JP5862347B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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強誘電体メモリでは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)などの強誘電体層を上部電極及び下部電極で挟んだ強誘電体キャパシタがメモリ素子として用いられている。
このため、強誘電体キャパシタを、メモリ素子として用いるだけでなく、他の部分、例えばロジック回路などの周辺回路の平滑容量にも用いるようになってきている。
例えば、メモリ素子に用いる場合には、低電圧動作、大きなQsw、優れたリテンション特性及び良好なインプリント特性が要求される。このため、強誘電体層を薄くすることが試みられている。
そして、ある膜厚でメモリ素子に要求される特性と平滑容量に要求される特性の両方を満足することができれば良いが、高集積化が進むにつれて、これらを同時に満たすことが難しくなってきている。例えば、メモリ素子としては良好な特性を持つ強誘電体キャパシタであっても、平滑容量としては、絶縁破壊耐性が弱く、使えないといったことが生じてきている。
また、例えば、強誘電体キャパシタの製造工程の途中で、一部分をエッチングによって除去した後、その後の工程を進めることで、厚さの異なる強誘電体層を有する2種類の強誘電体キャパシタを製造することも考えられる。この製造方法は、追加される工程数が少なく、コスト面で有利である。これを第2の製造方法という。
また、上述の第2の製造方法では、メモリ素子に用いられる強誘電体キャパシタの形成領域に、エッチングされた領域が含まれることになる。つまり、強誘電体キャパシタの特性を考慮すると、厚い強誘電体層を有するキャパシタを平滑容量に用い、薄い強誘電体層を有するキャパシタをメモリ素子に用いることになる。このため、メモリ素子に用いられる強誘電体キャパシタを形成する領域においてエッチングを行なうことになるため、メモリ素子に用いられる強誘電体キャパシタの形成領域に、エッチングされた領域が含まれることになる。
しかしながら、メモリ素子に用いられる強誘電体キャパシタの形成領域にエッチングされた領域が含まれる場合、メモリ素子に用いられる強誘電体キャパシタのみを製造する場合の従来の製造条件を用いると、必要な特性を満たすことができない。このため、新たなプロセス開発が必要となり、開発工数が増加し、コストアップにつながることになる。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第1上部電極及び第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、保護層及び第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成し、第1下部電極及び第2下部電極を形成した後に、第2上部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成し、第1下部電極及び第2下部電極を形成した後、第2上部電極を形成する前に、少なくとも第1上部電極、第1強誘電体層、第1下部電極、第2強誘電体層の最下層及び第2下部電極を覆うように第2強誘電体膜を形成することによって、第1上部電極、第1強誘電体層及び第1下部電極を覆う保護層、並びに、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、保護層及び第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第2上部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後に、第1上部電極、第1強誘電体層、第2強誘電体層の最下層及び第1導電膜を覆うように、第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、第3導電膜を形成した後に、第3導電膜を選択的に除去して、第2上部電極を形成し、第2上部電極を形成した後に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第1上部電極、第1強誘電体層及び第1導電膜を覆う保護層、並びに、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、保護層及び第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、第3導電膜を形成した後に、第3導電膜を選択的に除去して、第2上部電極を形成し、第2上部電極を形成した後に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第1上部電極及び第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、保護層及び第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成し、第1下部電極及び第2下部電極を形成した後、第2上部電極を形成する前に、少なくとも第1上部電極、第1強誘電体層、第1下部電極、第2強誘電体層の最下層及び第2下部電極を覆うように第2強誘電体膜を形成することによって、第1上部電極、第1強誘電体層及び第1下部電極を覆う保護層、並びに、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、第3導電膜を形成した後に、第3導電膜を選択的に除去して、第2上部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後に、第1上部電極、第1強誘電体層、第2強誘電体層の最下層及び第1導電膜を覆うように、第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、第3導電膜を形成した後に、第3導電膜を選択的に除去して、第2上部電極を形成し、第2上部電極を形成した後に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、第3導電膜を形成した後に、第3導電膜を選択的に除去して、第2上部電極を形成し、第2上部電極を形成した後に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成することを要件とする。
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本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成し、第1下部電極及び第2下部電極を形成した後に、第2上部電極を形成することを要件とする。
本半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、第1導電膜上に、第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、第2導電膜を選択的に除去して、第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後に、第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後に、第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、第1上部電極を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1強誘電体膜を選択的に除去して、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成し、第1強誘電体層及び第2強誘電体層の最下層を形成した後、第2強誘電体膜を形成する前に、第1導電膜を選択的に除去して、第1下部電極及び第2下部電極を形成し、第1下部電極及び第2下部電極を形成した後、第2上部電極を形成する前に、少なくとも第2強誘電体層の最下層を覆うように第2強誘電体膜を形成し、第2強誘電体膜を形成した後、第2上部電極を形成する前に、第2強誘電体膜を選択的に除去して、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、第2上部電極を形成することを要件とする。
[第1実施形態]
まず、第1実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図1〜図7を参照しながら説明する。
本半導体装置は、半導体素子3上に形成された絶縁膜4上の一の領域にメモリ用キャパシタ1を備え、他の領域に平滑用キャパシタ2を備える。つまり、メモリ用キャパシタ1と平滑用キャパシタ2とは、同一の半導体素子3上に形成された同一の絶縁膜4上の異なる領域に設けられている。ここでは、半導体素子3は、トランジスタのプラグ電極3Aを備える。このプラグ電極3Aは例えばタングステンからなる。また、絶縁膜4は、例えばSiO膜とSiON膜との積層膜である。なお、半導体素子3を半導体基板ともいう。また、表面に絶縁膜4を備える半導体素子3をウェハともいう。
また、本実施形態では、メモリ用強誘電体層6は、1層構造であり、例えば、厚さ約140nmのチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)層である。また、平滑用強誘電体層9は、多層構造(ここでは2層構造)であり、例えば、厚さ約140nmのPZT層9Aと厚さ約50nmのPZT層9Bとを積層させたものである。このように、平滑用強誘電体層9の各層9A,9Bは、同一の材料である。また、メモリ用強誘電体層6と平滑用強誘電体層9の最下層9Aとは、同一の材料及び同一の厚さである。このため、メモリ用キャパシタ1と平滑用キャパシタ2とは、異なる厚さの強誘電体層6,9を有し、要求される特性が異なる。つまり、本半導体装置は、厚さの異なる強誘電体層6,9を有する2種類の強誘電体キャパシタ、即ち、要求される特性が異なる2種類の強誘電体キャパシタ1,2を備えることになる。
また、本実施形態では、メモリ用上部電極7は、例えば、厚さ約250nmのIrO2層である。
まず、図1に示すように、半導体素子3上に形成された絶縁膜4上に、全面に、後の工程で選択的に除去されてメモリ用キャパシタ1の下部電極5及び平滑用キャパシタ2の下部電極8となる第1導電膜23を形成する。なお、第1導電膜23を下部電極膜ともいう。ここでは、第1導電膜23として、例えばスパッタ法によって、例えば厚さ約20nmのAlO膜と厚さ約150nmのPt膜を積層させた積層膜を形成する。
次に、図2に示すように、第2導電膜25を選択的に除去して、メモリ用キャパシタ1の上部電極7を形成する。
ここでは、メモリ用キャパシタ1の強誘電体層形成領域及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみを覆うように、例えばフォトレジストでエッチング用マスクをパターニングする。そして、例えばICPエッチャーでAr/Clガスを用いてエッチングを行なう。このようにして、第1強誘電体膜24を選択的にエッチングし、メモリ用キャパシタ1の強誘電体層形成領域及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみに第1強誘電体膜24を残して、メモリ用キャパシタ1の1層構造の強誘電体層6及び平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A(ここでは2層構造の下層)を形成する。
ここでは、メモリ用キャパシタ1の保護層形成領域及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみを覆うように、例えばフォトレジストでエッチング用マスクをパターニングする。そして、例えばICPエッチャーでAr/Clガスを用いてエッチングを行なう。このようにして、第2強誘電体膜26を選択的にエッチングし、メモリ用キャパシタ1の保護層形成領域及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみに第2強誘電体膜26を残して、メモリ用キャパシタ1の上部電極7、強誘電体層6及び下部電極5となる第1導電膜23を覆う保護層11、並びに、平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A以外の層9B(ここでは2層構造の上層)を同時に形成する。
このように、平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の膜厚を厚くするために用いる2層構造の強誘電体層9の上層9Bを、メモリ用キャパシタ1の表面を覆う保護層11として利用する。このため、メモリ用キャパシタ形成領域において、平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の膜厚を厚くするために用いる2層構造の強誘電体層9の上層9Bを除去する工程が不要となり、工程数の増加を防ぎながら、平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の膜厚を厚くすることが可能となる。
ここでは、メモリ用キャパシタ1の下部電極形成領域及び平滑用キャパシタ2の下部電極形成領域のみを覆うように、例えばフォトレジストでエッチング用マスクをパターニングする。そして、例えばICPエッチャーでAr/Clガスを用いてエッチングを行なう。このようにして、第1導電膜23を選択的にエッチングし、メモリ用キャパシタ1の下部電極形成領域及び平滑用キャパシタ2の下部電極形成領域のみに第1導電膜23を残して、メモリ用キャパシタ1の下部電極5及び平滑用キャパシタ2の下部電極8を形成する。
次に、層間絶縁膜16に、メモリ用キャパシタ1の上部電極7、下部電極5、平滑用キャパシタ2の下部電極8、及び、半導体素子3に含まれるトランジスタ(バルクトランジスタ)のプラグ電極3Aのそれぞれに達するコンタクトホール17〜20を形成する。また、層間絶縁膜16に、平滑用キャパシタ1の多層構造の強誘電体層9(ここでは2層構造の上層9B)に達する開口部21を形成する。なお、コンタクトホール17〜20をビアホールともいう。
その後、通常の半導体装置の製造工程を経て、本実施形態にかかる半導体装置が製造される。
なお、上述の実施形態(図2〜図7参照)では、第2導電膜25を選択的に除去して、メモリ用キャパシタ1の上部電極7を形成し、次いで、第1強誘電体膜24を選択的に除去して、メモリ用キャパシタ1の強誘電体層6及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の最下層9A(ここでは2層構造の下層)を形成した後に、全面に第2強誘電体膜26を形成し、この第2強誘電体膜26を選択的に除去して、保護層11及び平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の最下層9A以外の層9B(ここでは2層構造の上層)を形成し、次に、第1導電膜23を選択的に除去して、メモリ用キャパシタ1の下部電極5及び平滑用キャパシタ2の下部電極8を形成し、その後に、平滑用キャパシタ2の上部電極10を形成するようにしているが、これに限られるものではなく、メモリ用キャパシタの上部電極を形成した後に、平滑用キャパシタの多層構造の強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、この第2強誘電体膜を形成した後に、平滑用キャパシタの上部電極を形成するようにすれば良い。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図18〜図22を参照しながら説明する。
本実施形態では、平滑用キャパシタ2の上部電極10は、メモリ用キャパシタ1の上部電極7と同様に、例えば、厚さ約250nmのIrO2層である。なお、これらの上部電極10,7の材料としては、IrO2のほかに、SrRuO3(SRO)などを用いることができる。つまり、上部電極10,7の材料としては、IrO2、SrRuO3などの酸化物導電物質を用いることができる。
次に、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図18〜図22を参照しながら説明する。
本半導体装置の製造方法は、上述の第1実施形態(図1〜図7参照)のものに対し、第2強誘電体膜26を選択的に除去して、平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A以外の層9B(ここでは2層構造の上層)を形成する際に、メモリ用キャパシタ形成領域には第2強誘電体膜26を残さないようにし、保護層11が形成されないようにしている点が異なる。また、第2強誘電体膜26を形成した後、この第2強誘電体膜26を選択的に除去して、平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A以外の層9B(ここでは2層構造の上層)を形成する前に、第2強誘電体膜26上に、第3導電膜27を形成し、次いで、第3導電膜27を選択的に除去して、平滑用キャパシタ2の上部電極10を形成する点が異なる。
次に、上述の第1実施形態の場合と同様に、第1導電膜23上に第1強誘電体膜24を形成する。
次に、上述の第1実施形態の場合と同様に、第1強誘電体膜24上に第2導電膜25を形成する。
次に、上述の第1実施形態の場合と同様に、第1強誘電体膜24を選択的に除去して、メモリ用キャパシタ1の1層構造の強誘電体層6及び平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A(ここでは2層構造の下層)を形成する。
次に、第2強誘電体膜26上に、全面に、平滑用キャパシタ2の上部電極10となる第3導電膜27を形成する。なお、第3導電膜27を上部電極膜ともいう。ここでは、第3導電膜27として、例えばスパッタ法によって、例えば厚さ約250nmのIrO2膜を形成する。
ここでは、平滑用キャパシタ2の上部電極形成領域を覆い、それ以外の領域(メモリ用キャパシタ形成領域を含む)を覆わないように、例えばフォトレジストでエッチング用マスクをパターニングする。そして、例えばICPエッチャーでAr/Clガスを用いてエッチングを行なう。このようにして、第3導電膜27を選択的にエッチングし、平滑用キャパシタ2の上部電極形成領域のみに第3導電膜27を残して、平滑用キャパシタ2の上部電極10を形成する。この場合、メモリ用キャパシタ形成領域では、第3導電膜27は残されずに除去される。
ここでは、平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみを覆うように、例えばフォトレジストでエッチング用マスクをパターニングする。そして、例えばICPエッチャーでAr/Clガスを用いてエッチングを行なう。このようにして、第2強誘電体膜26を選択的にエッチングし、平滑用キャパシタ2の強誘電体層形成領域のみに第2強誘電体膜26を残して、平滑用キャパシタ2の多層構造の強誘電体層9の最下層9A以外の層9B(ここでは2層構造の上層)を形成する。つまり、平滑用キャパシタ形成領域に2層構造の強誘電体層9が形成され、平滑用キャパシタ2の強誘電体層9の膜厚が厚くされる。
次に、上述の第1実施形態の場合と同様に、図21に示すように、表面全体を覆うように層間絶縁膜16を形成する。その後、層間絶縁膜16を平坦化する。
次に、図22に示すように、コンタクトホール17〜20、28を金属材料(導電性材料)で埋め込んで、コンタクト12〜15、29を形成する。ここでは、層間絶縁膜16の表面上に、例えばCVD法によって、TiNからなる膜、Wからなる膜を順に積層させて、金属材料からなる膜(金属膜;導電膜)を形成する。その後、不要部分を例えばCMP法で除去する。これにより、コンタクトホール17〜20、28が金属材料(導電性材料)で埋め込まれて、コンタクト12〜15、29が形成される。そして、これらのコンタクト12〜15、29に接続されるように、例えばAlからなる配線(金属配線)22が形成される。なお、コンタクト12〜15、29をビアともいう。
その後、通常の半導体装置の製造工程を経て、本実施形態にかかる半導体装置が製造される。
したがって、本実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法によれば、製造工程をできるだけ変更することなく、コストを抑えながら、厚さの異なる強誘電体層6,9を有する2種類のキャパシタ1,2を備える半導体装置を製造できるという利点がある。
つまり、第2強誘電体膜26を形成した後、この第2強誘電体膜26上に第3導電膜27を形成し、第3導電膜27を形成した後に、第3導電膜27を選択的に除去して、第2上部電極10を形成するようにしているが、これに限られるものではない。
[その他]
なお、本発明は、上述した各実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
(付記1)
絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1導電膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極及び前記第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第1下部電極、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第2下部電極を覆うように前記第2強誘電体膜を形成することによって、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1下部電極を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1導電膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極及び前記第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第1下部電極、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第2下部電極を覆うように前記第2強誘電体膜を形成することによって、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1下部電極を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層を覆うように前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層を覆うように前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層以外の層の表面を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記層間絶縁膜に、前記第1上部電極、前記第1下部電極及び前記第2下部電極のそれぞれに達するコンタクトホール、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層に達する開口部を形成し、
前記コンタクトホール及び前記開口部を形成した後に、前記コンタクトホール及び開口部を導電性材料で埋め込んで、コンタクト及び前記第2上部電極を形成することを特徴とする、付記1〜4、11〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
表面を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記第1上部電極、前記第1下部電極、前記第2下部電極及び前記第2上部電極のそれぞれに達するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを導電性材料で埋め込んで、コンタクトを形成することを特徴とする、付記1、5〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
絶縁膜上に設けられ、第1下部電極と、1層構造の第1強誘電体層と、第1上部電極とを備える第1のキャパシタと、
前記絶縁膜上の異なる領域に設けられ、第2下部電極と、多層構造の第2強誘電体層と、第2上部電極とを備える第2のキャパシタとを備え、
前記第1下部電極と前記第2下部電極とは、同一の材料及び同一の厚さであり、
前記第1強誘電体層と前記第2強誘電体層の最下層とは、同一の材料及び同一の厚さであることを特徴とする半導体装置。
少なくとも前記第1上部電極を覆う保護層を備え、
前記保護層と前記第2強誘電体層の最下層以外の層とは、同一の構造であることを特徴とする、付記16に記載の半導体装置。
(付記18)
前記第1上部電極、前記第1下部電極及び前記第2下部電極のそれぞれに接続されたコンタクトを備え、
前記第2上部電極と前記コンタクトとは、同一の材料であることを特徴とする、付記16又は17に記載の半導体装置。
前記第2強誘電体層の各層は、同一の材料であることを特徴とする、付記16〜18いずれか1項に記載の半導体装置。
(付記20)
前記第1のキャパシタは、メモリ用キャパシタであり、
前記第2のキャパシタは、平滑用キャパシタであることを特徴とする、付記16〜19のいずれか1項に記載の半導体装置。
2 平滑用キャパシタ(第2のキャパシタ)
3 半導体素子
3A プラグ電極
4 絶縁膜
5 下部電極(第1下部電極)
6 強誘電体層(第1強誘電体層)
7 上部電極(第1上部電極)
8 下部電極(第2下部電極)
9 強誘電体層(第2強誘電体層)
9A 2層構造の下層(最下層)
9B 2層構造の上層(最下層以外の層)
10 上部電極(第2上部電極)
11 保護層
12〜15、29 コンタクト
16 層間絶縁膜
17〜20、28 コンタクトホール
21 開口部
22 配線
23 第1導電膜
24 第1強誘電体膜
25 第2導電膜
26 第2強誘電体膜
27 第3導電膜
Claims (16)
- 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1導電膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極及び前記第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第1下部電極、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第2下部電極を覆うように前記第2強誘電体膜を形成することによって、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1下部電極を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1導電膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1上部電極及び前記第1強誘電体膜を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記保護層及び前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第1下部電極、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第2下部電極を覆うように前記第2強誘電体膜を形成することによって、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層及び前記第1下部電極を覆う保護層、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層を覆うように前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜上に第3導電膜を形成し、
前記第3導電膜を形成した後に、前記第3導電膜を選択的に除去して、前記第2上部電極を形成し、
前記第2上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後に、前記第1上部電極、前記第1強誘電体層、前記第2強誘電体層の最下層及び前記第1導電膜を覆うように、前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に、第1のキャパシタの第1下部電極及び第2のキャパシタの第2下部電極となる第1導電膜を形成し、
前記第1導電膜上に、前記第1のキャパシタの1層構造の第1強誘電体層及び前記第2のキャパシタの多層構造の第2強誘電体層の最下層となる第1強誘電体膜を形成し、
前記第1強誘電体膜上に、第2導電膜を形成し、
前記第2導電膜を選択的に除去して、前記第1のキャパシタの第1上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後に、前記第2強誘電体層の最下層以外の層となる第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後に、前記第2のキャパシタの第2上部電極を形成し、
前記第1上部電極を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1強誘電体膜を選択的に除去して、前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成し、
前記第1強誘電体層及び前記第2強誘電体層の最下層を形成した後、前記第2強誘電体膜を形成する前に、前記第1導電膜を選択的に除去して、前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成し、
前記第1下部電極及び前記第2下部電極を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層を覆うように前記第2強誘電体膜を形成し、
前記第2強誘電体膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記第2強誘電体膜を選択的に除去して、前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成し、
前記第2強誘電体層の最下層以外の層を形成した後に、前記第2上部電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2上部電極を形成する前に、少なくとも前記第2強誘電体層の最下層以外の層の表面を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を形成した後、前記第2上部電極を形成する前に、前記層間絶縁膜に、前記第1上部電極、前記第1下部電極及び前記第2下部電極のそれぞれに達するコンタクトホール、並びに、前記第2強誘電体層の最下層以外の層に達する開口部を形成し、
前記コンタクトホール及び前記開口部を形成した後に、前記コンタクトホール及び開口部を導電性材料で埋め込んで、コンタクト及び前記第2上部電極を形成することを特徴とする、請求項1〜3、10〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 表面を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記第1上部電極、前記第1下部電極、前記第2下部電極及び前記第2上部電極のそれぞれに達するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを導電性材料で埋め込んで、コンタクトを形成することを特徴とする、請求項4〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 絶縁膜上に設けられ、第1下部電極と、1層構造の第1強誘電体層と、第1上部電極とを備える第1のキャパシタと、
前記絶縁膜上の異なる領域に設けられ、第2下部電極と、多層構造の第2強誘電体層と、第2上部電極とを備える第2のキャパシタとを備え、
前記第1下部電極と前記第2下部電極とは、同一の材料及び同一の厚さであり、
前記第1強誘電体層と前記第2強誘電体層の最下層とは、同一の材料及び同一の厚さであり、
前記第1上部電極、前記第1下部電極及び前記第2下部電極のそれぞれに接続されたコンタクトを備え、
前記第2上部電極と前記コンタクトとは、同一の材料であることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも前記第1上部電極を覆う保護層を備え、
前記保護層と前記第2強誘電体層の最下層以外の層とは、同一の構造であることを特徴とする、請求項15に記載の半導体装置。
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