CN102446753A - 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 - Google Patents
控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102446753A CN102446753A CN2011102989147A CN201110298914A CN102446753A CN 102446753 A CN102446753 A CN 102446753A CN 2011102989147 A CN2011102989147 A CN 2011102989147A CN 201110298914 A CN201110298914 A CN 201110298914A CN 102446753 A CN102446753 A CN 102446753A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reflectivity
- dielectric reflection
- extinction coefficient
- reacting gas
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明公开了一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：将反应气体通入到排气管道直到其稳定；先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；进行介电抗反射薄膜沉积；以及先关反应气体然后再关闭电浆。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的工艺技术方法，尤其涉及一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法。
背景技术
随着制程线宽越来越窄，使得微影制程的困难度随之增加，这是因为线宽缩减后，容易发生对准失误的情形，尤其在定义导体层时，因为导体层的反射系数通常较介电层或绝缘层大，致使定义光阻层图案时，曝光光源容易在导体层表面发生反射，造成光阻层尺寸偏差，导致微影图案转换不正确。为防止上述所提的误差出现，可以在导体层上制造一层抗反射层，以达到降低反射率的效果。
如图1所示，现有技术中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括：（1）反应气体流到排气管道直到稳定；（2）在同一时间反应气体流入反应腔及电浆开启；（3）介电抗反射薄膜沉积；（4）先关反应气体然后再关闭电浆。现有光阻所需介电抗反射薄膜的沉积厚度介于200-500埃，整个沉积步骤通常只有8-20秒，所以在同时开启电浆及通反应气体，不容易控制得到所需的反射率及消光系数。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其可有效控制获得所需介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
本发明的目的是通过下述技术方案实现的：
一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：
将反应气体通入到排气管道直到其稳定；
先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；
进行介电抗反射薄膜沉积；以及
先关反应气体然后再关闭电浆。
上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，先通反应气体流入反应腔，再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，先开启电浆，再通反应气体流入反应腔，将降低整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒。
上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，反应气体为SiH4和N2O，其中SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。
上述控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其中，得到的介电抗反射薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。
与已有技术相比，本发明的有益效果在于：
1、先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
2、反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
附图说明
图1是现有技术中介电抗反射薄膜的制作工艺流程示意框图；
图2是本发明中介电抗反射薄膜的制作工艺流程示意框图。
具体实施方式
下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。
如图1和图2所示，本发明是在现有技术介电抗反射薄膜的制作工艺流程的基础上加以改进，将反应气体SiH4和N2O通入到排气管道直到其稳定，具体来说，是先通反应气体使其流入反应腔，或者先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒；再进行介电抗反射薄膜沉积，最后先关反应气体然后再关闭电浆。化学方程式如下：
其中，SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。最后生成的介电抗反射薄膜，即氮氧化硅薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。氮氧化硅（SiON）薄膜是一种介电抗反射的薄膜材料，具有优良的充电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能。通过形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟，可以灵活调节介电抗反射薄膜的反射率和消光系数，先通反应气体再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数；反之先开启电浆再通反应气体，将降低整个反应腔体初期反应物矽的含量，可有效降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但本发明并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何对该发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (6)
1.一种控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，在介电抗反射薄膜的制作工艺流程中，具体包括下列步骤：
将反应气体通入到排气管道直到其稳定；
先通反应气体使其流入反应腔或先开启电浆，形成通入反应气体与开启电浆之间的时间延迟；
进行介电抗反射薄膜沉积；以及
先关反应气体然后再关闭电浆。
2.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先通反应气体流入反应腔，再开启电浆，将增加整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而提高介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
3.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，先开启电浆，再通反应气体流入反应腔，将降低整个反应腔体初期反应物硅的含量，从而降低介电抗反射薄膜的反射率及消光系数。
4.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，通反应气体和开启电浆之间的时间间隔为0至2秒。
5.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，反应气体为SiH4和N2O，其中SiH4 为170~270sccm，N2O为220~320sccm，反应温度400℃，反应压力为2.0~2.4托，采用高频比频率450~650Watts。
6.根据权利要求1所述的控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法，其特征在于，得到的介电抗反射薄膜的反射率为1.9~2.2，消光系数为0.45~0.75。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102989147A CN102446753A (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011102989147A CN102446753A (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102446753A true CN102446753A (zh) | 2012-05-09 |
Family
ID=46009148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011102989147A Pending CN102446753A (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102446753A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554570A (en) * | 1994-01-25 | 1996-09-10 | Canon Sales Co., Inc. | Method of forming insulating film |
| CN1867695A (zh) * | 2003-11-06 | 2006-11-22 | 东京毅力科创株式会社 | 改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法 |
-
2011
- 2011-09-29 CN CN2011102989147A patent/CN102446753A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554570A (en) * | 1994-01-25 | 1996-09-10 | Canon Sales Co., Inc. | Method of forming insulating film |
| CN1867695A (zh) * | 2003-11-06 | 2006-11-22 | 东京毅力科创株式会社 | 改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130247972A1 (en) | Passivation film stack for silicon-based solar cells | |
| US20100132778A1 (en) | Solar cell, method of fabricating the same and apparatus for fabricating the same | |
| JPH0951116A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| CN102903764A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 | |
| CN103972327A (zh) | 用于高效钝化硅太阳能电池的原位硅表面预清洗 | |
| CN101436616B (zh) | 硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法 | |
| CN103094366A (zh) | 一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法 | |
| CN108695408B (zh) | 一种管式pecvd沉积氮化硅叠层减反射膜工艺 | |
| CN106471625A (zh) | 利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化 | |
| WO2014032457A1 (zh) | 一种制备具有抗pid效应的减反射膜的方法 | |
| CN106449782A (zh) | 晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 | |
| Sperlich et al. | High productive Solar Cell Passivation on Roth&Rau MAiA® MW-PECVD inline machine–a comparison of Al2O3, SiO2 and SiNx-H process conditions and performance | |
| WO2023036121A1 (zh) | 一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池 | |
| JP2016510171A (ja) | 金属酸化物ｔｆｔの安定性向上 | |
| CN102222733A (zh) | 双层氮化硅减反射膜制备方法 | |
| WO2010023991A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム | |
| CN103746005B (zh) | 双层氮化硅减反射膜 | |
| CN103413868A (zh) | 一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺 | |
| WO2013064025A1 (zh) | 改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法 | |
| CN102446753A (zh) | 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法 | |
| KR101284704B1 (ko) | 박막형 태양전지 제조용 열처리 장치, 열처리 방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지 제조 방법 | |
| US9478448B2 (en) | Thermal treatment system and method of performing thermal treatment and method of manufacturing CIGS solar cell using the same | |
| CN203312325U (zh) | 具有抗pid效应镀膜的晶体硅电池片 | |
| CN104064654B (zh) | 形成芯片的钝化膜的方法、芯片的钝化膜的结构及芯片 | |
| CN102832119A (zh) | 低温二氧化硅薄膜的形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120509 |