PL239633B1 - Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi - Google Patents
Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi Download PDFInfo
- Publication number
- PL239633B1 PL239633B1 PL424592A PL42459218A PL239633B1 PL 239633 B1 PL239633 B1 PL 239633B1 PL 424592 A PL424592 A PL 424592A PL 42459218 A PL42459218 A PL 42459218A PL 239633 B1 PL239633 B1 PL 239633B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- precursor
- vacuum
- distribution line
- valve
- supplying
- Prior art date
Links
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi polegający na tym, że prekursor dostarcza się do reaktora poprzez układ zasilania w pary, ogrzewany gradientowo na całej swojej długości, utrzymując w układzie zasilania oraz komorze głównej reaktora stabilne ciśnienie, przy czym stabilność ciśnienia uzyskuje się poprzez zastosowanie w układzie zasilania bocznego odciągu podciśnieniowego, przy czym stabilizację ciśnienia ocenia się na podstawie wskazań sond próżniowych mierzących ciśnienie (próżnię) w odcinku bocznego odciągu podciśnieniowego jak i reaktorze, przy czym przyjmuje się, że stabilizacja ciśnienia następuje w momencie gdy wskazania obu sond różnią się maksymalnie o 10%. Przedmiotem zgłoszenia jest także układ zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi, zawierający ampułę z prekursorem, ogrzewaną gradientowo linię dystrybucyjną charakteryzujący się tym, że zawiera stabilizowaną termicznie ampułę (1) z prekursorem, przyłączony do linii dystrybucyjnej boczny odciąg podciśnieniowy zawierający zawór trójdrożny (3), pompę próżniową (2) i sondę próżniową (4), oraz w zespół zaworu regulacyjnego (6) i przepływomierza (7) umieszczony pomiędzy ampułą (1), a zaworem trójdrożnym (3).
Description
Przedmiotem wynalazku jest układ zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi, zwłaszcza CVD.
Technologie nakładania powłok metodami próżniowymi, w tym np. CVD, często stosują prekursory o niskich wartościach prężności par. Aby zwiększyć ten parametr, prekursor jest umieszczany w szklanej lub stalowej ampule (bulgotce), ogrzewanej często do 200 °C, w której panuje zmniejszone ciśnienie. Zabieg ten prowadzi do kondensacji par prekursorów na chłodniejszych częściach układu zasilania w reagenty oraz skokowych zmian ciśnienia w całym układzie do nakładania powłok. Wzrost ciśnienia oznacza nie tylko więcej prekursora w układzie, ale także powoduje zmianę warunków energetycznych procesów. Nawet jeśli zmiana ta trwa kilka sekund zawsze prowadzi do pogorszenia jakości nakładanej powłoki.
Fińskie zgłoszenie wynalazku FI20065275 ujawnia system dostarczania prekursora z utrzymaniem gradientu temperatur między bulgotką a komorą reakcyjną.
Brytyjskie zgłoszenie patentowe GB2438807 (A) opisuje sposób dostarczania par na zasadzie przepływu cieczy do parownika, przy zachowaniu stałej kontroli ciśnienia na wlocie i wylocie parownika. Kontrola przepływu jest realizowana poprzez zamontowane precyzyjne zawory.
Chińskie zgłoszenie CN106558480 ujawnia metodę przeznaczoną do uzyskiwania powłok w wysokich temperaturach. Opisany w zgłoszeniu system dystrybucji prekursora jest umieszczony wewnątrz komory i jest zabezpieczany przed degradacją termiczną prekursora.
Z kolei amerykańskie zgłoszenie wynalazku US2016097121 zakłada doprowadzenie par prekursora o temperaturze wyższej niż temperatura kondensacji, a także zastosowanie linii doprowadzającej pary stabilizowanej termicznie w temperaturze wyższej niż temperatura kondensacji.
Zgłoszenie wynalazku TW200604368 prezentuje rozwiązanie zakładające możliwość odparowywania prekursora w zależności od potrzeby, a linia dystrybucji ma być utrzymywana w stałej temperaturze, uzależnionej od zastosowanego prekursora. Ilość dostarczanych par prekursora regulowana jest poprzez urządzenie monitorujące przepływ.
W systemach wymienionych powyżej stosowane są ciekłe prekursory: węglowodory (zarówno alifatyczne jak i aromatyczne), związki krzemoorganiczne, związki metaloorganiczne, oraz związki nieorganiczne. Jednakże występuje w nich problem z utrzymaniem stabilnego ciśnienia w układzie zasilania i reaktorze.
Celem wynalazku jest opracowanie układu zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi pozwalających na uzyskanie stabilnego ciśnienia w układzie zasilania oraz reaktorze, a co za tym idzie stałej prężność par prekursora, dzięki czemu w każdej chwili prowadzenia procesu zachowane są takie same parametry.
Cel wynalazku realizuje układ zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi sposobem według pierwszego aspektu wynalazku, zawierający ampułę przeznaczoną na prekursor połączoną z, ogrzewaną gradientowo linię dystrybucyjną doprowadzającą pary prekursora z ampuły do wnętrza komory reakcyjnej reaktora do nakładania powłok metodami próżniowymi, charakteryzujący się tym, że ogrzewana gradientowo linia dystrybucyjna zawiera połączone kolejno pierwszy zawór odcinający, zespół zaworu regulacyjnego i przepływomierza oraz drugi zawór odcinający. Ampuła jest stabilizowana termicznie i połączona jest z pierwszym zaworem odcinającym ogrzewanej gradientowo linii dystrybucyjnej. Pomiędzy zespołem zaworu regulacyjnego oraz przepływomierza, a drugim zaworem odcinającym do linii dystrybucyjnej przyłączony jest za pośrednictwem zaworu trójdrożnego boczny odciąg podciśnieniowy zawierający pompę próżniową i sondę próżniową, przy czym sonda próżniowa włączona jest pomiędzy zaworem trójdrożnym, a pompą próżniową.
Korzystnie linia dystrybucyjna przyłączona do ampuły podzielona jest na sekcje regulacji temperatury.
Korzystnie ampuła z prekursorem wyposażona jest w oporową taśmę grzejną.
Korzystnie linia dystrybucyjna wyposażona jest w taśmy grzejne.
Korzystnie układ zawiera co najmniej sześć czujników temperatury umieszczonych na ampule oraz po jednym na każdej z sekcji regulacji temperatury.
Układ korzystnie wykonany jest ze stali S316L.
Wprowadzenie do układu zasilania odciągu próżniowego zapewnia stałą prężność par prekursora pomiędzy procesami oraz zapobiega gromadzeniu się par w bulgotce. Pozwala to na całkowitą eliminację fluktuacji ciśnienia i prowadzi do zachowania w każdej chwili prowadzenia procesu takich samych parametrów.
PL 239 633 B1
Sposób i układ według wynalazku, pozwala także na eliminację kondensacji w trakcie nakładania powłok metodami próżniowymi. Zostało to osiągnięte poprzez gradientowe ogrzewanie linii zasilającej reaktor w pary prekursora. Początkowa temperatura jest zależna od właściwości zastosowanego prekursora.
W układzie według wynalazku nie tylko linia dystrybucyjna i pokrywa bulgotki jest utrzymywana w gradiencie temperatur, lecz cała bulgotka jest stabilizowana termicznie.
Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykładzie wykonania na rysunku, na którym Fig. 1 przedstawia schemat układu wprowadzania par do komory reakcyjnej.
Układ zasilania w pary prekursora komory reakcyjnej obejmuje stabilizowaną termicznie ampułę 1 z prekursorem, ogrzewaną gradientowo linię dystrybucyjną oraz przyłączony do linii dystrybucyjnej boczny odciąg podciśnieniowy obejmujący pompę próżniową 2, trójdrożny zawór próżniowy 3 oraz sondę próżniową 4. Ampuła 1, stanowiąca jednocześnie pierwszą sekcję regulacji temperatury, połączona jest z pierwszym zaworem odcinającym 5 linii dystrybucyjnej. Linia dystrybucyjna wyposażona jest w pierwszym zawór odcinający 5, zawór regulacyjny 6 połączony równolegle z przepływomierzem 7, oraz drugi zawór odcinający 8. Linia dystrybucyjna podzielona jest na sekcje regulacji temperatury 9, 10, 11, 12, 13. Sekcję regulacji temperatury 9 stanowi odcinek między ampułą 1 a zespołem zaworu regulacyjnego 6 i przepływomierza 7, sekcję regulacji temperatury 10 stanowi zawór regulacyjny 6 oraz przepływomierz 7, sekcję regulacji temperatury 11 stanowi odcinek od zespołu zaworu regulacyjnego 6 i przepływomierza 7 do drugiego zaworu odcinającego 8, zaś sekcję regulacji temperatury 12 stanowi odcinek między drugim zaworem odcinającym 8 a komorą reakcyjną 14, sekcję regulacji temperatury 13 stanowi odcinek układu doprowadzającego pary prekursora we wnętrzu komory reakcyjnej 14. Boczny odciąg podciśnieniowy 2 przyłączony jest do linii dystrybucyjnej pomiędzy zespołem zaworu regulacyjnego 6 i przepływomierza 7, a drugim zaworem odcinającym 8 poprzez zawarty w nim trójdrożny zawór próżniowy 3. Układ wykonany jest ze stali S316L, co zapewnia ich odporność na zmiany temperatury. Ampuła 1 oraz linia dystrybucyjna wyposażone są w oporowe taśmy grzejne. Układ wyposażony jest także w sześć czujników temperatury, umieszczonych na ampule 1 oraz po jednym na każdej z sekcji regulacji temperatury 9, 10, 11, 12, 13.
Zespół zaworu regulacyjnego 6 oraz przepływomierza 7 pozwala na precyzyjne określenie przepływu ilości dostarczanych par prekursora do komory oraz zabezpiecza układ przed wysokim ciśnieniem w trakcie ogrzewania prekursora. Trójdrożny zawór próżniowy 3 powoduje zmianę kierunku przepływu par prekursora, bezpośrednio do komory lub do bocznego odciągu podciśnieniowego z pompą próżniową, co zapewnia stałą prężność par dostarczanych do komory nawet w momencie wprowadzania par do reaktora.
Układ zasilania w pary prekursora przyłączono do komory reakcyjnej 14. Ampuła 1 została wypełniona prekursorem o nazwie heksametylodisiloksan (HMDSO). Ampuła 1 oraz linia dystrybucyjna były ogrzewane gradientowo. Temperatura ogrzewania ampuły 1 wynosiła 35°C. Temperatura ogrzewania poszczególnych sekcji regulacji temperatury 9, 10, 11, 12 była o 10°C wyższa od temperatury w poprzedniej sekcji. Oznacza to, że temperatura sekcji 9 wynosiła 45°C, temperatura sekcji 10 wynosiła 55°C, temperatura sekcji 11 wynosiła 65°C. Po ustabilizowaniu się temperatur na wszystkich sekcjach regulacji temperatury, otwarto pierwszy zawór odcinający 5 oraz zawór regulacyjny 6, przy czym drugi zawór odcinający 8 pozostał zamknięty a trójdrożny zawór próżniowy 3 ustawiono w pozycji zmiany kierunku przepływu w stronę pompy 2. Po ustabilizowaniu się ciśnienia w układzie i reaktorze, zamknięto zawór regulacyjny 6 i na przepływomierzu 7 ustalono przepływ na poziomie 5 sccm (stantard cubic centimeter per minute). Stabilizacja ciśnienia oceniana była na podstawie wskazań sondy próżniowej 4 mierzącej ciśnienie (próżnię) w odcinku bocznego odciągu podciśnieniowego jak i sondy próżniowej, będącej na wyposażeniu reaktora 14. Przyjęto, że stabilizacja ciśnienia nastąpiła w momencie, gdy wskazania obu sond różniły się o nie więcej niż 10%. Jednocześnie zmieniono ustawienie trójdrożnego zaworu próżniowego 3 tak aby skierował pary prekursora do reaktora. Otwarto drugi zawór odcinający 8 co spowodowało wpływ par prekursora do reaktora i rozpoczęto nakładanie cienkiej powłoki dwutlenku krzemu (SiO2) w stabilnych warunkach, co pozwoliło, na otrzymanie powłoki o jednorodnych właściwościach.
W powyższym rozwiązaniu pary prekursora trafiają bezpośrednio do komory reakcyjnej w obszar zachodzenia procesu nakładania, gdzie gaz roboczy jest dostarczany dyszą dozującą umieszczoną nad wejściem dyszy równomiernie rozprowadzającej pary prekursora, co pozwala na zwiększanie szybkości reakcji oraz zachowanie równomiernego osadzania powłoki na podłożu.
PL 239 633 B1
Stabilizacja termiczna prekursora ma na celu zapewnienie stałej prężności par, natomiast utrzymanie gradientu temperatur na linii dystrybucyjnej ma na celu zapobiegnięcie kondensacji par prekursora.
Sposób i układ według wynalazku, może być stosowany do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi, zwłaszcza metodami CVD, polegając ymi na wspomaganiu plazmą niskotemperaturową. Plazma ta może być generowana częstotliwościami akustycznymi, radiowymi oraz mikrofalowymi. Układ można zastosować w układach podwójnych częstotliwości oraz stałoprądowych. Dodatkową cechą sposobu wynalazku jest fakt, że odparowywanie prekursora można zrealizować bez zastosowania gazu nośnego. W układach obecnie znanych stosowanie gazu nośnego jest bardzo częste.
Zastrzeżenia patentowe
Claims (6)
- Zastrzeżenia patentowe1. Układ zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi zawierający ampułę przeznaczoną na prekursor połączoną z ogrzewaną gradientowo linią dystrybucyjną doprowadzającą pary prekursora z ampuły do wnętrza komory reakcyjnej reaktora do nakładania powłok metodami próżniowymi znamienny tym, że: ogrzewana gradientowo linia dystrybucyjna zawiera połączone kolejno pierwszy zawór odcinający (5), zespół zaworu regulacyjnego (6) i przepływomierza (7), w którym zawór regulacyjny (6) i przepływomierz (7) połączone są równolegle oraz drugi zawór odcinający (8) ampuła (1) jest stabilizowana termicznie i połączona jest z pierwszym zaworem odcinającym (5) ogrzewanej gradientowo linii dystrybucyjnej, a pomiędzy zespołem zaworu regulacyjnego (6) oraz przepływomierza (7) a zaworem odcinającym (8) do linii dystrybucyjnej przyłączony jest za pośrednictwem zaworu trójdrożnego (3) boczny odciąg podciśnieniowy zawierający pompę próżniową (2) i sondę próżniową (4), przy czym sonda próżniowa (4) włączona jest pomiędzy zaworem trójdrożnym (3), a pompą próżniową (2).
- 2. Układ według zastrz. 1 znamienny tym, że linia dystrybucyjna przyłączona do ampuły (1) podzielona jest na sekcje regulacji temperatury (9, 10, 11, 12, 13).
- 3. Układ według dowolnego z zastrz. od 1 do 2 znamienny tym, że ampuła (1) wyposażona jest w oporową taśmę grzejną.
- 4. Układ według dowolnego z zastrz. od 1 do 3 znamienny tym, że linia dystrybucyjna wyposażona jest w taśmy grzejne.
- 5. Układ według dowolnego z zastrz. od 1 do 4 znamienny tym, że zawiera co najmniej sześć czujników temperatury umieszczonych na ampule (1) oraz po jednym na każdej z sekcji regulacji temperatury (9, 10, 11, 12, 13).
- 6. Układ według dowolnego z zastrz. od 1 do 5 znamienny tym, że wykonany jest ze stali S316L.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL424592A PL239633B1 (pl) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL424592A PL239633B1 (pl) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL424592A1 PL424592A1 (pl) | 2019-08-26 |
PL239633B1 true PL239633B1 (pl) | 2021-12-20 |
Family
ID=67683631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL424592A PL239633B1 (pl) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL239633B1 (pl) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4640221A (en) * | 1985-10-30 | 1987-02-03 | International Business Machines Corporation | Vacuum deposition system with improved mass flow control |
JPS6335768A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Sharp Corp | 蒸着装置 |
KR100273474B1 (ko) * | 1998-09-14 | 2000-12-15 | 이경수 | 화학기상 증착장치의 가스 공급장치와 그 제어방법 |
WO2007036997A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Tadahiro Ohmi | 液体材料供給装置、液体材料供給装置のための制御方法 |
KR20140050681A (ko) * | 2011-07-22 | 2014-04-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Ald/cvd 프로세스들을 위한 반응물 전달 시스템 |
JP5647083B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2014-12-24 | 株式会社フジキン | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
-
2018
- 2018-02-14 PL PL424592A patent/PL239633B1/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL424592A1 (pl) | 2019-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10844484B2 (en) | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods | |
US7011710B2 (en) | Concentration profile on demand gas delivery system (individual divert delivery system) | |
US10087523B2 (en) | Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors | |
US9556518B2 (en) | Raw material gas supply apparatus for semiconductor manufacturing equipment | |
US4619844A (en) | Method and apparatus for low pressure chemical vapor deposition | |
US20040079286A1 (en) | Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant | |
US20140034751A1 (en) | Device for Introducing, Injecting or Spraying a Mixture of a Carrier Gas and Liquid Compounds and Method for Implementing Said Device | |
JPS62273714A (ja) | 有機金属ガス供給方法および装置 | |
US20170342562A1 (en) | Vapor manifold with integrated vapor concentration sensor | |
PL239633B1 (pl) | Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi | |
Maslar et al. | Characterization of vapor draw vessel performance for low-volatility solid precursor delivery | |
JP2602298B2 (ja) | 気相成長装置 | |
KR20030059263A (ko) | 소유량 액체의 계량공급방법 및 장치 | |
CN211170883U (zh) | 气体供应系统 | |
KR20220093357A (ko) | 2차원 층을 증착하기 위한 cvd 반응기의 용도 | |
US20230029724A1 (en) | System and method for monitoring precursor delivery to a process chamber | |
KR940012531A (ko) | 고유전율을 갖는 유전체박막의 제조방법 및 그 제조장치 | |
US11873558B2 (en) | Precursor container | |
KR20130104908A (ko) | 고온화학기상증착용 버블링 장치 | |
KR100199008B1 (ko) | 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 액체소스 증기 공급장치 | |
KR20090120309A (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
KR20230070020A (ko) | 고체 원료의 잔존량을 추정하는 방법, 성막을 행하는 방법, 원료 가스를 공급하는 장치, 및 성막을 행하는 장치 | |
JPH11106922A (ja) | ベーパライザ |