JP3701626B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3701626B2 JP3701626B2 JP2002127388A JP2002127388A JP3701626B2 JP 3701626 B2 JP3701626 B2 JP 3701626B2 JP 2002127388 A JP2002127388 A JP 2002127388A JP 2002127388 A JP2002127388 A JP 2002127388A JP 3701626 B2 JP3701626 B2 JP 3701626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- electrode
- forming
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 284
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 73
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 45
- -1 alkyl compound Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 25
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 18
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 12
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 229910002656 O–Si–O Inorganic materials 0.000 claims description 11
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 58
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 54
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 43
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 41
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 15
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31633—Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76828—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
- H01L21/76834—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、プラズマCVD法により銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求されている。このため、RCディレイの小さい低誘電率を有する絶縁膜(以下、低誘電率絶縁膜と称する。)が用いられている。
【0003】
一方、配線材料に関して、従来のアルミニウム(Al)から電気抵抗の低い銅(Cu)配線に変わりつつある。
【0004】
このため、銅配線上に層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を形成しているが、銅配線を形成した後、低誘電率絶縁膜を形成する際又はその後の工程で、400℃乃至450℃程度のアニールが行われる。また、デバイスの動作中には層間絶縁膜に高い電界がかかる。従って、熱や電界による低誘電率絶縁膜への銅の拡散を防止するため、低誘電率絶縁膜と銅配線の間にバリア絶縁膜を挟んでいる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バリア絶縁膜は緻密ではあるが、比誘電率が高い。なかでも、SiC系のバリア絶縁膜は比誘電率が5程度と比較的低いが、比誘電率2.8、膜厚500nmの低誘電率絶縁膜に対して比誘電率5のバリア絶縁膜の膜厚を100nmとした場合、層間絶縁膜全体の比誘電率は3.02と大きくなってしまう。
【0006】
このため、バリア絶縁膜の膜厚を50nm程度に薄くすることが試みられているが、銅の拡散防止能力が低下してしまう。
【0007】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、銅の拡散を防止できる緻密性を維持しつつ、さらに低い比誘電率のバリア絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第1の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程の少なくとも初期に、前記成膜ガスにアンモニアガス又は窒素ガスを加えることを特徴とし、
第2の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスと、He又はArのうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程の少なくとも初期に前記希釈ガスの流量を増やすことを特徴とし、
第3の発明は、第2の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記希釈ガスはHeであり、前記シリコン含有有機化合物に対するその流量比は8以上であることを特徴とし、
第4の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスと、Heからなる希釈ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、前記アルキル化合物に対する前記希釈ガスの流量比は8以上であることを特徴とし、
第5の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、前記バリア絶縁膜を成膜する工程において、成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜することを特徴とし、
第6の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程において、成膜初期から途中まではガス圧力を1Torr以下に保持して成膜し、途中から前記バリア絶縁膜の成膜が終了するまで前記ガス圧力を1Torrよりも高い圧力にして成膜することを特徴とし、
第7の発明は、半導体装置の製造方法に係り、第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記基板表面を覆うバリア絶縁膜を形成する工程の初期だけ、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に高周波電力を供給するほかに、他方の前記電極に周波数50kHz以上、1MHz未満の低周波電力を供給することを特徴とし、
第8の発明は、第1乃至第7の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記アルキル化合物は、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)3Si-O-Si(CH3)3)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS:
【0009】
【化4】
【0010】
)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS:
【0011】
【化5】
【0012】
)、又はオクタメチルトリシロキサン(OMTS:
【0013】
【化6】
【0014】
)のうち何れか一であることを特徴とし、
第9の発明は、第1乃至第7の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記アルキル化合物は、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3) 3)、又はテトラメチルシラン(Si(CH3) 4)のうち何れか一であるメチルシランのうち何れか一であることを特徴とし、
第10の発明は、第1乃至第7の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記アルキル化合物は、O−Si−O結合を有する化合物であることを特徴とし、
第11の発明は、第10の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記O−Si−O結合を有する化合物は、CH3-O-Si(CH3) 2-O-CH3であることを特徴とし、
第12の発明は、第1乃至第7の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記酸素含有ガスは、O2、N2O、H2O又はCO2のうち何れか一であることを特徴とし、
第13の発明は、第12の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記酸素含有ガスはN2Oであり、アルキル化合物に対するその流量比は8以下であることを特徴とし、
第14の発明は、第1乃至第13の発明の何れか一の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、ハイドロカーボンを含むことを特徴とし、
第15の発明は、第14の発明の半導体装置の製造方法に係り、前記ハイドロカーボンは、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、又はエチレン(C2H4)のうち何れか一であることを特徴としている。
【0015】
以下に、上記本発明の構成に基づく作用について説明する。
【0016】
この発明では、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整し、その後、第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して成膜ガスをプラズマ化し、反応させて銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成している。
【0017】
高周波電力のみでプラズマ化した成膜ガスを用いることにより、低い比誘電率を達成できるとともに、少なくとも成膜初期に成膜ガスの圧力を1Torr以下にすることにより銅の拡散を防止し得るに十分な絶縁膜の緻密性を維持することができる。
【0018】
低い比誘電率を維持しつつ、緻密性を向上させるために、この発明では、さらに、成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜し、又はアンモニア(NH3)や窒素(N2)を少なくとも成膜初期に成膜ガスに加え、又はHe或いはArのうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスを含む成膜ガスを用い、或いは少なくとも成膜初期に希釈ガスの流量を増大させて用い、また、成膜初期に低周波のバイアス電力を印加している。
【0019】
また、バリア絶縁膜上に形成した低い比誘電率の絶縁膜のエッチング材に対するエッチング選択性を高めるためにさらにハイドロカーボンを加えている。
【0020】
以上のように、本発明によれば、銅の拡散を防止するのに十分な緻密性を維持しつつ、さらに低い比誘電率のバリア絶縁膜を形成することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(本発明の実施の形態である成膜方法に用いるプラズマCVD装置の説明)
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマCVD装置101の構成を示す側面図である。
このプラズマCVD装置101は、プラズマガスにより被成膜基板21上にバリア絶縁膜を形成する場所である成膜部101Aと、成膜ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給部101Bとから構成されている。
【0022】
成膜部101Aは、図1に示すように、減圧可能なチャンバ1を備え、チャンバ1は排気配管4を通して排気装置6と接続されている。排気配管4の途中にはチャンバ1と排気装置6の間の導通/非導通を制御する開閉バルブ5が設けられている。チャンバ1にはチャンバ1内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【0023】
チャンバ1内には対向する一対の上部電極(第1の電極)2と下部電極(第2の電極)3とが備えられ、上部電極2に周波数13.56MHzの高周波電力を供給する高周波電力供給電源(RF電源)7が接続され、下部電極3に周波数380kHzの低周波電力を供給する低周波電力供給電源8が接続されている。これらの電源7、8のうち少なくとも高周波電力供給電源7から上部電極2に高周波電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極2、下部電極3及び電源7、8が成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【0024】
なお、下部電極3には、周波数380kHzのみならず、周波数50kHz乃至1MHzの低周波電力を印加することができるし、また、下部電極3に対向する上部電極2には、周波数13.56MHzのみならず、周波数1MHz以上の高周波電力を印加してもよい。さらに、図1では上部電極2に高周波電源が接続され、下部電極3に低周波電源が接続されているが、高周波電源7は上部電極2に限らず、上部電極2又は下部電極3の何れか一に接続され、かつ低周波電源8は下部電極3に限らず、他の電極に接続されていれば、この発明の目的を達成することができる。
【0025】
上部電極2は成膜ガスの分散具を兼ねている。上部電極2には複数の貫通孔が形成され、下部電極3との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出口(導入口)となる。この成膜ガスの放出口は成膜ガス供給部101Bと配管9aで接続されている。また、場合により、上部電極2には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極2を温度凡そ100℃程度に加熱しておくことにより、成膜ガスの反応生成物からなるパーティクルが上部電極2に付着するのを防止するためである。
【0026】
下部電極3は被成膜基板21の保持台を兼ね、また、保持台上の被成膜基板21を加熱するヒータ12を備えている。
【0027】
成膜ガス供給部101Bには、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3) 3Si-O-Si(CH3)3)等のシロキサン結合を有するアルキル化合物の供給源と、一般式SiHn(CH3)4-n(n=0乃至3)で表されるメチルシランの供給源と、O−Si−O結合を有するアルキル化合物の供給源と、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)やエチレン(C2H4)などのハイドロカーボン(CmHn)の供給源と、酸素(O2)、一酸化二窒素(N2O)、水(H2O)、二酸化炭素(CO2)の酸素含有ガスの供給源と、アンモニア(NH3)の供給源と、He又はAr(不活性ガス)のうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスの供給源と、同じく不活性ガスである窒素(N2)の供給源とが設けられている。
【0028】
これらのガスは適宜分岐配管9b乃至9i及びこれらすべての分岐配管9b乃至9iが接続された配管9aを通して成膜部101Aのチャンバ1内に供給される。分岐配管9b乃至9iの途中に流量調整手段11a乃至11hや、分岐配管9b乃至9iの導通/非導通を制御する開閉手段10b乃至10n,10p乃至10rが設置され、配管9aの途中に配管9aの閉鎖/導通を行う開閉手段10aが設置されている。また、N2ガスを流通させて分岐配管9b乃至9g内の残留ガスをパージするため、N2ガスの供給源と接続された分岐配管9iとその他の分岐配管9b乃至9gの間の導通/非導通を制御する開閉手段10s乃至10xが設置されている。なお、N2ガスは、分岐配管9b乃至9g内のほかに、配管9a内及びチャンバ1内の残留ガスをパージするために用いる。また、N2ガスは成膜ガスとして用いる。
【0029】
以上のような成膜装置101によれば、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)等のシロキサン結合を有するアルキル化合物の供給源と、一般式SiHn(CH3)4-n(n=0乃至3)で表されるメチルシランの供給源と、O−Si−O結合を有するアルキル化合物の供給源と、ハイドロカーボン(CmHn)の供給源と、酸素(O2)、一酸化二窒素(N2O)、水(H2O)、二酸化炭素(CO2)の酸素含有ガスの供給源と、アンモニア(NH3)の供給源と、He又はAr(不活性ガス)のうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスの供給源と、同じく不活性ガスである窒素(N2)の供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段2、3、7、8を備えている。
【0030】
これにより、以下に説明するプラズマCVD法により、低誘電率を有し、かつ緻密で、銅の拡散を抑制し得るバリア絶縁膜を形成することができる。
【0031】
次に、本発明に用いるバリア絶縁膜の成膜ガスである、シロキサン結合を有するアルキル化合物、メチルシラン、O−Si−O結合を有するアルキル化合物などのアルキル化合物、及びハイドロカーボンについて説明する。
【0032】
代表例として以下に示すものを用いることができる。
【0033】
(i)シロキサン結合を有するアルキル化合物
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)3Si-O-Si(CH3)3)
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)
構造式
【0034】
【化7】
【0035】
テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)
構造式
【0036】
【化8】
【0037】
オクタメチルトリシロキサン(OMTS)
構造式
【0038】
【化9】
【0039】
(ii)メチルシラン(SiHn(CH3)4-n:n=0乃至3)
モノメチルシラン(SiH3(CH3))
ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)
トリメチルシラン(SiH(CH3)3)
テトラメチルシラン(Si(CH3)4)
(iii)O−Si−O結合を有するアルキル化合物
CH3-O-Si(CH3)2 -O-CH3の構造式を有する化合物
(iv)ハイドロカーボン(CmHn)
メタン(CH4)
アセチレン(C2H2)
エチレン(C2H4)
(本発明の実施の形態である成膜方法の説明)
次に、この発明の実施の形態である、特に有効なガスの組み合わせや、有効な成膜条件の組み合わせを用いた成膜方法について、図2(a)、(b)、図3(a)、(b)及び図4(a)乃至(f)を参照して説明する。
【0040】
これらの図面は、成膜ガスを構成する各ガスのチャンバ1内への導入のタイミング、成膜の際のガス流量やガス圧力の条件、及び成膜の際に平行平板型の2つの電極に印加する高周波電力又は低周波電力の印加方法について示すチャートである。
【0041】
そのうち、図2(a)乃至(c)、図3(a)、(b)は、少なくともアルキル化合物と、酸素含有ガスとから構成される成膜ガスによりシリコン含有絶縁膜を成膜する方法のチャートである。
【0042】
図2(a)では、チャンバ1内に導入した成膜ガスの圧力を1Torr以下に調整し、上部電極2又は下部電極3の何れか一に高周波電力を印加して成膜ガスをプラズマ化する。図2(b)では、図2(a)に対して成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜することが異なる。図2(c)では、図2(a)に対してチャンバ1内に導入した成膜ガスの圧力を、成膜初期の一定の期間だけ1Torr以下に調整し、一定の期間を経過後に1Torrよりも高い圧力に調整することが異なる。図3(a)では、図2(a)に対して上部電極2又は下部電極3の何れか一に高周波電力を印加するほかに、さらに成膜初期の一定の期間だけ他の電極に低周波電力を印加することが異なる。図3(b)では、図2(a)に対して成膜ガスのうち酸素含有ガスの流量を、成膜初期の一定の期間だけ多くし、一定期間の経過後に少くすることが異なる。
【0043】
また、以下に説明する図4(a)乃至図4(f)では、図中に示すガスを他のガスに添加して用いることを前提として、当該ガスの添加条件のみを記載している。
【0044】
図4(a)乃至(c)は、希釈ガスを含む成膜ガスにより成膜する場合のチャートである。
【0045】
図4(a)では、通常の流量の希釈ガスを加えている。図4(b)では、図4(a)に対して希釈ガスの流量を多くしていることが異なる。図4(c)では、図4(a)に対して希釈ガスの流量を、成膜初期の一定の期間だけ多くし、一定期間の経過後に少くすることが異なる。
【0046】
図4(d)、(e)は、アンモニアガス又は窒素ガスのうちの少なくとも何れか一を含む成膜ガスにより成膜する場合のチャートである。
【0047】
図4(d)では、成膜中の全期間を通してアンモニアガス又は窒素ガスを加えている。図4(e)では、図4(d)に対してアンモニアガス又は窒素ガスのうちの少なくとも何れか一を成膜初期の一定の期間だけ供給することが異なる。
図4(a)乃至図4(f)と他のガスとの組み合わせの方法は以下の(イ)乃至(ハ)である。(イ)図2(b)、図3(a)又は図3(b)と,図4(a)乃至図4(f)の何れか一とを組み合わせることができる。また、(ロ)図2(b)、図3(a)又は図3(b)と、図4(a)乃至図4(c)の何れか一とを組み合わせたものと、図4(d)乃至図4(e)の何れか一とを組み合わせることができる。さらに、(ハ)(ロ)の各組み合わせと、図4(f)とを組み合わせることができる。
【0048】
高周波電力のみでプラズマ化した成膜ガスを用いることにより、低い比誘電率を達成できるとともに、少なくとも成膜初期に成膜ガスの圧力を1Torr以下にすることにより銅の拡散を防止し得るに十分な絶縁膜の緻密性を維持することができる。
【0049】
また、成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜することにより、銅膜を主とする配線又は電極により近い部分では緻密な膜が得られ、遠くなるにつれて低誘電率の膜が得られる。
【0050】
さらに、アンモニア(NH3)や窒素(N2)を少なくとも成膜初期に成膜ガスに加え、又はHeからなる希釈ガスを含む成膜ガスを用い、或いは少なくとも成膜初期に希釈ガスの流量を増大させて用い、また、成膜初期に低周波のバイアス電力を印加することにより、緻密性を向上させることができる。
【0051】
また、ハイドロカーボンを加えることにより、バリア絶縁膜の上に形成した低誘電率膜のエッチング材に対するエッチング耐性を向上させることができる。
【0052】
以上のように、上記のチャートにしたがってこの発明が適用されるプラズマCVD法により成膜することで、銅の拡散を十分に阻止できる程度に緻密で、かつ低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を形成することができる。
【0053】
次に、上記プラズマCVD装置を用いてこの発明が適用される半導体装置の製造方法により種々の成膜条件で形成されたシリコン含有絶縁膜の比誘電率及びリーク電流を調査した結果について説明する。
【0054】
(1)第1実施例
試料は、成膜前処理により銅膜の表面酸化膜を除去した後、銅膜の上にシリコン含有絶縁膜を形成した。シリコン含有絶縁膜は、プラズマCVD法により以下の成膜条件で形成された。
【0055】
(成膜前処理)
(i)処理ガス:NH3
ガス流量:500sccm
ガス圧力:1Torr
(ii)プラズマ化条件:
周波数:13.56MHz
電力:100W
時間:10秒
(iii)基板加熱温度:375℃
(成膜条件I)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
He流量:400 sccm
ガス圧力:1Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:2.89
(アニール条件)
温度:450℃
処理期間:4時間
比誘電率の測定では、電極面積0.0226cm2を有する水銀プローブをシリコン含有絶縁膜の表面に接触させ、直流バイアス電圧に1MHzの小信号電圧を重畳して水銀プローブに印加した。比誘電率は測定されたC−V特性から換算して求めた。
【0056】
また、リーク電流及び絶縁破壊耐性の測定では、銅膜を接地するとともに、水銀プローブに負の電圧を印加する。
【0057】
リーク電流及び絶縁破壊耐性を測定した結果を図5及び図6に示す。図5及び図6は上記試料について、シリコン含有絶縁膜を挟む水銀プローブと銅膜との間に流れるリーク電流及び絶縁破壊耐性を調査したグラフである。図5はシリコン含有絶縁膜の成膜直後に調査した結果で、図6はシリコン含有絶縁膜の成膜後、かつ上記の条件でアニールした後に調査した結果である。
【0058】
図5の縦軸は対数目盛で表したリーク電流密度(A/cm2)を示し、横軸は線形目盛で表したシリコン含有絶縁膜にかかる電界強度(MV/cm)を示す。なお、横軸の負の符号は負の電位を加えることを表している。図6も同様である。
【0059】
図5及び図6に示すように、リーク電流は−1MV/cmのとき10-10A/cm2に近く、電界強度の全測定範囲においてアニール後でもアニール前に比べてほとんど変動がなかった。
【0060】
図中、電界強度が−4MV/cm乃至−5MV/cmの間でリーク電流が急激に立ち上がっているのは、電界によるシリコン含有絶縁膜の絶縁破壊が起こっていることを表している。アニール後に絶縁破壊が起こる電界強度が多少下がっているが、その電界強度は−4MV/cm以上であり、絶縁膜自体の絶縁破壊耐性に近く、銅の拡散が抑制されていることを示している。
【0061】
なお、上記では、アルキル化合物としてシロキサン結合を有するHMDSOを用いているが、上記した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物、例えばシロキサン結合を有するオクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)又はテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)又はオクタメチルトリシロキサン(OMTS)や、メチルシラン(SiHn(CH3)4-n:n=0乃至3)や、O−Si−O結合を有するアルキル化合物を用いることも可能である。
【0062】
(2)第2実施例
試料は、第1実施例と同じく成膜前処理により銅膜の表面酸化膜を除去した後、銅膜の上にシリコン含有絶縁膜を形成した。シリコン含有絶縁膜は、プラズマCVD法により以下の成膜条件で形成された。
【0063】
試料は、シリコン含有絶縁膜は、プラズマCVD法により以下の成膜条件で形成された。なお、成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。
【0064】
(成膜条件II)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
He流量:400 sccm
ガス圧力:0.5Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:3.47
比誘電率とリーク電流の測定は第1実施例と同じように行った。
【0065】
測定結果によれば比誘電率は上記したように3.47であった。
【0066】
次に、リーク電流を測定した結果を図7及び図8に示す。図7及び図8は上記試料について、シリコン含有絶縁膜を挟む水銀プローブと銅膜との間に流れるリーク電流を調査したグラフである。図7はシリコン含有絶縁膜の成膜直後に調査した結果で、図8はシリコン含有絶縁膜の成膜後、かつアニール後に調査した結果である。
【0067】
図7の縦軸は対数目盛で表したリーク電流密度(A/cm2)を示し、横軸は線形目盛で表したシリコン含有絶縁膜にかかる電界強度(MV/cm)を示す。図8も同様である。
【0068】
図7及び図8に示すように、リーク電流は成膜直後に電界強度−1MV/cmのとき10-9A/cm2以下で、電界強度の全測定範囲においてアニール後でもアニール前に比べてほとんど変動がなかった。
【0069】
また、シリコン含有絶縁膜の絶縁破壊が起こる電界強度も−4MV/cm乃至−5MV/cmの間にあり、第1実施例と同様に銅の拡散が抑制されていることを示している。
【0070】
(3)第3実施例
試料は、第1実施例と同じく成膜前処理により銅膜の表面酸化膜を除去した後、銅膜の上にシリコン含有絶縁膜を形成した。シリコン含有絶縁膜は、プラズマCVD法により以下の成膜条件で形成された。
【0071】
(成膜条件III)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
He流量:400 sccm
NH3流量:200 sccm
ガス圧力:1.0Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:3.7
比誘電率とリーク電流の測定は第1実施例と同じように行った。
【0072】
測定結果によれば、比誘電率は上記したように3.7であった。
【0073】
次に、リーク電流を測定した結果を図9及び図10に示す。図9及び図10は上記試料について、シリコン含有絶縁膜を挟む水銀プローブと銅膜との間に流れるリーク電流を調査したグラフである。図9はシリコン含有絶縁膜の成膜直後に調査した結果で、図10はシリコン含有絶縁膜の成膜後、かつアニール後に調査した結果である。
【0074】
図9の縦軸は対数目盛で表したリーク電流密度(A/cm2)を示し、横軸は線形目盛で表したシリコン含有絶縁膜にかかる電界強度(MV/cm)を示す。図10も同様である。
【0075】
図9及び図10に示すように、リーク電流は成膜直後に電界強度−1MV/cmのとき10-9A/cm2で、アニール後に−4MV/cmの前後で多少減少した以外アニール前に比べてほとんど変動がなかった。
【0076】
また、シリコン含有絶縁膜の絶縁破壊が起こる電界強度も−4MV/cm乃至−5MV/cmの間にあり、第1及び第2実施例と同様に銅の拡散が抑制されていることを示している。
【0077】
(4)第4実施例
図11及び図12を参照して本発明の第4実施例について説明する。
【0078】
図11は成膜ガスのガス圧力(P)に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのガス圧力(P)及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。また、図12は成膜した絶縁膜の銅に対するバリア性について示すグラフである。
【0079】
まず、この調査に用いた試料S1乃至S4の作成条件について説明する。成膜前処理条件と成膜後のアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通りである。
(成膜条件IV)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
ガス圧力:パラメータ(0.5、0.75、1.0、1.5 Torr、それぞれ試料S1乃至4に対応)
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:図11を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。また、絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。また、成膜した絶縁膜の銅に対するバリア性の調査はSIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)により行った。
【0080】
図11は成膜ガスのガス圧力(P)に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのガス圧力(P)及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0081】
図11において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガスのガス圧力(p)(Torr)を示す。また、測定点を○印で示す。この場合、○印の中の●印はアニール後の絶縁破壊耐性試験で測定数5個に対して5個とも破壊しなかったことを示し、同じく×印は測定数5個に対して全数破壊したことを示す。また、△印は測定数5個に対して1個乃至2個破壊したことを示す。なお、絶縁膜への電圧印加の初期から絶縁膜に電流が流れたものを破壊とし、絶縁耐圧がアニール後に低下したが、ある程度の大きさを有している試料は破壊としなかった。このことは以下の第5乃至第10実施例でも同じである。
【0082】
図11に示す結果によれば、ガス圧力(P)が大きくなるにつれて比誘電率(k)が低下する。そして、ガス圧力(P)が1.0Torr以下で絶縁破壊耐性を有し、1.5Torrで絶縁破壊耐性がなくなった。
【0083】
また、図12は成膜した絶縁膜の銅に対するバリア性の調査結果について示すグラフである。アニール前後の絶縁膜中の銅の分布をSIMSにより調査したものである。
【0084】
図12において、縦軸は対数目盛で表した絶縁膜中の銅の濃度(任意単位)を示し、横軸は線形目盛で表した絶縁膜表面から測った絶縁膜中の測定箇所(nm)を示す。
【0085】
図12に示す結果によれば、何れの試料S1乃至S4もアニール前から絶縁膜中に銅が含まれているが、これは絶縁膜の成膜時に銅が混入したものと考えられる。従って、この図12からはアニール前後での絶縁膜中の銅の含有量の変化を観察することが重要である。
【0086】
この観点から観察すると、特に、試料S3に関し、絶縁破壊耐性試験では破壊したものはなかったが、絶縁膜中への銅の拡散が見られた。一方、試料S1、S2ではアニール後でも銅の拡散がほとんど見られなかった。即ち、試料S1、S2はバリア性を有することを示している。
【0087】
(5)第5実施例
図13を参照して本発明の第5実施例について説明する。
【0088】
図13は成膜ガス中のN2Oガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、N2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0089】
まず、この調査に用いた試料S5乃至S9の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件V)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:パラメータ
(100、200、400、600、800 sccmとし、それぞれ試料S5乃至9に対応する。)
He流量:400 sccm
ガス圧力(P):1 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:図13を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。また、絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。
【0090】
図13は成膜ガスのN2Oガス流量(sccm)に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのN2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。図13において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガス中のN2Oガス流量(sccm)を示す。
【0091】
図13に示す結果によれば、N2Oガス流量が大きくなるにつれて比誘電率(k)が低下し、およそ400sccmより大きくなるとN2Oガス流量が大きくなるにつれて逆に比誘電率(k)が増大する。そして、N2Oガス流量が400sccm以下で絶縁破壊耐性を有し、600sccmで絶縁破壊耐性がなくなった。
【0092】
(6)第6実施例
図14を参照して本発明の第6実施例について説明する。
【0093】
図14は成膜ガスのHeガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、Heガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0094】
まず、この調査に用いた試料S10乃至S14の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件VI)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
He流量:パラメータ(100、200、400、600、800 sccm、 それぞれ試料S10乃至14に対応)
ガス圧力(P):1 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:図14を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。また、絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。
【0095】
図14は成膜ガス中のHeガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのHeガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0096】
図14において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガス中のHeガス流量(sccm)を示す。
【0097】
図14に示す結果によれば、Heガス流量が大きくなるにつれて比誘電率(k)が漸増する。そして、Heガス流量が400sccm以下で絶縁破壊耐性がなく、400sccmを越えると絶縁破壊耐性を有するようになった。
【0098】
(7)第7実施例
図15を参照して本発明の第7実施例について説明する。
【0099】
図15は成膜ガスのN2Oガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、N2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。第5実施例(図13)と異なるところは成膜ガス中にNH3を含む点である。
【0100】
まず、この調査に用いた試料S15乃至S19の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件VII)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:パラメータ(100、200、400、600、800 sccm、 それぞれ試料S15乃至19に対応)
NH3流量:100 sccm
He流量:400 sccm
ガス圧力(P):1 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:図15を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。また、絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。
【0101】
図15は成膜ガス中のN2Oガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのN2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0102】
図15において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガス中のN2Oガス流量(sccm)を示す。
【0103】
図15に示す結果によれば、N2Oガス流量が大きくなるにつれて比誘電率(k)が低減していき、400乃至600sccmから逆に漸増する。そして、全ての試料S15乃至S19について絶縁破壊耐性を有する。
【0104】
(8)第8実施例
図16を参照して本発明の第8実施例について説明する。
【0105】
図16は成膜ガス中のNH3ガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、NH3ガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0106】
まず、この調査に用いた試料S20乃至S24の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件VIII)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
NH3流量:パラメータ(50、100、200、400、600 sccm、それぞれ試料S20乃至24に対応)
ガス圧力(P):1 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜
膜厚:100nm
比誘電率:図16を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。また、絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。
【0107】
図16は成膜ガス中のNH3ガス流量に対する成膜した絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子と、それらのNH3ガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【0108】
図16において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガス中のNH3ガス流量(sccm)を示す。
【0109】
図16に示す結果によれば、NH3ガス流量50sccmでおよそ3となり、以降NH3ガス流量が増えてくるにつれて比誘電率(k)が急激に増大していき、400sccmからほぼ一定の値(およそ5程度)に落ち着いた。そして、全ての試料S20乃至S24について絶縁破壊耐性を有する。
【0110】
(9)第9実施例
以上の第4乃至第8の実施例からわかったことは、比誘電率が高いほど絶縁破壊耐性が大きい。このため、第4乃至第8の実施例の絶縁膜単層では、比誘電率を低く、かつ絶縁破壊耐性を高くという要求に応えることは難しい。この要求に対しては、比誘電率は高いが絶縁破壊耐性に優れた絶縁膜と比誘電率は低いが絶縁破壊耐性が低い絶縁膜とを少なくとも積層した2層以上の絶縁膜とすることが適している。この場合、特に、比誘電率を低く、かつ絶縁破壊耐性を高くという要求に十分に応えるためには、絶縁破壊耐性に優れた絶縁膜を薄く、比誘電率が低い絶縁膜を厚くすることが好ましい。
【0111】
このような主旨に沿って行った本発明の第9実施例の実験結果について、図17乃至図20を参照して説明する。
【0112】
第9実施例において第4乃至第8実施例と異なるところは、銅を被覆する下地膜(□印)とその上の主絶縁膜(○印)の2層の絶縁膜を成膜している点である。下地膜の膜厚を10nmとし、主絶縁膜の膜厚を90nmとした。この実施の形態では2層の絶縁膜全体の絶縁破壊耐性を調査した。
【0113】
図17に、ガス圧力Pを変化させて作成した下地膜の種類(L1乃至L3)を示し、併せてガス圧力Pと比誘電率の関係を示す。図18に、N2Oガス流量を変化させて作成した下地膜の種類(L4、L5)を示し、併せてN2Oガス流量と比誘電率の関係を示す。図19に、ガス圧力Pを変化させて作成した主絶縁膜の種類(U1乃至U3)を示し、併せてガス圧力Pと比誘電率の関係を示す。図20に、図17及び図18の下地膜と図19の主絶縁膜とを組み合わせた2層の絶縁膜(S25乃至S31)の絶縁破壊耐性を調査した結果を示す。
【0114】
図17は成膜ガスのガス圧力(P)に対する成膜した下地膜の比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。図17において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガスのガス圧力(P)(Torr)を示す。
【0115】
まず、この調査に用いた試料L1乃至L3の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件IX)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400 sccm
He流量:400sccm
ガス圧力(P):0.5 ,1.0,1.5Torr
(L1は0.5Torr、L2は1.0Torr、L3は1.5Torrである。)
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜(下地膜)
膜厚:10nm
比誘電率:図17を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。
【0116】
図17に示す結果によれば、ガス圧力Pの増大するにつれて比誘電率も増大する。ガス圧力0.5Torrで比誘電率はおよそ3.5となり、1.0Torrでおよそ2.9となり、1.5Torrでおよそ2.7となった。
【0117】
図18は成膜ガス中のN2Oガス流量に対する成膜した下地膜の比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。図18において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガス中のN2Oガス流量(sccm)を示す。
【0118】
まず、この調査に用いた試料L4乃至L5の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件X)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:100、400sccm
(L4は100sccm、L5は400sccmである。)
He流量:400sccm
ガス圧力(P):1.0 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜(下地膜)
膜厚:10nm
比誘電率:図18を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。
【0119】
図18に示す結果によれば、N2Oガス流量100sccmで比誘電率はおよそ3.1となり、400sccmでおよそ2.9となった。
【0120】
図19は成膜ガスのガス圧力Pに対する成膜した主絶縁膜の比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。図19において、縦軸は線形目盛で表した比誘電率(k)を示し、横軸は線形目盛で表した成膜ガスのガス圧力(Torr)を示す。
【0121】
まず、この調査に用いた試料U1乃至U3の作成条件について説明する。成膜前処理条件及びアニール条件は第1実施例と同じである。成膜条件は以下の通り。
(成膜条件XI)
(i)成膜ガス条件
HMDSO流量:50 sccm
N2O流量:400sccm
He流量:400sccm
ガス圧力(P):0.5 ,1.0,1.5Torr
(U1は0.5Torr、U2は1.0Torr、U3は1.5Torrである。)
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PRF:250W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン含有絶縁膜(主絶縁膜)
膜厚:90nm
比誘電率:図19を参照。
比誘電率の測定はアニール前に第1実施例と同じように行った。
【0122】
図19に示す結果によれば、主絶縁膜に関し、ガス圧力0.7Torrで比誘電率はおよそ3.1となり、1.0Torrでおよそ2.9となり、1.5Torrでおよそ2.7となった。
【0123】
次に、主絶縁膜(U1乃至U3)と種々の下地膜(L1乃至L5)とを組み合わせた2層の絶縁膜(S25乃至S31)に関し、取得した絶縁破壊耐性について説明する。S25はL1+U1の組み合わせ、S26はL1+U2の組み合わせ、S27はL1+U3の組み合わせ、S28はL2+U3の組み合わせ、S29はL3+U2の組み合わせ、S30はL4+U3の組み合わせ、S31はL5+U3の組み合わせである。
【0124】
図20は、試料S25乃至S31について取得した絶縁破壊耐性を示すグラフである。横軸は線形目盛りで表した下地膜の比誘電率、縦軸は線形目盛りで表した主絶縁膜の比誘電率である。絶縁破壊耐性の測定は第1実施例のリーク電流の測定方法と同じ方法に従って行った。
【0125】
図20によれば、S29のみが絶縁破壊耐性が十分でなく、それ以外の試料は十分な絶縁破壊耐性をもつ。ここで、下地膜の比誘電率に関しては、S29のみが2.7と低く、他の試料は2.9以上である。また、主絶縁膜の比誘電率に関しては、S27、S28、S30、S31が2.7と低く、他の試料は2.9以上ある。言い換えれば、下地膜の比誘電率が低いと、主絶縁膜の比誘電率の大きさにかかわらず、絶縁破壊耐性が低下する傾向にある。即ち、下地膜の膜質によって絶縁破壊耐性が決まっていることを示しており、2層の絶縁膜の絶縁破壊耐性を向上させるためには下地膜の比誘電率をある程度高くする必要がある。
【0126】
この結果から、比誘電率を低く、かつ絶縁破壊耐性を高くという要求に応えるためには、下地膜の比誘電率をある程度高くしてできるだけ薄く形成し、かつ主絶縁膜の比誘電率をできるだけ下げて層間絶縁膜として必要な膜厚となるように形成することが好ましい。
【0127】
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【0128】
例えば、第1の実施の形態では、シロキサン結合を有するアルキル化合物としてヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用いているが、上記した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)又はオクタメチルトリシロキサン(OMTS)を用いることも可能である。
【0129】
また、第1の実施の形態では、酸素含有ガスとして一酸化二窒素(N2O)を用いているが、その代わりに酸素(O2)、水(H2O)又は二酸化炭素(CO2)の何れか一を用いてもよい。
【0130】
さらに、上記第1乃至第3実施例では、ハイドロカーボンを有するガスを用いていないが、メタン(CH4)や、アセチレン(C2H2)を加えてもよい。
【0131】
また、上記実施の形態のシロキサン結合を有するアルキル化合物を用いずに、その代わりにメチルシランや、O−Si−O結合を有するアルキル化合物を用いることもできる。
【0132】
この場合、メチルシランとして、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)、又はテトラメチルシラン(Si(CH3)4)のうち何れか一を用い得る。O−Si−O結合を有するアルキル化合物として、CH3-O-Si(CH3)2-O-CH3の構造式を有する化合物を用い得る。
【0133】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整し、その後、第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して成膜ガスをプラズマ化し、反応させて銅配線を被覆するバリア絶縁膜を形成している。
【0134】
高周波電力のみでプラズマ化した成膜ガスを用いることにより、低い比誘電率を達成できるとともに、少なくとも成膜初期に成膜ガスの圧力を1Torr以下にすることにより銅の拡散を防止し得るに十分な絶縁膜の緻密性を維持することができる。
【0135】
さらに、成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜し、又はアンモニア(NH3)や窒素(N2)を含む成膜ガスを用い、又はアンモニア(NH3)や窒素(N2)を成膜初期に成膜ガスに加え、又はHe或いはArのうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスを含む成膜ガスを用い、又は希釈ガスを含み、かつその流量を増大させた成膜ガスを用い、また、成膜初期に低周波のバイアス電力を印加することにより低い比誘電率を維持しつつさらに緻密性を向上させることができる。
【0136】
また、ハイドロカーボンを加えることにより、低い比誘電率の絶縁膜のエッチング材に対するエッチングの選択性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるプラズマCVD装置の構成を示す側面図である。
【図2】(a)乃至(c)は、本発明の実施の形態である、特に有効なガスの組み合わせや、有効な成膜条件の組み合わせを用いた成膜方法について示すチャート(その1)である。
【図3】(a)、(b)は、本発明の実施の形態である、特に有効なガスの組み合わせや、有効な成膜条件の組み合わせを用いた成膜方法について示すチャート(その2)である。
【図4】(a)乃至(f)は、本発明の実施の形態である、特に有効なガスの組み合わせや、有効な成膜条件の組み合わせを用いた成膜方法について示すチャート(その3)である。
【図5】本発明の第1実施例である成膜方法により成膜条件Iで作成された、成膜直後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図6】本発明の第1実施例である成膜方法により成膜条件Iで作成された、成膜直後、かつアニール後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図7】本発明の第2実施例である成膜方法により成膜条件IIで作成された、成膜直後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図8】本発明の第2実施例である成膜方法により成膜条件IIで作成された、成膜直後、かつアニール後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図9】本発明の第3実施例である成膜方法により成膜条件IIIで作成された、成膜直後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図10】本発明の第3実施例である成膜方法により成膜条件IIIで作成された、成膜直後、かつアニール後のシリコン含有絶縁膜のリーク電流の特性を示すグラフである。
【図11】本発明の第4実施例である成膜方法により成膜条件IVで作成された絶縁膜に関し、成膜ガスのガス圧力(P)に対する比誘電率(k)の変化の様子と、それらのガス圧力(P)及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【図12】本発明の第4実施例である成膜方法により成膜条件IVで作成された絶縁膜の銅に対するバリア性について示すグラフである。
【図13】本発明の第5実施例である成膜方法により成膜条件Vで作成された絶縁膜に関し、成膜ガス中のN2Oガス流量に対する比誘電率(k)の変化の様子と、N2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【図14】本発明の第6実施例である成膜方法により成膜条件VIで作成された絶縁膜に関し、成膜ガスのHeガス流量に対する比誘電率(k)の変化の様子と、Heガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【図15】本発明の第7実施例である成膜方法により成膜条件VIIで作成された絶縁膜に関し、成膜ガスのN2Oガス流量に対する比誘電率(k)の変化の様子と、N2Oガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【図16】本発明の第8実施例である成膜方法により成膜条件VIIIで作成された絶縁膜に関し、成膜ガス中のNH3ガス流量に対する比誘電率(k)の変化の様子と、NH3ガス流量及び比誘電率(k)に対する絶縁膜のアニール後の絶縁破壊耐性の関係とについて示すグラフである。
【図17】本発明の第9実施例である成膜方法により成膜条件IXで作成された2層の絶縁膜のうちの下地膜に関し、その種類と成膜ガスのガス圧力(P)に対する比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。
【図18】本発明の第9実施例である成膜方法により成膜条件Xで作成された2層の絶縁膜のうちの下地膜に関し、その種類と成膜ガス中のN2Oガス流量に対する比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。
【図19】本発明の第9実施例である成膜方法により成膜条件XIで作成された2層の絶縁膜のうちの主絶縁膜に関し、その種類と成膜ガスのガス圧力に対する比誘電率(k)の変化の様子について示すグラフである。
【図20】本発明の第9実施例である成膜方法により成膜条件IX, X, XIで作成された下地膜と主絶縁膜とを組み合わせた2層の絶縁膜に関し、下地膜と主絶縁膜の比誘電率(k)に対するアニール後の絶縁破壊耐性の関係について示すグラフである。
【符号の説明】
1 チャンバ
2 上部電極
3 下部電極
4 排気配管
5 バルブ
6 排気装置
7 高周波電力供給電源(RF電源)
8 低周波電力供給電源
9a 配管
9b〜9i 分岐配管
10a〜10n,10p〜10x 開閉手段
11a〜11h 流量調整手段
12 ヒータ
101 成膜装置
101A 成膜部
101B 成膜ガス供給部
Claims (15)
- 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程の少なくとも初期に、前記成膜ガスにアンモニアガス又は窒素ガスを加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスと、He又はArのうち少なくとも何れか一からなる希釈ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程の少なくとも初期に前記希釈ガスの流量を増やすことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記希釈ガスはHeであり、前記アルキル化合物に対する前記希釈ガスの流量比は8以上であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスと、Heからなる希釈ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記アルキル化合物に対する前記希釈ガスの流量比は8以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記バリア絶縁膜を成膜する工程において、成膜ガスの圧力を低い圧力から1Torrまで徐々に上昇させながら成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程において、成膜初期から途中まではガス圧力を1Torr以下に保持して成膜し、途中から前記バリア絶縁膜の成膜が終了するまで前記ガス圧力を1Torrよりも高い圧力にして成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の電極及び該第1の電極に対向する第2の電極のうち前記第2の電極に、表面に銅膜を主とする配線又は電極が露出した基板を保持する工程と、
アルキル化合物と、酸素含有ガスとを含む成膜ガスを前記第1の電極と第2の電極の間に供給し、ガス圧力を1Torr以下に調整する工程と、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に周波数1MHz以上の高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記銅膜を主とする配線又は電極を覆うバリア絶縁膜を成膜する工程とを有し、
前記第1及び第2の電極のうち何れか一に高周波電力を供給して前記成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記基板表面を覆うバリア絶縁膜を形成する工程の初期だけ、前記第1及び第2の電極のうち何れか一に高周波電力を供給するほかに、他方の前記電極に周波数50kHz以上、1MHz未満の低周波電力を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アルキル化合物は、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3) 3)、又はテトラメチルシラン(Si(CH3) 4)のうち何れか一であるメチルシランのうち何れか一であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アルキル化合物は、O−Si−O結合を有する化合物であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記O−Si−O結合を有する化合物は、CH3-O-Si(CH3) 2-O-CH3であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有ガスは、O2、N2O、H2O又はCO2のうち何れか一であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素含有ガスはN2Oであり、アルキル化合物に対するその流量比は8以下であることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記成膜ガスは、ハイドロカーボンを含むことを特徴とする請求項1乃至13の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハイドロカーボンは、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、又はエチレン(C2H4)のうち何れか一であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002127388A JP3701626B2 (ja) | 2001-12-06 | 2002-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
TW091132588A TWI274380B (en) | 2001-12-06 | 2002-11-05 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10/287,549 US6780790B2 (en) | 2001-12-06 | 2002-11-05 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP02024920A EP1321976A3 (en) | 2001-12-06 | 2002-11-06 | Method of depositing a barrier insulating layer with low dielectric constant on a copper film |
KR1020020073587A KR100546958B1 (ko) | 2001-12-06 | 2002-11-25 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001372299 | 2001-12-06 | ||
JP2001-372299 | 2001-12-06 | ||
JP2002127388A JP3701626B2 (ja) | 2001-12-06 | 2002-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003234346A JP2003234346A (ja) | 2003-08-22 |
JP3701626B2 true JP3701626B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=26624900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002127388A Expired - Fee Related JP3701626B2 (ja) | 2001-12-06 | 2002-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6780790B2 (ja) |
EP (1) | EP1321976A3 (ja) |
JP (1) | JP3701626B2 (ja) |
KR (1) | KR100546958B1 (ja) |
TW (1) | TWI274380B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030211244A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-13 | Applied Materials, Inc. | Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric |
US20030194495A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric |
US7056560B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-06 | Applies Materials Inc. | Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US7060330B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
US7112615B2 (en) | 2002-07-22 | 2006-09-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Porous material formation by chemical vapor deposition onto colloidal crystal templates |
WO2004038783A2 (en) * | 2002-10-21 | 2004-05-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Pecvd of organosilicate thin films |
US6897163B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a low dielectric constant film |
US20040253378A1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-16 | Applied Materials, Inc. | Stress reduction of SIOC low k film by addition of alkylenes to OMCTS based processes |
US20050037153A1 (en) * | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Applied Materials, Inc. | Stress reduction of sioc low k films |
US20050214457A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Deposition of low dielectric constant films by N2O addition |
US7740704B2 (en) | 2004-06-25 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | High rate atomic layer deposition apparatus and method of using |
US8039049B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system |
JP4684866B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7923384B2 (en) * | 2005-11-24 | 2011-04-12 | Nec Corporation | Formation method of porous insulating film, manufacturing apparatus of semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
US20070134435A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Ahn Sang H | Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films |
US7297376B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers |
US7964442B2 (en) * | 2007-10-09 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Methods to obtain low k dielectric barrier with superior etch resistivity |
JP2009177023A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Nec Corp | 多孔質絶縁膜及びその形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP2011155077A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8741394B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-06-03 | Novellus Systems, Inc. | In-situ deposition of film stacks |
US8461683B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-06-11 | Intel Corporation | Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040046A (en) | 1990-10-09 | 1991-08-13 | Micron Technology, Inc. | Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby |
EP0519079B1 (en) | 1991-01-08 | 1999-03-03 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
JP2684942B2 (ja) | 1992-11-30 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法 |
JP2899600B2 (ja) * | 1994-01-25 | 1999-06-02 | キヤノン販売 株式会社 | 成膜方法 |
JPH098032A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Sony Corp | 絶縁膜形成方法 |
JP3226479B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2001-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 層間絶縁膜の形成方法 |
KR100205318B1 (ko) * | 1996-10-11 | 1999-07-01 | 구본준 | 자유전율의 절연막 제조방법 |
AU7371898A (en) | 1997-05-07 | 1998-11-27 | Mark J. Hampden-Smith | Low density film for low dielectric constant applications |
KR19980087552A (ko) | 1997-05-28 | 1998-12-05 | 윌리엄 버. 켐플러 | 집적 회로 유전체 및 그 방법 |
US6051321A (en) | 1997-10-24 | 2000-04-18 | Quester Technology, Inc. | Low dielectric constant materials and method |
JP3726226B2 (ja) | 1998-02-05 | 2005-12-14 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 絶縁膜及びその製造方法 |
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
JP2000058544A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3197007B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2001-08-13 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法 |
JP3348084B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2002-11-20 | キヤノン販売株式会社 | 成膜方法及び半導体装置 |
JP3419745B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-06-23 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001291713A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び半導体装置 |
US6410462B1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-06-25 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making low-K carbon doped silicon oxide |
JP3600507B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2004-12-15 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3532830B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2004-05-31 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003100148A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Jsr Corp | 膜形成方法、絶縁膜および半導体用基板 |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002127388A patent/JP3701626B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-05 US US10/287,549 patent/US6780790B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-05 TW TW091132588A patent/TWI274380B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-06 EP EP02024920A patent/EP1321976A3/en not_active Withdrawn
- 2002-11-25 KR KR1020020073587A patent/KR100546958B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100546958B1 (ko) | 2006-01-31 |
EP1321976A3 (en) | 2004-11-17 |
US20030109136A1 (en) | 2003-06-12 |
TW200300965A (en) | 2003-06-16 |
JP2003234346A (ja) | 2003-08-22 |
US6780790B2 (en) | 2004-08-24 |
KR20030047735A (ko) | 2003-06-18 |
EP1321976A2 (en) | 2003-06-25 |
TWI274380B (en) | 2007-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3701626B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100494480B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP3745257B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3600507B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6479409B2 (en) | Fabrication of a semiconductor device with an interlayer insulating film formed from a plasma devoid of an oxidizing agent | |
KR100476128B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100376170B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP3934343B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005294333A (ja) | 成膜方法及び半導体装置 | |
KR20020009440A (ko) | 성막 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP3749162B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004200626A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002305242A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004015034A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び成膜装置のクリーニング方法 | |
JP2006339506A (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004200713A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |