JP2899600B2 - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法

Info

Publication number
JP2899600B2
JP2899600B2 JP6006381A JP638194A JP2899600B2 JP 2899600 B2 JP2899600 B2 JP 2899600B2 JP 6006381 A JP6006381 A JP 6006381A JP 638194 A JP638194 A JP 638194A JP 2899600 B2 JP2899600 B2 JP 2899600B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
insulating film
silicon
gas
siloxane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6006381A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07211712A (ja
Inventor
和夫 前田
徳 徳増
芳章 湯山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Marketing Japan Inc
Original Assignee
Canon Hanbai KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Hanbai KK filed Critical Canon Hanbai KK
Priority to JP6006381A priority Critical patent/JP2899600B2/ja
Priority to US08/370,247 priority patent/US5554570A/en
Priority to EP95300293A priority patent/EP0664560A3/en
Publication of JPH07211712A publication Critical patent/JPH07211712A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2899600B2 publication Critical patent/JP2899600B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜方法に関し、より
詳しくは、プラズマＣＶＤ法によりシリコン含有絶縁膜
を形成する成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマＣＶＤ法により形成され
るシリコン含有絶縁膜は、一般的に、膜が緻密であり、
水分の透過を抑制でき、かつ膜中の水分の含有が少ない
という長所を有している。このため、ステップカバレー
ジは良いが水分の透過が比較的多い絶縁膜のカバー膜と
して用いられることが多い。
【０００３】以下に、従来例に係るプラズマＣＶＤ法に
よりシリコン含有絶縁膜を形成する成膜方法について説
明する。図１１（ａ）〜（ｃ），図１２は、熱ＣＶＤ法
によるシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法によるシリコ
ン含有絶縁膜で挟む３層構造の層間絶縁膜の形成方法に
適用した例について示す断面図である。この場合、プラ
ズマＣＶＤ装置として平行平板型プラズマＣＶＤ装置を
用いる。
【０００４】図１１（ａ）は、配線層が形成された後で
あって、プラズマＣＶＤ法によりシリコン含有絶縁膜を
形成する前の状態を示す断面図である。図中、１はシリ
コン基板、２はシリコン基板１上の下地絶縁膜、３ａ，
３ｂは下地絶縁膜２上に形成され、所定の間隔で隣接す
る配線層である。以上が被堆積基板４を構成する。この
ような状態で、まず、図１１（ｂ）に示すように、被堆
積基板４を減圧雰囲気中に置いた後、被堆積基板４上方
にSiH4＋N2O の混合ガスからなる反応ガスを導入し、高
周波電力（ＲＦ電力）により反応ガスをプラズマ化す
る。プラズマ化によりN2O は活性化窒素Ｎ* ，活性化酸
素Ｏ* に解離し、SiH4と反応して、配線層３ａ，３ｂを
被覆するSiO x N y 膜からなるシリコン含有絶縁膜５が
形成される。上記のSiO x N y 膜５においては、条件を
制御することによりｘ，ｙを調整して、膜の緻密性等と
密接に関係している屈折率やエッチング速度を制御し、
かつ膜応力等を調整することができる。例えば、屈折率
では1.45〜2.0 の範囲で制御することができ、場合に応
じて調整することができる。
【０００５】次に、図１１（ｃ）に示すように、ＴＥＯ
Ｓ＋Ｏ3 の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法によりシリコン
含有絶縁膜５上にシリコン酸化膜（ＮＳＧ膜と称す
る。）６を形成する。次いで、図１２に示すように、図
１１（ｂ）と同様にして、SiH4＋N2O の混合ガスからな
る反応ガスをプラズマ化して、反応させ、シリコン酸化
膜６上にSiO x N y 膜からなるシリコン含有絶縁膜７を
形成する。
【０００６】ところで、上記により形成されたSiO x N
y 膜５，７はカバレージが悪いため、間隔の狭い配線層
３ａ，３ｂ間の凹部を埋める場合や、配線層３ａ，３ｂ
等凹凸を有する被堆積基板４上に形成する場合には適し
ていない。また、SiH4ガスそのものは危険性が高いガス
として知られている。なお、SiH4＋N2O の混合ガスの代
わりに、SiH4を含む反応ガスとしてSiH4＋O2の混合ガス
を用いることも考えられるが、SiH4＋O2の混合ガスは気
相反応が激しく、プラズマＣＶＤに用いるのは適当では
ない。
【０００７】上記の問題を避けるため、プラズマＣＶＤ
法において、最近では、SiH4を含む反応ガスの代わり
に、ＴＥＯＳを含む反応ガスを用いる場合が多くなって
いる。例えば、ＴＥＯＳ／Ｏ2 系の反応ガスを用いた場
合、SiH4＋N2O の混合ガスを用いた場合と異なり、いか
なる条件を用いてもSiO2膜（シリコン含有絶縁膜）が形
成され、また、安全性が高く、かつ形成される絶縁膜の
ステップカバレージが優れているという特長を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、反応ガスとし
て有機化合物を用いているため形成されるSiO2膜中にカ
ーボンＣが取り込まれること、水分を比較的多く含むこ
と、水分の透過性が高いことが問題となる。また、いか
なる条件を用いてもSiO2膜が形成される反面、屈折率や
膜応力の制御が困難であり、応用面で柔軟性に欠けると
ころがある。例えば、屈折率は常に1.45前後である。
【０００９】更に、図１２（ａ）に示すような熱ＣＶＤ
法によるシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法によるシリ
コン含有絶縁膜で挟む３層構造の層間絶縁膜を形成する
場合、中間層であるＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガスによるシ
リコン酸化膜との相性に関して、ＴＥＯＳ／Ｏ2 系ガス
によるシリコン含有絶縁膜はSiH4＋N2O の混合ガスによ
るシリコン含有絶縁膜５，７ほど良くない。
【００１０】即ち、熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を
ＴＥＯＳ／Ｏ2 系の反応ガスによるシリコン含有絶縁膜
の上に形成する場合、シリコン基板上に直接形成する場
合と比較して成膜レートが低くなり、かつムラが生じ
る。このため、熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の異常
成長が起きやすい。また、ＴＥＯＳ／Ｏ2 系の反応ガス
によるシリコン含有絶縁膜上では熱ＣＶＤ法によるシリ
コン酸化膜のステップカバレージが悪化し、そのような
シリコン含有絶縁膜で被覆された配線層間等の凹部でボ
イドが発生し易くなる。
【００１１】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、安全性の高い反応ガスを用いて、
膜質が緻密で、膜中の水分，カーボンその他の有機残留
物の含有量が少なく、カバレージが良く、かつ熱ＣＶＤ
法によるシリコン酸化膜との相性の良い絶縁膜を形成す
ることが可能で、形成される絶縁膜の屈折率や応力等の
制御が可能なプラズマＣＶＤ法による成膜方法を提供す
ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の発明
である、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシシランとＮ２
Ｏとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、屈折率
１．４８〜１．５６を有するシリコンを含有する下地絶
縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、前記下地絶縁膜
上に他の絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴と
する成膜方法によって解決され、 第２の発明である、前記アルコキシシランは、一般式
（ＲＯ）ｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表されるもの
であり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又はその
誘導体であることを特徴とする第１の発明に記載の成膜
方法によって解決され、 第３の発明である、Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサンと
Ｎ２Ｏガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応さ
せ、屈折率１．４８〜１．５６を有するシリコンを含有
する下地絶縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、前記
下地絶縁膜上に他の絶縁膜を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする成膜方法によって解決され、 第４の発明である、前記シロキサンは、一般式ＲｎＨ
３−ｎＳｉＯ（ＲｋＨ２−ｋＳｉＯ）ｍＳｉＨ３−ｎＲ
ｎ（ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧０）で表される鎖状
シロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール
基又はその誘導体であることを特徴とする第３の発明に
記載の成膜方法によって解決され、 第５の発明である、前記シロキサンは、一般式（ＲＯ）
ｎＨ３−ｎＳｉＯＳｉＨ３−ｎ（ＯＲ）ｎ（ｎ＝１，
２）で表される鎖状シロキサンの誘導体であり、かつ前
記Ｒはアルキル基又はアリール基であることを特徴とす
る第３の発明に記載の成膜方法によって解決され、 第６の発明である、前記シロキサンは、一般式（ＲｋＨ
２−ｋＳｉＯ）ｍ（ｋ＝１；ｍ≧２）で表される環状シ
ロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基
又はその誘導体であることを特徴とする第３の発明に記
載の成膜方法によって解決され、 第７の発明である、Ｓｉ−Ｈ結合を有する有機化合物と
Ｎ２Ｏガスとを含む第１の反応ガスをプラズマ化して反
応させ、屈折率１．４８〜１．５６を有するシリコンを
含有する下地絶縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、
シリコンを含有する有機化合物と酸素含有ガスとを含む
第２の反応ガスに熱を加えて反応させ、シリコンを含有
する絶縁膜を前記下地絶縁膜上に形成する工程とを有す
ることを特徴とする成膜方法によって解決され、 第８の発明である、前記第２の反応ガスはＴＥＯＳ＋Ｏ
３であることを特徴とする第７の発明に記載の成膜方法
によって解決され、 第９の発明である、前記第１の反応ガスに含まれるＳｉ
−Ｈ結合を有する有機化合物は、アルキルシラン，アリ
ールシラン，アルコキシシラン及びシロキサンのうちい
ずれかであることを特徴とする第７又は第８の発明に記
載の成膜方法によって解決され、 第１０の発明である、前記アルキルシラン又はアリール
シランは、一般式ＲｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表
されるものであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール
基又はその誘導体であることを特徴とする第９の発明に
記載の成膜方法によって解決され、 第１１の発明である、前記アルコキシシランは、一般式
（ＲＯ）ｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表されるもの
であり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又はその
誘導体であることを特徴とする第９の発明に記載の成膜
方法によって解決され、 第１２の発明である、前記シロキサンは、一般式ＲｎＨ
３−ｎＳｉＯ（ＲｋＨ２−ｋＳｉＯ）ｍＳｉＨ３−ｎＲ
ｎ（ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧０）で表される鎖状
シロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール
基又はその誘導体であることを特徴とする第９の発明に
記載の成膜方法によって解決され、 第１３の発明である、前記シロキサンは、一般式（Ｒ
Ｏ）ｎＨ３−ｎＳｉＯＳｉＨ３−ｎ（ＯＲ）ｎ（ｎ＝
１，２）で表される鎖状シロキサンの誘導体であり、か
つ前記Ｒはアルキル基又はアリール基であることを特徴
とする第９の発明に記載の成膜方法によって解決され、 第１４の発明である、前記シロキサンは、一般式（Ｒｋ
Ｈ２−ｋＳｉＯ）ｍ（ｋ＝１；ｍ≧２）で表される環状
シロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール
基又はその誘導体であることを特徴とする第９の発明に
記載の成膜方法によって解決される。
【００１３】
【作用】本発明の成膜方法においては、プラズマＣＶＤ
法の反応ガスとしてＳｉ−Ｈ結合を有する有機化合物と
Ｎ２Ｏを含む混合ガスを用いている。Ｓｉ−Ｈ結合を有
する有機化合物、例えば、アルキルシラン或いはアリー
ルシラン、アルコキシシラン、鎖状シロキサン又は環状
シロキサン等は、ＳｉＨ４ほどの反応性はなく、安全性
が高い。また、常温で液体のものが多く、取り扱いが容
易である。
【００１４】また、反応ガス中に含まれるＳｉ−Ｈ結合
は、プラズマ分解において発生する酸素又は酸化性ガス
中のＯ２やＮ２Ｏ等のガスを取り込んで系外に持ち出す
作用があり、形成された下地絶縁膜は酸素不足の状態に
なる。この状態では、下地絶縁膜にＳｉが過剰に含まれ
るようになるため、下地絶縁膜は緻密化し、かつ下地絶
縁膜の上に積層する他の絶縁膜の適合性が向上する。下
地絶縁膜の屈折率はＳｉが過剰になるほど大きくなる
が、特に、緻密化に関しては、屈折率１．４８以上が好
ましく、このような屈折率を有する下地絶縁膜上に他の
絶縁膜を積層したとき、他の絶縁膜中に多量の水分や不
純物が含まれていても、緻密な下地絶縁膜によりそれら
の水分や不純物が被堆積基板に侵入するのを防止するこ
とができる。また、適合性に関しては、屈折率１．４８
乃至１．５６の範囲が好ましい。このような屈折率を有
する下地絶縁膜上に他の絶縁膜を積層したとき、成膜レ
ート比が１に近くなり、適合性が向上する。特に、上記
下地絶縁膜とＴＥＯＳ＋Ｏ３の混合ガスを用いた熱ＣＶ
Ｄ法によるシリコン酸化膜との適合性は大幅に改善され
る。
【００１５】更に、酸化性ガスとして窒素を含むガスを
用いた場合、形成される絶縁膜中に取り込まれる窒素の
量を調整することにより、形成される絶縁膜の屈折率や
応力等を調整することができる。また、実験によれば、
上記の反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成さ
れる絶縁膜は、水分やカーボンその他の有機残留物の含
有量が少なく、カバレージが良い。
【００１６】上記の作用・効果を奏するＳｉ−Ｈ結合を
有する有機化合物には、例えば、次のようなものがあ
る。 １．アルキルシラン又はアリールシラン：Ｒn SiH
4-n（ｎ＝１〜３） ２．アルコキシシラン：(RO)n SiH4-n（ｎ＝１〜３） ３．鎖状シロキサン：Ｒn H3-nSiO (Rk H2-kSiO)m SiH
3-nＲn （ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧０） ４．環状シロキサン：(Rk H2-kSiO)m （ｋ＝１；ｍ≧
２） 但し、いずれの一般式中のＲもアルキル基，アリール基
又はその誘導体を表す。
【００１７】また、酸化性ガスとして、上記それぞれの
有機化合物との組み合わせに適したガスが用いられる。
即ち、上記全ての有機化合物に対してＮ２Ｏが用いられ
る。
【００１８】以上のように、本発明のプラズマＣＶＤ法
による成膜方法において、安全性の高い反応ガスを用い
て、膜質が緻密で、膜中の水分やカーボンその他の有機
残留物の含有量が少なく、カバレージが良く、かつ熱Ｃ
ＶＤ法によるシリコン酸化膜との相性の良いシリコン含
有絶縁膜を形成することが可能となり、また、形成され
るシリコン含有絶縁膜の屈折率等の制御が可能となる。
【００１９】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
係るプラズマＣＶＤ法による成膜方法について説明す
る。 （１）本発明の実施例に係るプラズマＣＶＤ法による成
膜方法に用いられる反応ガスについての説明 （ｉ）Ｓｉ−Ｈ結合を有する有機化合物の具体例 （Ａ）アルキルシラン又はアリールシラン：Ｒn SiH4-n
（ｎ＝１〜３） 但し、一般式中のＲはアルキル基，アリール基又はその
誘導体を表す。アルキル基は一般式Ｃn H2n+1 で表さ
れ、アリール基は芳香族炭化水素の核から水素１原子を
除いた残余の総称をいい、ベンゼンからフェニル基C6H5
- ，トルエンからトリル基CH3C6H4-，キシレンからキシ
レル基(CH3)2C6H3- ，ナフタリンからナフチル基C10H4-
が誘導される。また、誘導体は、有機化合物の分子内の
小部分の変化によって生成する有機化合物である。
【００２０】なお、アルキル基Ｃn H2n+1 のｎの範囲は
５以下であることが好ましく、特に蒸気圧の観点からは
ｎは１又は２が最適である。アルキルシランの好適な具
体例を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】これらの誘導体の好適な具体例を表２に示
す。
【００２３】
【表２】
【００２４】アリールシランの好適な具体例を表３に示
す。
【００２５】
【表３】
【００２６】これらの誘導体の好適な具体例を表４に示
す。
【００２７】
【表４】
【００２８】（Ｂ）アルコキシシラン：(RO)n SiH
4-n（ｎ＝１〜３） 但し、一般式中のＲはアルキル基，アリール基又はその
誘導体を表す。アルコキシシランの好適な具体例を以下
に示す。 トリメトキシシラン（Trimethoxysilane:(CH3O)3SiH
） 分子量122.2 ，沸点８６℃を有する無色透明の液体で、
引火性はあるが、SiH4のような爆発性や自燃性はなく、
ＴＥＯＳと同様に扱うことができる。
【００２９】次の構造式を有する。
【００３０】
【化１】
【００３１】トリエトキシシラン（Triethoxysilane:
(C2H5O)3SiH ） 沸点131.5 ℃，融点−１７０℃を有し、次の構造式を有
する。
【００３２】
【化２】
【００３３】以上を含むアルコキシシランとその誘導体
の好適な具体例をまとめると、次の表５のようになる。
【００３４】
【表５】
【００３５】（Ｃ）鎖状シロキサン：Ｒn H3-nSiO (Rk
H2-kSiO)m SiH3-nＲn （ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧
０） 但し、一般式中のＲはアルキル基，アリール基又はその
誘導体を表す。 （ａ）ジシロキサン：Ｒn H3-nSiOSiH3-n Ｒn （ｎ＝
１，２） ジシロキサンは鎖状シロキサンの一般式においてｍ＝０
の場合を示す。なお、ジシロキサンの誘導体として一般
式(RO)n H3-nSiOSiH3-n (OR)n （ｎ＝１，２）で表すも
のがあり、一般式中のＲはアルキル基，アリール基を表
す。
【００３６】ジシロキサンの好適な具体例を以下に示
す。 テトラメチルジシロキサン（Tetramethyldisiloxane:
(CH3)2HSiOSiH(CH3)2） 沸点７０〜７１℃を有し、次の構造式を有する。
【００３７】
【化３】
【００３８】テトラエチルジシロキサン（Tetraethyl
disiloxane:(C2H5)2HSiOSiH(C2H5)2） 次の構造式を有する。
【００３９】
【化４】
【００４０】ジシロキサンの誘導体の好適な具体例を以
下に示す。次の構造式を有する。
【００４１】
【化５】
【００４２】
【化６】
【００４３】（ｂ）鎖状シロキサン：Ｒn H3-nSiO (Rk
H2-kSiO)m SiH3-nＲn （ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧
１） ジシロキサン以外の鎖状シロキサンの好適な具体例を以
下に示す。 トリメチルトリシロキサン（Trimethyltrisiloxane:
((CH3)H2SiO((CH3)HSiO)SiH2(CH3) ) 次の構造式を有する。
【００４４】
【化７】
【００４５】ペンタメチルトリシロキサン（Pentamet
hyltrisiloxane:((CH3)2HSiO((CH3)HSiO)SiH(CH3)2) 次の構造式を有する。
【００４６】
【化８】
【００４７】トリエチルトリシロキサン（Triethyltr
isiloxane:((C2H5)H2SiO((C2H5)HSiO)SiH2(C2H5) ) 次の構造式を有する。
【００４８】
【化９】
【００４９】ペンタエチルトリシロキサン（Pentaeth
yltrisiloxane:((C2H5)2HSiO((C2H5)HSiO)SiH(C2H5)2) 次の構造式を有する。
【００５０】
【化１０】
【００５１】（Ｄ）環状シロキサン：(Rk H2-kSiO)
m （ｋ＝１；ｍ≧２） 但し、一般式中のＲもアルキル基，アリール基又はその
誘導体を表す。環状シロキサンの好適な具体例を以下に
示す。 テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：
((CH3)HSiO)4) 沸点134 〜135 ℃，融点−６９℃を有し、次の構造式を
有する。
【００５２】
【化１１】
【００５３】テトラエチルシクロテトラシロキサン
（ＴＥＣＴＳ：((C2H5)HSiO)4) 次の構造式を有する。
【００５４】
【化１２】
【００５５】以上に説明したＳｉ−Ｈ結合を有する有機
化合物、即ちアルキルシラン或いはアリールシラン，ア
ルコキシシラン又はシロキサンは、SiH4ほどの反応性は
なく、安全性が高い。また、常温で液体のものが多く、
取扱が容易である。 （ii）上記それぞれの有機化合物に酸化性ガスを組み合
わせた反応ガスの具体例 上記それぞれの有機化合物に好適な酸化性ガスを組み合
わせた反応ガスの具体例について以下に示す。
【００５６】（Ａ）（ｉ）に記載の（Ａ）の有機化合物
にＯ2 又はＮ2 Ｏを加えた反応ガス （Ｂ）（ｉ）に記載の（Ｂ）の有機化合物にＮ2 Ｏを加
えた反応ガス （Ｃ）（ｉ）に記載の（Ｃ）の有機化合物にＮ2 Ｏを加
えた反応ガス （Ｄ）（ｉ）に記載の（Ｄ）の有機化合物にＮ2 Ｏを加
えた反応ガス なお、酸化性ガスとしてはＯ2 及びＮ2 Ｏの他に、ＮＯ
2 ，ＣＯ，ＣＯ2 及びＨ2 Ｏがあり、これらの酸化性ガ
スのうち少なくともいずれか一つを（ｉ）に記載の
（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかの有機化合物と適宜組み合わ
せて用いることができる。なお、６種類の酸化性ガスの
組合せとして８３通りがあり、この組合せのうちの一つ
と上記の有機化合物のいずれかとを組み合わせることが
できる。 （２）半導体装置への適用例についての説明 （ｉ）プラズマＣＶＤ装置についての説明 図３は、本発明の実施例の成膜方法に用いられる平行平
板型プラズマＣＶＤ装置について示す構成図である。
【００５７】図３中、２１はチャンバ、22ａ，22ｂは対
向して設けられた対の電極である。電極22ａ，22ｂ間に
高周波電力（ＲＦ電力）が印加されて、電極22ａ，22ｂ
間に導入された反応ガスをプラズマ化する。接地される
方の電極22ａは被堆積基板１４の載置台を兼ねている。
一方、高周波電源（ＲＦ電源）２３が接続される方の電
極22ｂは反応ガスを放出するシャワーヘッドを兼ねてい
る。反応ガスはシャワーヘッド22ｂと接続されたガス導
入口２４から導入される。
【００５８】また、電極22ａには被堆積基板１４を加熱
する不図示のヒータが内蔵され、このヒータへの電力供
給配線２５に電源が接続される。２６は使用済みのガス
及び不要な反応ガスを排出し、チャンバ２１内を所定の
圧力に保持するため、不図示の排気装置が接続される排
気口である。 （ii）本発明の実施例の成膜方法についての説明 （Ａ）第１の実施例 図１（ａ）〜（ｃ），図２は本発明の第１の実施例に係
るプラズマＣＶＤ法による成膜方法について示す断面図
である。
【００５９】プラズマＣＶＤ装置として上記の平行平板
型プラズマＣＶＤ装置を用い、反応ガスとしてアルコキ
シシランのうちトリメトキシシラン（Trimethoxysilan
e:(CH 3O)3SiH ）を用いて説明する。図１（ａ）は、配
線層が形成された後であって、プラズマＣＶＤ法により
シリコン含有絶縁膜を形成する前の状態を示す断面図で
ある。図中、１１はシリコン基板、１２はシリコン基板
１１上に形成されたシリコン酸化膜からなる下地絶縁
膜、13ａ，13ｂは下地絶縁膜１２上に形成され、所定の
間隔で隣接する配線層である。以上が被堆積基板１４を
構成する。
【００６０】このような状態で、まず、チャンバ２１内
の電極22ａ上に被堆積基板１４を載置し、チャンバ２１
内を減圧する。また、加熱装置により被堆積基板１４を
加熱し、温度３００〜４００℃に保持する。次いで、流
量１００SCCMのアルゴンガス（キャリアガス）により１
０℃に保温された液状のトリメトキシシランをバブリン
グし、トリメトキシシランを含むアルゴンガスを生成す
る。これに酸化性ガスとして所定の流量のＮ2 Ｏガスを
加えてガス導入口からチャンバ２１内に導入する。この
とき、チャンバ２１内の圧力を約１Torrに保持する。な
お、Ｎ2 Ｏガスの流量は実験のため、種々変化させる。
【００６１】次に、電極22ａ，22ｂ間に周波数13.56MHz
又は１００kHz ，パワー４００Ｗの高周波電力を供給す
る。これにより、電極22ａ，22ｂ間の反応ガスをプラズ
マ化する。プラズマ化によりN2O は活性化窒素Ｎ* ，活
性化酸素Ｏ* に解離し、Si-Hと反応して、図１（ｂ）に
示すように、配線層13ａ，13ｂを被覆するSiO x N y 膜
（シリコン含有絶縁膜）１５が形成される。
【００６２】このとき、反応ガスに含まれるSi-H結合
は、プラズマ分解において発生する酸素又は酸化性ガス
中のＯ2 やＮ2 Ｏ等のガスを取り込んで系外に持ち出す
作用があり、形成されたSiO x N y 膜１５は酸素不足の
状態になる。この状態では、SiO x N y 膜１５にはＳｉ
が過剰に含まれるようになるため、SiO x N y 膜１５は
緻密化し、屈折率はＳｉの量によって可変となる。ま
た、Ｓｉを過剰な状態とすることにより、ＴＥＯＳ＋Ｏ
3 の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜
との適合性も高くなる。
【００６３】更に、酸化性ガスとして窒素を含むガスを
用いた場合、形成されるSiO x N y膜１４中に取り込ま
れる窒素の量を調整することにより、形成されるSiO x
N y膜１４の屈折率や応力等を調整することができる。
また、ＴＥＯＳ＋Ｏ2 の混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法による場合と同じようにSiO x N y 膜１４のステッ
プカバレージは良い。
【００６４】次いで、図１（ｃ）に示すように、熱ＣＶ
Ｄ法によりSiO x N y 膜１５上にシリコン酸化膜１６を
形成する。即ち、常圧雰囲気中に被堆積基板１４を置
き、基板温度を約４００℃に保持した状態で、キャリア
ガスにより運ばれるＴＥＯＳに濃度６％の割合でＯ3 を
含むＯ3 ＋Ｏ2 ガスを添加した反応ガスを導入すること
により、反応ガスを熱的に分解し、反応させて、SiO x
N y 膜１５上にシリコン酸化膜１６を形成する。このと
き、下地のSiO x N y 膜１５はＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガ
スを用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜１６との適
合性が良いので、シリコン酸化膜１６の成膜レートが均
一となり、異常成長が抑制され、かつシリコン酸化膜１
６のステップカバレージもよい。
【００６５】その後、図２に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法により上記と同様な条件で、シリコン酸化膜１６上
にSiO x N y 膜（シリコン含有絶縁膜）１７を形成する
と、３層構造の層間絶縁膜が完成する。次に、上記で形
成されたSiO x N y 膜１５，１７について、成膜速度，
屈折率，含有水分量及び応力を調査した結果について説
明する。
【００６６】シリコン含有絶縁膜（SiO x N y 膜）１
５，１７の作成条件は、 反応ガス：(CH3O)3SiH（Ａｒ）＋N2O ガス圧力：１ Torr 基板温度：４００ ℃ ＲＦ周波数：13.56 ＭＨｚ ＲＦ電力：４００ Ｗ 屈折率：1.493である。
【００６７】また、シリコン酸化膜１６の作成条件は、 反応ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ2 ）＋Ｏ3 ／Ｏ2 （Ｏ3 濃度６
％） ガス圧力：常圧 基板温度：４００℃である。
【００６８】〔成膜レート〕８００〜1500Å／分 〔応力〕応力測定結果によれば、印加電力周波数13.56M
Hzの条件で作成されたものでは、５〜１０×１０8 dyne
/cm2（引張応力）となり、印加電力周波数100kHzの条件
で作成されたものでは、５〜１０×１０8 dyne/cm2（圧
縮応力）となった。
【００６９】反応ガスをプラズマ化するための印加電力
周波数により応力の種類が異なることが分かった。な
お、圧縮応力となる方が、膜質が緻密であるといえる。
上記の結果より、反応ガスをプラズマ化するための印加
電力周波数は100kHzの条件の方がより好ましい。 〔水分含有量〕図４はSiO x N y 膜１５，１７中の水分
含有量を赤外線吸収スペクトル法により調査した結果に
ついて示す特性図である。
【００７０】図４において、縦軸は比例目盛りで示され
た吸収強度を表し、横軸は比例目盛りで示された波数
（ｃｍ-1）を表す。結果によれば、水分を示すピークは
全く現れなかった。このようにSiO x N y膜１５，１７
中の水分含有量は極めて少ないことが分かった。 〔屈折率〕図５はSiO x N y 膜１５，１７の屈折率のＮ
2 Ｏ含有ガス流量依存性について示す特性図である。屈
折率の高低は、膜質の緻密性の評価の目安となり、また
熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜との適合性の評価の目
安となる。
【００７１】図５において、縦軸は比例目盛りで示され
た屈折率を表し、横軸は比例目盛りで示されたＮ2 Ｏ含
有ガス流量（sccm）を表す。結果によれば、Ｎ2 Ｏ含有
ガス流量に反比例して屈折率が変化しており、流量範囲
200 〜1200sccmで屈折率は1.58〜1.46程度変化する。こ
のように、Ｎ2 Ｏ含有ガス流量の調整により、屈折率を
制御することができる。なお、屈折率が高くなるほど、
膜質が緻密であることを示し、また、次に示す熱ＣＶＤ
法によるシリコン酸化膜１６との適合性が良くなる傾向
がある。
【００７２】〔熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜との適
合性〕図６は熱ＣＶＤによるシリコン酸化膜の成膜レー
トの屈折率依存性について示す特性図である。熱ＣＶＤ
法によるシリコン酸化膜をシリコン基板上に直接形成し
た場合の成膜レートに対するプラズマＣＶＤ法によるSi
O x N y 膜１５上に形成された熱ＣＶＤ法によるシリコ
ン酸化膜１６の成膜レートの比（Ｒｄ）を評価すること
により、プラズマＣＶＤ法によるSiO x N y 膜１５と熱
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜１６との適合性を評価す
ることができる。Ｒｄが１に近いほど適合性が良いとい
える。
【００７３】図６において、縦軸は比例目盛りで示され
た成膜レート比（Ｒｄ）を表し、横軸は比例目盛りで示
された屈折率を表す。結果によれば、屈折率約1.46で成
膜レート比は約0.9 であったが、屈折率が約1.48〜1.56
の範囲で成膜レート比はほぼ１となり、屈折率が1.58で
成膜レート比は1.1 に近づいた。これはTEOS＋O2の混合
ガスによるSiO2膜と比較して適合性が大幅に向上し、Si
H4＋N2O の混合ガスによるSiO x N y 膜と同じ位適合性
が高いことを示している。
【００７４】以上のように、本発明の実施例によれば、
反応ガスに含まれるSi-H結合は、プラズマ分解において
発生する酸素又は酸化性ガス中のＯ2 やＮ2 Ｏ等のガス
を取り込んで系外に持ち出す作用があり、形成されたシ
リコン含有絶縁膜１５，１７は酸素不足の状態になる。
この状態では、シリコン含有絶縁膜１５，１７中にはシ
リコン原子が過剰に含まれるようになるため、シリコン
含有絶縁膜１５，１７は緻密化し、屈折率はシリコン原
子の量によって調整可能となる。また、シリコン原子を
過剰な状態とすることにより、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガ
スを用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜１６との適
合性も高くなる。
【００７５】更に、酸化性ガスとして窒素を含むガスを
用いた場合、窒素の存在により形成されるシリコン含有
絶縁膜１５，１７の屈折率や応力等を調整することがで
きる。また、上記の反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法
により形成されるシリコン含有絶縁膜１５，１７は、水
分やカーボンその他の有機残留物の含有量が少なく、カ
バレージが良い。
【００７６】以上のように、本発明のプラズマＣＶＤ法
による成膜方法において、安全性の高い反応ガスを用い
て、膜質が緻密で、膜中に水分やカーボンその他の有機
残留物の含有量が少なく、カバレージが良いシリコン含
有絶縁膜１５，１７を形成することが可能となり、ま
た、形成されるシリコン含有絶縁膜１５，１７の屈折率
等の制御が可能となる。
【００７７】（Ｂ）第２の実施例 本発明の第２の実施例に係るプラズマＣＶＤ法による成
膜方法においては、反応ガスとして、トリエトキシシラ
ン（Triethoxysilane:(C2H5O)3SiH ）を用い、第１の実
施例と同様な構成の３層構造の層間絶縁膜を形成した。
シリコン含有絶縁膜（SiO x N y 膜）の作成条件は、 反応ガス：(C2H5O)3SiH （Ａｒ）＋N2O ガス圧力：１ Torr 基板温度：４００ ℃ ＲＦ周波数：13.56 ＭＨｚ ＲＦ電力：４００ Ｗ 屈折率：1.493である。
【００７８】また、シリコン酸化膜の作成条件は、 反応ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ2 ）＋Ｏ3 ／Ｏ2 （Ｏ3 濃度６
％） ガス圧力：常圧 基板温度：４００℃である。
【００７９】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様に、安全性の高い反応ガスを用いて、膜質が緻密
で、膜中に水分やカーボンその他の有機残留物の含有量
が少なく、カバレージが良いシリコン含有絶縁膜を形成
することが可能となり、また、形成されるシリコン含有
絶縁膜の屈折率等の制御が可能となる。 （Ｃ）第３の実施例 本発明の第３の実施例に係るプラズマＣＶＤ法による成
膜方法においては、反応ガスとして、テトラメチルジシ
ロキサン（Tetramethyldisiloxane:(CH3)2HSiOSiH(CH3)
2 ）を用い、第１の実施例と同様な構成の３層構造の層
間絶縁膜を形成した。
【００８０】シリコン含有絶縁膜（SiO x N y 膜）の作
成条件は、 ２１反応ガス：(CH3)2HSiOSiH(CH3)2 （Ａｒ）＋N2O ガス圧力：１ Torr 基板温度：４００ ℃ ＲＦ周波数：13.56 ＭＨｚ ＲＦ電力：４００ Ｗ 屈折率：1.493 である。その他の条件は上記で説明した条件と同じであ
る。
【００８１】また、シリコン酸化膜の作成条件は、 反応ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ2 ）＋Ｏ3 ／Ｏ2 （Ｏ3 濃度６
％） ガス圧力：常圧 基板温度：４００℃ である。その他の条件は上記で説明した条件と同じであ
る。
【００８２】第３の実施例においても、第１の実施例と
同様に、安全性の高い反応ガスを用いて、膜質が緻密
で、膜中に水分やカーボンその他の有機残留物の含有量
が少なく、カバレージが良いシリコン含有絶縁膜を形成
することが可能となり、また、形成されるシリコン含有
絶縁膜の屈折率等の制御が可能となる。 （iii ）比較例 （Ａ）第１の比較例 図７（ａ）は第１の比較例に係るSiH4＋N2O の混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法により作成されたSiO x N y
膜15ａの成膜後の状態を示す断面図である。特に、SiO
x N y 膜15ａの断面形状は強調して描かれている。更
に、図８（ａ）はSiO x N y 膜15ａ上にＴＥＯＳ＋Ｏ3
の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜16
ａを形成したときの断面形状を示す。
【００８３】シリコン含有絶縁膜（SiO x N y 膜）15ａ
の作成条件は、 反応ガス：SiH4＋N2O の混合ガス ガス圧力：１ Torr 基板温度：４００℃ ＲＦ周波数：13.56 ＭＨｚ ＲＦ電力：４００Ｗ 屈折率：1.493である。
【００８４】また、シリコン酸化膜16ａの作成条件は、 反応ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ2 ）＋Ｏ3 ／Ｏ2 （Ｏ3 濃度６
％） ガス圧力：常圧 基板温度：４００℃である。
【００８５】図７（ａ）に示すように、シリコン含有絶
縁膜15ａの断面形状はフロー形状にはならず、かつ配線
層13ｃ，13ｄの上部側壁で厚く被着するため茸状にな
る。従って、配線層13ｃ，13ｄが狭くなるにつれて配線
層13ｃ，13ｄ間の凹部でボイドが生じやすい。また、図
９は、N2O 含有ガスの流量に対する屈折率及び成膜レー
ト（Ｒｄ）比の依存性を示す特性図である。
【００８６】図９において、左の縦軸は比例目盛りで示
された屈折率を表し、右の縦軸は比例目盛りで示された
成膜レート比を表し、横軸は比例目盛りで示されたN2O
ガス流量／SiH4含有ガス流量比を表す。結果によれば、
N2O ガス流量／SiH4含有ガス流量比の小さいところでは
成膜レート比は0.8 程度とＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガスを
用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜16ａとの適合性
が低いが、その流量比の大きいところでは、成膜レート
比はほぼ１になり、シリコン酸化膜16ａとの適合性が高
くなる。その結果、図８（ａ）に示すように、シリコン
酸化膜16ａはフロー形状を有し、ステップカバレージが
向上する。
【００８７】（Ｂ）第２の比較例 図７（ｂ）は第２の比較例に係るTEOS＋O2の混合ガスを
用いたプラズマＣＶＤ法により作成されたシリコン酸化
膜（SiO2膜）15ｂの成膜後の状態を示す断面図である。
特に、シリコン酸化膜15ｂの断面形状は強調して描かれ
ている。更に、図８（ｂ）はＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガス
を用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜16ｂをシリコ
ン酸化膜15ｂ上に形成した後の状態を示す断面図であ
る。特に、シリコン酸化膜16ｂの断面形状は強調して描
かれている。
【００８８】シリコン酸化膜（SiO2膜）15ｂの作成条件
は、 反応ガス：TEOS＋O2の混合ガス ガス圧力：１ Torr 基板温度：４００℃ ＲＦ周波数：13.56 ＭＨｚ ＲＦ電力：４００Ｗ 屈折率：1.45〜1.46である。
【００８９】また、シリコン酸化膜16ｂの作成条件は、 反応ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ2 ）＋Ｏ3 ／Ｏ2 （Ｏ3 濃度６
％） ガス圧力：常圧 基板温度：４００℃である。
【００９０】図７（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜
15ｂの断面形状は、SiH4＋N2O の混合ガスを用いた場合
と同様にフロー形状にはならないが、SiH4＋N2O の混合
ガスを用いた場合と異なり、配線層13ｅ，13ｆの側壁上
及び下地絶縁膜12ｂ上で同じ膜厚となっており、異常成
長は見られない。従って、配線層13ｅ，13ｆが狭くなっ
ても配線層13ｅ，13ｆ間の凹部でボイドが生じにくい。
【００９１】また、図１０は、O2ガス流量／TEOS含有ガ
ス流量比に対する屈折率及び成膜レート比（Ｒｄ）の依
存性を示す特性図である。図１０において、左の縦軸は
比例目盛りで示された屈折率を表し、右の縦軸は比例目
盛りで示された成膜レート比を表し、横軸は比例目盛り
で示されたO2ガス流量／TEOS含有ガス流量比を表す。
【００９２】結果によれば、O2ガス流量／SiH4含有ガス
流量比によらず成膜レート比は0.8程度と１よりかなり
小さく、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法
によるシリコン酸化膜16ｂとの適合性が低いといえる。
従って、図８（ｂ）に示すように、配線層13ｅ，13ｆを
被覆するシリコン酸化膜15ｂ上にＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合
ガスを用いた熱ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜16ｂを形
成した場合、シリコン酸化膜16ｂはフロー形状とはなら
ず、配線層13ｅ，13ｆ間の凹部でボイドが発生し易くな
る。一方、本発明の実施例に係る図１（ｃ）の場合、シ
リコン酸化膜１６はフロー形状を有し、ステップカバレ
ージが優れている。
【００９３】上記の結果を表６にまとめて、第１の実施
例に係るシリコン含有絶縁膜１５又は１７の特性と、上
記第１の比較例に係るシリコン含有絶縁膜15ａ及び第２
の比較例に係るシリコン酸化膜15ｂの特性等について比
較する。
【００９４】
【表６】
【００９５】
【発明の効果】以上のように、本発明の成膜方法におい
ては、プラズマＣＶＤ法の第１の反応ガスとしてＳｉ−
Ｈ結合を有する有機化合物とＮ２Ｏを含む混合ガスを用
いている。Ｓｉ−Ｈ結合を有する有機化合物、例えば、
アルキルシラン或いはアリールシラン、アルコキシシラ
ン、鎖状シロキサン又は環状シロキサン等は、ＳｉＨ４
ほどの反応性はなく、安全性が高い。また、常温で液体
のものが多く、取り扱いが容易である。
【００９６】また、反応ガス中に含まれるＳｉ−Ｈ結合
の作用により、形成された下地絶縁膜はＳｉが過剰に含
まれるようになるため、下地絶縁膜は緻密化し、下地絶
縁膜上に他の絶縁膜を積層したとき、他の絶縁膜中の水
分や不純物の被堆積基板への侵入を防止することができ
る。また過剰なＳｉを含む下地絶縁膜上に他の絶縁膜を
積層したとき、他の絶縁膜との適合性も良くなる。特
に、他の絶縁膜がＴＥＯＳ＋Ｏ３の混合ガスを用いた熱
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜であるとき有効となる。
さらに、酸化性ガスとして窒素を含むガスを用いた場
合、形成される下地絶縁膜中に取り込まれる窒素の量を
調整することにより、形成される下地絶縁膜の屈折率や
応力等を調整することができる。特に、下地絶縁膜の緻
密化に関しては、屈折率１．４８以上が好ましく、下地
絶縁膜とＴＥＯＳ＋Ｏ３の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法
によるシリコン酸化膜との適合性に関しては、下地絶縁
膜の屈折率１．４８乃至１．５６の範囲が好ましい。
【００９７】また、上記の反応ガスを用いたプラズマＣ
ＶＤ法により形成される絶縁膜は、水分やカーボンその
他の有機残留物の含有量が少なく、カバレージが良い。
以上のように、安全性の高い反応ガスを用いて、膜質が
緻密で、膜中に水分やカーボンその他の有機残留物の含
有量が少なく、カバレージが良い絶縁膜を形成すること
が可能となり、また、形成される絶縁膜の屈折率等の制
御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る成膜方法について
示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る成膜方法について
示す断面図（その２）である。
【図３】本発明の実施例に係る成膜方法に用いられるプ
ラズマＣＶＤ装置の構成について示す側面図である。
【図４】本発明の実施例に係る成膜方法により作成され
たシリコン含有絶縁膜中の水分の有無についての調査結
果を示す特性図である。
【図５】本発明の実施例に係る成膜方法により作成され
たシリコン含有絶縁膜の屈折率のN2O 流量依存性を調査
した結果について示す特性図である。
【図６】本発明の実施例に係るシリコン含有絶縁膜の成
膜レート比の屈折率依存性を調査した結果について示す
特性図である。
【図７】比較例に係る成膜方法により作成されたシリコ
ン含有絶縁膜の断面形状について示す断面図である。
【図８】比較例に係るシリコン含有絶縁膜上に形成され
たＴＥＯＳ＋Ｏ3 の混合ガスを用いた熱ＣＶＤ法による
シリコン酸化膜の断面形状について示す断面図である。
【図９】第１の比較例に係るシリコン含有絶縁膜の屈折
率及び成膜レート比のN2O 流量／SiH4含有ガス流量比依
存性について示す特性図である。
【図１０】第２の比較例に係るシリコン含有絶縁膜の屈
折率及び成膜レート比のO2流量／TEOS含有ガス流量比依
存性について示す特性図である。
【図１１】従来例に係る成膜方法について示す断面図
（その１）である。
【図１２】従来例に係る成膜方法について示す断面図
（その２）である。
【符号の説明】
１１，11ａ，11ｂ シリコン基板、 １２，12ａ，12ｂ 下地絶縁膜、 13ａ〜13ｆ 配線層、 １４ 被堆積基板、 １５，15ａ，１７ シリコン含有絶縁膜（SiO x N
y 膜）、 15ｂ シリコン酸化膜（SiO 2 膜）、 １６，16ａ，16ｂ シリコン酸化膜、 ２１ チャンバ、 22ａ，22ｂ 電極、 ２３ 高周波電源（ＲＦ電源）、 ２４ ガス導入口、 ２５ ヒータへの電力供給配線、 ２６ 排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 和夫 東京都港区港南２−13−29 株式会社半 導体プロセス研究所内 (72)発明者 徳増 徳 東京都港区港南２−13−29 株式会社半 導体プロセス研究所内 (72)発明者 湯山 芳章 東京都港区港南２−13−29 株式会社半 導体プロセス研究所内 (56)参考文献 特開 平２−166281（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−245128（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−102534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−234531（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283519（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−168937（ＪＰ，Ａ) 伊藤隆司（外２）電子材料シリーズ 「ＶＬＳＩの薄膜技術」（丸善）（昭61 −９−30）Ｐ．63

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシシラン
    とＮ２Ｏとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、
    屈折率１．４８〜１．５６を有するシリコンを含有する
    下地絶縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、 前記下地絶縁膜上に他の絶縁膜を形成する工程とを有す
    ることを特徴とする成膜方法。
  2. 【請求項２】 前記アルコキシシランは、一般式（Ｒ
    Ｏ）ｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表されるものであ
    り、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導
    体であることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
  3. 【請求項３】 Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサンとＮ２
    Ｏガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、屈
    折率１．４８〜１．５６を有するシリコンを含有する下
    地絶縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、 前記下地絶縁膜上に他の絶縁膜を形成する工程とを有す
    ることを特徴とする成膜方法。
  4. 【請求項４】 前記シロキサンは、一般式ＲｎＨ３−ｎ
    ＳｉＯ（ＲｋＨ２−ｋＳｉＯ）ｍＳｉＨ３−ｎＲｎ（ｎ
    ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧０）で表される鎖状シロキ
    サンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又は
    その誘導体であることを特徴とする請求項３に記載の成
    膜方法。
  5. 【請求項５】 前記シロキサンは、一般式（ＲＯ）ｎＨ
    ３−ｎＳｉＯＳｉＨ３−ｎ（ＯＲ）ｎ（ｎ＝１，２）で
    表される鎖状シロキサンの誘導体であり、かつ前記Ｒは
    アルキル基又はアリール基であることを特徴とする請求
    項３に記載の成膜方法。
  6. 【請求項６】 前記シロキサンは、一般式（ＲｋＨ
    ２−ｋＳｉＯ）ｍ（ｋ＝１；ｍ≧２）で表される環状シ
    ロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基
    又はその誘導体であることを特徴とする請求項３に記載
    の成膜方法。
  7. 【請求項７】 Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシシラン
    とＮ２Ｏとを含む第１の反応ガスをプラズマ化して反応
    させ、屈折率１．４８〜１．５６を有するシリコンを含
    有する下地絶縁膜を被堆積基板上に形成する工程と、 シリコンを含有する有機化合物と酸素含有ガスとを含む
    第２の反応ガスを加熱により反応させ、シリコンを含有
    する絶縁膜を前記下地絶縁膜上に形成する工程とを有す
    ることを特徴とする成膜方法。
  8. 【請求項８】 前記第２の反応ガスはＴＥＯＳ＋Ｏ３で
    あることを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
  9. 【請求項９】 前記第１の反応ガスに含まれるＳｉ−Ｈ
    結合を有する有機化合物は、アルキルシラン，アリール
    シラン，アルコキシシラン及びシロキサンのうちいずれ
    かであることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載
    の成膜方法。
  10. 【請求項１０】 前記アルキルシラン又はアリールシラ
    ンは、一般式ＲｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表され
    るものであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又
    はその誘導体であることを特徴とする請求項９に記載の
    成膜方法。
  11. 【請求項１１】 前記アルコキシシランは、一般式（Ｒ
    Ｏ）ｎＳｉＨ４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表されるものであ
    り、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導
    体であることを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
  12. 【請求項１２】 前記シロキサンは、一般式ＲｎＨ
    ３−ｎＳｉＯ（ＲｋＨ２−ｋＳｉＯ）ｍＳｉＨ３−ｎＲ
    ｎ（ｎ＝１，２；ｋ＝０〜２；ｍ≧０）で表される鎖状
    シロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール
    基又はその誘導体であることを特徴とする請求項９に記
    載の成膜方法。
  13. 【請求項１３】 前記シロキサンは、一般式（ＲＯ）ｎ
    Ｈ３−ｎＳｉＯＳｉＨ３−ｎ（ＯＲ）ｎ （ｎ＝１，２）で表される鎖状シロキサンの誘導体であ
    り、かつ前記Ｒはアルキル基又はアリール基であること
    を特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
  14. 【請求項１４】 前記シロキサンは、一般式（ＲｋＨ
    ２−ｋＳｉＯ）ｍ（ｋ＝１；ｍ≧２）で表される環状シ
    ロキサンであり、かつ前記Ｒはアルキル基，アリール基
    又はその誘導体であることを特徴とする請求項９に記載
    の成膜方法。
JP6006381A 1994-01-25 1994-01-25 成膜方法 Expired - Fee Related JP2899600B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6006381A JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1994-01-25 成膜方法
US08/370,247 US5554570A (en) 1994-01-25 1995-01-09 Method of forming insulating film
EP95300293A EP0664560A3 (en) 1994-01-25 1995-01-18 Method of forming an insulating layer.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6006381A JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1994-01-25 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07211712A JPH07211712A (ja) 1995-08-11
JP2899600B2 true JP2899600B2 (ja) 1999-06-02

Family

ID=11636813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6006381A Expired - Fee Related JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1994-01-25 成膜方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5554570A (ja)
EP (1) EP0664560A3 (ja)
JP (1) JP2899600B2 (ja)

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3495116B2 (ja) * 1994-10-31 2004-02-09 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 撥水性薄膜およびその製造方法
EP0720223B1 (en) * 1994-12-30 2003-03-26 STMicroelectronics S.r.l. Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers
US6255718B1 (en) 1995-02-28 2001-07-03 Chip Express Corporation Laser ablateable material
US6903007B1 (en) * 1995-06-07 2005-06-07 Advanced Micro Devices, Inc. Process for forming bottom anti-reflection coating for semiconductor fabrication photolithography which inhibits photoresist footing
JP3061255B2 (ja) * 1995-08-18 2000-07-10 キヤノン販売株式会社 成膜方法
JPH09115903A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH1027792A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3173426B2 (ja) * 1997-06-09 2001-06-04 日本電気株式会社 シリカ絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
US5883015A (en) * 1997-07-03 1999-03-16 Mosel Vitelic Inc. Method for using oxygen plasma treatment on a dielectric layer
US5939141A (en) * 1997-08-11 1999-08-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Waterproof silicone coatings of thermal insulation and vaporization method
US6432846B1 (en) * 1999-02-02 2002-08-13 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
US6383955B1 (en) 1998-02-05 2002-05-07 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
TW437017B (en) 1998-02-05 2001-05-28 Asm Japan Kk Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof
US6881683B2 (en) 1998-02-05 2005-04-19 Asm Japan K.K. Insulation film on semiconductor substrate and method for forming same
US6514880B2 (en) 1998-02-05 2003-02-04 Asm Japan K.K. Siloxan polymer film on semiconductor substrate and method for forming same
US6852650B2 (en) * 1998-02-05 2005-02-08 Asm Japan K.K. Insulation film on semiconductor substrate and method for forming same
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
JP2994616B2 (ja) * 1998-02-12 1999-12-27 キヤノン販売株式会社 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法
US6149987A (en) 1998-04-07 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Method for depositing low dielectric constant oxide films
US6667553B2 (en) 1998-05-29 2003-12-23 Dow Corning Corporation H:SiOC coated substrates
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6086952A (en) * 1998-06-15 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of a copolymer of p-xylylene and a multivinyl silicon/oxygen comonomer
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
US6800571B2 (en) * 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6245690B1 (en) * 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
JP3251554B2 (ja) * 1998-12-04 2002-01-28 キヤノン販売株式会社 成膜方法及び半導体装置の製造方法
US6362115B1 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Applied Materials, Inc. In-situ generation of p-xylyiene from liquid precursors
US6399489B1 (en) 1999-11-01 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Barrier layer deposition using HDP-CVD
JP3348084B2 (ja) 1999-12-28 2002-11-20 キヤノン販売株式会社 成膜方法及び半導体装置
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
DE10010286A1 (de) 2000-02-25 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Auffüllen von Vertiefungen in einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur und eine auf diese Weise aufgefüllte Halbleiterstruktur
JP2001291713A (ja) * 2000-04-07 2001-10-19 Canon Sales Co Inc 成膜方法及び半導体装置
JP3600507B2 (ja) * 2000-05-18 2004-12-15 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2002009069A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Canon Sales Co Inc 成膜方法
US7122900B2 (en) 2000-06-26 2006-10-17 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and method manufacturing the same
US6835669B2 (en) * 2000-07-21 2004-12-28 Canon Sales Co., Inc. Film forming method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
KR100486333B1 (ko) * 2000-07-21 2005-04-29 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US6753270B1 (en) 2000-08-04 2004-06-22 Applied Materials Inc. Process for depositing a porous, low dielectric constant silicon oxide film
US6573196B1 (en) * 2000-08-12 2003-06-03 Applied Materials Inc. Method of depositing organosilicate layers
US6753258B1 (en) 2000-11-03 2004-06-22 Applied Materials Inc. Integration scheme for dual damascene structure
US6905981B1 (en) 2000-11-24 2005-06-14 Asm Japan K.K. Low-k dielectric materials and processes
US6458218B1 (en) * 2001-01-16 2002-10-01 Linamar Corporation Deposition and thermal diffusion of borides and carbides of refractory metals
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
JP4466809B2 (ja) * 2001-07-18 2010-05-26 日本電気株式会社 シリコン絶縁膜とその製造方法ならびにシリコンダングリングボンドの終端方法
US6762127B2 (en) 2001-08-23 2004-07-13 Yves Pierre Boiteux Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials
CN1305119C (zh) * 2001-08-30 2007-03-14 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
US6926926B2 (en) * 2001-09-10 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias
US6759327B2 (en) 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
JP3701626B2 (ja) * 2001-12-06 2005-10-05 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造方法
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US7091137B2 (en) * 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
JP4090766B2 (ja) * 2002-03-19 2008-05-28 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US20030194495A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US7060330B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US6818966B2 (en) * 2002-09-20 2004-11-16 Texas Instruments Incorporated Method and structure for controlling surface properties of dielectric layers in a thin film component for improved trimming
US7749563B2 (en) * 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
US6913992B2 (en) 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
US20040253378A1 (en) * 2003-06-12 2004-12-16 Applied Materials, Inc. Stress reduction of SIOC low k film by addition of alkylenes to OMCTS based processes
US20050037153A1 (en) * 2003-08-14 2005-02-17 Applied Materials, Inc. Stress reduction of sioc low k films
US7345000B2 (en) * 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
US7553769B2 (en) * 2003-10-10 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method for treating a dielectric film
US7030041B2 (en) 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US20050214457A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US7229911B2 (en) 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7229041B2 (en) * 2004-06-30 2007-06-12 Ohio Central Steel Company Lifting lid crusher
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US7115525B2 (en) 2004-09-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication
US7390746B2 (en) * 2005-03-15 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process
JP2007059705A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Seiko Epson Corp キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法
US8123968B2 (en) 2005-08-25 2012-02-28 Round Rock Research, Llc Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process
US20070134435A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ahn Sang H Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films
US7371695B2 (en) * 2006-01-04 2008-05-13 Promos Technologies Pte. Ltd. Use of TEOS oxides in integrated circuit fabrication processes
JP4535505B2 (ja) * 2006-02-10 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20070287301A1 (en) * 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US7297376B1 (en) 2006-07-07 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US20120015113A1 (en) * 2010-07-13 2012-01-19 Applied Materials, Inc. Methods for forming low stress dielectric films
CN102446753A (zh) * 2011-09-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法
CN102543715A (zh) * 2012-02-28 2012-07-04 上海华力微电子有限公司 无氮介电抗反射薄膜的制作方法
US10373995B2 (en) * 2014-09-19 2019-08-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending using tension
US10304900B2 (en) 2015-04-02 2019-05-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature
WO2020219087A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 Applied Materials, Inc. Moisture barrier film having low refraction index and low water vapor tramission rate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282268A (en) * 1977-05-04 1981-08-04 Rca Corporation Method of depositing a silicon oxide dielectric layer
US4168330A (en) * 1977-10-13 1979-09-18 Rca Corporation Method of depositing a silicon oxide layer
JPS60245128A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Canon Inc 堆積膜の形成方法
US4708884A (en) * 1984-07-11 1987-11-24 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication
JPS61234531A (ja) * 1985-04-11 1986-10-18 Canon Inc シリコン酸化物の作製方法
ZA884511B (en) * 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
US4877641A (en) * 1988-05-31 1989-10-31 Olin Corporation Process for plasma depositing silicon nitride and silicon dioxide films onto a substrate
JPH0793298B2 (ja) * 1988-10-11 1995-10-09 日本電気株式会社 半導体装置の形成方法
JP2800210B2 (ja) * 1988-12-19 1998-09-21 セイコーエプソン株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
JPH0680657B2 (ja) * 1989-12-27 1994-10-12 株式会社半導体プロセス研究所 半導体装置の製造方法
JPH0740569B2 (ja) * 1990-02-27 1995-05-01 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション Ｅｃｒプラズマ堆積方法
US5120680A (en) * 1990-07-19 1992-06-09 At&T Bell Laboratories Method for depositing dielectric layers
US5040046A (en) * 1990-10-09 1991-08-13 Micron Technology, Inc. Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby
MX9303141A (es) * 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
JP3190745B2 (ja) * 1992-10-27 2001-07-23 株式会社東芝 気相成長方法
JP2884968B2 (ja) * 1992-11-17 1999-04-19 東亞合成株式会社 シリコン酸化膜の製造方法
JPH06283519A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
伊藤隆司（外２）電子材料シリーズ「ＶＬＳＩの薄膜技術」（丸善）（昭６１−９−３０）Ｐ．６３

Also Published As

Publication number Publication date
EP0664560A3 (en) 1997-10-22
US5554570A (en) 1996-09-10
JPH07211712A (ja) 1995-08-11
EP0664560A2 (en) 1995-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2899600B2 (ja) 成膜方法
KR20210043460A (ko) 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
JP3762304B2 (ja) 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
US6531412B2 (en) Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications
US4845054A (en) Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films
US7399697B2 (en) Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
JP2001298024A (ja) 低比誘電率材料及びプロセス
EP2082078A2 (en) Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for sti: usage of different siloxane-based precursors for harp ii - remote plasma enhanced deposition processes
US6858195B2 (en) Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material
US6572925B2 (en) Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon containing silicon oxide dielectric material
JPH0732151B2 (ja) 二酸化シリコン膜の低温化学蒸着
JP3463416B2 (ja) 絶縁膜の製造方法および半導体装置
US6410770B2 (en) Chloride-free process for the production of alkylsilanes suitable for microelectronic applications
Barron CVD of SiO2 and related materials: An overview
Hochberg et al. The LPCVD of silicon oxide films below 400 C from liquid sources
US7015168B2 (en) Low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation
KR100339820B1 (ko) 성막방법 및 반도체장치의 제조방법
JP2022547588A (ja) モノアルコキシシラン及びジアルコキシシラン、並びにそれらから作られる高密度の有機シリカ膜
JPH11105187A (ja) 高純度シリカ質膜の形成方法及び高純度シリカ質膜
JP2004015034A (ja) 成膜方法、成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法
JP3017627B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH07193129A (ja) 半導体装置の製造方法
US20010036754A1 (en) Film forming method and manufacturing method of semiconductor device
JPH09293716A (ja) フッ素含有絶縁膜の形成方法
JPH06283519A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19961029

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S202 Request for registration of non-exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

S805 Written request for registration of cancellation of non-exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315805

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

S805 Written request for registration of cancellation of non-exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315805

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319

Year of fee payment: 11

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees