JP2003273026A - 液体材料気化供給装置 - Google Patents
液体材料気化供給装置Info
- Publication number
- JP2003273026A JP2003273026A JP2002069131A JP2002069131A JP2003273026A JP 2003273026 A JP2003273026 A JP 2003273026A JP 2002069131 A JP2002069131 A JP 2002069131A JP 2002069131 A JP2002069131 A JP 2002069131A JP 2003273026 A JP2003273026 A JP 2003273026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid material
- gas
- liquid
- tank
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 連続的に気化ガスを発生させることができる
とともに、発生した気化ガスを精度よく安定して流量制
御することができる、信頼性の高い小型コンパクトな液
体材料気化供給装置を提供すること。 【解決手段】 液体材料ＬＭを収容し、この液体材料Ｌ
Ｍを加熱して所定のガスＧを発生させる材料タンク１
と、この材料タンク１に液体材料ＬＭを供給するための
液体材料供給管３と、前記材料タンク１において発生し
たガスＧを導出するガス導出管７を備えてなる液体材料
気化供給装置において、前記材料タンク１にこれを専用
的に加熱する加熱装置２を設けるとともに、前記液体材
料供給管３に、前記材料タンク１に供給される液体材料
ＬＭを予熱するための予熱装置４および材料タンク１に
供給される液体材料ＬＭの流量調整を行うための液体流
量調整装置５を設けた。
とともに、発生した気化ガスを精度よく安定して流量制
御することができる、信頼性の高い小型コンパクトな液
体材料気化供給装置を提供すること。 【解決手段】 液体材料ＬＭを収容し、この液体材料Ｌ
Ｍを加熱して所定のガスＧを発生させる材料タンク１
と、この材料タンク１に液体材料ＬＭを供給するための
液体材料供給管３と、前記材料タンク１において発生し
たガスＧを導出するガス導出管７を備えてなる液体材料
気化供給装置において、前記材料タンク１にこれを専用
的に加熱する加熱装置２を設けるとともに、前記液体材
料供給管３に、前記材料タンク１に供給される液体材料
ＬＭを予熱するための予熱装置４および材料タンク１に
供給される液体材料ＬＭの流量調整を行うための液体流
量調整装置５を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体製
造において用いられる各種のガスを、液体材料を気化す
ることによって供給するための液体材料気化供給装置に
関する。
造において用いられる各種のガスを、液体材料を気化す
ることによって供給するための液体材料気化供給装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液体材料気化供給装置として、恒
温槽内に液体材料を加熱し気化させるためのするための
材料タンクと、この材料タンクにおいて生じたガスの流
量を制御するマスフローコントローラとを設けたものが
ある。図３はこのような液体材料気化供給装置を概略的
に示すもので、この図において、３１は適宜の温度に設
定された恒温槽で、その内部には、液体材料ＬＭを収容
し、この液体材料ＬＭを加熱するためのヒータ３２を備
えた材料タンク３３が設けられている。この材料タンク
３３には、液体材料ＬＭを供給する液体材料供給管３４
と、材料タンク３３において発生したガスを導出するガ
ス導出管３５が接続されている。そして、液体材料供給
管３４には開閉弁３６が設けられ、ガス導出管３５の恒
温槽３１内の部分には高温用マスフローコントローラ３
７が設けられている。
温槽内に液体材料を加熱し気化させるためのするための
材料タンクと、この材料タンクにおいて生じたガスの流
量を制御するマスフローコントローラとを設けたものが
ある。図３はこのような液体材料気化供給装置を概略的
に示すもので、この図において、３１は適宜の温度に設
定された恒温槽で、その内部には、液体材料ＬＭを収容
し、この液体材料ＬＭを加熱するためのヒータ３２を備
えた材料タンク３３が設けられている。この材料タンク
３３には、液体材料ＬＭを供給する液体材料供給管３４
と、材料タンク３３において発生したガスを導出するガ
ス導出管３５が接続されている。そして、液体材料供給
管３４には開閉弁３６が設けられ、ガス導出管３５の恒
温槽３１内の部分には高温用マスフローコントローラ３
７が設けられている。
【０００３】上記構成の液体材料気化供給装置において
は、液体材料ＬＭを収容した材料タンク３３がヒータ３
２によって加熱されると、その内部の温度が上昇し、液
体材料ＬＭの蒸気圧が高められ、これによって液体材料
ＬＭが気化されて所定のガスになる。この発生ガスは、
材料タンク３３とガス導出管３５との圧力差を得ること
で、高温用マスフローコントローラ３７で直接流量制御
して外部に取り出され、図示していないユースポイント
（例えば半導体製造装置）方向に送られる。
は、液体材料ＬＭを収容した材料タンク３３がヒータ３
２によって加熱されると、その内部の温度が上昇し、液
体材料ＬＭの蒸気圧が高められ、これによって液体材料
ＬＭが気化されて所定のガスになる。この発生ガスは、
材料タンク３３とガス導出管３５との圧力差を得ること
で、高温用マスフローコントローラ３７で直接流量制御
して外部に取り出され、図示していないユースポイント
（例えば半導体製造装置）方向に送られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記図３に
示した液体材料気化供給装置においては、材料タンク３
３内の液体材料ＬＭの液量は、図示していないが、フロ
ートを利用した液面計によって検出され、前記液体材料
ＬＭが所定の量以下になったときには、液体材料供給管
３４に設けられた開閉弁３６を開いて材料タンク３３内
に液体材料ＬＭが供給される。この場合、供給される液
体材料ＬＭによって材料タンク３３内の液体材料ＬＭの
温度が低下し、所望のガス発生が行われにくくなるとこ
ろから、前記液体材料ＬＭの供給の都度、ガス発生が中
断されることになり、したがって、気化ガスの連続発生
および連続供給を行うことができないといった不都合が
あった。
示した液体材料気化供給装置においては、材料タンク３
３内の液体材料ＬＭの液量は、図示していないが、フロ
ートを利用した液面計によって検出され、前記液体材料
ＬＭが所定の量以下になったときには、液体材料供給管
３４に設けられた開閉弁３６を開いて材料タンク３３内
に液体材料ＬＭが供給される。この場合、供給される液
体材料ＬＭによって材料タンク３３内の液体材料ＬＭの
温度が低下し、所望のガス発生が行われにくくなるとこ
ろから、前記液体材料ＬＭの供給の都度、ガス発生が中
断されることになり、したがって、気化ガスの連続発生
および連続供給を行うことができないといった不都合が
あった。
【０００５】また、高温用マスフローコントローラ３７
でガスの流量制御を行う場合、制御弁部での断熱膨張に
よる熱を供給する必要があるところから、高温用マスフ
ローコントローラ３７の温度を材料タンク３３における
温度よりも１０℃程度高く設定する必要があった。この
ため、高温用マスフローコントローラ３７に組み込まれ
ている流量センサ部の温度がこれに伴って高くならざる
を得ず、その結果、高温用マスフローコントローラ３７
による発生ガスの流量制御の安定性および信頼性の低下
を来すといった不都合があった。
でガスの流量制御を行う場合、制御弁部での断熱膨張に
よる熱を供給する必要があるところから、高温用マスフ
ローコントローラ３７の温度を材料タンク３３における
温度よりも１０℃程度高く設定する必要があった。この
ため、高温用マスフローコントローラ３７に組み込まれ
ている流量センサ部の温度がこれに伴って高くならざる
を得ず、その結果、高温用マスフローコントローラ３７
による発生ガスの流量制御の安定性および信頼性の低下
を来すといった不都合があった。
【０００６】さらに、上記従来の液体材料気化供給装置
においては、恒温槽３１内に材料タンク３３や高温用マ
スフローコントローラ３７を収容していたため、装置全
体が大型にならざるを得ないといった構成上の不都合も
あった。
においては、恒温槽３１内に材料タンク３３や高温用マ
スフローコントローラ３７を収容していたため、装置全
体が大型にならざるを得ないといった構成上の不都合も
あった。
【０００７】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、連続的に気化ガスを発生させる
ことができるとともに、発生した気化ガスを精度よく安
定して流量制御することができる、信頼性の高い小型コ
ンパクトな液体材料気化供給装置を提供することであ
る。
たもので、その目的は、連続的に気化ガスを発生させる
ことができるとともに、発生した気化ガスを精度よく安
定して流量制御することができる、信頼性の高い小型コ
ンパクトな液体材料気化供給装置を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、液体材料を収容し、こ
の液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タン
クと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体
材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを
導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置
において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加
熱装置を設けるとともに、前記液体材料供給管に、前記
材料タンクに供給される液体材料を予熱するための予熱
装置および材料タンクに供給される液体材料の流量調整
を行うための液体流量調整装置を設けている。
め、請求項１に記載の発明では、液体材料を収容し、こ
の液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タン
クと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体
材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを
導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置
において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加
熱装置を設けるとともに、前記液体材料供給管に、前記
材料タンクに供給される液体材料を予熱するための予熱
装置および材料タンクに供給される液体材料の流量調整
を行うための液体流量調整装置を設けている。
【０００９】上記請求項１に記載の発明によれば、材料
タンクに供給される液体材料がその供給前に予熱される
とともに、その供給量が制限されるので、材料タンク内
における気化に悪影響が及ぼされることがなく、気化ガ
ス発生中においても液体材料の供給を行うことができ
る。材料タンクに専用の加熱装置を設けているので、大
きな恒温槽が不要になる。
タンクに供給される液体材料がその供給前に予熱される
とともに、その供給量が制限されるので、材料タンク内
における気化に悪影響が及ぼされることがなく、気化ガ
ス発生中においても液体材料の供給を行うことができ
る。材料タンクに専用の加熱装置を設けているので、大
きな恒温槽が不要になる。
【００１０】そして、請求項２に記載の発明では、液体
材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発
生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供
給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおい
て発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体
材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専
用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記ガス導
出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立し
た状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を
個別に温度制御するようにしている。
材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発
生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供
給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおい
て発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体
材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専
用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記ガス導
出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立し
た状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を
個別に温度制御するようにしている。
【００１１】上記請求項２に記載の発明によれば、ガス
流量制御弁については、断熱膨張による熱を補うため、
材料タンクよりも例えば１０℃程度高い温度に設定する
ことができる。この場合、ガス流量計は、前記ガス流量
制御弁より５〜８℃程度低い温度に設定することができ
る。したがって、気化ガスを精度よく測定しこれを精度
よく流量制御することができる。そして、材料タンクに
専用の加熱装置を設けているので、大きな恒温槽が不要
になる。
流量制御弁については、断熱膨張による熱を補うため、
材料タンクよりも例えば１０℃程度高い温度に設定する
ことができる。この場合、ガス流量計は、前記ガス流量
制御弁より５〜８℃程度低い温度に設定することができ
る。したがって、気化ガスを精度よく測定しこれを精度
よく流量制御することができる。そして、材料タンクに
専用の加熱装置を設けているので、大きな恒温槽が不要
になる。
【００１２】さらに、請求項３に記載の発明では、液体
材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発
生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供
給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおい
て発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体
材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専
用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記液体材
料供給管に、前記材料タンクに供給される液体材料を予
熱するための予熱装置および材料タンクに供給される液
体材料の流量調整を行うための液体流量調整装置を設け
るとともに、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流
量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計
およびガス流量制御弁を個別に温度制御するようにして
いる。
材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発
生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供
給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおい
て発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体
材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専
用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記液体材
料供給管に、前記材料タンクに供給される液体材料を予
熱するための予熱装置および材料タンクに供給される液
体材料の流量調整を行うための液体流量調整装置を設け
るとともに、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流
量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計
およびガス流量制御弁を個別に温度制御するようにして
いる。
【００１３】上記請求項３に記載の発明によれば、上記
請求項１および２に記載の発明の効果の全てが得られ
る。
請求項１および２に記載の発明の効果の全てが得られ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参
照しながら説明する。図１は、この発明の液体材料気化
供給装置の構成の一例を概略的に示すもので、この図に
おいて、１は材料タンクで、液体材料ＬＭを収容すると
ともに、例えばその上面を除く周囲全体に加熱装置とし
てのヒータ２が設けられて専用的に加熱保温され、内部
に収容された液体材料ＬＭを所定の温度で加熱して気化
ガスＧを発生させるように構成されている。なお、図示
は省略しているが、材料タンク１には、適宜の液面検出
センサが設けられており、液体材料ＬＭの液面が所定の
液面レベルまで低下するとこれを検出し、材料補給信号
を出力するように構成されている。
照しながら説明する。図１は、この発明の液体材料気化
供給装置の構成の一例を概略的に示すもので、この図に
おいて、１は材料タンクで、液体材料ＬＭを収容すると
ともに、例えばその上面を除く周囲全体に加熱装置とし
てのヒータ２が設けられて専用的に加熱保温され、内部
に収容された液体材料ＬＭを所定の温度で加熱して気化
ガスＧを発生させるように構成されている。なお、図示
は省略しているが、材料タンク１には、適宜の液面検出
センサが設けられており、液体材料ＬＭの液面が所定の
液面レベルまで低下するとこれを検出し、材料補給信号
を出力するように構成されている。
【００１５】３は材料タンク１に液体材料ＬＭを供給す
るための液体材料供給管で、材料タンク１に供給される
液体材料ＬＭを予熱するための予熱装置４と前記液体材
料ＬＭの流量調整を行うための液体流量調整装置５が例
えばこの順で直列に設けられており、予熱装置４の上流
側の液体材料供給管３は、適宜の配管を介して液体材料
ＬＭを収容した液体材料供給源（図示していない）に接
続されている。そして、予熱装置４は、例えばヒータよ
りなり、これが液体材料供給管３の外周に巻設されてい
る。また、液体流量調整装置５は、例えば液体用マスフ
ローコントローラよりなり、ヒータなどの加熱装置６に
よって所定の温度に加熱保温されるように構成されてい
る。
るための液体材料供給管で、材料タンク１に供給される
液体材料ＬＭを予熱するための予熱装置４と前記液体材
料ＬＭの流量調整を行うための液体流量調整装置５が例
えばこの順で直列に設けられており、予熱装置４の上流
側の液体材料供給管３は、適宜の配管を介して液体材料
ＬＭを収容した液体材料供給源（図示していない）に接
続されている。そして、予熱装置４は、例えばヒータよ
りなり、これが液体材料供給管３の外周に巻設されてい
る。また、液体流量調整装置５は、例えば液体用マスフ
ローコントローラよりなり、ヒータなどの加熱装置６に
よって所定の温度に加熱保温されるように構成されてい
る。
【００１６】７は材料タンク１内において発生した気化
ガスＧを導出するガス導出管で、ガス流量計８、ガス流
量制御弁９および開閉弁１０が例えばこの順で互いに独
立した状態で設けられており、開閉弁１０の下流側のガ
ス導出管７は、適宜の配管を介してユースポイント（図
示していない）に接続されている。そして、ガス流量計
８は、例えばガス用マスフローメータよりなり、ヒータ
などの加熱装置１１によって所定の温度に加熱保温され
るように構成されている。また、ガス流量制御弁９は、
例えばピエゾアクチュエータ９ａによってバルブの開度
が制御されるピエゾバルブなどガス用制御バルブよりな
り、ヒータなどの加熱装置１２によって所定の温度に加
熱保温されるように構成されている。
ガスＧを導出するガス導出管で、ガス流量計８、ガス流
量制御弁９および開閉弁１０が例えばこの順で互いに独
立した状態で設けられており、開閉弁１０の下流側のガ
ス導出管７は、適宜の配管を介してユースポイント（図
示していない）に接続されている。そして、ガス流量計
８は、例えばガス用マスフローメータよりなり、ヒータ
などの加熱装置１１によって所定の温度に加熱保温され
るように構成されている。また、ガス流量制御弁９は、
例えばピエゾアクチュエータ９ａによってバルブの開度
が制御されるピエゾバルブなどガス用制御バルブよりな
り、ヒータなどの加熱装置１２によって所定の温度に加
熱保温されるように構成されている。
【００１７】そして、１３は材料タンク１の加熱装置
２、液体材料供給管３に設けられる液体材料ＬＭの予熱
装置４、液体流量調整装置５の加熱装置６、ガス流量計
８の加熱装置１１およびガス流量制御弁９の加熱装置１
２を、それぞれ、個別に温度制御する温度コントローラ
で、液体材料気化供給装置全体を制御する制御装置とし
てのパソコン１４からの指令に基づいて、前記各加熱装
置２，４，６，１１，１２を温度制御する。そして、パ
ソコン１４は、液体流量調整装置５およびガス流量計８
からの検出出力が入力され、これに基づいて所定の演算
を行って液体流量やガス流量を求めたり、また、これら
の演算結果に基づいて液体流量調整装置５およびガス流
量制御弁９に所定の制御信号を出力する機能や、材料タ
ンク１に設けられた液面検出センサからの検出信号に基
づいて液体流量調整装置５に所定の開度信号を出力する
機能などを備えている。
２、液体材料供給管３に設けられる液体材料ＬＭの予熱
装置４、液体流量調整装置５の加熱装置６、ガス流量計
８の加熱装置１１およびガス流量制御弁９の加熱装置１
２を、それぞれ、個別に温度制御する温度コントローラ
で、液体材料気化供給装置全体を制御する制御装置とし
てのパソコン１４からの指令に基づいて、前記各加熱装
置２，４，６，１１，１２を温度制御する。そして、パ
ソコン１４は、液体流量調整装置５およびガス流量計８
からの検出出力が入力され、これに基づいて所定の演算
を行って液体流量やガス流量を求めたり、また、これら
の演算結果に基づいて液体流量調整装置５およびガス流
量制御弁９に所定の制御信号を出力する機能や、材料タ
ンク１に設けられた液面検出センサからの検出信号に基
づいて液体流量調整装置５に所定の開度信号を出力する
機能などを備えている。
【００１８】次に、上記構成の液体材料気化供給装置の
動作について説明すると、材料タンク１内の液体材料Ｌ
Ｍを加熱して気化ガスＧを発生させるに際して、所望の
ガスＧを連続的かつ安定に発生させるために、液体材料
ＬＭの種類に応じた最適の状態で気化が行われるよう
に、材料タンク１の加熱温度Ｔ℃を設定する。このと
き、液体材料供給管４に設けられる予熱装置４の温度
は、これによって予熱される液体材料ＬＭが材料タンク
１内に供給しても、材料タンク１内における液体材料Ｌ
Ｍの気化を妨げない程度のに設定される。そして、液体
材料供給管４に設けられる液体流量調整装置としての液
体用マスフローコントローラ５は、加熱装置６によって
前記液体材料ＬＭの温度を低下させない程度の温度に加
熱保温される。一方、ガス導出管７に設けられるガス流
量制御弁としてのガス用ピエゾバルブ９の温度は、断熱
膨張による熱を補うため、材料タンク１の設定温度Ｔ℃
よりも１０℃程度高い温度に加熱保温される。そして、
ガス導出管７に設けられるガス流量計８としてガス用マ
スフローメータは、ガス流量制御弁９の設定温度より５
〜８℃程度低い温度になるように加熱保温される。
動作について説明すると、材料タンク１内の液体材料Ｌ
Ｍを加熱して気化ガスＧを発生させるに際して、所望の
ガスＧを連続的かつ安定に発生させるために、液体材料
ＬＭの種類に応じた最適の状態で気化が行われるよう
に、材料タンク１の加熱温度Ｔ℃を設定する。このと
き、液体材料供給管４に設けられる予熱装置４の温度
は、これによって予熱される液体材料ＬＭが材料タンク
１内に供給しても、材料タンク１内における液体材料Ｌ
Ｍの気化を妨げない程度のに設定される。そして、液体
材料供給管４に設けられる液体流量調整装置としての液
体用マスフローコントローラ５は、加熱装置６によって
前記液体材料ＬＭの温度を低下させない程度の温度に加
熱保温される。一方、ガス導出管７に設けられるガス流
量制御弁としてのガス用ピエゾバルブ９の温度は、断熱
膨張による熱を補うため、材料タンク１の設定温度Ｔ℃
よりも１０℃程度高い温度に加熱保温される。そして、
ガス導出管７に設けられるガス流量計８としてガス用マ
スフローメータは、ガス流量制御弁９の設定温度より５
〜８℃程度低い温度になるように加熱保温される。
【００１９】上記の液体材料気化供給装置においては、
通常、液体流量調整装置５は閉じられている。この状態
で、液体材料ＬＭを収容した材料タンク１を加熱装置２
によって加熱することにより、その内部の温度が上昇
し、液体材料ＬＭの蒸気圧が高められ、これによって液
体材料ＬＭが気化されて所定の気化ガスＧが発生する。
この気化ガスＧは、材料タンク１とガス導出管７との圧
力差を得ることで、ガス導出管７に導出される。このガ
ス導出管７には、ガス流量計８およびガス流量制御弁９
が互いに独立した状態で設けられているが、ガス流量制
御弁９は、材料タンク１の設定温度Ｔ℃よりも１０℃程
度高い温度に加熱保温されているので、断熱膨張による
熱を十分補うことができ、前記気化ガスＧを精度よく流
量調整することができる。また、ガス流量計８は、ガス
流量制御弁９よりも５〜８℃程度低い温度に加熱保温さ
れているので、前記気化ガスＧの流量を精度よく測定す
ることができ、したがって、ガス導出管７に導出された
気化ガスＧは、開閉弁１０を経て、ユースポイント方向
に所定の流量で流れていく。
通常、液体流量調整装置５は閉じられている。この状態
で、液体材料ＬＭを収容した材料タンク１を加熱装置２
によって加熱することにより、その内部の温度が上昇
し、液体材料ＬＭの蒸気圧が高められ、これによって液
体材料ＬＭが気化されて所定の気化ガスＧが発生する。
この気化ガスＧは、材料タンク１とガス導出管７との圧
力差を得ることで、ガス導出管７に導出される。このガ
ス導出管７には、ガス流量計８およびガス流量制御弁９
が互いに独立した状態で設けられているが、ガス流量制
御弁９は、材料タンク１の設定温度Ｔ℃よりも１０℃程
度高い温度に加熱保温されているので、断熱膨張による
熱を十分補うことができ、前記気化ガスＧを精度よく流
量調整することができる。また、ガス流量計８は、ガス
流量制御弁９よりも５〜８℃程度低い温度に加熱保温さ
れているので、前記気化ガスＧの流量を精度よく測定す
ることができ、したがって、ガス導出管７に導出された
気化ガスＧは、開閉弁１０を経て、ユースポイント方向
に所定の流量で流れていく。
【００２０】そして、前記材料タンク１内の液体材料Ｌ
Ｍがある一定量以下になると、液面検出センサから所定
の信号がパソコン１４に送られる。この信号入力によ
り、パソコン１４から所定の信号が予熱装置４および加
熱装置６に送られて、これらが所望の加熱動作に入る。
そして、所定の時間経過後、液体流量調整装置５が開く
ことにより、新しい液体材料ＬＭが材料タンク１に補給
される。この場合、補給される液体材料ＬＭは、予熱装
置４によって所定の温度に加熱（予熱）されるととも
に、その供給される量が液体流量調整装置５によって制
限（調整）されるので、この液体材料ＬＭの補給によっ
て、材料タンク１内の液体材料ＬＭの気化が妨げられる
ことはない。つまり、液体材料ＬＭの補給中においても
材料タンク１内の液体材料ＬＭは温度が低下したりせ
ず、加熱によって気化し、気化ガスＧの発生を維持す
る。
Ｍがある一定量以下になると、液面検出センサから所定
の信号がパソコン１４に送られる。この信号入力によ
り、パソコン１４から所定の信号が予熱装置４および加
熱装置６に送られて、これらが所望の加熱動作に入る。
そして、所定の時間経過後、液体流量調整装置５が開く
ことにより、新しい液体材料ＬＭが材料タンク１に補給
される。この場合、補給される液体材料ＬＭは、予熱装
置４によって所定の温度に加熱（予熱）されるととも
に、その供給される量が液体流量調整装置５によって制
限（調整）されるので、この液体材料ＬＭの補給によっ
て、材料タンク１内の液体材料ＬＭの気化が妨げられる
ことはない。つまり、液体材料ＬＭの補給中においても
材料タンク１内の液体材料ＬＭは温度が低下したりせ
ず、加熱によって気化し、気化ガスＧの発生を維持す
る。
【００２１】上述のように、上記構成の液体材料気化供
給装置においては、液体材料供給管３に、材料タンク１
に供給される液体材料ＬＭ予熱するための予熱装置４お
よび前記液体材料ＬＭの流量調整を行うための液体流量
調整装置５を設けているので、材料タンク１内の液体材
料ＬＭが少なくなったときに補充のために供給される液
体材料ＬＭがその供給前に予熱されるとともに、その供
給量が所望の流量となるように制限されるので、材料タ
ンク１内における気化に悪影響が及ぼされることがな
く、気化ガス発生中においても液体材料ＬＭの供給を行
うことができる。そして、気化ガスＧを導出するガス導
出管７に設けられるガス流量計８およびガス流量制御弁
９をそれぞれの機能が最も発揮されるように、それぞれ
独立して温度制御されるので、気化ガスＧを精度よく測
定しこれを精度よく流量制御することができる。さら
に、材料タンク１を専用の加熱装置２によって加熱する
ようにしているので、液体材料ＬＭの気化を最良の条件
で行わせるための温度になるように自在に温度調整する
ことができる。
給装置においては、液体材料供給管３に、材料タンク１
に供給される液体材料ＬＭ予熱するための予熱装置４お
よび前記液体材料ＬＭの流量調整を行うための液体流量
調整装置５を設けているので、材料タンク１内の液体材
料ＬＭが少なくなったときに補充のために供給される液
体材料ＬＭがその供給前に予熱されるとともに、その供
給量が所望の流量となるように制限されるので、材料タ
ンク１内における気化に悪影響が及ぼされることがな
く、気化ガス発生中においても液体材料ＬＭの供給を行
うことができる。そして、気化ガスＧを導出するガス導
出管７に設けられるガス流量計８およびガス流量制御弁
９をそれぞれの機能が最も発揮されるように、それぞれ
独立して温度制御されるので、気化ガスＧを精度よく測
定しこれを精度よく流量制御することができる。さら
に、材料タンク１を専用の加熱装置２によって加熱する
ようにしているので、液体材料ＬＭの気化を最良の条件
で行わせるための温度になるように自在に温度調整する
ことができる。
【００２２】さらに、材料タンク１に加熱装置２を設
け、液体材料供給管３に予熱装置４を設け、液体流量調
整装置５に加熱装置６を設け、ガス流量計８に加熱装置
１１を設け、ガス流量制御弁９に加熱装置１２を設ける
とともに、これらをそれぞれ最適の温度になるように加
熱保温しているので、図３に示したような恒温槽３１を
設ける必要がなく、全体として小型コンパクトな液体材
料気化供給装置を構成することができる。
け、液体材料供給管３に予熱装置４を設け、液体流量調
整装置５に加熱装置６を設け、ガス流量計８に加熱装置
１１を設け、ガス流量制御弁９に加熱装置１２を設ける
とともに、これらをそれぞれ最適の温度になるように加
熱保温しているので、図３に示したような恒温槽３１を
設ける必要がなく、全体として小型コンパクトな液体材
料気化供給装置を構成することができる。
【００２３】この発明は、上述の実施の形態に限られる
ものではなく、例えば、図２に示すように、ガス流量制
御弁９として、シャットオフ可能な空圧弁９Ｂを一体的
に設けたものを用いてもよい。
ものではなく、例えば、図２に示すように、ガス流量制
御弁９として、シャットオフ可能な空圧弁９Ｂを一体的
に設けたものを用いてもよい。
【００２４】そして、上記図１および図２のいずれの液
体材料気化供給装置においても、ガス流量計８として高
温用マスフローメータを用い、かつそのセンサ部として
太径のキャピラリを使用した場合、センサ部における圧
損を低減することができ、より小型化が促進され、しか
も、低温度化によってより信頼度を高めることができ
る。
体材料気化供給装置においても、ガス流量計８として高
温用マスフローメータを用い、かつそのセンサ部として
太径のキャピラリを使用した場合、センサ部における圧
損を低減することができ、より小型化が促進され、しか
も、低温度化によってより信頼度を高めることができ
る。
【００２５】なお、液体流量調整装置５としては、制限
オリフィスを用いることもできる。
オリフィスを用いることもできる。
【００２６】また、液体材料供給管３における予熱装置
４と液体流量調整装置５の配置関係を図示例のものと逆
にしてもよく、さらに、ガス導出管７におけるガス流量
計８とガス流量制御弁９の配置関係を図示例のものと逆
にしてもよい。
４と液体流量調整装置５の配置関係を図示例のものと逆
にしてもよく、さらに、ガス導出管７におけるガス流量
計８とガス流量制御弁９の配置関係を図示例のものと逆
にしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明の液体材料気化
供給装置によれば、材料タンクに対して液体材料を供給
するときにおいても、材料タンク内における液体材料の
気化が中断されることがない。したがって、液体材料を
連続的かつ安定に気化させて所望の気化ガスを発生させ
ることができるとともに、発生した気化ガスを精度よく
安定して流量制御することができる。そして、従来のよ
うに、材料タンクを恒温槽に収容する必要がないので、
装置全体を小型コンパクトに構成することができる。つ
まり、この発明によれば、小型で信頼性の高い液体材料
気化供給装置が得られる。
供給装置によれば、材料タンクに対して液体材料を供給
するときにおいても、材料タンク内における液体材料の
気化が中断されることがない。したがって、液体材料を
連続的かつ安定に気化させて所望の気化ガスを発生させ
ることができるとともに、発生した気化ガスを精度よく
安定して流量制御することができる。そして、従来のよ
うに、材料タンクを恒温槽に収容する必要がないので、
装置全体を小型コンパクトに構成することができる。つ
まり、この発明によれば、小型で信頼性の高い液体材料
気化供給装置が得られる。
【図１】この発明の液体材料気化供給装置の構成の一例
を概略的に示す図である。
を概略的に示す図である。
【図２】前記液体材料気化供給装置の構成の他の例を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図３】従来技術を説明するための図である。
１…材料タンク、２…加熱装置、３…液体材料供給管、
４…予熱装置、５…液体流量調整装置、７…ガス導出
管、８…ガス流量計、９…ガス流量制御弁、ＬＭ…液体
材料、Ｇ…気化ガス。
４…予熱装置、５…液体流量調整装置、７…ガス導出
管、８…ガス流量計、９…ガス流量制御弁、ＬＭ…液体
材料、Ｇ…気化ガス。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 哲夫
京都府京都市南区上鳥羽鉾立町11番５ 株
式会社エステック内
Ｆターム(参考） 4K030 CA04 EA01 KA25 KA39 KA41
LA15
5F045 BB08 EE02 EE04
Claims (3)
- 【請求項１】 液体材料を収容し、この液体材料を加熱
して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タ
ンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前
記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出
管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材
料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けると
ともに、前記液体材料供給管に、前記材料タンクに供給
される液体材料を予熱するための予熱装置および材料タ
ンクに供給される液体材料の流量調整を行うための液体
流量調整装置を設けたことを特徴とする液体材料気化供
給装置。 - 【請求項２】 液体材料を収容し、この液体材料を加熱
して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タ
ンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前
記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出
管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材
料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けると
ともに、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流量制
御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計およ
びガス流量制御弁を個別に温度制御するようにしたこと
を特徴とする液体材料気化供給装置。 - 【請求項３】 液体材料を収容し、この液体材料を加熱
して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タ
ンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前
記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出
管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材
料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けると
ともに、前記液体材料供給管に、前記材料タンクに供給
される液体材料を予熱するための予熱装置および材料タ
ンクに供給される液体材料の流量調整を行うための液体
流量調整装置を設けるとともに、前記ガス導出管にガス
流量計およびガス流量制御弁を互いに独立した状態で設
け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を個別に温度
制御するようにしたことを特徴とする液体材料気化供給
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069131A JP3828821B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 液体材料気化供給装置 |
| US10/385,907 US20030217697A1 (en) | 2002-03-13 | 2003-03-11 | Liquid material evaporation supply apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069131A JP3828821B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 液体材料気化供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273026A true JP2003273026A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3828821B2 JP3828821B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=29200066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002069131A Expired - Fee Related JP3828821B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 液体材料気化供給装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030217697A1 (ja) |
| JP (1) | JP3828821B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046921A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Hirai:Kk | 気体供給装置 |
| WO2013046517A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社フジキン | 気化器 |
| JP2013518990A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | エムエスピー コーポレーション | 液体前躯体を気化するための微細液滴噴霧器 |
| US8724974B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-05-13 | Fujikin Incorporated | Vaporizer |
| KR20140141417A (ko) | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 가열기화 시스템 및 가열기화 방법 |
| CN105716225A (zh) * | 2014-12-22 | 2016-06-29 | 株式会社堀场Stec | 流体加热器、加热块和流体加热系统 |
| JP2016119478A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 株式会社堀場エステック | 加熱型気化装置 |
| KR20160076430A (ko) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 기화 시스템 |
| KR20160110056A (ko) | 2015-03-13 | 2016-09-21 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 액체 재료 기화 장치, 액체 재료 기화 시스템 |
| WO2016160665A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Siva Power, Inc | Fluid-assisted thermal management of evaporation sources |
| US10352748B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-07-16 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Flow rate measuring device |
| KR20240052767A (ko) | 2021-09-09 | 2024-04-23 | 가부시키가이샤 프로테리아루 | 기화기 |
| JP7489499B2 (ja) | 2022-03-03 | 2024-05-23 | 株式会社Kokusai Electric | 流体供給システム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4900110B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液気化タンク及び薬液処理システム |
| GB0718801D0 (en) * | 2007-09-25 | 2007-11-07 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| GB0718686D0 (en) * | 2007-09-25 | 2007-10-31 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| WO2010122972A1 (ja) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | 株式会社堀場エステック | 液体原料気化装置 |
| CN115505899A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-12-23 | 湖南顶立科技有限公司 | 一种沉积设备的工艺气源输入装置及其使用方法 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4393013A (en) * | 1970-05-20 | 1983-07-12 | J. C. Schumacher Company | Vapor mass flow control system |
| US4582480A (en) * | 1984-08-02 | 1986-04-15 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for vapor delivery control in optical preform manufacture |
| US4640221A (en) * | 1985-10-30 | 1987-02-03 | International Business Machines Corporation | Vacuum deposition system with improved mass flow control |
| US4717596A (en) * | 1985-10-30 | 1988-01-05 | International Business Machines Corporation | Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control |
| US4683143A (en) * | 1986-04-08 | 1987-07-28 | Riley John A | Method and apparatus for automated polymeric film coating |
| JPH0784662B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-09-13 | アプライドマテリアルズジャパン株式会社 | 化学的気相成長方法とその装置 |
| KR940002439B1 (ko) * | 1990-03-09 | 1994-03-24 | 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤 | 금속 박막 성장방법 및 장치 |
| US5288325A (en) * | 1991-03-29 | 1994-02-22 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
| US5447568A (en) * | 1991-12-26 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material |
| US6004885A (en) * | 1991-12-26 | 1999-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film formation on semiconductor wafer |
| JP2797233B2 (ja) * | 1992-07-01 | 1998-09-17 | 富士通株式会社 | 薄膜成長装置 |
| JPH0697080A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置 |
| JP2000252269A (ja) * | 1992-09-21 | 2000-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 液体気化装置及び液体気化方法 |
| US5455014A (en) * | 1993-07-20 | 1995-10-03 | Hughes Aircraft Company | Liquid deposition source gas delivery system |
| US5641540A (en) * | 1994-10-10 | 1997-06-24 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Preparation method for lead-zirconium-titanium based thin film |
| US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
| US5629229A (en) * | 1995-07-12 | 1997-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Metalorganic chemical vapor deposition of (Ba1-x Srx)RuO3 /(Ba1-x Srx)TIO3 /(Ba1-x Srx)TiO3 /(Ba1- Srx)RuO3 capacitors for high dielectric materials |
| JPH1089532A (ja) * | 1995-12-13 | 1998-04-10 | Rintetsuku:Kk | 気化装置の弁構造 |
| TW471031B (en) * | 1997-01-08 | 2002-01-01 | Ebara Corp | Vapor feed supply system |
| US20010000160A1 (en) * | 1997-08-14 | 2001-04-05 | Infineon Technologies Ag | Method for treatment of semiconductor substrates |
| US6098964A (en) * | 1997-09-12 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the condition of a vaporizer for generating liquid chemical vapor |
| US6174371B1 (en) * | 1997-10-06 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
| US6007330A (en) * | 1998-03-12 | 1999-12-28 | Cosmos Factory, Inc. | Liquid precursor delivery system |
| US6021582A (en) * | 1998-03-16 | 2000-02-08 | Novellus Systems, Inc. | Temperature control of parylene dimer |
| US6159855A (en) * | 1998-04-28 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | Organometallic compound mixtures in chemical vapor deposition |
| US6328804B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-12-11 | Ball Semiconductor, Inc. | Chemical vapor deposition of metals on a spherical shaped semiconductor substrate |
| US6178925B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-01-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Burst pulse cleaning method and apparatus for liquid delivery system |
| KR100332313B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법 |
| KR100979575B1 (ko) * | 2002-01-17 | 2010-09-01 | 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 | 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법 |
| US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
-
2002
- 2002-03-13 JP JP2002069131A patent/JP3828821B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-11 US US10/385,907 patent/US20030217697A1/en not_active Abandoned
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046921A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Hirai:Kk | 気体供給装置 |
| JP2013518990A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | エムエスピー コーポレーション | 液体前躯体を気化するための微細液滴噴霧器 |
| WO2013046517A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社フジキン | 気化器 |
| JP2013077710A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Tohoku Univ | 気化器 |
| US8724974B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-05-13 | Fujikin Incorporated | Vaporizer |
| KR20140141417A (ko) | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 가열기화 시스템 및 가열기화 방법 |
| US10240233B2 (en) | 2013-05-30 | 2019-03-26 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Heating vaporization system and heating vaporization method |
| CN105716225A (zh) * | 2014-12-22 | 2016-06-29 | 株式会社堀场Stec | 流体加热器、加热块和流体加热系统 |
| JP2016119478A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 株式会社堀場エステック | 加熱型気化装置 |
| KR20160076430A (ko) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 기화 시스템 |
| KR20160076431A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 유체 가열기 |
| KR102409471B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2022-06-16 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 유체 가열기 |
| US10775075B2 (en) | 2014-12-22 | 2020-09-15 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Fluid heater |
| CN105716225B (zh) * | 2014-12-22 | 2020-08-11 | 株式会社堀场Stec | 流体加热器、加热块和汽化系统 |
| US9982883B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-05-29 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Vaporization system |
| KR20160110056A (ko) | 2015-03-13 | 2016-09-21 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 액체 재료 기화 장치, 액체 재료 기화 시스템 |
| US10174417B2 (en) | 2015-03-30 | 2019-01-08 | Siva Power, Inc. | Thin-film deposition methods with fluid-assisted thermal management of evaporation sources |
| US9932666B2 (en) | 2015-03-30 | 2018-04-03 | Siva Power, Inc. | Fluid-assisted thermal management of evaporation sources |
| US9816175B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-11-14 | Siva Power, Inc. | Thin-film deposition methods with fluid-assisted thermal management of evaporation sources |
| WO2016160665A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Siva Power, Inc | Fluid-assisted thermal management of evaporation sources |
| US10352748B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-07-16 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Flow rate measuring device |
| KR20240052767A (ko) | 2021-09-09 | 2024-04-23 | 가부시키가이샤 프로테리아루 | 기화기 |
| JP7489499B2 (ja) | 2022-03-03 | 2024-05-23 | 株式会社Kokusai Electric | 流体供給システム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030217697A1 (en) | 2003-11-27 |
| JP3828821B2 (ja) | 2006-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003273026A (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| TWI342473B (en) | Ozone system and method for multi-chamber tools | |
| TWI394860B (zh) | 源氣體供給裝置 | |
| JP7105765B2 (ja) | 液体材料気化供給装置及び制御プログラム | |
| JP5350824B2 (ja) | 液体材料の気化供給システム | |
| WO2002095797A3 (en) | Gas delivery at high flow rates | |
| TWI796376B (zh) | 氣化系統和氣化系統用程式 | |
| JP3200464B2 (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| JPH06132226A (ja) | 液体原料用気化供給器 | |
| TW201816170A (zh) | 氣體控制系統、具備該氣體控制系統的成膜裝置、偵測方法以及記憶媒體 | |
| US6895178B2 (en) | Vapor delivery system | |
| JP4909049B2 (ja) | 燃焼装置 | |
| JP2016008803A (ja) | ボイラ装置 | |
| JP2003013233A (ja) | 液体原料気化供給装置 | |
| KR101558181B1 (ko) | 기화기용 소스물질 공급장치 | |
| CN114100387A (zh) | 原料气化系统以及用于该原料气化系统的浓度控制模块 | |
| JP3200457B2 (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| JP2557616Y2 (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| WO2022190711A1 (ja) | 気化器および気化供給装置 | |
| JP5302642B2 (ja) | 化学気相蒸着工程におけるソース物質の量の測定方法 | |
| JPH034929A (ja) | 気化方式によるガス発生装置 | |
| JP4052506B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2580627Y2 (ja) | 麻酔剤気化供給装置 | |
| JPS63291601A (ja) | 液体材料制御装置 | |
| JP2003042487A (ja) | 水蒸気の発生量調整方法および水蒸気の発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050302 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050607 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060609 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060704 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060707 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |