JP2884968B2 - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の製造方法Info
- Publication number
- JP2884968B2 JP2884968B2 JP33103092A JP33103092A JP2884968B2 JP 2884968 B2 JP2884968 B2 JP 2884968B2 JP 33103092 A JP33103092 A JP 33103092A JP 33103092 A JP33103092 A JP 33103092A JP 2884968 B2 JP2884968 B2 JP 2884968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon oxide
- oxide film
- gas
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置分野等に広
く応用されているシリコン酸化膜の効率的な製造方法を
提供するものである。
く応用されているシリコン酸化膜の効率的な製造方法を
提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン酸化膜は熱化学気相堆積法、光
化学気相堆積法、プラズマ化学気相堆積法等により製造
されている。しかし、熱化学気相堆積法は熱により原料
を分解あるいは反応させるため高温が必要となり膜を堆
積できる基材の種類が限定されたり、光化学気相堆積法
は低温で膜を形成できるものの、光を導入する窓が曇り
あるいは成膜速度が小さいといった製造効率上の問題が
あった。
化学気相堆積法、プラズマ化学気相堆積法等により製造
されている。しかし、熱化学気相堆積法は熱により原料
を分解あるいは反応させるため高温が必要となり膜を堆
積できる基材の種類が限定されたり、光化学気相堆積法
は低温で膜を形成できるものの、光を導入する窓が曇り
あるいは成膜速度が小さいといった製造効率上の問題が
あった。
【０００３】プラズマ化学気相堆積法に関しては、シリ
コン酸化膜をモノシランと酸素あるいは酸化二窒素等の
酸化剤とを原料ガスとして用いる方法が種々検討されて
いるが、いずれの方法によるにせよ、モノシランは危険
性が高く、高価であり、工業的に有利とはいえず、また
成膜温度が高く、広範囲に適用することが難しい。これ
に加えて、例えば大気圧近傍で上記堆積法を行う方法で
は、シリコン酸化膜の微粒子が生成する等の問題のため
に、良好な膜質のシリコン酸化膜を得ることが出来ず、
また膜の平坦性等にも問題があった。
コン酸化膜をモノシランと酸素あるいは酸化二窒素等の
酸化剤とを原料ガスとして用いる方法が種々検討されて
いるが、いずれの方法によるにせよ、モノシランは危険
性が高く、高価であり、工業的に有利とはいえず、また
成膜温度が高く、広範囲に適用することが難しい。これ
に加えて、例えば大気圧近傍で上記堆積法を行う方法で
は、シリコン酸化膜の微粒子が生成する等の問題のため
に、良好な膜質のシリコン酸化膜を得ることが出来ず、
また膜の平坦性等にも問題があった。
【０００４】更に、アルコキシシランと酸素を低圧プラ
ズマ化学気相堆積法により反応させ、シリコン酸化膜を
形成する方法も知られており、この場合は低温で薄膜を
形成することが出来、耐熱性の乏しいガラス基板上や高
分子フィルム上にも薄膜を形成することが可能となり有
利ではあるが、真空下での反応となる為、１０-5〜１０
ｍｍＨｇ程度の低圧条件形成の装置、設備を必要とする
他、大面積の処理が困難であり、コスト面でもまた安全
面でも問題があった。また、この方法において好適とい
われている成膜温度は、低くても３５０℃〜４００℃程
度であり、しかも形成されたシリコン酸化膜は平坦性お
よび膜質において必ずしも充分満足できるものとはいえ
なかった。
ズマ化学気相堆積法により反応させ、シリコン酸化膜を
形成する方法も知られており、この場合は低温で薄膜を
形成することが出来、耐熱性の乏しいガラス基板上や高
分子フィルム上にも薄膜を形成することが可能となり有
利ではあるが、真空下での反応となる為、１０-5〜１０
ｍｍＨｇ程度の低圧条件形成の装置、設備を必要とする
他、大面積の処理が困難であり、コスト面でもまた安全
面でも問題があった。また、この方法において好適とい
われている成膜温度は、低くても３５０℃〜４００℃程
度であり、しかも形成されたシリコン酸化膜は平坦性お
よび膜質において必ずしも充分満足できるものとはいえ
なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、低い温
度で充分な成膜速度が得られ、膜質が均一で、ステップ
カバレッジが良好で、平坦性に優れ、かつ低コストで安
全面でも問題のないシリコン酸化膜を製造せんと鋭意研
究した結果、本発明を完成した。
度で充分な成膜速度が得られ、膜質が均一で、ステップ
カバレッジが良好で、平坦性に優れ、かつ低コストで安
全面でも問題のないシリコン酸化膜を製造せんと鋭意研
究した結果、本発明を完成した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン酸化
膜をプラズマ化学気相堆積法により製造するに際し、ア
ルコキシシランを原料ガスとして用い、希釈ガスの存在
下にかつ圧力１００ｍｍＨｇ〜２気圧において、該膜を
形成させることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法
である。
膜をプラズマ化学気相堆積法により製造するに際し、ア
ルコキシシランを原料ガスとして用い、希釈ガスの存在
下にかつ圧力１００ｍｍＨｇ〜２気圧において、該膜を
形成させることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法
である。
【０００７】本発明において、原料であるアルコキシシ
ランは、モノアルコキシラン、ジアルコキシシラン、ト
リアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン等が挙げ
られ、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン
がより好ましく、特にトリアルコキシシランが好まし
い。また、アルコキシランは、炭素数１〜４のアルコキ
シ基を有するものが好ましく、特にエトキシ基が好まし
い。
ランは、モノアルコキシラン、ジアルコキシシラン、ト
リアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン等が挙げ
られ、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン
がより好ましく、特にトリアルコキシシランが好まし
い。また、アルコキシランは、炭素数１〜４のアルコキ
シ基を有するものが好ましく、特にエトキシ基が好まし
い。
【０００８】アルコキシランの具体例としては、モノメ
トキシシラン、モノエトキシシラン、ジ−ｎ−プロポキ
シシラン、ジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−sec −ブトキシシラン、ジイソブトキシラ
ラン、ジ−tert−イソブトキシシラン等のモノアルコキ
シラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ
−ブトキシシラン、ジ−sec −ブトキシシラン、ジイソ
ブトキシシラン、ジ−tert−イソブトキシシラン等のジ
アルコキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシ
シラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポ
キシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−sec −
ブトキシシラン、トリイソブトキシシラン、トリ−tert
−ブトキシシラン等のトリアルコキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プ
ロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−sec −ブトキシシラ
ン、テトライソブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキ
シシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられる。こ
れらの中でも、トリエトキシシラン、テトラエトキシシ
ランがより好ましく、最も好ましいものはトリエトキシ
シランである。
トキシシラン、モノエトキシシラン、ジ−ｎ−プロポキ
シシラン、ジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブトキシ
シラン、ジ−sec −ブトキシシラン、ジイソブトキシラ
ラン、ジ−tert−イソブトキシシラン等のモノアルコキ
シラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ
−ブトキシシラン、ジ−sec −ブトキシシラン、ジイソ
ブトキシシラン、ジ−tert−イソブトキシシラン等のジ
アルコキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシ
シラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポ
キシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−sec −
ブトキシシラン、トリイソブトキシシラン、トリ−tert
−ブトキシシラン等のトリアルコキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プ
ロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−sec −ブトキシシラ
ン、テトライソブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキ
シシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられる。こ
れらの中でも、トリエトキシシラン、テトラエトキシシ
ランがより好ましく、最も好ましいものはトリエトキシ
シランである。
【０００９】アルコキシシランは希釈ガスでバブリング
して気化させ反応系内へ供給するか、あるいは加熱によ
り気化させて、前記希釈ガスと共に供給する方法が一般
的である。
して気化させ反応系内へ供給するか、あるいは加熱によ
り気化させて、前記希釈ガスと共に供給する方法が一般
的である。
【００１０】アルコキシシランの供給に利用され、また
反応系内に存在させる希釈ガスとしては、ヘリウム、ネ
オン、アルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスある
いは窒素、水素等が挙げられ、更に好ましくは希ガスあ
るいは窒素が挙げられる。
反応系内に存在させる希釈ガスとしては、ヘリウム、ネ
オン、アルゴン、クリプトン、キセノン等の希ガスある
いは窒素、水素等が挙げられ、更に好ましくは希ガスあ
るいは窒素が挙げられる。
【００１１】希釈ガスは、原料ガスを含めた反応系内の
全ガス量中、５０ｖｏｌ％以上が好ましく、特に好まし
くは８０ｖｏｌ％〜９９ｖｏｌ％である。５０ｖｏｌ％
未満では、プラズマが安定して立たず、膜質が悪くなる
恐れがある。
全ガス量中、５０ｖｏｌ％以上が好ましく、特に好まし
くは８０ｖｏｌ％〜９９ｖｏｌ％である。５０ｖｏｌ％
未満では、プラズマが安定して立たず、膜質が悪くなる
恐れがある。
【００１２】反応系内の圧力は１００ｍｍＨｇ〜２気圧
とすることが必要であり、１００ｍｍＨｇ未満では、従
来のプラズマと同様真空排気系が必要となり、また２気
圧を超えると、安全面性の問題やコスト高の問題が起こ
る。好ましい圧力は１００ｍｍＨｇ〜８００ｍｍＨｇ、
更に好ましい圧力は６００ｍｍＨｇ〜８００ｍｍＨｇで
あり、中でも常圧近傍が特に好ましい。
とすることが必要であり、１００ｍｍＨｇ未満では、従
来のプラズマと同様真空排気系が必要となり、また２気
圧を超えると、安全面性の問題やコスト高の問題が起こ
る。好ましい圧力は１００ｍｍＨｇ〜８００ｍｍＨｇ、
更に好ましい圧力は６００ｍｍＨｇ〜８００ｍｍＨｇで
あり、中でも常圧近傍が特に好ましい。
【００１３】本発明において、反応系内に酸化剤を存在
させることにより、より緻密な膜を製造することが出来
る。酸化剤としては、空気、酸素、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ、ＮＯ
2 、ＣＯ2 、ＣＯ等が挙げられる。
させることにより、より緻密な膜を製造することが出来
る。酸化剤としては、空気、酸素、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ、ＮＯ
2 、ＣＯ2 、ＣＯ等が挙げられる。
【００１４】酸化剤はアルコキシシラン１モルに対し
て、０．５モル〜５０モルが好ましく、更に好ましくは
１モル〜２０モルである。０．５モル未満では緻密な膜
質が得られなくなる場合があり、５０モルを超えると、
気相反応によりシリコン酸化物の微粒子が生成し易くな
り、膜質の低下が起きるだけでなく、原料から膜への効
率が悪くなり、経済的とはいえない。
て、０．５モル〜５０モルが好ましく、更に好ましくは
１モル〜２０モルである。０．５モル未満では緻密な膜
質が得られなくなる場合があり、５０モルを超えると、
気相反応によりシリコン酸化物の微粒子が生成し易くな
り、膜質の低下が起きるだけでなく、原料から膜への効
率が悪くなり、経済的とはいえない。
【００１５】酸化剤は原料ガスと共に系内に導入するの
が一般的であるが、別々に系内に導入してもよい。酸化
剤の濃度は反応系内の全ガス量に対し、３０vol ％を超
えない程度が望ましく、１vol ％〜１０vol ％が更に好
ましい。あまり高濃度では、気相でのシリコン酸化物の
微粒子が生成し易くなり、基材上に付着する恐れがあ
り、あまり少ないと成膜速度の低下につながり、実用的
とは言えなくなる。
が一般的であるが、別々に系内に導入してもよい。酸化
剤の濃度は反応系内の全ガス量に対し、３０vol ％を超
えない程度が望ましく、１vol ％〜１０vol ％が更に好
ましい。あまり高濃度では、気相でのシリコン酸化物の
微粒子が生成し易くなり、基材上に付着する恐れがあ
り、あまり少ないと成膜速度の低下につながり、実用的
とは言えなくなる。
【００１６】本発明によって、その表面にシリコン酸化
膜が形成される基材としては、例えば半導体基板あるい
は電極配線等の半導体素子等が挙げられる。その材質
は、シリコン、ガラス、アルミニウム、ステンレススチ
ール等はもちろん、本発明では低温で成膜することが可
能なため、アモルファスシリコン等の非晶質、ポリエス
テル、ポリイミド、ガラスエポキシ等の樹脂も特に好適
な基材々質となる。また、基材の形状は特に限定される
ものではない。
膜が形成される基材としては、例えば半導体基板あるい
は電極配線等の半導体素子等が挙げられる。その材質
は、シリコン、ガラス、アルミニウム、ステンレススチ
ール等はもちろん、本発明では低温で成膜することが可
能なため、アモルファスシリコン等の非晶質、ポリエス
テル、ポリイミド、ガラスエポキシ等の樹脂も特に好適
な基材々質となる。また、基材の形状は特に限定される
ものではない。
【００１７】シリコン酸化膜の基材上への成膜温度は４
００℃より低くすることが出来、５０℃〜３００℃とい
う低温で足りる。なお、室温未満では、膜質の低下につ
ながる恐れがある。具体的な成膜温度は原料ガスにより
適宜選択すればよく、例えばテトラアルコキシシランを
用いた場合は、２００℃〜３００℃が更に好ましく、ト
リアルコキシシランを用いた場合は、５０℃〜１８０℃
が更に好ましい。
００℃より低くすることが出来、５０℃〜３００℃とい
う低温で足りる。なお、室温未満では、膜質の低下につ
ながる恐れがある。具体的な成膜温度は原料ガスにより
適宜選択すればよく、例えばテトラアルコキシシランを
用いた場合は、２００℃〜３００℃が更に好ましく、ト
リアルコキシシランを用いた場合は、５０℃〜１８０℃
が更に好ましい。
【００１８】本発明に用いられる反応装置は特に限定さ
れるものではなく、例えば縦型、横型、パンケーキ型、
ベルトコンベアー型、巻き取り方式等が用いられる。
れるものではなく、例えば縦型、横型、パンケーキ型、
ベルトコンベアー型、巻き取り方式等が用いられる。
【００１９】反応器内には、高電圧を印加する電極と接
地する電極とが配置され、希釈ガスの存在下、圧力１０
０ｍｍＨｇ〜２気圧において、プラズマ化学気相堆積法
を行える装置であれば特に限定されるものではない。し
かし、特に基材が金属等の場合、高電圧を印加すること
によりアーク放電が発生して、アルコキシシランをプラ
ズマ励起してシリコン酸化膜を形成することが多少困難
となる場合があり、その場合でも充分適用出来るように
するため、高電圧を印加する電極にガラス、セラミック
ス、プラスチックス等の耐熱性の固体誘電体を配置した
電極装置を用いるのが好適である。
地する電極とが配置され、希釈ガスの存在下、圧力１０
０ｍｍＨｇ〜２気圧において、プラズマ化学気相堆積法
を行える装置であれば特に限定されるものではない。し
かし、特に基材が金属等の場合、高電圧を印加すること
によりアーク放電が発生して、アルコキシシランをプラ
ズマ励起してシリコン酸化膜を形成することが多少困難
となる場合があり、その場合でも充分適用出来るように
するため、高電圧を印加する電極にガラス、セラミック
ス、プラスチックス等の耐熱性の固体誘電体を配置した
電極装置を用いるのが好適である。
【００２０】発振周波数は、５０Ｈｚ〜６０Ｈｚの低周
波から、１３．５６ＭＨｚの高周波まで適宜選択すれば
よい。
波から、１３．５６ＭＨｚの高周波まで適宜選択すれば
よい。
【００２１】本発明により形成されたシリコン酸化膜
は、層間絶縁膜、保護膜、マスク材料、ガスバリアー膜
等として有用される。
は、層間絶縁膜、保護膜、マスク材料、ガスバリアー膜
等として有用される。
【００２２】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例を挙げて
説明する。
説明する。
【００２３】実施例１ 反応装置として、アルミニウム製平行平板型電極を有す
る円筒状石英製反応器（２００ｍｍφ×１００ｍｍＨ）
を使用し、表面に石英を誘電体として設置した上部電極
（１００ｍｍφ）を高電圧電極とし、下部電極（１００
ｍｍφ）を設置電極とした。電極間距離は１０ｍｍとし
た。反応装置内のサセプター上にシリコン基板（３イン
チφ）を載置し、該基板を２５０℃に加熱保持した。
る円筒状石英製反応器（２００ｍｍφ×１００ｍｍＨ）
を使用し、表面に石英を誘電体として設置した上部電極
（１００ｍｍφ）を高電圧電極とし、下部電極（１００
ｍｍφ）を設置電極とした。電極間距離は１０ｍｍとし
た。反応装置内のサセプター上にシリコン基板（３イン
チφ）を載置し、該基板を２５０℃に加熱保持した。
【００２４】８０℃に加熱したテトラエトキシシランを
流量１００ｍｌ／ｍｉｎのヘリウムでバブリング（テト
ラエトキシシランとしては４ｍｌ／ｍｉｎ供給に相当）
し、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ／
ｍｉｎと共に上記装置内に導入した。
流量１００ｍｌ／ｍｉｎのヘリウムでバブリング（テト
ラエトキシシランとしては４ｍｌ／ｍｉｎ供給に相当）
し、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ／
ｍｉｎと共に上記装置内に導入した。
【００２５】反応装置内の圧力を８００ｍｍＨｇとし、
高周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー５０Ｗでグロー放電
を発生させ、プラズマ状となし、１分間反応させて、膜
厚０．６μｍの膜を形成した。
高周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー５０Ｗでグロー放電
を発生させ、プラズマ状となし、１分間反応させて、膜
厚０．６μｍの膜を形成した。
【００２６】得られた膜は均一で平坦性に優れ、赤外線
吸収スペクトルで測定した結果、シリコン酸化膜であ
り、エトキシ基、エチル基等の有機成分が残存していな
いことが判明した。
吸収スペクトルで測定した結果、シリコン酸化膜であ
り、エトキシ基、エチル基等の有機成分が残存していな
いことが判明した。
【００２７】比較例１ 原料ガスをモノシランとし、モノシラン１０ｍｌ／ｍｉ
ｎを、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ
／ｍｉｎと共に装置内に導入した他は実施例１と同様に
行った結果、反応装置内には微粒子の発生が観察され、
また形成した膜には、部分的にではあるが、僅かな粗面
および起伏面があった。
ｎを、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ
／ｍｉｎと共に装置内に導入した他は実施例１と同様に
行った結果、反応装置内には微粒子の発生が観察され、
また形成した膜には、部分的にではあるが、僅かな粗面
および起伏面があった。
【００２８】実施例２ 実施例１で用いた反応装置を用い、サセプター上にポリ
エチレンテレフタレートフィルム（５０ｍｍ角）を載置
し、７０℃に加熱保持した。
エチレンテレフタレートフィルム（５０ｍｍ角）を載置
し、７０℃に加熱保持した。
【００２９】５０℃に加熱したトリエトキシシランを流
量１００ｍｌ／ｍｉｎのヘリウムでバブリング（トリエ
トキシシランとしては４ｍｌ／ｍｉｎ供給に相当）した
他は、実施例１と同様にして、原料ガス、ヘリウムおよ
び酸素を上記装置内に導入した。
量１００ｍｌ／ｍｉｎのヘリウムでバブリング（トリエ
トキシシランとしては４ｍｌ／ｍｉｎ供給に相当）した
他は、実施例１と同様にして、原料ガス、ヘリウムおよ
び酸素を上記装置内に導入した。
【００３０】反応装置内の圧力、高周波数およびパワー
を実施例１と同様にして、１０秒間放電し、膜厚０．０
６μｍの膜を形成させた。
を実施例１と同様にして、１０秒間放電し、膜厚０．０
６μｍの膜を形成させた。
【００３１】得られた膜は均一で平坦性に優れ、赤外線
吸収スペクトルで測定した結果、シリコン酸化膜であ
り、エトキシ基、エチル基等の有機成分が残存していな
いことが判明した。
吸収スペクトルで測定した結果、シリコン酸化膜であ
り、エトキシ基、エチル基等の有機成分が残存していな
いことが判明した。
【００３２】比較例２ 原料ガスをモノシランとし、モノシラン１０ｍｌ／ｍｉ
ｎを、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ
／ｍｉｎと共に装置内に導入した他は実施例２と同様に
行った結果、反応装置内には微粒子の発生が観察された
が、膜は形成されなかった。
ｎを、ヘリウム２０００ｍｌ／ｍｉｎと酸素１００ｍｌ
／ｍｉｎと共に装置内に導入した他は実施例２と同様に
行った結果、反応装置内には微粒子の発生が観察された
が、膜は形成されなかった。
【００３３】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、シリコン酸
化膜を、低い温度において大きい成膜速度で得ることが
出来るため、低温で処理すべき下地基材を始め、広範囲
な下地に適用することが出来、しかも得られた膜は均一
で、平坦性に優れ、ステップカバレッジが良好である。
また、反応装置は真空設備が不要で、大気圧の設備で間
に合い、大面積に成膜させることが出来、コスト面でも
安全面でも有利であり、工業的に有利な製造方法であ
る。
化膜を、低い温度において大きい成膜速度で得ることが
出来るため、低温で処理すべき下地基材を始め、広範囲
な下地に適用することが出来、しかも得られた膜は均一
で、平坦性に優れ、ステップカバレッジが良好である。
また、反応装置は真空設備が不要で、大気圧の設備で間
に合い、大面積に成膜させることが出来、コスト面でも
安全面でも有利であり、工業的に有利な製造方法であ
る。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/316 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン酸化膜をプラズマ化学気相堆積
法により製造するに際し、アルコキシシランを原料ガス
として用い、希釈ガスの存在下にかつ圧力１００ｍｍＨ
ｇ〜２気圧において、該膜を形成させることを特徴とす
るシリコン酸化膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33103092A JP2884968B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33103092A JP2884968B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168937A JPH06168937A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2884968B2 true JP2884968B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18239042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33103092A Expired - Lifetime JP2884968B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884968B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2899600B2 (ja) * | 1994-01-25 | 1999-06-02 | キヤノン販売 株式会社 | 成膜方法 |
| JPH0964176A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| TW371796B (en) | 1995-09-08 | 1999-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
| US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
| US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
| US6926926B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
| US8703625B2 (en) * | 2010-02-04 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP33103092A patent/JP2884968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06168937A (ja) | 1994-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7488693B2 (en) | Method for producing silicon oxide film | |
| US7087271B2 (en) | Method for preparing low dielectric films | |
| EP0517548B1 (en) | Chemical vapor deposition method for forming silicon oxide film | |
| EP0104658B1 (en) | Process for forming thin film | |
| JP2697315B2 (ja) | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 | |
| US4845054A (en) | Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films | |
| JP2884968B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| JPH02236282A (ja) | 有機珪素化合物と三弗化窒素を用いた珪素含有被膜の製法 | |
| JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| EP0212691A1 (en) | Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films | |
| EP0617142A1 (en) | Preparation of silica thin films | |
| JP2003530481A (ja) | 無機／有機誘電体フィルムを堆積させるシステム及び方法 | |
| JPH03286531A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| EP0481706B1 (en) | Method of producing CVD silicon oxynitride film | |
| JP2723472B2 (ja) | 基体上に硼燐化シリカガラスを付着する装置および方法 | |
| JPS61232612A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP3003425B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| JP3197008B2 (ja) | 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法 | |
| JPH08115976A (ja) | 低誘電体膜の形成方法 | |
| JP2681481B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JP2620063B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3432013B2 (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| JPH07335643A (ja) | 成膜方法 | |
| Creatore et al. | Expanding thermal plasma deposition of silicon dioxide-like films for microelectronic devices | |
| JPH07335576A (ja) | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080212 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110212 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120212 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 14 |