JP2008130615A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】強誘電体キャパシタの上部電極とメモリセルトランジスタの1セル毎の接続を簡略化する。
【解決手段】強誘電体メモリ30では、左右のメモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きなコンタクトホールCH2が設けられている。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。
【選択図】図2
【解決手段】強誘電体メモリ30では、左右のメモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きなコンタクトホールCH2が設けられている。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。
【選択図】図2
Description
本発明は、強誘電体メモリデバイスに関する。
従来のEEPROMやフラッシュメモリと比較して高速の書き換えが可能で、且つ書き換え回数も5桁以上大きいという特徴を有し、DRAMに匹敵する容量、速度、コストの実現化を目指した次世代の不揮発性メモリの開発が行われている。次世代の不揮発性メモリには、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)、MRAM(Magnetic Random Access Memory)、PRAM(Phase Change Random Access Memory)、或いはRRAM(Resistive Random Access Memory)などがある。強誘電体メモリであるFeRAMは、強誘電体キャパシタとトランジスタからメモリセルが構成される(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1などに記載されているChain FeRAMでは、強誘電体キャパシタの上部電極とメモリセルトランジスタの1セル毎の接続を行う場合、コンタクトプラグのアスペクト比が大きくなるのでメモリセルトランジスタの開口を2回に分けている。このため、強誘電体メモリとしてのChain FeRAMの製造工程が複雑になり工程数が増加するという問題点がある。また、メモリトランジスタの微細化が進行した場合、マスク合わせ精度の問題等からメモリセルトランジスタの開口を2回に分けることが困難になり強誘電体メモリを高集積化できないという問題点がある。
特開2001−274350号公報(頁14、図17)
本発明は、強誘電体キャパシタの上部電極とメモリセルトランジスタの1セル毎の接続を簡略化できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
本発明の一態様の半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられた第1のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板上に設けられ、第1のソース/ドレイン領域を前記第1のメモリセルトランジスタと共有する第2のメモリセルトランジスタと、前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた第1の強誘電体キャパシタと、前記第2のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた第2の強誘電体キャパシタと、前記半導体基板上に前記メモリセルトランジスタ及び前記強誘電体キャパシタを覆い、底部分では前記前記第1のソース/ドレイン領域の一部を露出させ、上部分では前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの上部電極の一部を露出させたコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールに埋め込まれ、前記第1のソース/ドレイン領域、前記第1の強誘電体キャパシタの上部電極、及び前記第2の強誘電体キャパシタを接続する配線層とを具備することを特徴とする。
更に、本発明の一態様の半導体記憶装置の製造方法は、メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1の層間絶縁膜をコンタクト開口し、前記コンタクト開口した部分に埋め込まれたビアを介して前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面に、選択的に側壁膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして、前記側壁膜、前記第1誘電体キャパシタ、及び前記第2の誘電体キャパシタ上に形成された第2の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記第1誘電体キャパシタ、前記第2の誘電体キャパシタ、及び前記側壁膜を露出して第1のコンタクトを形成する工程と、前記側壁膜をマスクとして、前記第1の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域を露出して第2のコンタクトを形成する工程と、前記第1及び第2のコンタクトに配線層を埋め込む工程とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、強誘電体キャパシタの上部電極とメモリセルトランジスタの1セル毎の接続を簡略化できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供することができる。
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の実施例1に係る半導体記憶装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図1は強誘電体メモリのメモリセル部を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿う強誘電体メモリのメモリセル部を示す断面図である。本実施例では、強誘電体メモリとしてのChain FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)で、強誘電体膜キャパシタとメモリセルトランジスタ間の接続を簡略化した構造としている。
図1に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30には、複数のメモリセルトランジスタ部20と素子分離領域であるSTI(Shallow Trench Isolation)21が設けられている。強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30では、強誘電体膜キャパシタの上部電極を1セル毎にメモリセルトランジスタに接続している。
メモリセルトランジスタ部20には、図中の横方向にメモリセルトランジスタとしてのメモリセルトランジスタが複数配置形成され、ゲート電極G1、コンタクトホールCH1、ビア(プラグ電極)V1、キャパシタ上部電極CU1、配線層MH1が設けられている。メモリセルトランジスタ部20は、周囲をSTI21で分離されている。
ゲート電極G1は、図中の縦方向に複数のメモリセルトランジスタ部20を横断するように所定距離離間し、複数並列配置形成されている。コンタクトホールCH1は、ゲート電極G1とゲート電極G1の間、及びメモリセルトランジスタ部20内に配置形成されている。ビア(プラグ電極)V1は、強誘電体キャパシタ直下に配置形成されている。配線層MH1は、コンタクトホールCH1を覆うようにキャパシタ上部電極CU1まで延在形成されている。
ここで、コンタクトホールCH1の横方向寸法が寸法bで、コンタクトホールCH1とキャパシタ上部電極CU1の間隔が寸法aである。キャパシタ上部電極CU1と配線層MH1は寸法cだけオーバーラップ形成され、寸法c部分で接する。
図2に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30では、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタの半導体基板1とは逆導電型のソース/ドレイン領域2が選択的に設けられている。ソース/ドレイン領域2間の上部にゲート絶縁膜3を介してゲート電極G1が選択的に設けられている。層間絶縁膜としての絶縁膜4がソース/ドレイン領域2及びゲート電極G1を覆うように設けられている。
左右のソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成され、ビア(プラグ電極)V1よりも大きな強誘電キャパシタが積層形成されている。
2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きな寸法幅WC1のコンタクトホールCH2が設けられている。コンタクトホールCH1とコンタクトホールCH2から構成されるコンタクトホールはT型形状を有する。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクトホール部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。ここで、コンタクトホールCH1はビアコンタクト(第1のビアコンタクト)、コンタクトホールCH2はビアコンタクト(第2のビアコンタクト)とも呼称される。
配線層MH1は、図中の左側のメモリセルトランジスタ(第1のメモリセルトランジスタ)の第1のソース/ドレイン領域としてのソース/ドレイン領域2(図中の左側)上にビア(プラグ電極)V1を介して設けられた第1の強誘電体キャパシタ(図中の左側)と、右側のメモリセルトランジスタ(第2のメモリセルトランジスタ)の第2のソース/ドレイン領域としてのソース/ドレイン領域2(図中の右側)上にビア(プラグ電極)V1を介して設けられた第2の強誘電体キャパシタ(図中の左側)と、メモリセルトランジスタ(第1のメモリセルトランジスタ)及びメモリセルトランジスタ(第2のメモリセルトランジスタ)の第3のソース/ドレイン領域としてのソース/ドレイン領域2(図中の中央)とを電気的に接続する役目をする。つまり、配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
次に、強誘電体メモリの製造方法について、図3乃至図5を参照して説明する。図3乃至図5は強誘電体メモリの製造工程を示す断面図である。
図3に示すように、まず、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタ部20間の分離を行うSTI21を形成し、メモリセルトランジスタ部20上にゲート絶縁膜3、ゲート電極G1、ソース/ドレイン領域2などから構成されるメモリセルトランジスタを形成する。
次に、半導体基板1上に絶縁膜4を堆積し、ソース/ドレイン領域2上にプラグコンタクトを開口し、ビア(プラグ電極)V1を堆積する。ここで、ビア(プラグ電極)V1にはW(タングステン)を用いているが、高不純物濃度の多結晶シリコン膜などを用いてもよい。
続いて、ビア(プラグ電極)V1と接するように、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、キャパシタ上部電極CU1を順次堆積する。ここで、キャパシタ下部電極CD1にはPt(白金)を用いているが、Ir(イリジウム)やIrO2などを用いてもよい。強誘電体膜5にはPZT(チタン酸ジルコン酸鉛 PbZrTiO3)を用いているが、SBT(ストロンチウム・ビスマス・タンタレート SrBi2Ta2O9)やBLT(ランタン添加チタン酸ビスマス (Bi,La)4Ti3O12)などを用いてもよい。キャパシタ上部電極CU1にはPt(白金)を用いているが、Ir(イリジウム)やIrO2などを用いてもよい。
そして、周知のリソグラフィー技術を用いてレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクにして、例えばRIE(Reactive Ion Etching)法を用いて強誘電体キャパシタ領域以外の部分のキャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、キャパシタ上部電極CU1をエッチング除去する。レジスト膜を剥離後に再度絶縁膜4を堆積する。
次に、上部のコンタクトホールCH2形成用として周知のリソグラフィー技術を用いてレジスト膜6を形成する。ここで、レジスト膜6は強誘電体キャパシタ領域端部よりも寸法cだけ強誘電体キャパシタ領域の内側に残置形成する。
続いて、図4に示すように、レジスト膜6をマスクとして絶縁膜4を、例えばRIE法を用いて垂直に強誘電体キャパシタ領域の途中までエッチングする。ここで、RIE法ではキャパシタ下部電極CD1に対して絶縁膜4のエッチング速度が非常に大きい(選択比が大きい)ので、キャパシタ下部電極CD1はほとんどエッチングされない。
そして、レジスト膜6を剥離後、再度下部のコンタクトホールCH1形成用として周知のリソグラフィー技術を用いてレジスト膜6を形成する。ここで、レジスト膜6は、開口幅が寸法b、開口端と強誘電体キャパシタ領域の間隔が寸法aで形成される。
次に、図5に示すように、レジスト膜6をマスクとして絶縁膜4を、例えばRIE法を用いて垂直にソース/ドレイン領域2に達するまでエッチングして下部のコンタクトホールCH1を形成する。続いて、レジスト膜6を剥離後、例えば周知のダマシン法を用いて配線層MH1をコンタクトホールCH1及びコンタクトホールCH2の部分に堆積する。ここでは、ビアコンタクトと配線を同時形成しているのでデュアル・ダマシン法とも呼称される。
配線層MH1の形成は、具体的には、まず、PVD法或いはCVD法を用いてバリアメタル(例えば、TiN 窒化チタン)を形成する。次に、配線メタルとして、例えばCVD法を用いてCu(銅)をコンタクトホールCH1及びコンタクトホールCH2部分に堆積する。続いて、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、コンタクトホールCH2部を除く絶縁膜4上のCu層及びバリアメタルを研磨除去する。なお、Cuの代わりにW(タングステン)を用いてもよい。また、CVD法の代わりに電解メッキ法などで配線メタルを形成してもよい。
ここで、キャパシタ上部電極CU1上の絶縁膜4は、ダマシン法で形成される配線層MH1の厚さ(コンタクトホールCH1部分での厚さ)とCMP法での削れ量を考慮した膜厚に設定するのが好ましい。
配線層MH1を形成後、周知の技術を用いて層間絶縁膜や配線層形成などを行い、チェーンFeRAMとしての強誘電体メモリ30が完成する。
上述したように、本実施例の半導体記憶装置及びその製造方法では、左右のメモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きなコンタクトホールCH2が設けられている。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
このため、従来よりも製造工程を簡素化することができる。また、配線層MH1が埋め込まれているコンタク部分がT型形状を有しているので、コンタクトのアスペクト比が従来よりも改善され、配線層MH1の埋め込み形成工程の余裕度を向上させることができる。
なお、本実施例では、幅の広いコンタクトホールCH2を先に形成してから幅の狭いコンタクトホールCH1を形成しているが、コンタクトホールCH1を先に形成してからコンタクトホールCH2を形成してもよい。
次に、本発明の実施例2に係る半導体記憶装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図6は強誘電体メモリのメモリセル部を示す断面図である。本実施例では、強誘電体メモリとしてのChain FeRAMで、実施例1よりも強誘電体膜キャパシタ間距離を縮小化し、コンタクトホールの形状を変更し、強誘電体膜キャパシタとメモリセルトランジスタ間の接続を簡略化した構造としている。
図6に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30aでは、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタの半導体基板1とは逆導電型のソース/ドレイン領域2が選択的に設けられている。ソース/ドレイン領域2間の上部にゲート絶縁膜3を介してゲート電極G1が選択的に設けられている。絶縁膜4がソース/ドレイン領域2及びゲート電極G1を覆うように設けられている。
左右のソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成され、ビア(プラグ電極)V1よりも大きな強誘電キャパシタが積層形成されている。
2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1の横方向寸法は寸法b1であり、コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きなR状の形状を有する寸法幅WC1のコンタクトホールCH2が設けられている。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクトホール部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。
配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
ここで、コンタクトホールCH1の横方向寸法が寸法b1で、コンタクトホールCH1とキャパシタ上部電極CU1の間隔が寸法a1である。キャパシタ上部電極CU1と配線層MH1は寸法c1だけオーバーラップ形成されている。強誘電体キャパシタの間隔は、(2×a1)+b1であり、
(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・・・・・・・式(1)
に表すように、実施例1よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・・・・・・・式(1)
に表すように、実施例1よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
次に、強誘電体メモリの製造方法について、図7及び図8を参照して説明する。図7及び図8は強誘電体メモリの製造工程を示す断面図である。ここでは、絶縁膜4の堆積までの工程は実施例1と同様なので説明を省略する。
図7に示すように、上部のコンタクトホールCH2形成用として周知のリソグラフィー技術を用いてレジスト膜6を形成する。ここで、レジスト膜6は開口幅が寸法b1で、強誘電体キャパシタ領域と開口部の間隔が寸法a1になっている。
次に、レジスト膜6をマスクとして絶縁膜4を、例えば等方性ドライエッチング法(CDE Chemical Dry Etching とも呼称される)を用いて、強誘電体キャパシタ領域の途中まで略R状の形状を有するエッチングを行う。ここで、等方性ドライエッチング法ではキャパシタ下部電極CD1に対して絶縁膜4のエッチング速度が非常に大きい(選択比が大きい)ので、キャパシタ下部電極CD1はほとんどエッチングされない。
続いて、図8に示すように、レジスト膜6をマスクとして絶縁膜4を、例えばRIE法を用いて垂直にソース/ドレイン領域2に達するまでエッチングして下部のコンタクトホールCH1を形成する。レジスト膜6を剥離後の工程は実施例1と同様なので説明を省略する。
上述したように、本実施例の半導体記憶装置及びその製造方法では、左右のメモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きな略R上のコンタクトホールCH2が設けられている。コンタクトホールCH1及びコンタクトホールCH2は同じレジスト膜を用いて形成している。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
このため、コンタクト開口用レジスト形成を1回に減らし、コンタクト形成工程を短縮化することができ、実施低1よりも製造工程を簡素化することができる。また、1回のマスクを用いてコンタクト開口を行っているので、実施例1よりもメモリセルトランジスタを微細化及び強誘電体メモリのチップを縮小化することができる。
次に、本発明の実施例3に係る半導体記憶装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図9は強誘電体メモリのメモリセル部を示す平面図、図10は図9のB−B線に沿う強誘電体メモリのメモリセル部を示す平面図、図11は図9のC−C線に沿う強誘電体メモリのメモリセル部を示す平面図である。本実施例では、強誘電体メモリとしてのChain FeRAMで、実施例2よりも強誘電体膜キャパシタ間距離を縮小化し、強誘電体膜キャパシタとメモリセルトランジスタ間の接続を簡略化した構造としている。
図9に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30bには、複数のメモリセルトランジスタ部20bと素子分離領域であるSTI21が設けられている。
メモリセルトランジスタ部20bには、図中の横方向にメモリセルトランジスタが複数配置形成され、ゲート電極G1、コンタクトホールCH1、ビア(プラグ電極)V1、キャパシタ上部電極CU1、配線層MH1が設けられている。メモリセルトランジスタ部20bは、周囲をSTI21で分離されている。
ゲート電極G1は、図中の縦方向に複数のメモリセルトランジスタ部20bを横断するように所定距離離間し、複数並列配置形成されている。コンタクトホールCH1は、ゲート電極G1とゲート電極G1の間、及びメモリセルトランジスタ部20b内に配置形成されている。ビア(プラグ電極)V1は、強誘電体キャパシタの直下に配置形成されている。配線層MH1は、コンタクトホールCH1を覆うようにキャパシタ上部電極CU1まで延在形成され、実施例1よりも図中縦方向寸法が狭く形成されている。
コンタクトホールCH1の横方向寸法が寸法b2で、コンタクトホールCH1とキャパシタ上部電極CU1の間隔が寸法a2である。キャパシタ上部電極CU1と配線層MH1は寸法c2だけオーバーラップ形成され、寸法c2部分で接する。
ここで、強誘電体キャパシタの間隔は、(2×a2)+b2であり、
(2×a2)+b2<(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・式(2)
に表すように、実施例1及び実施例2よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
(2×a2)+b2<(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・式(2)
に表すように、実施例1及び実施例2よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
図10に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30bのメモリセルトランジスタ部20bの長軸方向(図9の横方向)では、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタの半導体基板1とは逆導電型のソース/ドレイン領域2が選択的に複数設けられている。ソース/ドレイン領域2間の上部にゲート絶縁膜3を介してゲート電極G1が選択的に設けられている。絶縁膜4がソース/ドレイン領域2及びゲート電極G1を覆うように設けられている。
左右のソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成され、ビア(プラグ電極)V1よりも大きな強誘電キャパシタが積層形成されている。
強誘電体キャパシタの側面には略三角形の形状を有する側壁膜11が形成されている。強誘電体キャパシタ、側壁膜11、及び絶縁膜4上には層間絶縁膜としての絶縁膜12が設けられている。
2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きな寸法幅WC1のコンタクトホールCH2が設けられている。コンタクトホールCH1とコンタクトホールCH2から構成されるコンタクトホールは略T型形状を有する。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクトホール部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。
配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
図11に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30bのメモリセルトランジスタ部20bの短軸方向(図9の縦方向)では、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタの半導体基板1とは逆導電型のソース/ドレイン領域2がSTI21で分離され、選択的に設けられている。
ソース/ドレイン領域2上に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。絶縁膜4上に形成されている絶縁膜12には、コンタクトホールCH2がコンタクトホールCH1と同じ幅で同じ位置に設けられている。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。
ここで、コンタクトホールCH1とコンタクトホールCH2の幅を同一に形成しているがコンタクトホールCH2の幅をコンタクトホールCH1よりも広く形成してもよい。
次に、強誘電体メモリの製造方法について、図12乃至図14を参照して説明する。図12乃至図14は強誘電体メモリの製造工程を示す断面図である。ここでは、強誘電体キャパシタの形成までの工程は実施例1と同様なので説明を省略する。
図12に示すように、強誘電体キャパシタの側面に選択的に側壁膜11を形成する。具体的には、側壁膜11となる絶縁膜を絶縁膜4及び強誘電体キャパシタ上に形成し、例えばRIE法を用いて、比較的膜厚の薄い強誘電体キャパシタ上及び強誘電体キャパシタ間の絶縁膜をエッチング除去して側壁膜11を形成する。
ここで、側壁膜11にはキャパシタ上部電極5やシリコン酸化膜(SiO2)系の絶縁膜4よりもRIE法でエッチングレートが大きくとれるAl2O3(酸化アルミニウム)を用いるのが好ましい。Al2O3(酸化アルミニウム)の代わりにHfO(ハフニウムオキサイド)、AlHfO、TiO(チタンオキサイド)、ZrO(ジルコニウムオキサイド)、或いはPZTなどを用いてもよい。
ここでは、側壁膜11をキャパシタ上部電極CU1の側面まで残置しているが、少なくともキャパシタ下部電極CD1の側面まで残置し、コンタクトホールCH1形成でゲート電極G1が露出しない程度に残置すればよい。
次に、図13に示すように、キャパシタ上部電極CU1、側壁膜11、及び絶縁膜4上に絶縁膜12を堆積する。絶縁膜12には絶縁膜4と同様にシリコン酸化膜(SiO2)系の絶縁膜を用いるのが好ましい。
続いて、上部のコンタクトホールCH2及び下部のコンタクトホールCH1形成用として周知のリソグラフィー技術を用いてレジスト膜6を形成する。ここで、レジスト膜6は強誘電体キャパシタ領域端部よりも寸法c2だけ強誘電体キャパシタ領域の内側に残置形成する。
そして、図14に示すように、レジスト膜6をマスクとして絶縁膜12及び絶縁膜4を、例えばRIE法を用いて垂直にソース/ドレイン領域2に達するまでエッチングし、上部のコンタクトホールCH2及び下部のコンタクトホールCH1を形成する。
なお、RIE法ではキャパシタ上部電極CU1及び側壁膜11に対して絶縁膜12及び絶縁膜4のエッチング速度が非常に大きい(選択比が大きい)条件、例えば選択比が大きくとれるエッチングガスを用いているので、キャパシタ上部電極CU1及び側壁膜11はほとんどエッチングされない。レジスト膜6を剥離後の工程は実施例1と同様なので説明を省略する。
上述したように、本実施例の半導体記憶装置及びその製造方法では、左右のメモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。ビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、コンタクトホールCH1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。コンタクトホールCH1上には、キャパシタ上部電極CU1の一部を露出し、且つコンタクトホールCH1よりも大きなコンタクトホールCH2が設けられている。強誘電体キャパシタの側面には側壁膜11が設けられ、コンタクトホールCH1及びコンタクトホールCH2は同じレジスト膜を用いて形成している。露出された中央部のソース/ドレイン領域2上のコンタクト部分には、配線層MH1が絶縁膜4と同じ高さに埋め込まれている。配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
このため、コンタクト開口用レジスト形成を1回に減らし、コンタクト形成工程を短縮化することができ、実施低1よりも製造工程を簡素化することができる。また、コンタクトホールCH1幅は、強誘電体キャパシタ間隔((2×a2)+b2)に対して側壁膜11の下部部分の幅(a2)×2を除いた部分であり、マスク合わせ精度などの成分を考慮する必要がないので、実施例1及び実施例2よりも強誘電体キャパシタ間隔及びコンタクトホールCH1幅を狭くすることができ、略三角形の側壁膜11によりコンタクトホールの形状をなだらかにすることができるので、配線層MH1の埋め込み形成工程の余裕度も向上することができる。したがって、実施例2よりもメモリセルトランジスタを微細化及び強誘電体メモリのチップを縮小化することができる。
次に、本発明の実施例4に係る半導体記憶装置について、図面を参照して説明する。図15は強誘電体メモリのメモリセル部を示す断面図である。本実施例では、強誘電体メモリとしてのChain FeRAMで、実施例2よりも強誘電体膜キャパシタ間距離を縮小化し、ダマシン法を用いずに強誘電体膜キャパシタとメモリセルトランジスタ間の接続を簡略化した構造としている。
図15に示すように、強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)30cでは、半導体基板1上に、メモリセルトランジスタの半導体基板1とは逆導電型のソース/ドレイン領域2が選択的に設けられている。ソース/ドレイン領域2間上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極G1が選択的に設けられている。絶縁膜4がソース/ドレイン領域2及びゲート電極G1を覆うように設けられている。
ソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。左右のビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成され、ビア(プラグ電極)V1よりも大きな強誘電キャパシタが積層形成されている。
強誘電キャパシタの側面には略三角形の側壁膜11が設けられ、強誘電キャパシタ、側壁膜11、及び絶縁膜4上に絶縁膜12が形成されている。強誘電キャパシタ間上の絶縁膜12には、略V型形状のコンタクトホールCH2が設けられている。コンタクトホールCH2には、配線層MH1が形成されている。配線層MH1は、中央部のビア(プラグ電極)V1上にビア(プラグ電極)V1と接して設けられている。
配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
コンタクトホールCH2の底部の横方向寸法が寸法b3で、上部の横方向寸法がWC1(WC1>>b3)で、コンタクトホールCH2の底部とキャパシタ上部電極CU1の間隔が寸法a3である。キャパシタ上部電極CU1と配線層MH1は寸法c3だけオーバーラップ形成され、寸法c3部分で接する。
強誘電体キャパシタの間隔は、(2×a3)+b3であり、
(2×a3)+b3<(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・・・式(3)
に表すように、実施例1及び実施例2よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
(2×a3)+b3<(2×a1)+b1<(2×a)+b・・・・・・・・・式(3)
に表すように、実施例1及び実施例2よりも強誘電体キャパシタの間隔が狭く設定されている。
ここで、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電体キャパシタの厚さを実施例3よりも薄くしている(低アスペクト化)。このため、配線層MH1の形成をダマシン法ではなくスパッタ法を用いて形成することができる。CVD法などを用いたダマシン法では、強誘電体キャパシタの特性を劣化させる要因である水素を放出するが、スパッタ法では水素を放出しないので強誘電体キャパシタ特性の劣化は防止することができる。
上述したように、本実施例の半導体記憶装置及びその製造方法では、メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域2の一部を露出するようにビア(プラグ電極)V1が設けられている。図15の左右のビア(プラグ電極)V1上には、キャパシタ下部電極CD1、強誘電体膜5、及びキャパシタ上部電極CU1から構成される強誘電キャパシタが積層形成されている。2つのゲート電極G1の間に形成されている絶縁膜4には、ビア(プラグ電極)V1が中央部のソース/ドレイン領域2を露出するように設けられている。強誘電体キャパシタの側面には側壁膜11が設けられ、強誘電体キャパシタの側壁膜11の底部の間がビア(プラグ電極)V1と接続するコンタクト(コンタクトCH2の底部)となり、コンタクトCH2の上部の幅は強誘電体キャパシタ間隔よりも広く設けられている。露出された中央部のビア(プラグ電極)V1上のコンタクト部分には、配線層MH1がスパッタ法を用いて形成されている。配線層MH1は、ソース/ドレイン領域2と強誘電体キャパシタとを電気的に接続する配線という機能と、ソース/ドレイン領域2のビア(ビア電極)という機能とを有する。
このため、実施例1乃至3の効果の他に、CVD法などを用いたダマシン法ではなく、スパッタ法を用いて配線層MH1を形成しているので強誘電体キャパシタの劣化を防止することができる。
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
例えば、本実施例では、チェーンFeRAMに適用しているが、チェーン型のPRAM(Phase Change Random Access Memory)等にも適用できる。
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) 半導体基板上に設けられた第1のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板上に設けられ、第1のソース/ドレイン領域を前記第1のメモリセルトランジスタと共有する第2のメモリセルトランジスタと、前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられたキャパシタ下部電極、強誘電体膜、及びキャパシタ上部電極から構成される第1の強誘電体キャパシタと、前記第2のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた前記キャパシタ下部電極、前記強誘電体膜、及び前記キャパシタ上部電極から構成される第2の強誘電体キャパシタと、前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面に設けられた側壁膜と、前記側壁膜の側面と接し、前記第1及び第2のメモリセルトランジスタの前記第1のソース/ドレイン領域上に設けられ、ビア、前記第1の強誘電体キャパシタの前記キャパシタ上部電極、及び前記第2の強誘電体キャパシタの前記キャパシタ上部電極を接続する配線層とを具備する半導体記憶装置。
(付記1) 半導体基板上に設けられた第1のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板上に設けられ、第1のソース/ドレイン領域を前記第1のメモリセルトランジスタと共有する第2のメモリセルトランジスタと、前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられたキャパシタ下部電極、強誘電体膜、及びキャパシタ上部電極から構成される第1の強誘電体キャパシタと、前記第2のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた前記キャパシタ下部電極、前記強誘電体膜、及び前記キャパシタ上部電極から構成される第2の強誘電体キャパシタと、前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面に設けられた側壁膜と、前記側壁膜の側面と接し、前記第1及び第2のメモリセルトランジスタの前記第1のソース/ドレイン領域上に設けられ、ビア、前記第1の強誘電体キャパシタの前記キャパシタ上部電極、及び前記第2の強誘電体キャパシタの前記キャパシタ上部電極を接続する配線層とを具備する半導体記憶装置。
(付記2) メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1の層間絶縁膜をコンタクト開口し、前記コンタクト開口した部分に埋め込まれたビアを介して前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1及び第2の強誘電体キャパシタを形成する工程と、第1のレジスト膜をマスクとして、前記第1及び第2の強誘電体キャパシタ上に形成された第2の層間絶縁膜をRIE法を用いて、前記第1及び第2の誘電体キャパシタの一部が露出するまでエッチングし、第1のコンタクトを形成する工程と、前記第1の誘電体キャパシタと前記第2の誘電体キャパシタの間に開口部が設けられた第2のレジスト膜をマスクとして、前記第1及び第2の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域を露出して前記第1のコンタクトよりも幅の狭い第2のコンタクトを形成する工程と、前記第1及び第2のコンタクトに配線層を埋め込む工程とを具備する半導体記憶装置の製造方法。
(付記3) メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1の層間絶縁膜をコンタクト開口し、前記コンタクト開口した部分に埋め込まれたビアを介して前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1及び第2の強誘電体キャパシタを形成する工程と、レジスト膜をマスクとして、前記第1及び第2の強誘電体キャパシタ上に形成された第2の層間絶縁膜を等方性ドライエッチング法を用いて、前記第1及び第2の誘電体キャパシタの一部が露出するまでエッチングし、第1のコンタクトを形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、前記第1及び第2の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域を露出して前記第1のコンタクトよりも幅の狭い第2のコンタクトを形成する工程と、前記第1及び第2のコンタクトに配線層を埋め込む工程とを具備する半導体記憶装置の製造方法。
(付記4) 前記配線層は、CVD法を用いたダマシン法で形成することを特徴とする付記2又は3に記載の半導体記憶装置の製造方法。
(付記5) 前記配線層は、電解メッキ法を用いたダマシン法で形成することを特徴とする付記2又は3に記載の半導体記憶装置の製造方法。
1 半導体基板
2 ソース/ドレイン領域
3 ゲート絶縁膜
4、12 絶縁膜
5 強誘電体膜
6 レジスト膜
11 側壁膜
20、20b メモリセルトランジスタ部
21 STI
30、30a、30b、30c 強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)
CD1 キャパシタ下部電極
CH1、CH2 コンタクトホール
CU1 キャパシタ上部電極
G1 ゲート電極
MH1 配線層
V1 ビア(プラグ電極)
2 ソース/ドレイン領域
3 ゲート絶縁膜
4、12 絶縁膜
5 強誘電体膜
6 レジスト膜
11 側壁膜
20、20b メモリセルトランジスタ部
21 STI
30、30a、30b、30c 強誘電体メモリ(チェーンFeRAM)
CD1 キャパシタ下部電極
CH1、CH2 コンタクトホール
CU1 キャパシタ上部電極
G1 ゲート電極
MH1 配線層
V1 ビア(プラグ電極)
Claims (5)
- 半導体基板上に設けられた第1のメモリセルトランジスタと、
前記半導体基板上に設けられ、第1のソース/ドレイン領域を前記第1のメモリセルトランジスタと共有する第2のメモリセルトランジスタと、
前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた第1の強誘電体キャパシタと、
前記第2のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた第2の強誘電体キャパシタと、
前記半導体基板上に前記メモリセルトランジスタ及び前記強誘電体キャパシタを覆い、底部分では前記前記第1のソース/ドレイン領域の一部を露出させ、上部分では前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの上部電極の一部を露出させたコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、
前記コンタクトホールに埋め込まれ、前記第1のソース/ドレイン領域、前記第1の強誘電体キャパシタの上部電極、及び前記第2の強誘電体キャパシタを接続する配線層と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記コンタクトホールは、上部の開口幅が底部の開口幅よりも広く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面には側壁膜が設けられ、前記側壁膜の側面部分は前記コンタクトホール内に露出されて前記配線層と接することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上に設けられた第1のメモリセルトランジスタと、
前記半導体基板上に設けられ、第1のソース/ドレイン領域を前記第1のメモリセルトランジスタと共有する第2のメモリセルトランジスタと、
前記第1のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられたキャパシタ下部電極、強誘電体膜、及びキャパシタ上部電極から構成される第1の強誘電体キャパシタと、
前記第2のメモリセルトランジスタの第2のソース/ドレイン領域上にビアを介して設けられた前記キャパシタ下部電極、前記強誘電体膜、及び前記キャパシタ上部電極から構成される第2の強誘電体キャパシタと、
前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面に設けられた側壁膜と、
前記半導体基板上に前記メモリセルトランジスタ、前記強誘電体キャパシタ、及び前記側壁膜を覆い、底部分では前記前記第1のソース/ドレイン領域の一部を露出させ、上部分では前記第1及び第2の強誘電体キャパシタの上部電極の上端部と前記側壁膜の側面部を露出させたコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、
前記コンタクトホールに埋め込まれ、前記第1のソース/ドレイン領域、前記第1の強誘電体キャパシタの上部電極、及び前記第2の強誘電体キャパシタを接続する配線層と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1の層間絶縁膜をコンタクト開口し、前記コンタクト開口した部分に埋め込まれたビアを介して前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域上に形成された第1及び第2の強誘電体キャパシタの側面に、選択的に側壁膜を形成する工程と、
レジスト膜をマスクとして、前記側壁膜、前記第1誘電体キャパシタ、及び前記第2の誘電体キャパシタ上に形成された第2の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記第1誘電体キャパシタ、前記第2の誘電体キャパシタ、及び前記側壁膜を露出して第1のコンタクトを形成する工程と、
前記側壁膜をマスクとして、前記第1の層間絶縁膜をRIE法を用いてエッチングし、前記メモリセルトランジスタのソース/ドレイン領域を露出して第2のコンタクトを形成する工程と、
前記第1及び第2のコンタクトに配線層を埋め込む工程と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006310636A JP2008130615A (ja) | 2006-11-16 | 2006-11-16 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
US11/939,955 US20080135901A1 (en) | 2006-11-16 | 2007-11-14 | Semiconductor memory and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006310636A JP2008130615A (ja) | 2006-11-16 | 2006-11-16 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008130615A true JP2008130615A (ja) | 2008-06-05 |
Family
ID=39496937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006310636A Abandoned JP2008130615A (ja) | 2006-11-16 | 2006-11-16 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080135901A1 (ja) |
JP (1) | JP2008130615A (ja) |
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US20080135901A1 (en) | 2008-06-12 |
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