、処理容器203と第1の加熱部207との間には、処理容器203の外壁の側部に沿って、処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aが設けられている。処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aの先端(下流端)は、それぞれ処理容器203の頂部から処理容器203の内部に気密に挿入されている。処理容器203の内部に位置する処理ガス供給ノズル501aと酸素含有ガス供給ノズル502aの先端には、それぞれ供給孔501bと供給孔502bが設けられている。
続いて、図3を用いて気化器100の構造の概略を説明する。
気化器100は、気化容器111内に液体原料を供給する液体原料供給部150(霧化部、アトマイザ部)と、気化容器111内に供給された液体原料を気化器ヒータ113で加熱して気化する気化部108と、から構成される。気化器100は、気化器ヒータ113で加熱された気化容器111内に、液体原料供給部150により霧化された微細な液体原料の液滴を供給することで液体原料を気化する。また、気化部108を構成する気化容器111と、液体原料供給部150とは、一体に形成されている。また、気化容器111と液体原料供給部150とは、共に石英部材(石英ガラス)で構成されている。
気化部108の詳細な構造を説明する。気化部108は主に、気化容器111と、気化容器111の内部に形成される気化室112と、気化容器111を加熱する第1ヒータとしての気化器ヒータ113と、気化器ヒータ113から放出される熱を気化容器111に伝える金属ブロック116と、排気口114と、気化容器111の温度を測定する、熱電対で構成された温度センサ115とを備えている。
液体原料供給部150は、気化容器111の上部に設けられている。また、液体原料供給部150は、金属ブロック116の上端よりも上方であって、気化室112の上方に設けられている。なお、本実施形態では、気化容器111と液体原料供給部150が一体として形成されており、両者は天井壁161により区画されているが、両者はそれぞれ分離可能なユニットとして構成することもできる。
気化容器111を構成する石英部材は熱伝導性が低いため、金属製の気化容器に比べて、ヒータからの熱を均一に液体原料に伝えて気化させることが難しい。そこで本実施形態では、アウタヒータ113aと気化容器111との間には、アウタヒータ113aにより加熱され気化容器111の石英部材に間接的に熱を伝えるように構成された、第1金属ブロックとしての金属ブロック116が挿入されている。金属ブロック116は、石英部材111aの外側面を覆うように、下方から天井壁161と同じ高さ位置まで、若しくは下方から天井壁161よりも低い高さ位置まで設けられている。石英部材111aを均一に加熱するという観点からは、石英部材111aの全面を覆うように、(すなわち、天井壁161と同じ高さまで金属ブロック116が延伸するように)設けられることが望ましい。ただし、本実施形態では、金属ブロック116と液体原料供給部150との間に、後述する断熱部材160を設けるため、十分な断熱作用を得るために必要な断熱部材160の厚さ分だけ、金属ブロック116の上端部の高さは天井壁161よりも低い位置に設定されている。
気化部108の周囲は、断熱クロスで構成される断熱部材160で覆われている。具体的には、断熱部材160は、金属ブロック116の表面の少なくとも一部、具体的には上面、下面及び外周面を覆うように設けられている。特に金属ブロック116の上面を覆うように設けられた断熱部材160の部分は、アウタヒータ113aと液体原料供給部150との間(より詳細には、アウタブロック110a内の金属ブロック116と液体原料供給部150との間)に設けられ、アウタヒータ113aから放出される熱を液体原料供給部150に対して遮断(遮蔽)するように構成されている。すなわち、気化器ヒータ113(特に液体原料供給部150に近接しているアウタヒータ113a)に対して、液体原料供給部150が熱的に十分に隔離されるように、断熱部材160は設けられる。
さらに本実施形態では、ヒータからの熱をより効率的に液体原料に伝えるため、気化容器111を二重管構造としている。液体原料供給部150から供給される液体原料の液滴は、上部空間112aと、筒状の気体流路を構成する円筒状の間隙112bとを通ることにより加熱され、気化される。
処理容器203の下方には、処理室201内のガスを排気するガス排気管231の一端が接続されている。ガス排気管231の他端は、圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ255を介して、真空ポンプ246に接続されている。また、圧力検出器としての圧力センサ223がAPCバルブ255の上流側に設けられている。圧力センサ223およびAPCバルブ255には、圧力制御コントローラ224が電気的に接続されている。圧力制御コントローラ224は、圧力センサ223により検出された圧力に基づいて、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう、APCバルブ255を所望のタイミングで制御するように構成されている。
図7に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU121a、RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネルやディスプレイ等として構成された入出力装置122が接続されている。
ここで、基板としてのウエハ200に後述の改質処理が施される前に施される事前処理工程について図8を用いて説明する。図8に示すように、事前処理工程では、塗布装置(不図示)にウエハ200を搬入し(基板搬入工程T10)、塗布装置内でウエハ200に対して、ポリシラザン塗布工程T20とプリベーク工程T30が施される。ポリシラザン塗布工程T20では、塗布装置により、ウエハ200にポリシラザンが塗布される。プリベーク工程T30では、ウエハ200を加熱することにより、塗布されたポリシラザンから溶剤が除去され、
シリコン含有膜であるポリシラザン塗布膜が形成される。その後ウエハ200が塗布装置から搬出される(基板搬出工程T40)。
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、図9を用いて説明する。かかる工程は、上述の基板処理装置10により実施される。本実施形態では、かかる基板処理工程の一例として、処理ガスとしてH2O2を含むガスを用い、基板としてのウエハ200上に形成されたシリコン含有膜をSiO膜に改質(酸化)する工程(改質工程)を行う場合について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ121により制御される。
まず、ウエハ200をボート217に装填し、ボート217をボートエレベータによって持ち上げて処理容器203内に搬入する。この状態で、処理炉202の開口部である炉口はシールキャップ219によりシールされる。
処理容器203内が所望の圧力となるように真空ポンプ246を制御して処理容器203内の雰囲気を真空排気する。また、供給孔502bから酸素含有ガスを処理容器203に供給する。この際、処理容器203内の圧力は、圧力センサ223で測定し、この測定した圧力に基づきAPCバルブ255の開度を制御する。処理容器203内の圧力は例えば、微減圧状態(約700hPa〜1000hPa)に調整される。また、処理容器203内に収容されたウエハ200が所望の第1の温度、例えば40℃から100℃となるように第1の加熱部207によって加熱する。
ウエハ200が所定の第1温度に到達し、ボート217が所望とする回転速度に到達したら、液体原料供給系300から液体原料を気化器100へ供給する。すなわち、バルブ302を開け、LMFC303により流量制御された液体原料を、液体原料導入口151を介して液体原料供給部150に導入する。液体原料供給部150に供給された液体原料は、温度センサ119により100℃以下(例えば80〜100℃)になっているか否か監視される。液体原料は吐出口152から吐出される際にキャリアガスによって霧化され、微細な液滴の状態(例えばミスト状態)となって気化容器111内の上部空間112aに噴霧される。気化容器111は、気化器ヒータ113によって金属ブロック116を介して所望の温度(例えば180〜210℃)に加熱されており、噴霧された液体原料の液滴は、気化容器111の表面や気化室112中において加熱されて蒸発し、気体となる。気化された液体原料は、キャリアガスとともに処理ガス(気化ガス)として排気口114から処理ガス供給管289aへ送出される。
改質工程(S30)が終了した後、ウエハ200を、プリベーク工程T30で処理された温度以下の所定の第2温度に昇温させる。第2温度は、上述の第1温度よりも高い温度であって、上述のプリベーク工程T30の温度以下の温度に設定される。昇温後、温度を保持して、ウエハ200と処理容器203内を乾燥させる。
乾燥工程(S40)が終了した後、APCバルブ255を開け、処理容器203内を真空排気することで、処理容器203内に残存するパーティクルや不純物を除去する。真空排気後、APCバルブ255を閉じ、処理容器203内の圧力を大気圧に復帰させる。処理容器203内の圧力が大気圧になり、所定時間経過した後、例えばウエハ200の挿入温度程度に降温させる。
その後、ボートエレベータにより、処理済みウエハ200をボート217に保持した状態で処理容器203の下端から処理容器203の外部へ搬出する。その後、処理済みウエハ200はボート217より取り出され、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
続いて、本発明の第2の実施形態について図10に基づいて説明する。以下において、上述の実施形態と同様の構成及び工程については、詳細な説明を省略する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の実施例を説明する。
100,400 気化器
150 液体原料ガス供給部
108 気化部
111 気化容器
112 気化室
160,165 断熱部材
200 ウエハ(基板)
Claims (15)
- 液体原料を供給する液体原料供給部と、
前記液体原料供給部により供給された液体原料が内部で気化される気化室を構成する気化容器と、
前記気化容器を加熱する第1ヒータと、
前記第1ヒータから放出される熱を前記液体原料供給部に対して遮断するように設けられた断熱部材と、
を備える気化器。 - 前記液体原料供給部を加熱する第2ヒータと、
前記第1ヒータと前記第2ヒータの温度をそれぞれ個別に制御する制御部と、
を備える請求項1記載の気化器。 - 前記断熱部材は、前記第1ヒータと前記第2ヒータとの間に設けられる請求項2記載の気化器。
- 前記気化容器は、
筒形状の外側容器部と、
前記外側容器部の内側に設けられる柱状の内側容器部と、
を有し、
前記内側容器部の外側壁は、前記外側容器部の内側壁との間に所定の間隙をあけて設けられることにより、前記間隙に前記液体原料が気化される筒状の気体流路を形成するように構成され、
前記筒状の気体流路の幅は0.6mm以上0.8mm以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の気化器。 - 前記断熱部材は、前記液体原料供給部の温度が100℃以下となるように構成されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の気化器。
- 前記制御部は、前記液体原料供給部の温度が80℃以上100℃以下となるように前記第2ヒータの温度を制御する請求項2又は3記載の気化器。
- 前記液体原料供給部は、前記液体原料を前記気化室内に吐出する吐出口と、前記吐出口まで前記液体原料を導入する液体原料供給管と、を備える請求項1〜6のいずれか1項に記載の気化器。
- 前記液体原料供給部は、前記吐出口の近傍に設けられ、キャリアガスを前記気化室内に噴出させるように構成されたキャリアガス噴出口と、前記キャリアガス噴出口までキャリアガスを導入するキャリアガス供給管と、を備える請求項7記載の気化器。
- 前記気化容器および前記液体原料供給部は石英で構成され、両者は一体として形成されている請求項1〜8のいずれか1項に記載の気化器。
- 前記第1ヒータと前記気化容器との間には、前記第1ヒータにより加熱され前記気化容器に熱を伝導させるように設けられた第1金属ブロックが設けられ、
前記断熱部材は、前記第1金属ブロックから放出される熱を前記液体原料供給部に対して遮断するように、前記第1金属ブロックの表面の少なくとも一部を覆っている請求項1〜9のいずれか1項に記載の気化器。 - 前記気化容器は筒形状の外側容器部を有し、前記第1金属ブロックは、前記外側容器部の外側面を覆うように、下方から前記液体原料供給部が接続される前記気化容器の天井壁と同じ高さ位置まで、もしくは下方から前記天井壁よりも低い位置まで設けられている請求項10記載の気化器。
- 前記第2ヒータと前記液体原料供給部との間には、前記第2ヒータにより加熱され前記液体原料供給部に熱を伝導させるように設けられた第2金属ブロックが設けられ、
前記断熱部材は、前記第1金属ブロックと前記第2金属ブロックの間に設けられている請求項10又は11記載の気化器。 - 前記液体原料は、過酸化水素を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の気化器。
- 基板を収容する処理室と、
液体原料を供給する液体原料供給部と、前記液体原料供給部により供給された液体原料が内部で気化される気化室を構成する気化容器と、前記気化容器を加熱する第1ヒータと、前記第1ヒータから放出される熱を前記液体原料供給部に対して遮断するように設けられた断熱部材と、を備える気化器と、
前記気化器で生成された気化ガスを前記処理室内に供給する気化ガス配管と、
を備える基板処理装置。 - 基板を処理室内に搬入する工程と、
液体原料を供給する液体原料供給部により供給された液体原料が内部で気化される気化室を構成する気化容器内に液体原料を供給する工程と、
前記気化容器を加熱する第1ヒータから放出される熱を前記液体原料供給部に対して断熱部材で遮断しつつ、前記第1ヒータにより前記気化容器を加熱する工程と、
加熱された気化容器内に供給された液体原料を気化して気化ガスを生成し、気化ガスを処理室内に供給する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
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