JPH02259074A

JPH02259074A - Ｃｖｄ方法および装置

Info

Publication number: JPH02259074A
Application number: JP7815389A
Authority: JP
Inventors: Shinji Takagi; 信二高城; Atsushi Sekiguchi; 敦関口; Tsukasa Kobayashi; 司小林; Hiroshi Arakawa; 浩荒川
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1989-03-31
Filing date: 1989-03-31
Publication date: 1990-10-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、有機金属化合物とオゾンとを反応させて基
板上に酸化膜を作るＣＶＤ方法とその装置に関する。

［従来の技術］半導体デバイスを作製する際に、層間絶縁膜または最終
保護膜としてＳｉＯ２膜が用いられている。このＳｉＯ
２膜を４００℃以下で形成する方法として、従来、５ｉ
Ｈ４−０□系のＣＶＤ法、または、５ｉＨ４−Ｎ２０系
のプラズｖＣＶＤ法が使われている。しかし、半導体デ
バイスの微細化に伴い、ステップカバレージ性に対する
要求が厳しくなってきて、これらの成膜方法では不十分
になってきた。そこで、最近、ステップカバレージ性の
優れた成膜方法として、テトラエトキシシラン（Ｓｉ　
（ＯＣ２Ｈ５）　４　）とオゾン（０３）とによるＣＶ
Ｄ法が注目されてきた。テトラエトキシシランは、テト
ラエチルオルソシリケイト（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒ
ｔｈｏｓｉｌｌｃａｔｅ　）とも呼ばれ、ＴＥＯＳの略
称がある。以下、この明細書では、テトラエ）・キシシ
ランをＴＥＯＳと呼ぶ。ＴＥＯＳは金属水素化物（例え
ばシラン、ジシラン）と比較して反応性が小さいが、酸
素と比較して反応性の大きいオゾンと反応させることに
よってＳｉＯ２膜の作製を可能とするものである。

この種のＴＥＯＳ・オゾン系のＣＶＤ法は、例えば次の
文献に記載されている。

（１）電気化学、５Ｂ［７］　（１９８８）、　９．５
２７−５３２（２）　　Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　　Ａｂｓｔ
ｒａｃｔｓ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　　１９ｔｈ　　Ｃｏｎ
ｆｅｒ−ｅｎｅｅ　ｏｎ　５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｄ
ｅｖｌｃｅｓ　　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｌ−ａｌｓ　、　
　（１９８７）、　　Ｔｏｋｙｏ　、　　ｐ、　　４４
７−４５０第４図は、ＴＥＯＳとオゾンとを利用した従
来のＳｉＯ２膜作製装置の一例を示す。基板１は基板ホ
ルダ２上に置かれて、基板１の温度は温度調節装置４０
によって制御される。温度調節装置４０は、ヒータ３と
熱電対４と図示しないＰＩＤ制御装置とヒータ電源とで
構成されており、基板１を希望の温度に一定に保つよう
になっている。

ＴＥＯ８１６は、温度が一定に保たれている恒温容器１
５内に封入されている。ＴＥＯＳのバブリングガスとし
ては、例えばアルゴンを用いる。

アルゴンの流量は図示しない流量制御装置によって一定
に保たれ、矢印２５の方向から導入される。

アルゴンと、このアルゴンによってバブリングされたＴ
ＥＯＳとの混合気体は、バルブ２１を通って拡散部５に
導入される。酸素はオゾナイザ３０に対して矢印２６の
方向から供給される。オゾナイザ−３０で発生した濃度
数％のオゾンと、酸素との混合気体は、流量制御装置２
９に入り、一定の流量に制御される。この流量制御され
たオゾンと酸素の混合気体は、バルブ２２を通って拡散
部５に導入される。拡散部５に導入されたＴＥＯＳとア
ルゴンの混合気体およびオゾンと酸素の混合気体は、拡
散部５で混合され、拡散部５に設けられたガス吹き出し
孔６を通って、処理室１０内に設置した基板１上に均一
に供給される。

処理室１０に導入された気体は、バルブ９を通して矢印
２７の方向へ、図示しない排気装置で排気される。反応
室ｌＯの圧力は圧力計８で測定し、希望する圧力はバル
ブ９のコンダクタンスを調整することで設定する。ただ
し、大気圧で成膜する場合は、バルブを全開しておく。

オゾナイザ−３０は、第５図に示すように、狭い間隔を
保った一対の平行電極５１ａ、５１ｂに誘電体５２を設
けたものである。この画電極の間に電源５０からの電力
を印加することにより、無声放電を発生させる。電極間
に酸素を矢印５３の方向から導入すると、濃度数％のオ
ゾンが発生する。オゾンと酸素の混合気体は矢印５４の
方向へ出ていく。

オゾナイザ−３０で発生した少量のオゾンとＴＥＯＳと
が基板１上で熱分解すると、ＳｉＯ２膜が形成される。

成膜条件としては、例えば、ＴＥＯＳのバブリングガス
としてのアルゴンの流量を３８ＬＭ、濃度数％のオゾン
と酸素の混合気体の流量を５３ＬＭ、恒温容器１５の温
度を６０℃、基板１の温度を４００℃、処理室ｌｏ内の
圧力を大気圧にしたときに、５ｉ０２膜の成膜速度とし
て２５０ＯＡ／ｍｉｎが得られる。成膜速度については
、次の傾向がある。

（ａ）ＴＥ０１の流量を一定にした場合、第６図に示す
ように、オゾン／ＴＥＯ８の流量比が増すに連れて成膜
速度は上昇し、あるところで飽和する。

（ｂ）オゾン／Ｔ　Ｅ　ＯＳの流量比が一定ならば、Ｔ
Ｅ０１の流量が増すに連れて成膜速度は」二昇する。

オゾン／ＴＥＯ８の流量比を大きくすると、成膜速度が
向上するだけでなく、Ｓｉｏ２膜中のＯＨ基が減少して
膜質が向上することが分がっている。

なお、処理室に導入される気体は、オゾン、酸素、アル
ゴン、ＴＥ０１から成るが、これら気体の流速が大きく
なり過ぎると、ＴＥ０１とオゾンとの反応が基板上で十
分に行われなくなるので、気体の流速をあまり大きくす
るのは好ましくない。

［発明が解決しようとする課題］上述のオゾナイザ−で発生するオゾンの濃度は容積割合
で数％程度で、それ以上のオゾン濃度が得られない。し
たがって、次の問題点がある。

（ａ）オゾン／ＴＥＯ８の流量比を大きな値に保って良
質な膜質を得ようとするには、オゾナイザ−で得られる
オゾン流量に見合ったＴＥＯ８流量しか流すことができ
ない。したがって、成膜速度が制限され２５００人／ｍ
ｉｎ程度が限度となる。

（ｂ）オゾン流量が小さいままでＴＥＯ８流量を大きく
すると、ＳｉＯ２膜中にＯＨ基が多く残ることになり、
膜質が劣化する。

結局、従来のＴＥ０１−オゾン系のＣＶＤ法では、オゾ
ナイザ−の能力によって成膜速度が制限されていること
になる。枚葉式のＣＶＤ装置で工業上必要とされるＳｉ
Ｏ２成膜速度は、１μｍ／ｍ　Ｌ　ｎ程度であり、従来
のＴＥ０１・オゾン系のＣＶＤ法では成膜速度がきわめ
て不十分である。

なお、従来のオゾナイザ−は、無声放電によって酸素か
らオゾンへの転換をおこなっているが、同時にオゾンか
ら酸素への分解もおこなわれるため、オゾン濃度を高め
るのには限界がある。

以上述べたような問題点は、ＴＥ０１・オゾン系のＣＶ
Ｄ法によるＳｉＯ２膜の作製に限らず、一般に、有機原
料とオゾンとを利用してＣＶＤ法で酸化膜を作製する際
に生じる。

ところで、液化を利用してオゾンを濃縮して高いオゾン
濃度を得る技術自体は、特開昭６２−１００１０２号に
開示されている。ただし、このようなオゾン濃縮装置と
ＣＶＤ装置とを組み合わせることは知られていない。

この発明の目的は、有機金属化合物とオゾンとを反応さ
せて基板上に酸化膜を作るＣＶＤ方法において、オゾン
量を増加させて、良質な酸化膜を高い成膜速度で得るこ
とにある。

この発明の別の目的は、このようなＣＶＤ方法を実施す
るためのＣＶＤ装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段と作用］上記の目的を達成するために、この出願の第一の発明に
係るＣＶＤ方法は、以下の特徴を有している。すなわち
、この発明は、処理室内で有機金属化合物とオゾンとを
反応させて基板上に酸化膜を作るＣＶＤ方法において、前記オゾンを処理室に導入する段階は、オゾン発生装置
に酸素を供給してオゾンと酸素との混合気体を得る段階
と、前記混合気体をオゾン濃縮装置に供給して、オゾンの液
化を利用してオゾンを濃縮する段階と、を含んでいる。

ここで、有機金属化合物とは、通常の金属と炭素との間
に結合を持つ化合物のほかに、ホウ素、ケイ素などの半
金属と炭素との間に結合を持つ化合物も含む。したがっ
て、この発明のＣＶＤ方法によれば、金属酸化膜、シリ
コン酸化膜などの酸化膜を得ることができる。

オゾンの発生に際して、オゾンと酸素との混合気体を得
る段階と、オゾンを濃縮する段階とは、別個の装置（オ
ゾン発生装置とオゾン濃縮装置）で実施しても良いし、
同一の装置（オゾン発生と濃縮を同一容器内で行う装置
）内で連続して実施しても良い。

この発明は次のように作用する。有機金属化合物とオゾ
ンは基板上で反応して酸化膜を作る。オゾンは、従来の
オゾン発生装置で得たものをさらに濃縮しているので、
十分なオゾン流量を確保できる。したがって、酸化が十
分になされて、良好な膜質が得られると共に、成膜速度
も上げることができる。

この出願の第二の発明は、オゾン濃度を具体的に限定し
たものである。従来のオゾナイザ−ではオゾン濃度は数
％程度が限度であったが、この発明のように液化による
濃縮をおこなうと、容積割合で２０％以上のオゾン濃度
が得られる。

この出願の第三の発明は、上述の第一の発明において、
有機金属化合物として有機ケイ素化合物を用いるもので
、ＳｉＯ２膜を作成している。

この出願の第四の発明は、有機ケイ素化合物としてテト
ラエトキシシランを用いるものである。

この出願の第五の発明は、上述の第一の発明のＣＶＤ方
法を実施するためのＣＶＤ装置を提供する。このＣＶＤ
装置は、処理室と、前記処理室内に配置された基板ホル
ダと、基板の温度を調節する温度調節装置と、有機金属
化合物を前記処理室に導入する有機金属化合物導入装置
と、オゾンを前記処理室に導入するオゾン導入装置とを
有するＣＶＤ装置において、前記オゾン導入装置が、酸素の供給を受けてオゾンと酸素との混合気体を作るオ
ゾン発生装置と、前記オゾン発生装置と前記処理室との間に配置されて、
前記混合気体の供給を受けてオゾンの液化を利用してオ
ゾンを濃縮するオゾン濃縮装置と、を有することを特徴
としている。

オゾン発生装置とオゾン濃縮装置とは、別個の装置とし
ても良いし、同一の容器内で一体に構成しても良い。

この出願の第六の発明は、上述の第五の発明において、
オゾン濃縮装置を２台用意してこれを並列に配置し、こ
れらをオゾン発生装置に接続したものである。そして、
２台のオゾン濃縮装置を選択的に切り替えて使用する。

オゾン発生装置は１台でも足りるが、オゾン濃縮装置ご
とにオゾン発生装置を用意しても良い。後者の場合は、
例えば、オゾン濃縮装置とオゾン発生装置とが一体に形
成されている場合である。

［実施例］次に、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。

第１図は、この発明の一実施例の構成図であり、処理室
の部分は正面断面図を示す。第４図の従来装置と同一の
部分には同じ符号を付けである。

第１図において、このＣＶＤ装置の処理室１０の内部に
は、気体を導入するための拡散部５と、基板１を保持す
るための基板ホルダ２が配置されている。拡散部５には
多数のガス吹き出し孔６が開いている。基板ホルダ２の
内部にはヒータ３と熱電対４が埋め込まれている。温度
調節装置４０は、ヒータ３と熱電対４と図示しないＰＩ
Ｄ制御装置とヒータ電源とで構成されており、基板１の
温度は、この温度調節装置４０で制御される。

処理室１０はバルブ９を通して矢印２７の方向に排気さ
れる。処理室１０の圧力は圧力計８で測定される。

拡散部５には、ＴＥＯ８導入系とオゾン導入系の二つの
気体導入系が接続されている。ＴＥＯ８導入系の恒温容
器１５にはＴＥＯ８１６が封入されている。バブリング
ガスとしてのアルゴンは、恒温容器１５を通過した後、
バルブ２１を通って拡散部５に送られるようになってい
る。

オゾン導入系は主としてオゾン供給装置１００からなる
。このオゾン供給装置１００は、オゾン発生装置として
のオゾナイザ−３０と、オゾン濃縮装置６０とを直列に
接続して構成されている。

オゾン濃縮装置６０の出口は、流量制御装置２９とバル
ブ２２を介して、拡散部５に接続されている。オゾン濃
縮装置６０の出口はまた、分岐してオゾン濃度測定装置
９０に接続されている。オゾン濃度測定装置９０には、
酸素も直接導入されている。

第２図は、オゾン濃縮装置６０の詳細な正面断面図であ
る。このオゾン濃縮装置は、外側の断熱容器６２と、そ
の内側のオゾン蓄積容器６１とからなる。断熱容器６２
は、内部が中空の二重容器であって、外側部分には液体
窒素６５が満たされている。内側部分の空間８５はバル
ブ７５を通して真空排気されている。この空間８５内に
オゾン蓄積容器６１が収納されている。すなわち、断熱
容器６２とオゾン蓄積容器６１とは真空断熱されている
。ただし、オゾン蓄積容器６１の底部は、銅製の伝熱ブ
ロック６３を介して断熱容器６２の内壁に熱接触してい
る。オゾン蓄積容器６１の外周にはヒータ６６が巻かれ
ている。このオゾン蓄積容器６１の温度は熱電対６７で
測定される。結局、オゾン蓄積容器６１は、伝熱ブロッ
ク６３を介しての冷却と、ヒータ６６による加熱とによ
って温度制御される。実際には、ヒータ６６への印加電
力をＰＩＤ制御で調節する。オゾン蓄積容器６１の温度
は一１８３℃〜−１１１℃の範囲で制御される。

断熱容器６２の外側空間には、バルブ７３を通して液体
窒素８３が導入され、気化した窒素は、バルブ７４を通
して矢印８４の方向に排出される。

オゾン蓄積容器６１には、バルブ７０を通して、オゾン
発生装置から酸素とオゾンとの混合気体が矢印８０の方
向から導入される。オゾン蓄積容器６１の内部には液化
オゾン６４が蓄積される。オゾン蓄積容器６１内の混合
気体は、動作条件に応じて、バルブ７１または７２を通
って出ていく。

次に、このＣＶＤ装置の動作を説明する。

まず初めに、第２図を参照してオゾン濃縮装置の動作を
説明する。まず、バルブ７０．７１を閉じて、バルブ７
２を開け、オゾン蓄積容器６１内の気体を、図示しない
排気装置を用いて矢印８２の方向へ排気する。空間６８
はバルブ７５を介して真空排気しておく。断熱容器６２
の外側部分には冷却材としての液体窒素６５を満たして
おく。

そして、酸素とオゾンの混合気体（オゾン濃度数％）を
オゾン蓄積容器６１の内部に導入する。同時に、バルブ
７２を通して排気する。オゾン蓄積容器６１は伝熱ブロ
ック６３を介して液体窒素６５で冷却されているので、
液体窒素よりもかなり沸点の高いオゾンは、オゾン蓄積
容器６１内で液化してたまる。液化オゾン６４が所定量
に達した段階で、バルブ７０を閉じ、オゾン蓄積容器６
１内に残った気体（酸素とオゾンの混合物）をバルブ７
２を通して排気する。その後、バルブ７２を閉じる。次
に、ヒータ６６でオゾン蓄積容器６１を若干加熱して、
液化オゾン６４を徐々に蒸発させる。同時に、バルブ７
１を開けて、濃縮された高濃度のオゾンを矢印８１の方
向に取り出す。

次に、第１図を参照して、このＣＶＤ装置の全体の動作
を説明する。

オゾナイザ−３０に酸素を矢印２６の方向から導入し、
濃度数％のオゾンと酸素の混合気体を作る。この混合気
体をオゾン濃縮装置６０に導入して、オゾン濃度２０％
以上のオゾンと酸素の混合気体を作る。この高濃度オゾ
ンの混合気体を、流量制御装置２９とバルブ２２を通し
て拡散部５に送る。オゾン濃度測定装置９０では、高濃
度オゾンの混合気体と、酸素とを取り込んで、高濃度オ
ゾンを薄めてから、オゾン濃度を測定する。これを基に
して、もとの混合気体のオゾン濃度を算出する。市販の
オゾン濃度測定装置は、１０％以下のオゾン濃度しか測
定できないので、このような工夫が必要となる。この実
施例では、オゾン濃縮装置６０の出口でのオゾン濃度は
容積割合で約２５％である。

一方、ＴＥＯ８１６の入った恒温容器１５にはアルゴン
を矢印２５の方向から流し、ＴＥＯ８１６をバブリング
して、アルゴンとＴＥ０１の混合気体を作る。これをバ
ルブ２１を通して拡散部５に送る。

拡散部５では、高濃度のオゾンと酸素との混合気体と、
アルゴンとＴＥ０１の混合気体とが、混合され、ガス吹
き出し孔６を通って、処理室１０内に出ていく。基板１
上では、ＴＥ０１とオゾンとが反応してＳｉＯ２膜が堆
積する。

具体的な実験条件を述べると、アルゴンの流量を３８Ｌ
Ｍ（ＴＥＯ８流量は２００８ＣＣＭ）、酸素とオゾンの
混合気体の流量をＩＳＬＭ（オゾン濃度的２５％）、恒
温容器１５の温度を６０℃、基板１の温度を４００℃、
処理室１０内の圧力を大気圧にしたときに、５ｉ０２膜
の成膜速度は約１．１．ｃｚｍ／ｍｉｎとなり、従来の
ＴＥ０１−オゾン系のＣＶＤ法と比較して非常に大きな
成膜速度が得られた。このＳｉＯ２膜は、赤外吸収分光
法で調べた結果、炭素の混入が観測されず、ＯＨ基も少
ない良質な膜であることが分かった。約１．１μｍ／ｍ
ｉｎという大きな成膜速度で良質な膜が得られたことは
、工業上非常に有用であって、枚葉式装置に必要とされ
る１μｍ　／　ｍ　ｉ　ｎを満足するものである。

第３図は、この発明の他の実施例を示す構成図である。

、この実施例は、第１図のオゾン供給装置１００を変更
したものであり、その他の部分は第１図と同じである。

この実施例のオゾン供給装置１００ａは、高濃度オゾン
を連続的に供給することを目的として、１台のオゾナイ
ザ−３０と２台のオゾン濃縮装置６０ａ、６０ｂとを含
む。

オゾナイザ−３０の出口はガス通路切替バルブ１１０に
接続され、このバルブの二つの出口は２台のオゾン濃縮
装置６０ａ、６０ｂにそれぞれ接続される。２台のオゾ
ン濃縮装置６０ａ、６０ｂの出口は、ガス通路切替バル
ブ１１１の二つの入り口にそれぞれ接続される。このバ
ルブ１１１の出口は、流量制御装置２９に接続される。

次に、このオゾン供給装置１１０ａの動作を説明する。

まず初めに、オゾナイザ−３０で発生したオゾンと酸素
の混合気体を、ガス通路切替バルブ１１０のところで矢
印１２０の方向に向け、第１のオゾン濃縮装置６０ａに
送る。第１のオゾン濃縮装置６０ａに所定量のオゾンが
たまった段階で、ガス通路切替バルブ１１０を切り替え
、今度は、オゾンと酸素の混合気体を矢印１２１の方向
に流して、第２のオゾン濃縮装置６０ｂに送る。

同時に、出口側のガス通路切替バルブ１１１では、第１
のオゾン濃縮装置６０ａからの高濃度オゾンを矢印１２
２の方向から受けて、流量制御装置２９に送る。その間
に、第２のオゾン濃縮装置６０ｂでは、液化オゾンを蓄
積する。第１のオゾン濃縮装置６０ａの液化オゾンが少
なくなった段階で、再び二つのガス通路切替バルブ１１
０．１１１を元に戻して、今度は、第２のオゾン濃縮装
置６０ｂから高濃度オゾンを流量制御装置２９に送る。

このような一連の動作を繰り返すことによって、流量制
御装置２９に連続的に高濃度オゾンを送ることができ、
高濃度オゾンの流量を一定に保つことができる。

なお、オゾン濃縮装置６０は、液化を利用してオゾンの
濃度を高めるものであればどのようなものでも良く、第
２図のような構造に限らない。また、オゾナイザ−３０
としては、放電によるもののみならず、酸素分子に紫外
線を照射してオゾンを作る方法を用いても良い。後者の
場合は、放電を用いるものより、不純物の混入が少ない
。

上述の実施例では、ＳｉＯ２膜を作るために、オゾンと
反応させるべき有機ケイ素化合物としてＴＥ０１を用い
たが、その他の有機ケイ素化合物を利用しても良い。例
えば、ＤＡＤＢＳと略称される、ジ−ｔ−ブトキシジア
セトキシシラン（ｔ　　Ｃ４Ｈ９０）２　Ｓ　ｉ　（Ｏ
ＯＣＣＨ３）２や、このＤＡＤＢＳに含まれるアセチル
基をアミノ基に置換したＤＡＭＤＢＳを利用できる。

さらに、この発明の方法で酸化タンタル膜を作製するに
は、有機金属化合物として、タンタルメチラートまたは
タンタルエチラートなどのタンタルアルコラードを用い
ることができる。

［発明の効果］以上説明したように、この発明によれば、液化を利用し
てオゾン濃度を高め、この高濃度オゾンと有機金属化合
物とを反応させて酸化膜を作製しているので、良質な酸
化膜を高い成膜速度で作ることができる。

さらに、オゾン濃縮装置を２台並列に配置して交互に切
り替えて用いれば、高濃度オゾンを連続的に安定してＣ
ＶＤ装置に供給することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例の構成図、第２図は、オ
ゾン濃縮装置の正面断面図、第３図は、別の実施例の構
成図、第４図は、従来装置の構成図、第５図は、従来のオゾナイザ−の説明図、第６図は、Ｔ
Ｅ０１・オゾン系のＣＶＤ法の一般的な成膜速度のグラ
フである。２・・・基板ホルダ１０・・・処理室１６・・・ＴＥ０１３０・・・オゾナイザ− ４０・・・温度調節装置６０・・・オゾン濃縮装置

Claims

【特許請求の範囲】

（１）処理室内で有機金属化合物とオゾンとを反応させ
て基板上に酸化膜を作るＣＶＤ方法において、前記オゾンを処理室に導入する段階は、オゾン発生装置に酸素を供給してオゾンと酸素との混合
気体を得る段階と、前記混合気体をオゾン濃縮装置に供給して、オゾンの液
化を利用してオゾンを濃縮する段階と、を含むことを特徴とするＣＶＤ方法。
（２）前記オゾンは、オゾンと酸素との混合気体の形で
前記処理室に導入され、この混合気体に対するオゾン濃
度は、容積割合で２０％以上であることを特徴とする請
求項１記載のＣＶＤ方法。
（３）前記有機金属化合物は有機ケイ素化合物であり、
前記酸化膜はＳｉＯ＿２膜であることを特徴とする請求
項１記載のＣＶＤ方法。
（４）前記有機ケイ素化合物がテトラエトキシシランで
あることを特徴とする請求項３記載のＣＶＤ方法。
（５）処理室と、前記処理室内に配置された基板ホルダ
と、基板の温度を調節する温度調節装置と、有機金属化
合物を前記処理室に導入する有機金属化合物導入装置と
、オゾンを前記処理室に導入するオゾン導入装置とを有
するＣＶＤ装置において、前記オゾン導入装置は、酸素の供給を受けてオゾンと酸素との混合気体を作るオ
ゾン発生装置と、前記オゾン発生装置と前記処理室との間に配置されて、
前記混合気体の供給を受けてオゾンの液化を利用してオ
ゾンを濃縮するオゾン濃縮装置と、を有することを特徴とするＣＶＤ装置。
（６）前記オゾン濃縮装置は２台並列に前記オゾン発生
装置に接続され、２台のオゾン濃縮装置が選択的に切り
替え可能になっていることを特徴とする請求項５記載の
ＣＶＤ装置。