JP5126252B2 - キャパシタ、強誘電体メモリ装置、アクチュエータおよび液体噴射ヘッド - Google Patents
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下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の上方に形成された上部電極と、を含む。
前記第2誘電体膜の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第3誘電体膜を有し、
前記第3誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛は、前記第2誘電体膜がニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる場合において、前記第2誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が大きいことができる。
基板の上方に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上方に、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜を形成する工程と、
前記第1誘電体膜の上方に、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜を形成する工程と、
少なくとも前記第2誘電体膜に対して行う熱処理工程と、
前記第2誘電体膜の上方に、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第3誘電体膜を形成する工程と、
前記第3誘電体膜の上方に上部電極を形成する工程と、を含み、
前記第3誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛は、前記第2誘電体膜がニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる場合において、前記第2誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が大きく、
前記熱処理工程は、前記第3誘電体膜の形成工程よりも前に行われる。
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極および前記上部電極のうちの少なくとも一方と電気的に接続された制御回路部と、を含む。
基板と、
前記基板の上方に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールに埋め込まれたプラグ層と、を含み、
前記下部電極は、少なくとも前記プラグ層の上面に接して形成されていることができる。
弾性板と、
前記弾性板の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の上方に形成された上部電極と、を含む。
基板と、
前記基板の上方に形成された弾性板と、
前記弾性板の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、
前記第1誘電体膜の上方に形成され、チタン酸ジルコン酸鉛、または、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりもNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、
前記第2誘電体膜の上方に形成された上部電極と、
前記基板に形成された流路と、
前記基板の下方に形成され、前記流路に連続するノズル穴を有するノズルプレートと、を含む。
1.1. まず、第1の実施形態に係るキャパシタの製造方法およびその製造方法により得られるキャパシタ100について説明する。図1は、本実施形態に係るキャパシタ100を模式的に示す断面図である。
2.1. 次に、第2の実施形態に係るアクチュエータおよび液体噴射ヘッドについて説明する。
Claims (10)
- 基板の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜の上方に形成された上部電極と、を備えたキャパシタであって、
前記誘電体膜は、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第1誘電体膜と、前記第1誘電体膜上に形成され、前記第1誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛よりNb組成が小さいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛またはチタン酸ジルコン酸鉛からなる第2誘電体膜と、を有し、
前記誘電体膜の(111)ピーク強度割合が、95%以上であることを特徴とするキャパシタ。 - 前記第1誘電体膜の膜厚は、5nmであることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ。
- 前記第2誘電体膜の膜厚は、100nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のキャパシタ。
- 前記第1誘電体膜は、ジルコニウム、チタンおよびニオブの合計に対し、ニオブが0.20以上0.24以下のモル比で含まれることを特徴とする請求項1乃至3何れか一項に記載のキャパシタ。
- 前記誘電体膜は、前記第2誘電体膜上に形成され、前記第2誘電体膜を構成するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛またはチタン酸ジルコン酸鉛よりNb組成が大きいニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛からなる第3誘電体膜をさらに有することを特徴とする請求項1乃至4何れか一項に記載のキャパシタ。
- 前記第3誘電体膜の膜厚は、5nmであることを特徴とする請求項5に記載のキャパシタ。
- 前記第3誘電体膜は、ジルコニウム、チタンおよびニオブの合計に対し、ニオブが0.20以上0.24以下のモル比で含まれることを特徴とする請求項5又は6に記載のキャパシタ。
- 請求項1乃至7何れか一項に記載のキャパシタを備えることを特徴とする強誘電体メモリ装置。
- 請求項1乃至7何れか一項に記載のキャパシタを備えることを特徴とするアクチュエータ。
- 請求項9に記載のアクチュエータを備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
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