JP2893148B2 - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JP2893148B2 JP2893148B2 JP28732491A JP28732491A JP2893148B2 JP 2893148 B2 JP2893148 B2 JP 2893148B2 JP 28732491 A JP28732491 A JP 28732491A JP 28732491 A JP28732491 A JP 28732491A JP 2893148 B2 JP2893148 B2 JP 2893148B2
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- processing liquid
- liquid
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は処理装置に関するもの
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理部に処理液ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処
理する処理装置に関するものである。
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
処理部に処理液ガスを供給し、半導体ウエハの表面を処
理する処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、被処理体例えば半導体ウエハ等
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れる。この前処理の際、処理液収容部内の処理液は、気
化装置によって気化され、気相として半導体ウエハを収
容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの表面に
付着する。
の表面にフォトレジスト層等を形成する場合、その固着
を良好にするため、半導体ウエハ表面は、ヘキサメチル
ジシラザン（以下ＨＭＤＳという）により前処理が行わ
れる。この前処理の際、処理液収容部内の処理液は、気
化装置によって気化され、気相として半導体ウエハを収
容する処理室に供給され、ここで半導体ウエハの表面に
付着する。
【０００３】従来のこの種の処理装置は、図４に示すよ
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ２）ガスを供
給するＮ２ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理液ガスを供給
する供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラー
ｂを配設した構造となっている。このように構成される
処理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ２の
泡によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガ
スが供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、
処理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔
ｈから加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図４において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
うに、例えばキャリアガスである窒素（Ｎ２）ガスを供
給するＮ２ガス供給管ｃと処理室ｅへ処理液ガスを供給
する供給管ｄとを接続する処理液収容部ａ内にバブラー
ｂを配設した構造となっている。このように構成される
処理装置において、バブラーｂにより発生されたＮ２の
泡によってＨＭＤＳのガスが生成され、このＨＭＤＳガ
スが供給管ｄを通って処理室ｅへ供給される。そして、
処理室ｅ内の案内通路ｆに案内されて拡散板ｇの拡散孔
ｈから加熱載置台ｉ上のウエハＷに噴射される。この場
合、処理室ｅは排気管ｊを介してエゼクタｋに接続さ
れ、駆動用の圧力空気を駆動空気供給管ｍからエゼクタ
ｋに供給することによって、処理室ｅ内は負圧に維持さ
れるようになっている。なお、図４において、ｎ，ｏは
開閉バルブである。
【０００４】ところで、従来のこの種の処理装置におい
ては、処理液収容部ａ内においてＮ２の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
ては、処理液収容部ａ内においてＮ２の泡が液面ではじ
けると、液滴が生じ、処理液収容部ａから処理室ｅへ通
じる供給管ｄ内で結露してしまうという問題があった。
【０００５】そこで、このことを防止するため、従来で
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ２供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
はこの処理液収容部ａと処理室ｅとを接続する供給管ｄ
に別のＮ２供給用配管ｐを接続して、それにより供給管
ｄ内におけるＨＭＤＳガスを希釈して、供給管ｄ内の結
露を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ２ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ２ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を制御する必要があるた
め、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要とな
り、しかも十分な結露防止ができないという問題があっ
た。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入すると、ウ
エハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品質の低
下をきたすという問題もあった。
この種の処理装置においては、供給管ｄに別途Ｎ２ガス
供給用配管ｐを接続しなければならず、しかもＮ２ガス
の供給量やＨＭＤＳガスの量等を制御する必要があるた
め、配管構造及び制御機器等が複雑かつ多く必要とな
り、しかも十分な結露防止ができないという問題があっ
た。また、結露した液滴が処理室ｅ内に侵入すると、ウ
エハＷに付着してしまい、そのためウエハＷの品質の低
下をきたすという問題もあった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、簡単な構造により、被処理体処理部に処理のため必
要かつ十分な濃度の処理液ガスを確実に供給できるよう
にした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、簡単な構造により、被処理体処理部に処理のため必
要かつ十分な濃度の処理液ガスを確実に供給できるよう
にした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体処理部と、処理液
収容部と、処理液気化部とを具備する処理装置におい
て、上記処理液気化部を、上記処理液収容部に配設さ
れ、かつ処理液を液面から上方へ向けて誘導する処理液
誘導体と、上記処理液収容部内にガスを供給するガス供
給手段とで形成すると共に、ガス供給手段から処理液収
容部内に供給されるガスを、処理液の液面から処理液誘
導体に沿って上方へ流すように形成し、上記処理液収容
部に、温度調整手段を具備し、上記処理液気化部と上記
被処理体処理部とを接続する供給管に、吸気系に切換接
続するための切換バルブを設けてなることを特徴とする
ものである。
に、この発明の処理装置は、被処理体処理部と、処理液
収容部と、処理液気化部とを具備する処理装置におい
て、上記処理液気化部を、上記処理液収容部に配設さ
れ、かつ処理液を液面から上方へ向けて誘導する処理液
誘導体と、上記処理液収容部内にガスを供給するガス供
給手段とで形成すると共に、ガス供給手段から処理液収
容部内に供給されるガスを、処理液の液面から処理液誘
導体に沿って上方へ流すように形成し、上記処理液収容
部に、温度調整手段を具備し、上記処理液気化部と上記
被処理体処理部とを接続する供給管に、吸気系に切換接
続するための切換バルブを設けてなることを特徴とする
ものである。
【０００９】この発明において、上記処理液誘導体は、
処理液収容部内に配設されて処理液を液面より上方へ誘
導すると共に拡散するものであれば任意のものでよく、
例えば毛細管現象を利用して処理液を液面より上方へ誘
導し、拡散するものを使用することができ、具体的には
例えばガラス繊維やテフロン（商品名）製あるいはデル
リン（商品名）やセラミックス繊維製の布体を使用する
ことができる。この場合、処理液誘導体は処理液収容部
内に固定されるものでもよく、着脱式のものでもよい
が、可及的に表面積を大きくできるものを使用する方が
好ましい。また、処理液誘導体は、処理液に対して濡れ
性を有し、かつ耐薬品性を有するものである方が好まし
い。
処理液収容部内に配設されて処理液を液面より上方へ誘
導すると共に拡散するものであれば任意のものでよく、
例えば毛細管現象を利用して処理液を液面より上方へ誘
導し、拡散するものを使用することができ、具体的には
例えばガラス繊維やテフロン（商品名）製あるいはデル
リン（商品名）やセラミックス繊維製の布体を使用する
ことができる。この場合、処理液誘導体は処理液収容部
内に固定されるものでもよく、着脱式のものでもよい
が、可及的に表面積を大きくできるものを使用する方が
好ましい。また、処理液誘導体は、処理液に対して濡れ
性を有し、かつ耐薬品性を有するものである方が好まし
い。
【００１０】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、処理液気化部を、処理液収容部に配設され、か
つ処理液を液面から上方へ向けて誘導する処理液誘導体
と、処理液収容部内にガスを供給するガス供給手段とで
形成することにより、処理液収容部内に収容された処理
液は、処理液誘導体により液面より上方へ誘導されると
共に、拡散される。この際、拡散面積が大きくなる程、
処理液収容部内に供給されるガスとの接触面積が大きく
なり、蒸発し易くなる。また、液滴の発生がないので、
供給管内で結露し難い。蒸発した処理液はガス化され
て、所定の濃度で供給管を介して被処理体処理部に供給
され、ここで被処理体表面の前処理に供される。
よれば、処理液気化部を、処理液収容部に配設され、か
つ処理液を液面から上方へ向けて誘導する処理液誘導体
と、処理液収容部内にガスを供給するガス供給手段とで
形成することにより、処理液収容部内に収容された処理
液は、処理液誘導体により液面より上方へ誘導されると
共に、拡散される。この際、拡散面積が大きくなる程、
処理液収容部内に供給されるガスとの接触面積が大きく
なり、蒸発し易くなる。また、液滴の発生がないので、
供給管内で結露し難い。蒸発した処理液はガス化され
て、所定の濃度で供給管を介して被処理体処理部に供給
され、ここで被処理体表面の前処理に供される。
【００１１】また、処理液収容部内に供給されるガス
を、処理液の液面から処理液誘導体に沿って上方へ流す
ことにより、更に処理液とガスとの接触面積を大きくす
ることができると共に、処理液の蒸発を促進することが
できる。また、処理液収容部に、温度調整手段を具備す
ることにより、所定の温度に維持された処理液ガスを被
処理体処理部に供給することができる。
を、処理液の液面から処理液誘導体に沿って上方へ流す
ことにより、更に処理液とガスとの接触面積を大きくす
ることができると共に、処理液の蒸発を促進することが
できる。また、処理液収容部に、温度調整手段を具備す
ることにより、所定の温度に維持された処理液ガスを被
処理体処理部に供給することができる。
【００１２】更にまた、処理液気化部と被処理体処理部
とを接続する供給管に、吸気系に切換接続するための切
換バルブを設けることで、供給管を流れるガスの圧力を
減圧することができると共に、被処理体処理部への処理
液ガスの濃度及び供給量をコントロールすることができ
る。
とを接続する供給管に、吸気系に切換接続するための切
換バルブを設けることで、供給管を流れるガスの圧力を
減圧することができると共に、被処理体処理部への処理
液ガスの濃度及び供給量をコントロールすることができ
る。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
細に説明する。この実施例ではこの発明の処理装置を半
導体ウエハ前処理装置に適用した場合について説明す
る。
【００１４】図１にはこの発明の処理装置を適用した半
導体ウエハ前処理装置の概略構成図が示されている。
導体ウエハ前処理装置の概略構成図が示されている。
【００１５】半導体ウエハ前処理装置は被処理体である
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被処
理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置２
とを供給管３を介して接続してなり、処理液気化装置２
で気化された処理液ガスすなわちＨＭＤＳガスを供給管
３から処理部１内に供給して、ウエハＷの表面の前処理
を行うように構成されている。
半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する被処
理体処理部１と、処理液気化部である処理液気化装置２
とを供給管３を介して接続してなり、処理液気化装置２
で気化された処理液ガスすなわちＨＭＤＳガスを供給管
３から処理部１内に供給して、ウエハＷの表面の前処理
を行うように構成されている。
【００１６】この場合、処理部１のチャンバ１ａ内に
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
多数の拡散孔５を設けた拡散板６と例えばコーン形状の
ＨＭＤＳガスの案内通路７が設けられている。なお、チ
ャンバ１ａの上部には開閉可能な蓋１ｂが装着されてお
り、この蓋１ｂの開閉によってウエハＷのチャンバ１ａ
内への出入れが可能となっている。また、処理部１の底
部には、チャンバ１ａ内の排気及び処理後のガスを排気
するための排気管２０が接続されている。排気管２０に
はチャンバ１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１
（空気圧式真空装置）が設けられており、エゼクタ２１
には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が
接続されている。なお、排気管２０及び駆動空気供給管
２２にはそれぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられてい
る。また、ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気
系に切換接続するための切換バルブ２５が設けられてい
る。よって、この切換バルブ２５の切換操作によって、
供給管３を流れるＮ２ガスの圧力を減圧することができ
る。したがって、収容タンク１０側でＮ２ガスを流すた
めの圧力を減圧することで、チャンバ１ａ内のＮ２ガス
量を変えてＨＭＤＳの濃度をコントロールすることがで
きると共に、チャンバ１ａ側へのＨＭＤＳの供給量もコ
ントロールすることができる。
は、ウエハＷが加熱機構（図示せず）を内蔵した載置台
４に載置されて収容されており、載置台４の上方には、
多数の拡散孔５を設けた拡散板６と例えばコーン形状の
ＨＭＤＳガスの案内通路７が設けられている。なお、チ
ャンバ１ａの上部には開閉可能な蓋１ｂが装着されてお
り、この蓋１ｂの開閉によってウエハＷのチャンバ１ａ
内への出入れが可能となっている。また、処理部１の底
部には、チャンバ１ａ内の排気及び処理後のガスを排気
するための排気管２０が接続されている。排気管２０に
はチャンバ１ａ内を負圧に吸引するためのエゼクタ２１
（空気圧式真空装置）が設けられており、エゼクタ２１
には駆動用の圧力空気を供給する駆動空気供給管２２が
接続されている。なお、排気管２０及び駆動空気供給管
２２にはそれぞれ開閉バルブ２３，２４が設けられてい
る。また、ＨＭＤＳガス供給管３には、供給管３を吸気
系に切換接続するための切換バルブ２５が設けられてい
る。よって、この切換バルブ２５の切換操作によって、
供給管３を流れるＮ２ガスの圧力を減圧することができ
る。したがって、収容タンク１０側でＮ２ガスを流すた
めの圧力を減圧することで、チャンバ１ａ内のＮ２ガス
量を変えてＨＭＤＳの濃度をコントロールすることがで
きると共に、チャンバ１ａ側へのＨＭＤＳの供給量もコ
ントロールすることができる。
【００１７】一方、処理液気化装置２は、処理液すなわ
ちＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タン
ク１０と、この収容タンク１０内に配設される処理液気
化手段である処理液誘導体１１とを具備してなる。この
場合、収容タンク１０には、上記供給管３及び処理ガス
を搬送するガス供給手段であるＮ２ガス供給用配管９が
接続されている。また、処理液誘導体１１は、例えばガ
ラスあるいはテフロン（商品名）等のＨＭＤＳ液８に対
して腐食しない耐薬品性を有し、かつ濡れ性を有する筒
状布製のものにて形成されており、収容タンク１０の内
壁に貼着されている。したがって、ＨＭＤＳ液８は毛細
管現象により処理液誘導体１１に吸着されると共に、液
面より上方に誘導され、かつ広い面積に渡って拡散され
る。
ちＨＭＤＳ液８を収容する処理液収容部である収容タン
ク１０と、この収容タンク１０内に配設される処理液気
化手段である処理液誘導体１１とを具備してなる。この
場合、収容タンク１０には、上記供給管３及び処理ガス
を搬送するガス供給手段であるＮ２ガス供給用配管９が
接続されている。また、処理液誘導体１１は、例えばガ
ラスあるいはテフロン（商品名）等のＨＭＤＳ液８に対
して腐食しない耐薬品性を有し、かつ濡れ性を有する筒
状布製のものにて形成されており、収容タンク１０の内
壁に貼着されている。したがって、ＨＭＤＳ液８は毛細
管現象により処理液誘導体１１に吸着されると共に、液
面より上方に誘導され、かつ広い面積に渡って拡散され
る。
【００１８】なお、Ｎ２ガス供給用配管９には流量計１
２が取付けられている。また、収容タンク１０の外周に
は温度調整手段１３が配設されて収容タンク１０内の温
度例えば２２℃に保持されている。したがって、所定の
温度に維持されたＨＭＤＳガスを被処理体処理部１に供
給することができる。
２が取付けられている。また、収容タンク１０の外周に
は温度調整手段１３が配設されて収容タンク１０内の温
度例えば２２℃に保持されている。したがって、所定の
温度に維持されたＨＭＤＳガスを被処理体処理部１に供
給することができる。
【００１９】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、収容タンク１０内のＨＭＤＳ液８は処理液
誘導体１１による毛細管現象によって液面より上方まで
誘導されると共に、処理液誘導体１１の表面に沿って拡
散される。この状態でＮ２ガス供給用配管９を通って収
容タンク１０内にＮ２ガスが供給されると、Ｎ２ガス
は、図１に示すように、ＨＭＤＳ液８の液面から上方に
向かって流れると共に、処理液誘導体１１の内表面に沿
って流れるので、貯留されているＨＭＤＳ液８の表面と
処理液誘導体１１の表面に接触してＨＭＤＳ液８の蒸発
を促す。この際、処理液誘導体１１に誘導・拡散された
ＨＭＤＳ液８が蒸発することによって処理液誘導体１１
が乾燥しても、毛細管現象によって自動的にＨＭＤＳ液
８が吸上げられて処理液誘導体１１は常にＨＭＤＳ液８
で濡れることになる。しかも、処理液誘導体１１のＨＭ
ＤＳ液８より上方部分の面積は、広く設けることが容易
であるため、Ｎ２ガスとの接触面積を広くでき、ＨＭＤ
Ｓ液８の蒸発は促進される。
置において、収容タンク１０内のＨＭＤＳ液８は処理液
誘導体１１による毛細管現象によって液面より上方まで
誘導されると共に、処理液誘導体１１の表面に沿って拡
散される。この状態でＮ２ガス供給用配管９を通って収
容タンク１０内にＮ２ガスが供給されると、Ｎ２ガス
は、図１に示すように、ＨＭＤＳ液８の液面から上方に
向かって流れると共に、処理液誘導体１１の内表面に沿
って流れるので、貯留されているＨＭＤＳ液８の表面と
処理液誘導体１１の表面に接触してＨＭＤＳ液８の蒸発
を促す。この際、処理液誘導体１１に誘導・拡散された
ＨＭＤＳ液８が蒸発することによって処理液誘導体１１
が乾燥しても、毛細管現象によって自動的にＨＭＤＳ液
８が吸上げられて処理液誘導体１１は常にＨＭＤＳ液８
で濡れることになる。しかも、処理液誘導体１１のＨＭ
ＤＳ液８より上方部分の面積は、広く設けることが容易
であるため、Ｎ２ガスとの接触面積を広くでき、ＨＭＤ
Ｓ液８の蒸発は促進される。
【００２０】上記のようにして気化されたＨＭＤＳガス
はＮ２ガスによって供給管３を流れて被処理体処理室１
の案内通路７中の拡散板６の拡散孔５を通ってウエハＷ
の表面に均一に噴出拡散されて塗布される。このとき、
ＨＭＤＳガスを処理部１に供給するときには、開閉バル
ブ２３，２４を開いて、エゼクタ２１に駆動空気供給管
２２から駆動用の圧力空気を送り、エゼクタ２１により
処理部１のチャンバ１ａ等の雰囲気を吸引排気して減圧
状態にする。そして、ＨＭＤＳが混入したＮ２ガスが処
理部１に供給された後、開閉バルブ２４を閉じてエゼク
タ２１の動作を止め、Ｎ２ガスの陽圧により気相化した
ＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤＳ処理状態とする。
はＮ２ガスによって供給管３を流れて被処理体処理室１
の案内通路７中の拡散板６の拡散孔５を通ってウエハＷ
の表面に均一に噴出拡散されて塗布される。このとき、
ＨＭＤＳガスを処理部１に供給するときには、開閉バル
ブ２３，２４を開いて、エゼクタ２１に駆動空気供給管
２２から駆動用の圧力空気を送り、エゼクタ２１により
処理部１のチャンバ１ａ等の雰囲気を吸引排気して減圧
状態にする。そして、ＨＭＤＳが混入したＮ２ガスが処
理部１に供給された後、開閉バルブ２４を閉じてエゼク
タ２１の動作を止め、Ｎ２ガスの陽圧により気相化した
ＨＭＤＳを圧送し、通常のＨＭＤＳ処理状態とする。
【００２１】処理部１のチャンバ１ａ内に供給された気
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。これにより、
後述のフォトレジスト液塗布工程におけるフォトレジス
トとウエハＷとの密着性・固着性が向上する。
相状態のＨＭＤＳは加熱されたウエハＷに吹き付けら
れ、ウエハＷの表面が疎水化処理される。これにより、
後述のフォトレジスト液塗布工程におけるフォトレジス
トとウエハＷとの密着性・固着性が向上する。
【００２２】上記のように構成される半導体ウエハ前処
理装置は具体的には、図３に示す半導体ウエハ処理装置
の一部に組込まれて使用される。すなわち、この処理装
置は、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が配設され
た処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット３０にウ
エハＷを搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１とか
ら主に構成されている。
理装置は具体的には、図３に示す半導体ウエハ処理装置
の一部に組込まれて使用される。すなわち、この処理装
置は、ウエハＷに種々の処理を施す処理機構が配設され
た処理機構ユニット３０と、処理機構ユニット３０にウ
エハＷを搬入・搬出するための搬入・搬出機構３１とか
ら主に構成されている。
【００２３】搬入・搬出機構３１は、処理前のウエハＷ
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるため、レジスト液をウエハＷに塗布する前に行う前
処理を行うこの発明の処理装置である前処理機構１（具
体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの上面にレジス
ト液を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂと、塗布機構３
９ａ，３９ｂでレジスト液を塗布する前のウエハＷを冷
却して、所定温度に調整するための冷却機構４０と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト膜中に残存する溶剤を蒸発
させるための加熱処理を行うベーク機構４１とからなる
処理機構が設けられている。また、処理機構ユニット３
０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜４１にウエハＷ
の搬入及び搬出を行うためのアーム４２ａを有する搬送
機構４２が搬送路４３に沿って移動可能に配設されてい
る。
を収納するウエハキャリア３２と、処理後のウエハＷを
収納するウエハキャリア３３と、ウエハＷを吸着保持す
るアーム３４と、このアーム３４をＸ方向、Ｙ方向及び
θ方向にそれぞれ移動させるためのＸ方向移動機構３
５、Ｙ方向移動機構３６及びθ方向移動機構３７と、処
理機構ユニット３０との間でウエハＷの受け渡しがなさ
れる載置台３８とを備えている。また、処理機構ユニッ
ト３０には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上さ
せるため、レジスト液をウエハＷに塗布する前に行う前
処理を行うこの発明の処理装置である前処理機構１（具
体的には被処理体処理部）と、ウエハＷの上面にレジス
ト液を塗布する塗布機構３９ａ，３９ｂと、塗布機構３
９ａ，３９ｂでレジスト液を塗布する前のウエハＷを冷
却して、所定温度に調整するための冷却機構４０と、ウ
エハＷに塗布されたレジスト膜中に残存する溶剤を蒸発
させるための加熱処理を行うベーク機構４１とからなる
処理機構が設けられている。また、処理機構ユニット３
０には、上記の各処理機構１，３９ａ〜４１にウエハＷ
の搬入及び搬出を行うためのアーム４２ａを有する搬送
機構４２が搬送路４３に沿って移動可能に配設されてい
る。
【００２４】上記のように構成される処理装置におい
て、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、前
処理機構１で上述したように前処理された後、冷却処
理、塗布処理された後にベーク機構４１で加熱処理さ
れ、その後、搬入・搬出機構３１へ搬送され、そしてウ
エハキャリア３３に収納されるのである。
て、搬入・搬出機構３１から搬入されたウエハＷは、前
処理機構１で上述したように前処理された後、冷却処
理、塗布処理された後にベーク機構４１で加熱処理さ
れ、その後、搬入・搬出機構３１へ搬送され、そしてウ
エハキャリア３３に収納されるのである。
【００２５】なお、上記実施例では処理液誘導体１１が
ガラス繊維等の筒状布製の場合について説明したが、処
理液誘導体１１は必ずしも筒状である必要はなく、毛細
管現象によりＨＭＤＳ液８を液面より上方へ誘導し拡散
するものであれば任意のものでよく、例えば表面積を更
に大きくするために複数の筒状の処理液誘導体１１を適
宜間隔をおいて収容タンク１０内に配設してもよく、あ
るいは多数の紐状の処理液誘導体１１を収容タンク１０
内に配設したものでもよい。また、上記実施例では、こ
の発明の処理装置がウエハ前処理装置に適用される場合
について説明したが、前処理装置以外に、例えば塗布装
置、現像装置、ＣＶＤ装置、洗浄装置等の処理装置にも
適用できることは勿論である。
ガラス繊維等の筒状布製の場合について説明したが、処
理液誘導体１１は必ずしも筒状である必要はなく、毛細
管現象によりＨＭＤＳ液８を液面より上方へ誘導し拡散
するものであれば任意のものでよく、例えば表面積を更
に大きくするために複数の筒状の処理液誘導体１１を適
宜間隔をおいて収容タンク１０内に配設してもよく、あ
るいは多数の紐状の処理液誘導体１１を収容タンク１０
内に配設したものでもよい。また、上記実施例では、こ
の発明の処理装置がウエハ前処理装置に適用される場合
について説明したが、前処理装置以外に、例えば塗布装
置、現像装置、ＣＶＤ装置、洗浄装置等の処理装置にも
適用できることは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、簡単
な構造を有し、処理液誘導体及び処理液の液面上方への
誘導を促すガスにより処理液を有効に蒸発させることが
できるので、処理液ガスを効率よく生成することができ
ると共に、配管内の結露を防止することができる。ま
た、被処理体表面に処理液の液滴が付着することがな
く、被処理体の品質の低下を防止することができる等の
優れた効果が得られる。
装置によれば、上記のように構成されているので、簡単
な構造を有し、処理液誘導体及び処理液の液面上方への
誘導を促すガスにより処理液を有効に蒸発させることが
できるので、処理液ガスを効率よく生成することができ
ると共に、配管内の結露を防止することができる。ま
た、被処理体表面に処理液の液滴が付着することがな
く、被処理体の品質の低下を防止することができる等の
優れた効果が得られる。
【００２７】また、処理液収容部内に供給されるガス
を、処理液の液面から処理液誘導体に沿って上方へ流す
ことにより、更に処理液とガスとの接触面積を大きくす
ることができると共に、処理液の蒸発を促進することが
できる。また、処理液収容部に、温度調整手段を具備す
ることにより、所定の温度に維持された処理液ガスを被
処理体処理部に供給することができる。
を、処理液の液面から処理液誘導体に沿って上方へ流す
ことにより、更に処理液とガスとの接触面積を大きくす
ることができると共に、処理液の蒸発を促進することが
できる。また、処理液収容部に、温度調整手段を具備す
ることにより、所定の温度に維持された処理液ガスを被
処理体処理部に供給することができる。
【００２８】また、処理液気化部と被処理体処理部とを
接続する供給管に、吸気系に切換接続するための切換バ
ルブを設けることで、供給管を流れるガスの圧力を減圧
することができると共に、被処理体処理部への処理液ガ
スの濃度及び供給量をコントロールすることができる。
接続する供給管に、吸気系に切換接続するための切換バ
ルブを設けることで、供給管を流れるガスの圧力を減圧
することができると共に、被処理体処理部への処理液ガ
スの濃度及び供給量をコントロールすることができる。
【図１】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハ前
処理装置を示す概略構成図である。
処理装置を示す概略構成図である。
【図２】この発明における処理液気化部を示す断面斜視
図である。
図である。
【図３】図１の半導体ウエハ前処理装置を有する半導体
ウエハ処理装置を示す概略平面図である。
ウエハ処理装置を示す概略平面図である。
【図４】従来の処理装置を示す概略構成図である。
１ 被処理体処理部 ２ 処理液気化装置（処理液気化部） ３ 供給管 ８ ＨＭＤＳ液（処理液） ９ Ｎ２ガス供給用配管（ガス供給手段） １０ 収容タンク（処理液収容部） １１ 処理液誘導体 １３ 温度調整手段２５ 切換バルブ Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理体処理部と、処理液収容部と、処
理液気化部とを具備する処理装置において、 上記処理液気化部を、上記処理液収容部に配設され、か
つ処理液を液面から上方へ向けて誘導する処理液誘導体
と、上記処理液収容部内にガスを供給するガス供給手段
とで形成すると共に、ガス供給手段から処理液収容部内
に供給されるガスを、処理液の液面から処理液誘導体に
沿って上方へ流すように形成し、上記処理液収容部に、
温度調整手段を具備し、上記処理液気化部と上記被処理
体処理部とを接続する供給管に、吸気系に切換接続する
ための切換バルブを設けてなることを特徴とする処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28732491A JP2893148B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28732491A JP2893148B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102024A JPH05102024A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2893148B2 true JP2893148B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17715889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28732491A Expired - Fee Related JP2893148B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2893148B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065943A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Fujitsu Ltd | 温度・湿度調製装置及び環境試験方法 |
| JP4513985B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2010-07-28 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2006261683A (ja) * | 2001-08-28 | 2006-09-28 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置 |
| JP4900110B2 (ja) | 2007-07-20 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液気化タンク及び薬液処理システム |
| JP5589873B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置及び成膜装置 |
| JP5703114B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-04-15 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置 |
| CN103518165B (zh) | 2011-05-10 | 2016-06-08 | 株式会社富士金 | 带有流量监测器的压力式流量控制装置 |
| JP5755958B2 (ja) | 2011-07-08 | 2015-07-29 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置の原料ガス供給装置 |
| JP5647083B2 (ja) | 2011-09-06 | 2014-12-24 | 株式会社フジキン | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28732491A patent/JP2893148B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102024A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980821 |
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