JPS60244332A - 凝縮性材料のガス化供給装置 - Google Patents
凝縮性材料のガス化供給装置Info
- Publication number
- JPS60244332A JPS60244332A JP10350884A JP10350884A JPS60244332A JP S60244332 A JPS60244332 A JP S60244332A JP 10350884 A JP10350884 A JP 10350884A JP 10350884 A JP10350884 A JP 10350884A JP S60244332 A JPS60244332 A JP S60244332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- tank
- control valve
- gas flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は液体や固体材料から気化或いは昇華ガスを発生
させ、これを供給する装置、例えば、半導体素子を製造
するためのＣＶＤ （化学的気相成長）装置などへ規定
の濃度、流量でガス供給を行なう装置に関する。
させ、これを供給する装置、例えば、半導体素子を製造
するためのＣＶＤ （化学的気相成長）装置などへ規定
の濃度、流量でガス供給を行なう装置に関する。
〈従来技術〉
凝縮性材料のガス化供給装置にあっては、そのガス化に
は通常、加熱によって気化速度を高める必要がある。ま
たガス供給においては一定温度のもとに濃度及び流量を
要求する値に制御する機能を備えていなければならない
。
は通常、加熱によって気化速度を高める必要がある。ま
たガス供給においては一定温度のもとに濃度及び流量を
要求する値に制御する機能を備えていなければならない
。
従来におけるガスの流量制御は、熱式質流量センサによ
って流量検知を行ない、その出力信号で制御部を駆動す
る熱式流量制御装置により行なわれていた。
って流量検知を行ない、その出力信号で制御部を駆動す
る熱式流量制御装置により行なわれていた。
しかしながら、この従来装置では、
■ 熱伝導による検知方式や熱駆動による・くルブを使
用するため周囲温度の変化に対して不安定である。
用するため周囲温度の変化に対して不安定である。
■ ガスの比熱、密度で検出信号が大きく異なるため、
ガスの種類に応じた回路補正を行なわなければならない
。
ガスの種類に応じた回路補正を行なわなければならない
。
■ 温度で物性が変化したり、不均化反応をするガスを
扱う場合、検知部の加熱によって変質のおそれ′７５；
あり、精度のよい検知ができない。
扱う場合、検知部の加熱によって変質のおそれ′７５；
あり、精度のよい検知ができない。
■ 構造的に複雑であり、構成材料の制約から、例えば
ＢＯ°Ｃ以上の温度で使用できない。
ＢＯ°Ｃ以上の温度で使用できない。
等の欠点があり、特に温度的な制約から使用か困難であ
った。
った。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来技術の欠点を解消し、正確な濃度、流
量でガスを供給できると共に外部環境の変化に対しても
安定した凝縮性材料のガス化供給装置の提供を目的とす
る。
量でガスを供給できると共に外部環境の変化に対しても
安定した凝縮性材料のガス化供給装置の提供を目的とす
る。
〈構成〉
本発明は、ガス発生槽で発生したガスをガス流抵抗体を
通して一定流量で供給する装置であって、前記ガス発生
槽とガス流抵抗体との間に、ガス圧安定化槽と該安定化
槽への導入ガス量を制御する制御バルブとを設けて、前
記発生したガスを一旦ガス圧安定化槽へ導入すると共に
前記ガス流抵抗体の両側における圧力差を検知して前記
制御バルブに導入量制御信号を送る制御部を設けたこと
を特徴とする凝縮性材料のガス化供給装置である。
通して一定流量で供給する装置であって、前記ガス発生
槽とガス流抵抗体との間に、ガス圧安定化槽と該安定化
槽への導入ガス量を制御する制御バルブとを設けて、前
記発生したガスを一旦ガス圧安定化槽へ導入すると共に
前記ガス流抵抗体の両側における圧力差を検知して前記
制御バルブに導入量制御信号を送る制御部を設けたこと
を特徴とする凝縮性材料のガス化供給装置である。
〈実施例〉
第１図は本発明装置の基本構成を示すブロック図、第２
図は本発明の詳細な説明する構成図、第３図は本発明の
具体例を示す構成図である。
図は本発明の詳細な説明する構成図、第３図は本発明の
具体例を示す構成図である。
まず、本発明の装置は大きくブロック化すると、第１図
に示すように凝縮性ガスの発生、供給部１０、希釈ガス
の加熱、供給部２０、及び各供給部１０．２０を制御す
る制御部３０からなり、各部１０．２０からのガスが混
合されて所定のＣＶＤ装置等に供給される。
に示すように凝縮性ガスの発生、供給部１０、希釈ガス
の加熱、供給部２０、及び各供給部１０．２０を制御す
る制御部３０からなり、各部１０．２０からのガスが混
合されて所定のＣＶＤ装置等に供給される。
第２図において、凝縮性材料１１はガス発生槽１２に真
空封入され、発生したガスが制御バルブ１３を通って圧
力安定化槽１４に一旦導入され、そこからさらにガス流
抵抗体１５を経ることにより所定流量のガス流に調整さ
れ、搬送されて希釈ガスと混合せられる。
空封入され、発生したガスが制御バルブ１３を通って圧
力安定化槽１４に一旦導入され、そこからさらにガス流
抵抗体１５を経ることにより所定流量のガス流に調整さ
れ、搬送されて希釈ガスと混合せられる。
前記ガス発生槽１２に封入された材料１１は供給ガス流
量かゼロの場合にはその温度における平衡蒸気圧Ｐ。を
示す。そしてガスの供給中はガスの蒸発速度と供給量の
バランスで、前記圧力Ｐ。以下の定常圧Ｐｔとなるが、
実際［は材料１１０表面状態等により蒸発速度が変動し
、特に、ガス流量大なる場合は前記圧力ｐ／は不安定で
経時的な変動を示す。従ってガス発生槽１２からのガス
をそのままガス流抵抗体１５に送り込んで所定の大なる
ガス流量とガス圧Ｐ２を得ようとしてもうまくゆかない
。そこで本発明ではガス圧変動の影響を解消するために
ガス発生槽１２とガス流抵抗体１５の間にガス圧安定化
槽１４を設けて、ガス圧変動の緩衝を行なうようにして
いる。そしてこの場合、制御バルブ１３をガス圧安定化
槽１４への導入路に設け、ガス圧安定化槽１４内の圧力
Ｐ１を一定にすべくガス導入量を調節するようにしてい
る。このガス導入量の調節はガス流抵抗体１５の両側に
おける圧力差ΔＰを図り、この圧力差ΔＰが一定となる
ように制御部３１からバルブ調節信号を送ることに行な
う。制御バルブ１３はコジダクタンス可変式の他、圧力
差ΔＰに対して十分に小さな圧力範囲設定で自動開閉動
作を行う開閉式のバルブでもよい。
量かゼロの場合にはその温度における平衡蒸気圧Ｐ。を
示す。そしてガスの供給中はガスの蒸発速度と供給量の
バランスで、前記圧力Ｐ。以下の定常圧Ｐｔとなるが、
実際［は材料１１０表面状態等により蒸発速度が変動し
、特に、ガス流量大なる場合は前記圧力ｐ／は不安定で
経時的な変動を示す。従ってガス発生槽１２からのガス
をそのままガス流抵抗体１５に送り込んで所定の大なる
ガス流量とガス圧Ｐ２を得ようとしてもうまくゆかない
。そこで本発明ではガス圧変動の影響を解消するために
ガス発生槽１２とガス流抵抗体１５の間にガス圧安定化
槽１４を設けて、ガス圧変動の緩衝を行なうようにして
いる。そしてこの場合、制御バルブ１３をガス圧安定化
槽１４への導入路に設け、ガス圧安定化槽１４内の圧力
Ｐ１を一定にすべくガス導入量を調節するようにしてい
る。このガス導入量の調節はガス流抵抗体１５の両側に
おける圧力差ΔＰを図り、この圧力差ΔＰが一定となる
ように制御部３１からバルブ調節信号を送ることに行な
う。制御バルブ１３はコジダクタンス可変式の他、圧力
差ΔＰに対して十分に小さな圧力範囲設定で自動開閉動
作を行う開閉式のバルブでもよい。
ガス流抵抗体１５からでてくるガスの流量は、ガス流抵
抗体１５へ導入されるガスの圧力が一定で、ガス流抵抗
体１５の抵抗が一定であれば、圧力差ΔＰが一定となり
、でてくるガス流量も一定と々る。そしてこの場合、抵
抗体１５が定まれば抵抗体１５へ導入されるガスの圧力
により圧力差ΔＰが定まるから、逆に圧力差ΔＰが一定
となるように抵抗体１５への導入ガス圧力を調整するこ
とによりガス流量を一定に保持することができる。
抗体１５へ導入されるガスの圧力が一定で、ガス流抵抗
体１５の抵抗が一定であれば、圧力差ΔＰが一定となり
、でてくるガス流量も一定と々る。そしてこの場合、抵
抗体１５が定まれば抵抗体１５へ導入されるガスの圧力
により圧力差ΔＰが定まるから、逆に圧力差ΔＰが一定
となるように抵抗体１５への導入ガス圧力を調整するこ
とによりガス流量を一定に保持することができる。
前記ガス流抵抗体１５へ導入されるガスの圧力はガス圧
安定化槽１４内の圧力に等しいので、結論的には圧力差
ΔＰが一定となるようにガス圧安定化槽１４へのガス導
入量を制御部３１と制御バルブ１３で調節すればよい。
安定化槽１４内の圧力に等しいので、結論的には圧力差
ΔＰが一定となるようにガス圧安定化槽１４へのガス導
入量を制御部３１と制御バルブ１３で調節すればよい。
ガス流抵抗体１５から出てくるガスの絶対流量について
は別途冷却ドラッグ１６を設け、ここで流出ガスを凝縮
させ一定時間に流出した材料の重量を計ることにより得
ることができる。なおガス圧安定化槽１４内の圧力ｐＨ
ｌ′ｉガス発生槽１２の圧力Ｐ６変動の影響を受けない
ようにＰｔよりも適当に低い値となるようにする。
は別途冷却ドラッグ１６を設け、ここで流出ガスを凝縮
させ一定時間に流出した材料の重量を計ることにより得
ることができる。なおガス圧安定化槽１４内の圧力ｐＨ
ｌ′ｉガス発生槽１２の圧力Ｐ６変動の影響を受けない
ようにＰｔよりも適当に低い値となるようにする。
第３図の具体例について説明する。第２図で用いた符号
と同一符号は同一部材ないし機能を示す部材である。ガ
ス流抵抗体１５はコンダクタンスが既知であるキャピラ
リ、或いはオリフィスからなる単位抵抗体１５ａを複数
直列、並列に配置し、それぞれを電気的に駆動するバル
ブ（図示せず）で接続して構成している。ガス流抵抗体
１５の抵抗は必要な材料ガスの流量に応じて制御部３１
が適当な単位抵抗体１５ａの組合せを選択し、必要なバ
ルブを開放することにより設定される。圧力センサ３２
，３３によりガス流抵抗体１５０両側の圧力が検知され
、制御部３１を経て制御バルブ１３に即制御信号がフィ
ードバックされる。
と同一符号は同一部材ないし機能を示す部材である。ガ
ス流抵抗体１５はコンダクタンスが既知であるキャピラ
リ、或いはオリフィスからなる単位抵抗体１５ａを複数
直列、並列に配置し、それぞれを電気的に駆動するバル
ブ（図示せず）で接続して構成している。ガス流抵抗体
１５の抵抗は必要な材料ガスの流量に応じて制御部３１
が適当な単位抵抗体１５ａの組合せを選択し、必要なバ
ルブを開放することにより設定される。圧力センサ３２
，３３によりガス流抵抗体１５０両側の圧力が検知され
、制御部３１を経て制御バルブ１３に即制御信号がフィ
ードバックされる。
一点鎖線で囲まれる系Ｓがヒータ４０により所定温度に
加熱され、温度センサ３４と制御部３１により温度保持
がなされる。
加熱され、温度センサ３４と制御部３１により温度保持
がなされる。
希釈ガス（Ｎ２．Ａｒ、Ｈｅｒ Ｎ２など）は室温状態
で公知の熱式流量制御装置２１によって流量制御し、加
熱通路２２を通じて材料ガスと同温度に加熱され、しか
る後に材料ガスと接合部５０で混合し、ＣＶＤ装置など
へ送られる。
で公知の熱式流量制御装置２１によって流量制御し、加
熱通路２２を通じて材料ガスと同温度に加熱され、しか
る後に材料ガスと接合部５０で混合し、ＣＶＤ装置など
へ送られる。
く効果〉
本発明は以上の構成よりなシ、ガス発生槽とガス流抵抗
体との間に、ガス圧安定化槽と該安定化槽への導入ガス
量を制御する制御バルブとを設け、ガス流抵抗体の両側
における圧力差を検知し、これが一定となるよう前記制
御バルブを制御するようにしているので、希釈ガスと混
合せられる材料ガスの流量を一定値に安定して保持する
ことができる。従来の熱式流量制御方式を用いていない
ので、周囲温度の変化に対して安定であり、特に高温で
も使用でき、温度的制限かない。また材料ガスの種類が
変わってもそのまま装置を使用できる。
体との間に、ガス圧安定化槽と該安定化槽への導入ガス
量を制御する制御バルブとを設け、ガス流抵抗体の両側
における圧力差を検知し、これが一定となるよう前記制
御バルブを制御するようにしているので、希釈ガスと混
合せられる材料ガスの流量を一定値に安定して保持する
ことができる。従来の熱式流量制御方式を用いていない
ので、周囲温度の変化に対して安定であり、特に高温で
も使用でき、温度的制限かない。また材料ガスの種類が
変わってもそのまま装置を使用できる。
第１図は本発明装置の基本構成を示すブロック図、第２
図は本発明の詳細な説明する構成図、第３図は本発明の
具体例を示す構成図である。 １１・・凝縮性材料、１２・ガス発生槽、１３・・制御
バルブ、１４・・ガス圧安定化槽、１５・・ガス流抵抗
体、３１・・制御部、ΔＰ・・ガス流抵抗体の両側にお
ける圧力差。 第３図
図は本発明の詳細な説明する構成図、第３図は本発明の
具体例を示す構成図である。 １１・・凝縮性材料、１２・ガス発生槽、１３・・制御
バルブ、１４・・ガス圧安定化槽、１５・・ガス流抵抗
体、３１・・制御部、ΔＰ・・ガス流抵抗体の両側にお
ける圧力差。 第３図
Claims (1)
- ガス発生槽で発生したガスをガス流抵抗体を通して一定
流量で供給する装置であって、前記ガス発生槽とガス流
抵抗体との間に、ガス圧安定化槽と該安定化槽への導入
ガス量を制御する制御バルブとを設けて、前記発生した
ガスを一旦ガス圧安定化槽へ導入すると共に、前記ガス
流抵抗体の両側における圧力差を検知して前記制御バル
ブに導入量制御信号を送る制御部を設けたことを特徴と
する凝縮性材料のガス化供給装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10350884A JPS60244332A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 凝縮性材料のガス化供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10350884A JPS60244332A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 凝縮性材料のガス化供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244332A true JPS60244332A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14355909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10350884A Pending JPS60244332A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 凝縮性材料のガス化供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244332A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015881A3 (en) * | 1998-09-14 | 2000-06-08 | Genitech Co Ltd | Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same |
| CN101495190A (zh) * | 2005-03-16 | 2009-07-29 | 高级技术材料公司 | 用于从固体源递送试剂的系统 |
| CN106475010A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-03-08 | 衡阳屹顺化工有限公司 | 一种甲酸钠合成的装置及其方法 |
| JP2017205736A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 日本エア・リキード株式会社 | 昇華ガス供給システムおよび昇華ガス供給方法 |
| WO2018207553A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置及び制御プログラム |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10350884A patent/JPS60244332A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015881A3 (en) * | 1998-09-14 | 2000-06-08 | Genitech Co Ltd | Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same |
| US6432205B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-08-13 | Genitech Co., Ltd. | Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same |
| CN101495190A (zh) * | 2005-03-16 | 2009-07-29 | 高级技术材料公司 | 用于从固体源递送试剂的系统 |
| CN106475010A (zh) * | 2015-11-25 | 2017-03-08 | 衡阳屹顺化工有限公司 | 一种甲酸钠合成的装置及其方法 |
| JP2017205736A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 日本エア・リキード株式会社 | 昇華ガス供給システムおよび昇華ガス供給方法 |
| WO2018207553A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置及び制御プログラム |
| JPWO2018207553A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2020-03-12 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置及び制御プログラム |
| US11066746B1 (en) | 2017-05-11 | 2021-07-20 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporization and supply device, and control program |
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