JP7495334B2 - 気化器 - Google Patents
気化器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7495334B2 JP7495334B2 JP2020195996A JP2020195996A JP7495334B2 JP 7495334 B2 JP7495334 B2 JP 7495334B2 JP 2020195996 A JP2020195996 A JP 2020195996A JP 2020195996 A JP2020195996 A JP 2020195996A JP 7495334 B2 JP7495334 B2 JP 7495334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vaporizer
- raw material
- liquid raw
- heater
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 154
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 106
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 103
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 88
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 76
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 42
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 12
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
特許文献1に記載された、過酸化水素水を気化させて酸化性ガスを発生させる気化器は、過酸化水素水の入ったフラスコに似た中空球状容器の気化器の下半分を外からヒーター部で覆うもので、中空球状容器は100~130℃に加熱され、気化した過酸化水素ガスの含有された水蒸気が、ガス供給管を経て反応炉に流れ込むようになっている。この装置は過酸化水素水を単に加熱して気化させているもので、気化器内での過酸化水素水の蒸発と共に、過酸化水素の濃度が変化するだけでなく、気化効率が悪いことが欠点である。
特許文献2に記載された気化器は、液体原料を霧化して吹き出すアトマイザと、このアトマイザの噴霧口が開口する中空のアウターチューブと、アウターチューブ内に収納され、前記アトマイザの噴霧口とその先端部分との間に霧化空間が形成されたインナーチューブと、アウターチューブの外側に設けられたアウターヒーター部と、インナーチューブの内側に設けられたインナーヒーター部とで構成されている。そして、アウターチューブの内周面とインナーチューブの外側面との間に前記霧化空間に連通し、この隙間を通過する間に加熱されてガス化された気化ガスを次工程に送出する気化用間隙が設けられている。
供給された液体原料Lを気化するための気化用空間3が内部に設けられた気化器本体1と、
前記気化器本体1に設けられ、前記液体原料Lを加熱して気化させるヒーター部Hと、 前記気化器本体1の上部の入口に設けられ、前記液体原料Lを前記気化用空間3に供給する液体原料供給部40と、
前記気化器本体1の下部の出口に設けられ、前記気化用空間3内にて気化された気化ガスG2を排出する気化ガス排出部50とで構成された気化器Aであって、
粒状体5が前記気化用空間3を構成する前記気化器本体1の内壁に接触するようにして前記気化用空間3に充填され、前記液体原料供給部40から気化ガス排出部50に至る、前記液体原料Lを気化させるための連続通流路Cが形成され、
前記気化器本体は、中空のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に収納されている中空のインナーチューブとで構成され、
前記アウターチューブと前記インナーチューブとの間に円筒状の前記気化用空間が形成され、
前記ヒーター部はアウターヒーター部とインナーヒーター部とで構成され、
前記アウターヒーター部はアウターチューブの外周面に設置され、
前記インナーヒーター部はインナーチューブの内周面に設置されていることを特徴とする気化器Aである。
ヒーター部Hの発熱体7が、インジュウム‐錫合金の酸化物(ITO)又は錫の酸化物の蒸着又はスパッタリングの薄膜体で構成されていることを特徴とする。
ヒーター部Hが、ヒーターブロックBと、前記ヒーターブロックBに収納された発熱体7と、前記気化器本体1とヒーターブロックBとの間に設けられた隙間に設けられ、ヒーターブロックBの熱による体積変化を吸収するグラファイト粒状体が充填された熱変化吸収層Dとで構成されていることを特徴とする。
気化器本体1、液体原料供給部40及び気化ガス排出部50が、石英ガラス又は耐熱性ガラスで形成されていることを特徴とする。
前記粒状体5が、石英ガラス、ジルコニア、アルミナ、シリコン、窒化シリコンの内の少なくとも1つで形成されていることを特徴とする。
前記気化用空間3の前記液体原料供給部40側において、前記粒状体5を上からカバーする多孔質フィルタFjが設置されていることを特徴とする。
液体原料供給部40は、供給された液体原料Lを下方に設けられた前記粒状体5に向けて滴下するノズル体41にて形成されていることを特徴とする。
液体原料供給部40は、キャリアガスG1が供給されるノズル体41と、前記ノズル体41の側面に前記液体原料Lの流出口43が開口するように設置され、前記ノズル体41に前記液体原料Lを供給する枝管42とで形成され、前記ノズル体41の下端には下方に設けられた前記粒状体5に向けて液体原料Lを霧状にして落下(滴下又は流下)させる下端開口44が設けられていることを特徴とする。
液体原料供給部40は、供給された液体原料Lを下方に設けられた、その下端に開口した下端開口44から前記粒状体5に向けて霧化させて落下させるノズル体41と、前記ノズル体41内に挿入され、且つその下端に開口した噴気口48から前記霧化のために前記ノズル体41内にキャリアガスG1を噴出させる噴気ノズル47とで形成されていることを特徴とする。
実施形態については、本発明の気化器Aを第1実施形態から順に説明するが、煩雑さを避けるため、第2実施形態以降は第1実施形態と異なる部分を中心に説明し、同じ部分は他の実施形態の説明を援用する。なお、本発明は第1、第2実施形態に限定されるものではない。
本発明の気化器Aが適用される液体原料気化供給システムの第1実施形態は、液体原料貯蔵タンクT、液体質量流量制御器(液体マスフローメータE、気化器A及び反応炉Rで構成されている。
上記液体原料貯蔵タンクTには、液体原料L(本実施例では過酸化水素水)が貯蔵され、加圧ガスG0により液体原料Lが必要量だけ送り出される。
液体質量流量制御器(液体マスフローメータ)Eは、前記液体原料貯蔵タンクTに接続され、ここから押し出された液体原料Lの質量流量を次の気化器Aに送り出す。
送り出された液体原料Lは、気化器Aの入口に設けられた液体原料供給部40から内部に供給される。
気化器Aは、供給された液体原料Lを気化し、気化された気化ガスG2の質量流量を反応炉Rに送り出す。
反応炉Rは半導体製造装置で、ここでは例えばシリコン基板酸化用の装置である。
第2実施形態では、第1実施形態に加えて窒素ガスや酸素ガスなどの霧化ガス供給源(図示せず)に接続され、キャリアとして働くこれら霧化ガスG1を質量流量だけ送り出す質量流量計Sが更に設けられ、気化器Aの入口には前記液体流量制御器Eから送り出された液体原料Lを前記質量流量計Sから供給された霧化ガスG1によって霧化し、霧化した液体原料Lを供給する液体原料供給部40が設けられている。
気化器Aが、例えば過酸化水素水の気化用で、且つ、半導体製造装置のように極めて高純度な過酸化水素含有水蒸気G2が必要な場合、高温環境において、過酸化水素水Lや気化ガス(過酸化水素含有水蒸気)G2に接する部位(気化器本体1、液体原料供給部40及び気化ガス排出部50)は、これらに侵されないような石英ガラス或いは条件が合えば耐熱性ガラスで作られる。
以下、気化器本体1を実施形態毎に順次説明し、続いて液体原料供給部40、ヒーター部H、多孔質フィルタFを実施形態毎に説明する。
まず、図1~図3に示すような板状の中空立方体或いは直方体の外形を呈するものについて説明する。
そして必要に応じて、上面部材13側から底面部材14側に至る本体プレート11の中心線に沿って丸孔が一定間隔で複数個(ここでは3個)穿設され、この丸孔に挿通された支柱15が溶接され、上記気化用空間3の幅Wを保っている。本体プレート11の強度が十分に大きければ支柱15を用いず側面部材12だけでもよい。
上面部材13と底面部材14には液体原料供給部40、気化ガス排出部50がそれぞれ取り付けられ、その接合部の全周にわたって溶接されている。なお、上面部材13と液体原料供給部40、底面部材14と気化ガス排出部50とは形状が簡単であれば一体で形成することも可能である。
ヒーター部Hは、図1のように気化器本体1の前後両表面に設けられる場合と、図5、図7、図10のようにインナーチューブ20の内側とアウターチューブ30の外側に設けられる場合とがある。図5、図7、図10の場合は、外側のものには小文字のoを、内側のものには小文字のiを添え字する。
図5の内外のヒーター部Hi、Hoは薄膜を発熱体7とするものであり、図7の内外のヒーター部Hi、Hoはハイブリッド型で、アウターチューブ30の外周面に薄膜の発熱体7が設置され、インナーチューブ20の内側にインナーヒーター部Hiが設置される。図10の内外のヒーター部Hは棒状ヒーターだけを発熱体7としたもので、アウターヒーター部Hoはアウターチューブ30の外側に設置され、インナーヒーター部Hiはインナーチューブ20の内側に設置される。
これに加えて、薄膜は透明性を有するため、気化器本体1を通して気化用空間3の内部を観察することが出来るし、更にヒーター部Hを薄く出来、装置形状を小さく出来る。
なお、ヒーターブロックBには、インナー用とアウター用があり、区別する必要がある場合は、インナー用には小文字のi、アウター用には小文字のoをそれぞれに添え字する。
また、アルミニウム、グラファイト(黒鉛)、ステンレス及び従来使用していた伝熱ペーストの熱伝導率を比較すると、アルミニウムは210W/m・K、グラファイトは50W/m・K、ステンレスは20W/m・K、伝熱ペーストは0.96W/m・Kであり、グラファイトはアルミニウムより劣るが従来例の伝熱ペーストよりは遥かに優れている。
この場合、上面部材13に液体原料供給部40の段付き筒状のノズル体41が溶接されている。そしてノズル体41の側面に枝管42が接続されている。ノズル体41の下端開口44は細く絞られている。枝管42の内径はノズル体41の内径より細い。
この液体原料供給部40では、ノズル体41にキャリアガスG1を供給され、枝管42に液体原料Lを供給されるようになっている。枝管42内に流れた液体原料Lはベンチュリ効果によって、ノズル体41内に引き込まれ、絞られた下端開口44から高速で噴出するキャリアガスG1によって霧化され、霧状流体Kとなって下方に散布される。
そしてノズル体41の側面から内側にL形の噴気ノズル47が挿入され、その挿入部分が下端開口44に向かって垂下するように屈曲されている。このL形の噴気ノズル47の先端部分は細く絞られ、この部分を噴気口48とする。
ノズル体41には液体原料Lが供給され、L形の噴気ノズル47にキャリアガスG1が供給される。ノズル体41内を流下してきた液体原料Lは、L形の枝管42に噴気口48から噴出された高速高圧のキャリアガスG1により霧化され、ノズル体41の下端開口44から霧状流体Kとなって下方に散布される。
気化器A1の第1実施形態(図1~図3)は、板状の立方体或いは直方体の外形を呈する。構造は上記の通りで、図1、図2のXで示す楕円部分には、既述のように図4(a)~(c)で示す液体原料供給部40が一体的に設置される。ここでは、図4(a)に示すノズル状の液体原料供給部40が設置されているものを代表例とする。そして、気化器A1の底面部材14には円筒状の気化ガス排出部50が一体的に設置されている。
気化器本体1内部の気化用空間3には、液体原料供給部40側に矩形薄板状の上部多孔質フィルタFj、気化ガス排出部50側に矩形薄板状の上部多孔質フィルタFuが設置され、気化器本体1の内壁の溶接されている。
気化用空間3が平板状に構成され、気化用空間3を構成する気化器本体1の板面に薄膜状のヒーター部Hが設置されていると装置の厚みを薄くすることも出来る。
図12において、液体原料Lの液体質量流量がノズル状の液体原料供給部40に供給されると、液体原料供給部40の下端開口44から液体原料Lが下方の上部多孔質フィルタFjに向かって滴となって滴下、或いは糸状の流れとなって流下する。
上部多孔質フィルタFjに届いた液体原料Lは直ちに上部多孔質フィルタFj内に厚程度均一に拡散し、上部多孔質フィルタFjの下面からその下の粒状体5が充填された気化用充填層Jvに浸透して行く。
図5、図6は第2実施形態で、気化器本体1のインナーチューブ20の内周面とアウターチューブ30の外周面に薄膜の発熱体7が蒸着されている。そして気化器本体1の霧化空間4において、インナーチューブ20の先端頭部21より上の部分に上部多孔質フィルタFjが全面にわたって配設され、アウターチューブ30の内壁に溶接されている。そして、気化器本体1の気化用空間3の下端出口には下部多孔質フィルタFuがその全面にわたって設置され、下部多孔質フィルタFuの外周が下端出口に溶接されている。
上下多孔質フィルタFj、Fuの間の空間には粒状体5が第1実施形態と同様の状態で充填され、気化用充填層Jvを形成している。
気化器本体1に設置された液体原料供給部40は、第1実施形態と同様、図4(a)~(c)のいずれを選んでもよいが、ここでは図4(b)が設置されるものとする。
図13において、液体原料Lの質量流量が枝管42に供給され、質量流量制御された高圧のキャリアガスG1がノズル体41に供給されると、枝管42に流れ込んだ液体原料Lはノズル体41に供給されたキャリアガスG1によってノズル体41の噴出口である下端開口44から下方に向かって勢いよく噴き出され、霧化されて下方の上部多孔質フィルタFjにほぼ均一に降り注ぐ。
そして、第1実施形態で説明したように気化され、反応炉Rに供給される。
図7、図8は第2実施形態の第1変形例で、気化器本体1のインナーチューブ20の内面に発熱体7である棒状のヒーターと温度センサ8とが挿入されたインナーヒーターブロックBiが挿入され、アウターチューブ30の外周面に薄膜の発熱体7が蒸着されたハイブリッド型の気化器である。インナーヒーターブロックBiとインナーチューブ20の内面との間の隙間にはインナー熱変化吸収層Diが形成されている。
この場合も液体原料供給部40は、図4(a)~(c)のいずれかを選ぶことが出来るが、ここでは第2実施形態と同様、図4(b)が設置されているものとする。その他は第2実施形態と同様である。
図13において、液体原料Lの質量流量が枝管42に供給され、質量流量制御された高圧のキャリアガスG1がノズル体41に供給されると、上記第2実施形態と同様、霧化された液体原料Lが下方の上部多孔質フィルタFjにほぼ均一に降り注ぐ。
上部多孔質フィルタFjに降り注いだ霧状の液体原料Lが気化用空間3内で気化し、気化ガス排出部50から反応炉Rに供給される点は、第2実施形態と同じである。
図10、図11は第2実施形態の第2変形例で、気化器本体1のインナーチューブ20の内面に発熱体7である棒状のヒーターと温度センサ8とが挿入されたインナーヒーターブロックBiが挿入され、アウターチューブ30の外周面に円筒状のアウターヒーターブロックBoが設置された気化器A4である。インナーヒーターブロックBiとインナーチューブ20の内面との間の隙間、アウターヒーターブロックBoとアウターチューブ30の外面との間の隙間にはそれぞれグラファイト粒状体が充填され、インナー又はアウター熱変化吸収層Di、Doがそれぞれ形成されている。
楕円Xで囲んだ液体原料供給部40は上記のように図4(a)~(c)のいずれを選択することが出来るが、ここでは第3実施形態と同様図4(b)が設置されているものとし、これを代表例とする。
図10において、液体原料Lの気化は第2実施形態の第1変形例と同様に行われる。
この装置において、通電されてインナーヒーター部Hi及びアウターヒーター部Hoが昇温すると、これらを収納するインナーヒーターブロックBi及びアウターヒーターブロックBoが昇温して膨張を始める。一方、アウターチューブ30及びインナーチューブ20は熱膨張率がほぼ零であるため熱膨張しない。
アウターヒーターブロックBoとアウターチューブ30との関係では、アウターヒーターブロックBoが昇温すると、熱膨張しないアウターチューブ30に対して熱膨張するアウターヒーターブロックBoの収納孔の内径は増加し、収納孔の内周面とアウターチューブ30の外周面との間のインナー熱変化吸収層Doを形成する隙間が増加する。従って、アウターヒーターブロックBo側では加熱時のアウターチューブ30の破損は発生しない。しかしながらこの隙間(アウター熱変化吸収層Do)に充填されているグラファイト粉末は隙間の増加につれて僅かではあるが重力によって下方に移動し、上記隙間に構成されるアウター熱変化吸収層Doに粗密が生じることになる。この粗密はグラファイト粉末が重力により落下することで埋められる。
1:気化器本体、3:気化用空間、4:霧化空間、5:粒状体、7:発熱体、8:温度センサ、11:本体プレート、12:側面部材、13:上面部材、14:底面部材、、15:支柱、20:インナーチューブ、21:先端頭部、22:突起、27:両チューブの下端(溶接端)、30:アウターチューブ、40:液体原料供給部、41:ノズル体、42:枝管、43:流出口、44:下端開口、47:噴気ノズル、48:噴気口、50:気化ガス排出部
Claims (9)
- 供給された液体原料を気化するための気化用空間が内部に設けられた気化器本体と、
前記気化器本体に設けられ、前記液体原料を加熱して気化させるヒーター部と、
前記気化器本体の上部の入口に設けられ、前記液体原料を前記気化用空間に供給する液体原料供給部と、
前記気化器本体の下部の出口に設けられ、前記気化用空間内にて気化された気化ガスを排出する気化ガス排出部とで構成された気化器であって、
粒状体が前記気化用空間を構成する前記気化器本体の内壁に接触するようにして前記気化用空間に充填され、前記液体原料供給部から気化ガス排出部に至る、前記液体原料を気化させるための連続通流路が形成され、
前記気化器本体は、中空のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に収納されている中空のインナーチューブとで構成され、
前記アウターチューブと前記インナーチューブとの間に円筒状の前記気化用空間が形成され、
前記ヒーター部はアウターヒーター部とインナーヒーター部とで構成され、
前記アウターヒーター部はアウターチューブの外周面に設置され、
前記インナーヒーター部はインナーチューブの内周面に設置されていることを特徴とする気化器。 - 前記ヒーター部の発熱体が、インジュウム‐錫合金の酸化物又は錫の酸化物の蒸着又はスパッタリングの薄膜体で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 前記ヒーター部が、ヒーターブロックと、前記ヒーターブロックに収納された発熱体と、前記気化器本体とヒーターブロックとの間に設けられた隙間に設けられ、ヒーターブロックの熱による体積変化を吸収するグラファイト粒状体が充填された熱変化吸収層とで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 気化器本体、液体原料供給部及び気化ガス排出部が、石英ガラス又は耐熱性ガラスで形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の気化器。
- 前記粒状体が、石英ガラス、ジルコニア、アルミナ、シリコン、窒化シリコンの内の少なくとも1つで形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の気化器。
- 前記気化用空間の前記液体原料供給部側において、前記粒状体を上からカバーする多孔質フィルタが設置されていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の気化器。
- 液体原料供給部は、供給された液体原料を下方に設けられた前記粒状体に向けて滴下するノズル体にて形成されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の気化器。
- 液体原料供給部は、キャリアガスが供給されるノズル体と、前記ノズル体の側面に前記液体原料の流出口が開口するように設置され、前記ノズル体に前記液体原料を供給する枝管とで形成され、前記ノズル体の下端には下方に設けられた前記粒状体に向けて液体原料を霧状にして落下させる下端開口が設けられていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の気化器。
- 液体原料供給部は、供給された液体原料を下方に設けられた、その下端に開口した下端開口から前記粒状体に向けて霧化させて落下させるノズル体と、前記ノズル体内に挿入され、且つその下端に開口した噴気口から前記霧化のために前記ノズル体内にキャリアガスを噴出させる噴気ノズルとで形成されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の気化器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020195996A JP7495334B2 (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 気化器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020195996A JP7495334B2 (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022084254A JP2022084254A (ja) | 2022-06-07 |
JP7495334B2 true JP7495334B2 (ja) | 2024-06-04 |
Family
ID=81868080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020195996A Active JP7495334B2 (ja) | 2020-11-26 | 2020-11-26 | 気化器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7495334B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001295050A (ja) | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Sony Corp | 気化器、気化器の使用方法および液体原料の気化方法 |
JP2006013086A (ja) | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器 |
JP2017191940A (ja) | 2012-02-28 | 2017-10-19 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体処理用の交流駆動を用いる多重ヒータアレイ |
WO2019180906A1 (ja) | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 株式会社Kokusai Electric | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2020020036A (ja) | 2018-07-24 | 2020-02-06 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP6769645B1 (ja) | 2020-05-28 | 2020-10-14 | 株式会社リンテック | 気化器 |
-
2020
- 2020-11-26 JP JP2020195996A patent/JP7495334B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001295050A (ja) | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Sony Corp | 気化器、気化器の使用方法および液体原料の気化方法 |
JP2006013086A (ja) | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器 |
JP2017191940A (ja) | 2012-02-28 | 2017-10-19 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 半導体処理用の交流駆動を用いる多重ヒータアレイ |
WO2019180906A1 (ja) | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 株式会社Kokusai Electric | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2020020036A (ja) | 2018-07-24 | 2020-02-06 | 株式会社リンテック | 気化器 |
JP6769645B1 (ja) | 2020-05-28 | 2020-10-14 | 株式会社リンテック | 気化器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022084254A (ja) | 2022-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI572728B (zh) | A method and apparatus for depositing an OLED, and more particularly to an evaporation apparatus having such use | |
TWI583809B (zh) | 用以沉積oled的方法與裝置 | |
CN101285178B (zh) | 汽化器和半导体处理系统 | |
JP6138145B2 (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JPH0828332B2 (ja) | 液体蒸発装置 | |
US8554064B1 (en) | Method and apparatus for generating vapor at high rates | |
JP2001507757A (ja) | フラッシュ気化器 | |
US6339678B1 (en) | Method for vaporizing and superheating a sterilizing agent and device therefor | |
JPWO2008041769A1 (ja) | 液体材料気化装置 | |
JP7495334B2 (ja) | 気化器 | |
TWI418644B (zh) | Gasifier | |
WO2019016909A1 (ja) | 熱交換器 | |
JP2007046084A (ja) | 気化器並びにこれを用いた液体気化供給装置 | |
CN114270480A (zh) | 气化器 | |
JP6769645B1 (ja) | 気化器 | |
TWI819519B (zh) | 氣化器 | |
JP2796975B2 (ja) | 液体原料気化装置 | |
KR100322411B1 (ko) | 액체원료 기화장치 | |
JP6203207B2 (ja) | 気化器 | |
KR101694751B1 (ko) | 박막 형성을 위한 전구체 공급 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 | |
JP4433392B2 (ja) | 気化器 | |
WO2015072509A1 (ja) | 高効率熱交換器および高効率熱交換方法 | |
KR100322410B1 (ko) | 액체원료 기화장치 | |
JPH0445838A (ja) | 液体材料供給システムにおける気化器 | |
JP2022020956A (ja) | 気化器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7495334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |