JP2007059705A - キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents
キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059705A JP2007059705A JP2005244441A JP2005244441A JP2007059705A JP 2007059705 A JP2007059705 A JP 2007059705A JP 2005244441 A JP2005244441 A JP 2005244441A JP 2005244441 A JP2005244441 A JP 2005244441A JP 2007059705 A JP2007059705 A JP 2007059705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- forming
- dielectric film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 title 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 141
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 141
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1625—Manufacturing processes electroforming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1645—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by spincoating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/57—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material comprising a barrier layer to prevent diffusion of hydrogen or oxygen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係るキャパシタ10の製造方法は、
基板1の上方に下部電極4を形成する工程と、
下部電極4の上方に、強誘電体または圧電体からなる誘電体膜5を形成する工程と、
誘電体膜5の上方に上部電極6を形成する工程と、
少なくとも誘電体膜5を被覆するように酸化シリコン膜20を形成する工程と、を含み、
酸化シリコン膜20は、トリメトキシシランを用いて形成される。
【選択図】 図2
Description
基板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に、強誘電体または圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される。
前記酸化シリコン膜は、2周波プラズマCVD法により形成されることができる。
前記酸化シリコン膜は、1周波プラズマCVD法により形成されることができる。
前記酸化シリコン膜を形成する工程は、
少なくとも前記誘電体膜および前記上部電極を被覆するように1周波プラズマCVD法により第1酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1酸化シリコン膜を被覆するように2周波プラズマCVD法により第2酸化シリコン膜を形成する工程と、を含むことができる。
基板の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された、強誘電体または圧電体からなる誘電体膜と、
前記誘電体膜の上方に形成された上部電極と、
少なくとも前記誘電体膜および前記上部電極を被覆するように形成された第1酸化シリコン膜と、
前記第1酸化シリコン膜を被覆するように形成された第2酸化シリコン膜と、を含み、
前記第1酸化シリコン膜の前記上部電極に対する密着性は、前記第2酸化シリコン膜の該上部電極に対する密着性より高く、
前記第2酸化シリコン膜の絶縁性は、前記第1酸化シリコン膜の絶縁性より高い。
基板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に強誘電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記上部電極および前記下部電極のうちの少なくとも一方と電気的に接続された制御回路部を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される。
弾性板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される。
基板の上方に弾性板を形成する工程と、
前記弾性板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記基板に流路を形成する工程と、
前記基板の下方に、前記流路に連続するノズル穴を有するノズルプレートを形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される。
1.1. まず、第1の実施形態に係るキャパシタの製造方法およびその製造方法により得られるキャパシタについて説明する。図1、図2は、本実施形態に係るキャパシタの一製造工程を模式的に示す断面図である。
2.1. 次に、第2の実施形態に係るキャパシタの製造方法およびその製造方法により得られるキャパシタについて説明する。図9、図10は、本実施形態に係るキャパシタの一製造工程を模式的に示す断面図である。なお、第1の実施形態に係るキャパシタ10と同一の部材については、同一の符合を付し、その詳細な説明を省略する。
3.1. 次に、上述した第1または第2の実施形態で説明したキャパシタおよびその製造方法を強誘電体メモリ装置およびその製造方法に適用する例について説明する。
4.1. 次に、上述した第1または第2の実施形態で説明したキャパシタおよびその製造方法を、アクチュエータおよびその製造方法、並びに、液体噴射ヘッドおよびその製造方法に適用する例について説明する。
Claims (8)
- 基板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に、強誘電体または圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される、キャパシタの製造方法。 - 請求項1において、
前記酸化シリコン膜は、2周波プラズマCVD法により形成される、キャパシタの製造方法。 - 請求項1において、
前記酸化シリコン膜は、1周波プラズマCVD法により形成される、キャパシタの製造方法。 - 請求項1において、
前記酸化シリコン膜を形成する工程は、
少なくとも前記誘電体膜および前記上部電極を被覆するように1周波プラズマCVD法により第1酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1酸化シリコン膜を被覆するように2周波プラズマCVD法により第2酸化シリコン膜を形成する工程と、を含む、キャパシタの製造方法。 - 基板の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された、強誘電体または圧電体からなる誘電体膜と、
前記誘電体膜の上方に形成された上部電極と、
少なくとも前記誘電体膜および前記上部電極を被覆するように形成された第1酸化シリコン膜と、
前記第1酸化シリコン膜を被覆するように形成された第2酸化シリコン膜と、を含み、
前記第1酸化シリコン膜の前記上部電極に対する密着性は、前記第2酸化シリコン膜の該上部電極に対する密着性より高く、
前記第2酸化シリコン膜の絶縁性は、前記第1酸化シリコン膜の絶縁性より高い、キャパシタ。 - 基板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に強誘電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記上部電極および前記下部電極のうちの少なくとも一方と電気的に接続された制御回路部を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される、強誘電体メモリ装置の製造方法。 - 弾性板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される、アクチュエータの製造方法。 - 基板の上方に弾性板を形成する工程と、
前記弾性板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に圧電体からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体膜を被覆するように酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記基板に流路を形成する工程と、
前記基板の下方に、前記流路に連続するノズル穴を有するノズルプレートを形成する工程と、を含み、
前記酸化シリコン膜は、トリメトキシシランを用いて形成される、液体噴射ヘッドの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005244441A JP2007059705A (ja) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 |
EP20060016703 EP1758150B1 (en) | 2005-08-25 | 2006-08-10 | Capacitor, method of manufacturing the same and its use |
US11/502,854 US20070048880A1 (en) | 2005-08-25 | 2006-08-11 | Capacitor, method of manufacturing the same, method of manufacturing ferroelectric memory device, method of manufacturing actuator, and method of manufacturing liquid jet head |
CNB2006101099166A CN100479096C (zh) | 2005-08-25 | 2006-08-24 | 电容器及电容器、存储装置、激励器和喷射头的制造方法 |
US12/265,939 US20090093070A1 (en) | 2005-08-25 | 2008-11-06 | Capacitor, method of manufacturing the same, method of manufacturing ferroelectric memory device, method of manufacturing actuator, and method of manufacturing liquid jet head |
US12/335,637 US20090153625A1 (en) | 2005-08-25 | 2008-12-16 | Capacitor, method of manufacturing the same, method of manufacturing ferroelectric memory device, method of manufacturing actuator, and method of manufacturing liquid jet head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005244441A JP2007059705A (ja) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059705A true JP2007059705A (ja) | 2007-03-08 |
Family
ID=37496572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005244441A Pending JP2007059705A (ja) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20070048880A1 (ja) |
EP (1) | EP1758150B1 (ja) |
JP (1) | JP2007059705A (ja) |
CN (1) | CN100479096C (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235569A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター |
US8305730B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Capacitor and its manufacturing method |
JP2016055475A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5754178B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-07-29 | 株式会社リコー | インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 |
JP2015170848A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 圧電素子及びこれを含む圧電振動子 |
WO2015175513A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | Universal Display Corporation | Barrier composition and properties |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4845054A (en) * | 1985-06-14 | 1989-07-04 | Focus Semiconductor Systems, Inc. | Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films |
US5034645A (en) * | 1989-01-13 | 1991-07-23 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
JP2899600B2 (ja) * | 1994-01-25 | 1999-06-02 | キヤノン販売 株式会社 | 成膜方法 |
US6207590B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-27 | Wafertech, Inc. | Method for deposition of high stress silicon dioxide using silane based dual frequency PECVD process |
JP3419745B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-06-23 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6500752B2 (en) * | 2000-07-21 | 2002-12-31 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
US6420276B2 (en) * | 2000-07-21 | 2002-07-16 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
US6835669B2 (en) * | 2000-07-21 | 2004-12-28 | Canon Sales Co., Inc. | Film forming method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
DE10041685C2 (de) * | 2000-08-24 | 2002-06-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Bauelements |
JP3545364B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2004-07-21 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6899787B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system |
JP2003243625A (ja) | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置およびその製造方法 |
JP3791614B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ |
US7834923B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-11-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus and method for producing and storing multiple video streams |
JP2004281956A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004311924A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子。 |
US7005724B2 (en) * | 2004-02-13 | 2006-02-28 | Agere Systems Inc. | Semiconductor device and a method of manufacture therefor |
US7097779B2 (en) * | 2004-07-06 | 2006-08-29 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a TERA layer |
-
2005
- 2005-08-25 JP JP2005244441A patent/JP2007059705A/ja active Pending
-
2006
- 2006-08-10 EP EP20060016703 patent/EP1758150B1/en not_active Ceased
- 2006-08-11 US US11/502,854 patent/US20070048880A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-24 CN CNB2006101099166A patent/CN100479096C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-06 US US12/265,939 patent/US20090093070A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-16 US US12/335,637 patent/US20090153625A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8305730B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Capacitor and its manufacturing method |
JP2008235569A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター |
US7781946B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-08-24 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, ink jet recording head and ink jet printer |
JP2016055475A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出装置の製造方法、及び、液体吐出装置 |
US10357971B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-07-23 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid jetting apparatus and liquid jetting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090093070A1 (en) | 2009-04-09 |
US20070048880A1 (en) | 2007-03-01 |
EP1758150B1 (en) | 2011-10-12 |
CN1941285A (zh) | 2007-04-04 |
US20090153625A1 (en) | 2009-06-18 |
EP1758150A2 (en) | 2007-02-28 |
CN100479096C (zh) | 2009-04-15 |
EP1758150A3 (en) | 2007-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7829476B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
US7169621B2 (en) | Ferroelectric memory device | |
JP2007059705A (ja) | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP4506975B2 (ja) | キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
US6686211B1 (en) | Method for manufacturing non-volatile memory device and non-volatile memory and semiconductor device | |
JP2006073648A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN100385669C (zh) | 强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件 | |
JP2009054785A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、液体噴射ヘッド、並びに、強誘電体メモリ | |
US6781172B2 (en) | Semiconductor device with adhesion-improvement capacitor and process for producing the device | |
JP2013168494A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4500262B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4761019B2 (ja) | 電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置 | |
US7662724B2 (en) | Method of manufacturing a ferroelectric capacitor with a hydrogen barrier layer | |
JP4424464B2 (ja) | 強誘電体メモリの製造方法 | |
JP2004087754A (ja) | 強誘電体膜の形成方法及び強誘電体メモリ | |
US20060081902A1 (en) | Ferroelectric memory and method of manufacturing the same | |
JP5126252B2 (ja) | キャパシタ、強誘電体メモリ装置、アクチュエータおよび液体噴射ヘッド | |
JP5360161B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000323668A (ja) | 強誘電体容量及びこれを備えた回路装置 | |
JP5360023B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4492819B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
JP2009231345A (ja) | 強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び半導体記憶装置 | |
JP2009038274A (ja) | 圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
JP2006294732A (ja) | 誘電体堆積体の製造方法および電気機器 | |
JP2004296688A (ja) | 強誘電体キャパシタ、半導体装置、および強誘電体キャパシタの製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061120 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090722 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091021 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100127 |