JP2010080520A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コンタクト形成時における強誘電体キャパシタへのエッチングダメージ、水素ダメージ、埋込み不良を抑制し、微細化に適した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタを被覆するように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタと、層間絶縁膜内に設けられ、下部電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、第1の上部電極上に設けられ、側面が順テーパーに形成された第2の上部電極と、第2の上部電極を介して第1の上部電極に電気的に接続された配線とを備えている。
【選択図】図2
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタを被覆するように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタと、層間絶縁膜内に設けられ、下部電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、第1の上部電極上に設けられ、側面が順テーパーに形成された第2の上部電極と、第2の上部電極を介して第1の上部電極に電気的に接続された配線とを備えている。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体記憶装置に関する。
不揮発性半導体メモリの一つとして、強誘電体メモリ(Ferro-electric random access memory)が注目されている。さらに近年、「TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリ(以下、チェーン型のFeRAMともいう)」が開発された。
強誘電体キャパシタの下部電極は、強誘電体キャパシタの下に設けられた導電性コンタクトプラグによってセルトランジスタに接続される。これは、いわゆる、COP(Capacitor On Plug )構造と呼ばれる。さらに、強誘電体キャパシタの分極特性は、水素の還元作用により劣化するので、強誘電体キャパシタを水素から保護するために水素バリア膜が頻繁に用いられる。
従来、COP構造のチェーン型のFeRAMの上部電極は、タングステンまたはアルミニウムをコンタクト孔内に埋め込むこと(ダマシン法)によって形成されたコンタクトプラグを介してローカル配線に接続されている。メモリセルが微細化されたとしてもコンタクトプラグと上部電極との間の接触抵抗を充分に低下させるためには、コンタクトホールの形成工程において、オーバーエッチング量を増大させなければならない。オーバーエッチング量を増大させることは、上部電極の抉れを招致する。上部電極の抉れは、データ“0”と“1”との信号差を小さくするおそれがある。
また、コンタクトホールが微細化されると、金属をコンタクトホールへ埋め込むことが困難になる。金属をリフローすることによって、微小なコンタクトホールへ金属を埋め込む手法が考えられるが、リフロー装置や専用のCMP(Chemical-Mechanical Polishing)装置を導入する必要が生じるため、コストアップに繋がる。
さらに、MO‐CVDを用いて金属をコンタクトホールへ埋め込む手法では、強誘電体キャパシタの分極特性が水素により劣化するおそれがある。
特許第4073912号明細書(米国特許第6795329明細書)
特開2006−80559号公報
コンタクト形成時における強誘電体キャパシタへのエッチングダメージおよび水素ダメージを抑制し、微細化に適した半導体記憶装置を提供する。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置は、半導体基板上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを被覆するように設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタと、前記層間絶縁膜内に設けられ、前記下部電極と前記トランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、前記第1の上部電極上に設けられ、側面が順テーパーに形成された第2の上部電極と、前記第2の上部電極を介して前記第1の上部電極に電気的に接続された配線とを備える。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に複数のトランジスタを形成し、前記複数のトランジスタを被覆する第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜を貫通し、前記複数のトランジスタに接続される複数の第1のコンタクトプラグを形成し、前記複数の第1のコンタクトプラグの上方に、第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む複数の強誘電体キャパシタを形成し、隣接する前記強誘電体キャパシタ間に第2の層間絶縁膜を形成し、前記第1の上部電極および前記第2の層間絶縁膜の上に第2の上部電極材料を堆積し、前記第2の上部電極材料を加工することによって、各第1の上部電極上に第2の上部電極を形成し、隣接する前記第2の上部電極間に第3の層間絶縁膜を形成し、前記第3および前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記トランジスタに電気的に接続される第2のコンタクトプラグを形成し、前記第3の層間絶縁膜、前記第2の上部電極および前記第2のコンタクトプラグ上に配線を形成することを具備する。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に複数のトランジスタを形成し、前記複数のトランジスタを被覆する第1の層間絶縁膜を形成し、前記第1の層間絶縁膜を貫通し、前記複数のトランジスタに接続される複数の第1のコンタクトプラグを形成し、前記複数の第1のコンタクトプラグ上に、第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタの材料を堆積し、隣接する前記強誘電体キャパシタ間に第2の層間絶縁膜を形成し、前記第1の上部電極および前記第2の層間絶縁膜の上に第2の上部電極材料を堆積し、前記第2の上部電極材料上にマスク材料を堆積し、前記マスク材料を第2の上部電極のパターンに加工し、前記マスク材料および前記第2の上部電極の側面に側壁膜を形成し、前記マスク材料および前記側壁膜をマスクとして用いて前記強誘電体キャパシタの材料をエッチングすることによって、複数の強誘電体キャパシタを形成することを具備する。
本発明による半導体記憶装置は、コンタクト形成時における強誘電体キャパシタへのエッチングダメージおよび水素ダメージを抑制することができ、微細化に適している。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本発明に係る実施形態に従った強誘電体メモリの構成を示す回路図である。本実施形態による強誘電体メモリは、チェーン型のFeRAMである。チェーン型のFeRAMは、セルトランジスタCTのソース−ドレイン間に強誘電体キャパシタFCの両端をそれぞれ接続し、これをユニットセル(以下、メモリセルともいう)とし、このユニットセルを複数直列に接続した強誘電体メモリである。
図1は、本発明に係る実施形態に従った強誘電体メモリの構成を示す回路図である。本実施形態による強誘電体メモリは、チェーン型のFeRAMである。チェーン型のFeRAMは、セルトランジスタCTのソース−ドレイン間に強誘電体キャパシタFCの両端をそれぞれ接続し、これをユニットセル(以下、メモリセルともいう)とし、このユニットセルを複数直列に接続した強誘電体メモリである。
本実施形態による強誘電体メモリは、ロウ方向へ延伸する複数のワード線WLi(iは整数)と、ロウ方向に対して直交するカラム方向へ延伸する複数のビット線BL、bBLと、ロウ方向へ延伸する複数のプレート線PLと、ブロック選択部BSPとを備える。
1つのメモリセルMCは、バイナリデータあるいはマルチビットデータを強誘電体キャパシタに記憶する。メモリセルMCは、ワード線WLiとビット線BL、bBLとの交点に対応して設けられている。各ワード線WLiは、ロウ方向に配列するセルトランジスタCTのゲートに接続されている。各ビット線BL、bBLは、カラム方向に配列するセルトランジスタCTのソースまたはドレインに接続されている。
強誘電体メモリは、互いに並列に接続された強誘電体キャパシタFCおよびセルトランジスタTCを含むメモリセルMCが複数個直列に接続されて構成されたセルブロックCBを複数備えている。セルブロックCBの一端は、ブロック選択部BSPの一端に接続されている。セルブロックCBの他端はプレート線PLに接続されている。ブロック選択部BSPの他端は、それぞれビット線BLまたはbBLに接続されている。即ち、ビット線BL、bBLは、それぞれブロック選択部BSPを介してセルブロックCBに接続されている。
ブロック選択部BSPは、エンハンスメント型トランジスタTSEとデプレーション型トランジスタTSDとを含む。エンハンスメント型トランジスタTSEおよびデプレーション型トランジスタTSDは、ブロック選択線BS0またはBS1によって制御される。これにより、ブロック選択部BSPは、ビット線対BLまたはbBLの一方を選択的にビット線BLまたはbBLに接続することができる。
センスアンプSAがビット線対BL、bBLに接続されている。センスアンプSAは、データ読出し時に、ビット線対BL、bBLに伝播するメモリセルからのデータを検出する。また、センスアンプSAは、データ書込み時にビット線対BL、bBLに電圧を印加し、メモリセルMCにデータを書き込むことができる。尚、本実施形態は、1T1Cモードまたは2T2Cモードのいずれで動作してもよい。
図2および図3は、第1の実施形態によるチェーン型のFeRAMの断面図である。図2は、ビット線BLの延伸方向(カラム方向)に沿った断面図を示している。図3は、ワード線WLの延伸方向(ロウ方向)に沿った断面図(図2の3−3線に沿った断面図)を示している。
複数のセルトランジスタCTが半導体基板10上に形成されている。シリサイド層30が、セルトランジスタCTのソースSまたはドレインD上、および、ゲート電極Gの上面に設けられている。第1の層間絶縁膜ILD1がセルトランジスタCTを被覆するように設けられている。
第1のコンタクトプラグPLG1が、第1の層間絶縁膜ILD1を貫通してセルトランジスタCTのソースSまたはドレインDに接続されている。金属プラグ20が第1のコンタクトプラグPLG1上に形成されている。導電性の水素バリア膜30が金属プラグ20の上に設けられている。第1のコンタクトプラグPLG1および金属プラグ20は、例えば、タングステンまたはアルミニウムから成る。水素バリア膜30は、例えば、TiNまたはTiAlNからなる。
下部電極LEが水素バリア膜30の上に設けられている。下部電極LEは、水素バリア膜30、金属プラグ20および第1のコンタクトプラグPLG1を介してセルトランジスタCTのソースSまたはドレインDに電気的に接続されている。強誘電体膜FEが下部電極LE上に設けられている。第1の上部電極UE1が強誘電体膜FE上に設けられている。第1の上部電極UE1、強誘電体膜FEおよび下部電極LEが強誘電体キャパシタFCを構成する。第1の上部電極UE1は、例えば、TiAlN、IrO2等である。強誘電体膜FEは、例えば、PZT膜またはSBT膜等である。下部電極LEは、例えば、TiAlN、IrO2等である。
強誘電体キャパシタFCの上面の一部および側面は、絶縁性の水素バリア膜50および60によって被覆されている。水素バリア膜50および60は、例えば、アルミナ(Al2O3)である。強誘電体キャパシタFCの上面の他の部分は、第2の層間絶縁膜ILD2で被覆されておらず、第2の上部電極UE2に接続されている。
隣接する強誘電体キャパシタFC間には、第2の層間絶縁膜ILD2が充填されている。第2の層間絶縁膜ILD2は、強誘電体キャパシタFCの側面を被覆する水素バリア膜50を介して強誘電体キャパシタFCの側面に形成されている。
第2の上部電極UE2は、下層膜71、コア部分72および上層膜73を含む。下層膜71は、第1の上部電極UE1と接続されている。下層膜71および上層膜73は、導電性材料であり、例えば、TiN、TiAlN等である。コア部分72は、強誘電体キャパシタFCの体積変化を吸収可能な粘性のある導電性材料である。即ち、コア部分72は、引張応力を内在する金属膜であることが好ましい。コア部分72は、例えば、アルミニウムである。下層膜71は、拡散防止膜として機能し、コア部分72の金属が強誘電体キャパシタFCへ拡散することを抑制するために設けられている。上層膜73は、反射防止膜として機能し、コア部分72の反射によってリソグラフィ工程におけるパターニング不良を抑制するために設けられている。
第2の上部電極UE2は、強誘電体キャパシタFCと同様に、その側面が順テーパーに形成されている。これは、第2の上部電極UE2がダマシン法によって埋め込まれた金属プラグではなく、堆積された下層膜71、コア部分72および上層膜73をリソグラフィおよびRIE(Reactive Ion Etching)を用いて加工された積層膜であるからである。
ダマシン法は、コンタクトホールを形成し、そのコンタクトホールに金属を充填し、さらに、その金属を平坦化することによってコンタクトプラグを形成する手法である。コンタクトホールは、リソグラフィおよびエッチングによって形成される。このとき、コンタクトホールの側面は、通常、逆テーパー状態になる。
本実施形態による第2の上部電極UE2は、ダマシン法を用いることなく、強誘電体キャパシタFCと同様に、積層膜自体をエッチングすることによって形成されている。よって、第2の上部電極UE2の側面は順テーパー状態になる。
第2の上部電極UE2の側面には、水素バリア膜80が形成されている。さらに、隣接する第2の上部電極UE2間には、第3の層間絶縁膜ILD3が充填されている。
第2のコンタクトプラグPLG2が、第3の層間絶縁膜ILD3、第2の層間絶縁膜ILD2を貫通して金属プラグ20に接続されている。ローカル配線LICが、第3の層間絶縁膜ILD3、第2の上部電極UE2および第2のコンタクトプラグPLG2上に設けられている。ローカル配線LICは、下層膜91、コア部分92および上層膜93を含む。下層膜91および上層膜93は、例えば、TiN、TiAlN等からなる。コア部分92は、低抵抗の配線材料であり、例えば、銅またはアルミニウム等である。下層膜91は、拡散防止膜として機能し、コア部分92の金属が第2の上部電極UE2および強誘電体キャパシタFCへ拡散することを抑制するために設けられている。上層膜93は、反射防止膜として機能し、コア部分92の反射によってリソグラフィ工程におけるパターニング不良を抑制するために設けられている。
強誘電体キャパシタFCの第1の上部電極UE1は、第2の上部電極UE2、ローカル配線LIC、コンタクトプラグPLG1、PLG2、金属プラグ20を介して、セルトランジスタCTのソースSまたはドレインDの一方に電気的に接続されている。また、ビット線BLの延伸方向に隣接する2つの強誘電体キャパシタの第1の上部電極UE1は、ローカル配線LICによって互いに接続されている。
一方、強誘電体キャパシタFCの下部電極LEに接続された第1のコンタクトプラグPLG1および金属プラグ20は、ビット線BLの延伸方向に隣接する2つの強誘電体キャパシタFCの下部電極LEをセルトランジスタCTのソースSまたはドレインDの他方に電気的に接続する。これにより、チェーン型のFeRAMが形成される。
本実施形態は、強誘電体キャパシタFCの第1の上部電極UE1上にコンタクトプラグを有さず、ピラー状の第2の上部電極UE2を有する。従来のように、第1の上部電極UE1上にコンタクトプラグを形成する場合、厚い層間絶縁膜にコンタクトホールを形成しなければならない。このとき、上述の通り、第1の上部電極がオーバーエッチングにより抉れてしまう。オーバーエッチング量は、エッチング対象の材料の膜厚が厚いほど、大きくしなければならないからである。
これに対し、本実施形態では、第2の上部電極UE2を第1の上部電極UE1に接続するために、層間絶縁膜に比べて非常に薄い水素バリア膜60をエッチングしているだけである。よって、第1の上部電極UE1の上面は、ほとんど抉れない。その結果、データ“0”と“1”との信号差の劣化を抑制することができる。
本実施形態による第2の上部電極UE2は、ダマシン法を用いていない。よって、アスペクト比の高いコンタクトホールへ金属を埋め込むための専用装置が不要である。その結果、製造コストを抑制することができる。
さらに、コンタクトホールへ金属を埋め込むために、MO−CVD(Metalorganic-Chemical Vapor Deposition)を用いると、水素が大量に発生する。水素は、強誘電体材料の分極特性を劣化させる。しかしながら、本実施形態では、コンタクトホールへ金属を埋め込む工程が無いので、第2の上部電極UE2を形成するときにMO−CVDを用いる必要が無い。このため、第2の上部電極UE2の形成時に水素が発生せず、強誘電体キャパシタFCの分極特性の劣化を抑制することができる。
図4(A)から図13(B)は、第1の実施形態の製造方法を示す断面図である。各図の(A)は、ビット線BLに沿った(図2に対応する)断面を示し、各図の(B)は、ワード線WLに沿った(図3に対応する)断面を示す。
図4(A)および図4(B)に示すように、シリコン基板10上に複数のセルトランジスタCTを形成する。ワード線WLは、セルトランジスタCTのゲート電極Gとしての機能も兼ね備えている。次に、ゲート電極G、ソースSおよびドレインD上にシリサイド層40を形成する。次に、セルトランジスタCTを被覆するように第1の層間絶縁膜ILD1を堆積する。第1の層間絶縁膜ILD1の平坦化後、ダマシン法を用いて第1の層間絶縁膜ILD1に第1のコンタクトプラグPLG1を形成する。第1のコンタクトプラグPLG1は、ソースSまたはドレインDの拡散層に接続される。さらに、層間絶縁膜を堆積し、ダマシン法を用いてその層間絶縁膜中に金属プラグ20を形成する。金属プラグ20は、第1のコンタクトプラグPLG1上に形成される。
金属プラグ20上に、水素バリア膜30の材料(例えば、TiN、TiAlN等)を堆積する。下部電極LEの材料(例えば、TiAlN、IrO2等)、強誘電体膜FEの材料(PZT膜またはSBT膜等)、第1の上部電極UE1の材料(例えば、TiAlN、IrO2等)を水素バリア膜30上に順次堆積する。さらに、マスク材料95を第1の上部電極UE1の材料上に堆積する。マスク材料95は、例えば、Ai2O3、TEOS等からなる。これにより、図4(A)および図4(B)に示す構造が得られる。
次に、リソグラフィおよびRIEを用いて、マスク材95を強誘電体キャパシタFCのパターンに加工する。このとき、マスク材95は、第1の上部電極UE1のパターンに加工される。マスク材95をマスクとして用いて、RIEで第1の上部電極UE1の材料、強誘電体膜FEの材料、下部電極LEの材料および水素バリア膜30の材料をエッチングする。これにより、図5(A)および図5(B)に示すように、強誘電体キャパシタFCが形成される。これと同時に、金属プラグ20の上面が露出される。
次に、図6(A)および図6(B)に示すように、マスク材95、強誘電体キャパシタFCの側面、第1の層間絶縁膜ILD1および金属プラグ20を被覆するように水素バリア膜50(例えば、Al2O3等)を堆積する。
次に、水素バリア膜50上に第2の層間絶縁膜ILD2を堆積する。さらに、CMPを用いて、第2の層間絶縁膜ILD2を平坦化する。このとき、第1の上部電極UE1の上面が露出されるまで第2の層間絶縁膜ILD2を研磨する。次に、図7(A)および図7(B)に示すように、第1の上部電極UE1および第2の層間絶縁膜ILD2上に水素バリア膜60(例えば、Al2O3等)を堆積する。
次に、リソグラフィおよびRIEを用いて、図8(A)および図8(B)に示すように、第1の上部電極UE1の上面の一部にある水素バリア膜60を除去する。その結果、第1の上部電極UE1の上面の一部が露出される。このとき、異方性エッチングであるRIEに替えて、CDE(Chemical Dry Etching)あるいはウェットエッチングなどの等方性エッチングを用いてもよい。水素バリア膜60の膜厚が層間絶縁膜に比べて非常に小さいため、サイドエッチが無視できるほど小さいからである。これにより、第1の上部電極UE1に対するオーバーエッチング量は、従来と比べて少なくなる。
次に、図9(A)および図9(B)に示すように、第1の上部電極UE1および水素バリア膜60上に、第2の上部電極UE2の下層膜71の材料(例えば、TiN、TiAlN等)を堆積する。下層膜71の材料上にコア部分72の材料(例えば、アルミニウム)を堆積する。さらに、コア部分72の材料上に上層膜93の材料(例えば、TiN、TiAlN等)を堆積する。下層膜71の材料は、コア部分72の金属材料が強誘電体キャパシタFCへ拡散しないように拡散防止膜として設けられている。上層膜73の材料は、第2の上部電極UE2の加工の際にリソグラフィにおける反射を抑制するために反射防止膜として設けられている。これにより、リソグラフィにおけるアラインメントずれを抑制し、第2の上部電極UE2の加工が容易になる。
次に、リソグラフィおよびRIEを用いて、上層膜73の材料、コア部分92の材料および下層膜71の材料をエッチングする。これにより、図10(A)および図10(B)に示すように、強誘電体キャパシタFCのそれぞれに対応するように、第1の上部電極UE1上に第2の上部電極UE2を形成する。このとき、第2の上部電極UE2の側面は、順テーパーになるように形成される。
次に、図11(A)および図11(B)に示すように、水素バリア膜60上、第2の上部電極UE2の上面および側面に水素バリア膜80を堆積する。
次に、ビット線BLの延伸方向に隣接する2つの第2の上部電極UE2間に第3の層間絶縁膜ILD3を充填する。さらに、図12(A)および図12(B)に示すように、第3の層間絶縁膜ILD3、水素バリア膜80、60および第2の層間絶縁膜ILD2を貫通し、金属プラグ20に達するコンタクトホールを形成する。MO−CVDを用いてコンタクトホール内に金属材料(例えば、タングステン、アルミニウム等)を埋め込む。CMPを用いてこの金属材料を研磨することによって、第2のコンタクトプラグPLG2を形成する。
次に、図13(A)および図13(B)に示すように、第3の層間絶縁膜ILD3、第2のコンタクトプラグPLG2、第2の上部電極UE2上に、下層膜91の材料(例えば、TiN、TiAlN等)、コア部分92の材料(例えば、銅またはアルミニウム等)および上層膜93の材料(例えば、TiN、TiAlN等)を堆積する。次に、リソグラフィおよびRIEを用いて、下層膜91の材料、コア部分92の材料および上層膜93の材料を加工する。これにより、ローカル配線LICが形成される。
その後、ローカル配線LIC上に層間絶縁膜(図示せず)が堆積され、ビット線コンタクトがその層間絶縁膜中に形成される。ビット線コンタクト上にビット線が形成される。これにより、本実施形態によるチェーン型のFeRAMが完成する。
本実施形態によれば、強誘電体キャパシタFCとローカル配線LICとの間を接続する第2の上部電極UE2は、ダマシン法を用いることなく、リソグラフィおよびRIEによってピラー状に加工されることによって形成される。よって、第2の上部電極UE2を第1の上部電極UE1に接続するために、層間絶縁膜に比べて非常に薄い水素バリア膜60をエッチングしているだけである。その結果、第1の上部電極UE1の上面のオーバーエッチング量が少ないので、データ“0”と“1”との信号差の劣化を抑制することができる。
本実施形態は、ダマシン法を用いていないので、アスペクト比の高いコンタクトホールへ金属を埋め込むための専用装置が不要である。その結果、製造コストを抑制することができる。
第2の上部電極UE2は、コア部分72として引張応力を内包する材料(例えば、アルミニウム)で形成されている。よって、強誘電体膜FEの分極状態が変化し、強誘電体膜FEの堆積が変化した場合であっても、コア部分72が強誘電体膜FEの堆積変化を吸収することができる。これにより、強誘電体膜FEの分極特性の劣化を抑制することができる。
(第2の実施形態)
図14および図15は、本発明に係る第2の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図14は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図15は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
図14および図15は、本発明に係る第2の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図14は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図15は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
第2の実施形態は、第2の上部電極UE2の構成において第1の実施形態と異なる。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。第2の実施形態による第2の上部電極UE2は、第1の上部電極UE1上に設けられた導電性の下層膜71と、下層膜71上に設けられたコア部分75と、コア部分75上に設けられた導電性の上層膜73と、コア部分75の側面に形成され、上層膜73と下層膜71との間を接続する側部導電膜74とを含む。
下層膜71、上層膜73および側部導電膜74は、導電性の水素バリア膜であり、例えば、TiN、TiAlN等からなる。コア部分75は、TEOS等の絶縁膜から成る。
第2の実施形態の製造方法は、第2の上部電極UE2の形成において第1の実施形態の製造方法と異なる。従って、第2の上部電極UE2の形成のみについて説明する。図7(A)および図7(B)に示す強誘電体キャパシタFCの形成後、第1の上部電極UE1上に下層膜71の材料(例えば、TiN、TiAlN等)、コア部分75の材料(例えば、TEOS)および上層膜73の材料(例えば、TiN、TiAlN等)を堆積する。次に、リソグラフィおよびRIEを用いて、上層膜73の材料およびコア部分75の材料からなる積層膜を、各強誘電体キャパシタFCのパターンに合わせてエッチングする。このとき、下層膜71は、まだエッチングされていない。
次に、コア部分75および上層膜73からなるピラーの上面および側面を被覆するように側部導電膜74の材料を堆積する。さらに、側部導電膜74をエッチングバックすることによって、側部導電膜74の材料をピラーの側面に残置させる。それと同時に、側部導電膜74をマスクとして用いて下層膜71の材料をさらにエッチングする。これにより、下層膜71、コア部分75、上層膜73および側部導電膜74からなるピラーが強誘電体キャパシタFCの各々の上に形成される。側部導電膜74は、コア部分75の側面に沿って下層膜71と上層膜73との間を電気的に接続する。このように、第2の実施形態による第2の上部電極UE2が形成される。
側部導電膜74をマスクとして用いて下層膜71の材料がエッチングされるので、側部導電膜74と下層膜71とは端部において接触を維持することができる。
第2の実施形態では、コア部分75がTEOS等の絶縁膜で形成されているので、下層膜71がコア部分75のエッチングストッパとして機能することができる。これにより、下層膜71が第1の上部電極UE1上に形成され、図7(A)および図7(B)に示す水素バリア膜60が不要となる。さらに、第1の上部電極UE1上にコンタクトホールを形成する必要も無い。その結果、第2の実施形態では、第1の上部電極UE1のエッチングによる抉れがさらに抑制される。第2の実施形態は、さらに、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図16および図17は、本発明に係る第3の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図16は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図17は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
図16および図17は、本発明に係る第3の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図16は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図17は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
第3の実施形態は、第2の上部電極UE2の構成において第1の実施形態と異なる。第3の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。第3の実施形態による第2の上部電極UE2は、第1の上部電極UE1上に設けられた導電材料からなるコア部分72と、コア部分72の側面に設けられた側壁膜76とを含む。第2の上部電極UE2の平面パターンは、第1の上部電極UE1の平面パターンとほぼ等しいか、あるいは、相似形である。即ち、第2の上部電極UE2の底面は、第1の上部電極UE1の上面とほぼ一致しており、第2の上部電極UE2の側面は、第1の上部電極UE1の側面と段差なく連続している。コア部分72は、導電性材料であり、例えば、アルミニウム等の金属からなる。側壁膜76は、例えば、Al2O3等の絶縁膜からなる。
図18(A)から図23(B)は、第3の実施形態の製造方法を示す断面図である。各図の(A)は、ビット線BLに沿った(図16に対応する)断面を示し、各図の(B)は、ワード線WLに沿った(図17に対応する)断面を示す。
図4(A)および図4(B)に示す第1の上部電極UE1の材料の堆積後、図18(A)および図18(B)に示すように、第1の上部電極UE1の材料上にコア部分72の材料(例えば、アルミニウム)を堆積する。
コア部分72上にマスク材料82(例えば、TEOS、シリコン窒化膜等)を堆積し、リソグラフィおよびRIEを用いてマスク材料82を強誘電体キャパシタFCのパターンに加工する。次に、図19(A)および図19(B)に示すように、マスク材料82をマスクとして用いて、RIEでコア部分72をエッチングする。
次に、図20(A)および図20(B)に示すようにマスク材料82およびコア部分72の側面に側壁膜76を形成する。次に、マスク材料82および側壁膜76をマスクとして用いて、強誘電体キャパシタの材料としての第1の上部電極UE1、強誘電体膜FEおよび下部電極LEの各材料をエッチングする。これにより、図21(A)および図21(B)に示すように強誘電体キャパシタFCが形成される。第1の上部電極UE1上に形成されたコア部分72および側壁膜76が第2の上部電極UE2となる。第3の実施形態では、このように、第2の上部電極UE2をマスクとして用いて、強誘電体キャパシタFCを自己整合的に形成することができる。
次に、絶縁性の水素バリア膜50(例えば、Al2O3等)を、強誘電体キャパシタFCの側面、第2の上部電極UE2の側面、マスク材料82の上面、第1の層間絶縁膜ILD1の上面、および、金属プラグ20の上面に堆積する。さらに、ビット線BLの延伸方向に隣接する強誘電体キャパシタFC間、並びに、同方向に隣接する第2の上部電極UE2間に第2の層間絶縁膜ILD2を充填する。CMPを用いて第2の層間絶縁膜ILD2を平坦化した後に、ダマシン法により第2のコンタクトプラグPLG2を形成する。これにより、図22(A)および図22(B)に示す構造が得られる。
次に、CMPを用いて、コア部分72が露出されるまで、水素バリア膜50およびマスク材82等を研磨する。コア部分72および第2のコンタクトプラグPLG2上にローカル配線LICを形成する。その後、第1の実施形態の製造方法と同様に、ビット線コンタクトおよびビット線を形成することにより、第3の実施形態によるチェーン型のFeRAMが完成する。
第3の実施形態によれば、第2の上部電極UE2の材料を強誘電体キャパシタFCの材料上に直接堆積し、第2の上部電極UE2のパターニング後、第2の上部電極UE2をマスクとして用いて強誘電体キャパシタFCを自己整合的に形成している。よって、第3の実施形態では、水素バリア膜60が不要である。さらに、第1の上部電極UE1上にコンタクトホールを形成する必要が無い。その結果、第3の実施形態では、第1の上部電極UE1のエッチングによる抉れがさらに抑制される。第3の実施形態は、さらに、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第4の実施形態)
図24および図25は、本発明に係る第4の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図24は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図25は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
図24および図25は、本発明に係る第4の実施形態に従ったチェーン型のFeRAMの構成を示す断面図である。図24は、ビット線BLの延伸方向に沿った断面図を示し、図25は、ワード線WLの延伸方向に沿った断面図を示す。
第4の実施形態は、第2の上部電極UE2とローカル配線LICとの間のコンタクトが第3の実施形態のそれと異なる。第4の実施形態のその他の構成は、第3の実施形態の構成と同様でよい。
図22(A)および図22(B)に示す構造を形成した後、リソグラフィおよびRIEを用いて、第2の上部電極UE2上にコンタクトホールを形成する。これにより、コア部分72の上面が露出される。次に、ローカル配線LICが第1の実施形態で説明したように形成される。その後、第1の実施形態の製造方法と同様に、ビット線コンタクトおよびビット線を形成することにより、第4の実施形態によるチェーン型のFeRAMが完成する。
第4の実施形態では、コンタクトホールが第2の上部電極UE2上に形成される。よって、ローカル配線LICの材料を堆積しても、第2の上部電極UE2の位置を判別することができる。このため、ローカル配線LICの形成の際に、リソグラフィのアラインメントずれを防止することができる。第4の実施形態は、さらに、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。
CT…セルトランジスタ
ILD1〜ILD3…第1〜第3の層間絶縁膜
UE1…第1の上部電極
FE…強誘電体膜
LE…下部電極
FC…強誘電体キャパシタ
PLG1、PLG2…第1、第2のコンタクトプラグ
UE2…第2の上部電極
LIC…ローカル配線
ILD1〜ILD3…第1〜第3の層間絶縁膜
UE1…第1の上部電極
FE…強誘電体膜
LE…下部電極
FC…強誘電体キャパシタ
PLG1、PLG2…第1、第2のコンタクトプラグ
UE2…第2の上部電極
LIC…ローカル配線
Claims (5)
- 半導体基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタを被覆するように設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタと、
前記層間絶縁膜内に設けられ、前記下部電極と前記トランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、
前記第1の上部電極上に設けられ、側面が順テーパーに形成された第2の上部電極と、
前記第2の上部電極を介して前記第1の上部電極に電気的に接続された配線とを備えた半導体記憶装置。 - 前記第2の上部電極は、
前記第1の上部電極上に設けられた導電性の拡散防止膜と、
前記拡散防止膜上に設けられ、引張応力を内在する金属膜と、
前記金属膜上に設けられた反射防止膜とを含み、
前記拡散防止膜は、前記金属膜の材料が前記強誘電体キャパシタへ拡散することを抑制し、
前記反射防止膜は、前記第2の上部電極を加工するためのリソグラフィ工程において前記金属膜の反射を抑制することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の上部電極は、
前記第1の上部電極上に設けられた導電膜と、
前記導電膜の側面に設けられた絶縁膜とを含み、
前記第2の上部電極の平面パターンは、前記第1の上部電極の平面パターンと相似形であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 半導体基板上に複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタを被覆する第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜を貫通し、前記複数のトランジスタに接続される複数の第1のコンタクトプラグを形成し、
前記複数の第1のコンタクトプラグの上方に、第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む複数の強誘電体キャパシタを形成し、
隣接する前記強誘電体キャパシタ間に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の上部電極および前記第2の層間絶縁膜の上に第2の上部電極材料を堆積し、
前記第2の上部電極材料を加工することによって、各第1の上部電極上に第2の上部電極を形成し、
隣接する前記第2の上部電極間に第3の層間絶縁膜を形成し、
前記第3および前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記トランジスタに電気的に接続される第2のコンタクトプラグを形成し、
前記第3の層間絶縁膜、前記第2の上部電極および前記第2のコンタクトプラグ上に配線を形成することを具備した半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上に複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタを被覆する第1の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の層間絶縁膜を貫通し、前記複数のトランジスタに接続される複数の第1のコンタクトプラグを形成し、
前記複数の第1のコンタクトプラグ上に、第1の上部電極、強誘電体膜および下部電極を含む強誘電体キャパシタの材料を堆積し、
隣接する前記強誘電体キャパシタ間に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第1の上部電極および前記第2の層間絶縁膜の上に第2の上部電極材料を堆積し、
前記第2の上部電極材料上にマスク材料を堆積し、
前記マスク材料を第2の上部電極のパターンに加工し、
前記マスク材料および前記第2の上部電極の側面に側壁膜を形成し、
前記マスク材料および前記側壁膜をマスクとして用いて前記強誘電体キャパシタの材料をエッチングすることによって、複数の強誘電体キャパシタを形成することを具備する半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008244475A JP2010080520A (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US12/559,469 US20100072527A1 (en) | 2008-09-24 | 2009-09-14 | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008244475A JP2010080520A (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080520A true JP2010080520A (ja) | 2010-04-08 |
Family
ID=42036747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008244475A Pending JP2010080520A (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100072527A1 (ja) |
JP (1) | JP2010080520A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2375757A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-12 | Sony Corporation | Information processing apparatus, information processing method, reproduction apparatus, reproduction method, and program |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110079878A1 (en) * | 2009-10-07 | 2011-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric capacitor encapsulated with a hydrogen barrier |
US9624094B1 (en) | 2015-11-13 | 2017-04-18 | Cypress Semiconductor Corporation | Hydrogen barriers in a copper interconnect process |
US11901400B2 (en) * | 2019-03-29 | 2024-02-13 | Intel Corporation | MFM capacitor and process for forming such |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6795329B2 (en) * | 2002-06-20 | 2004-09-21 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Memory integrated circuit |
JP2008130615A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-24 JP JP2008244475A patent/JP2010080520A/ja active Pending
-
2009
- 2009-09-14 US US12/559,469 patent/US20100072527A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2375757A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-12 | Sony Corporation | Information processing apparatus, information processing method, reproduction apparatus, reproduction method, and program |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100072527A1 (en) | 2010-03-25 |
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