JP4304516B2 - 導電性複合酸化物層の製造方法、強誘電体層を有する積層体の製造方法 - Google Patents
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Description
基体の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を含む。
前記第1スパッタリングは、不活性ガスと酸素との共存下において行われることができる。
前記第1導電性複合酸化物層と前記第2導電性複合酸化物層とは、同じ化合物であることができる。
前記第2スパッタリングは、酸素を含まない雰囲気下で行われることができる。
前記第2導電性複合酸化物層を形成した後に、熱処理を行う工程を有することができる。
前記A元素は、La、Ca、Sr、Mn、BaおよびReから選択される少なくとも一つであり、
前記B元素は、Ti、V、Sr、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Ir、PbおよびNdから選択される少なくとも一つであることができる。
前記A元素はLaであり、前記B元素はNiであることができる。
本発明の導電性複合酸化物層の製造方法において、
前記スパッタリングは、RFスパッタリングであることができる。
基体の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第2導電性複合酸化物層の上方に、強誘電体層を形成する工程と、
を含む。
前記強誘電体層の上方に、スパッタリングによって、一般式ABO3で表される導電性複合酸化物層を形成する工程を有することができる。
前記導電性複合酸化物層は、第1酸素濃度で行われる第3スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第3導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第3導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第4スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第4導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を有することができる。
基体の上方に、強誘電体層を形成する工程と、
前記強誘電体層の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を含む。
本実施形態に係る第1の積層体の製造方法について、図1ないし図5を参照しながら説明する。図1ないし図3は、本実施形態に係る導電性複合酸化物層の製造方法を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る導電性複合酸化物層を含む第2の積層体の製造方法について、図6を参照しながら説明する。図6は、第2の積層体の製造方法を模式的に示す断面図である。本実施形態では、基体1上に、強誘電体層3および導電性複合酸化物層1が順次形成されている点で、上記第1の積層体と相違する。
以下、本発明の実施例について述べるが、本発明はこれらに限定されない。
本発明のデバイスは、本発明の強誘電体層を有する積層体の製造方法によって得られた積層体を有する部品、およびこの部品を有する電子機器を含む。以下に、本発明のデバイスの製造方法が適用されるデバイスの例を記載する。
次に、本発明の製造方法によって得られた積層体を含む半導体素子について説明する。本実施形態では、半導体素子の一例である強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリ装置を例に挙げて説明する。
次に、本発明の積層体の製造方法を圧電素子の製造方法に適用した例について説明する。
次に、上述の圧電素子が圧電アクチュエータとして機能しているインクジェット式記録ヘッドおよびこのインクジェット式記録ヘッドを有するインクジェットプリンタについて説明する。図16は、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す側断面図であり、図17は、このインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、通常使用される状態とは上下逆に示したものである。なお、図18には、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを有するインクジェットプリンタ700を示す。
次に、本発明の積層体の製造方法(第2の積層体の製造方法)を適用した表面弾性波素子の一例について、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明の積層体の製造方法(第2の積層体の製造方法)を適用した周波数フィルタの一例について、図面を参照しながら説明する。図20は、本実施形態の周波数フィルタを模式的に示す図である。
次に、本発明の積層体の製造方法(第2の積層体の製造方法)を適用した発振器の一例について、図面を参照しながら説明する。図21は、本実施形態の発振器を模式的に示す図である。
Claims (14)
- 基体の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を含む、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1スパッタリングは、不活性ガスと酸素との共存下において行われる、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記第1導電性複合酸化物層と前記第2導電性複合酸化物層とは、同じ化合物である、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記第2スパッタリングは、酸素を含まない雰囲気下で行われる、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記第2導電性複合酸化物層を形成した後に、熱処理を行う工程を有する、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1ないし5のずれかにおいて、
前記A元素は、La、Ca、Sr、Mn、BaおよびReから選択される少なくとも一つであり、
前記B元素は、Ti、V、Sr、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Ir、PbおよびNdから選択される少なくとも一つである、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記A元素はLaであり、前記B元素はNiである、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれかにおいて、
前記スパッタリングは、RFスパッタリングである、導電性複合酸化物層の製造方法。 - 基体の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第2導電性複合酸化物層の上方に、強誘電体層を形成する工程と、
を含む、強誘電体層を有する積層体の製造方法。 - 請求項9において、
前記強誘電体層の上方に、スパッタリングによって、一般式ABO3で表される導電性複合酸化物層を形成する工程を有する、強誘電体層を有する積層体の製造方法。 - 請求項10において、
前記導電性複合酸化物層は、第1酸素濃度で行われる第3スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第3導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第3導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第4スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第4導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を有する、強誘電体層を有する積層体の製造方法。 - 請求項9ないし11のいずれかに記載の積層体の製造方法を含む、デバイスの製造方法。
- 基体の上方に、強誘電体層を形成する工程と、
前記強誘電体層の上方に、第1酸素濃度で行われる第1スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第1導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第1導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第1酸素濃度よりも酸素濃度が低い第2酸素濃度で行われる第2スパッタリングによって、一般式ABO3で表される第2導電性複合酸化物層を形成する工程と、
を含む、強誘電体層を有する積層体の製造方法。 - 請求項13に記載の製造方法を含む、デバイスの製造方法。
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