JPH03108770A - 強誘電体メモリ - Google Patents
強誘電体メモリInfo
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- JPH03108770A JPH03108770A JP1245261A JP24526189A JPH03108770A JP H03108770 A JPH03108770 A JP H03108770A JP 1245261 A JP1245261 A JP 1245261A JP 24526189 A JP24526189 A JP 24526189A JP H03108770 A JPH03108770 A JP H03108770A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は１強誘電体材料を情報記録媒体（メモリ）に用
いた強誘電体メモリに関する。
いた強誘電体メモリに関する。
［従来の技術］
強誘電体材料はヒステリシス特性を有し、この特性を利
用してデータを記憶できることが一般に知られている。
用してデータを記憶できることが一般に知られている。
第１２図はこのヒステリシス特性を、示す図であシ、横
軸は電界Ｅ１縦軸は分極状態Ｐを表している。±Ｅｏは
分極方向が逆方向に反転する電界（以下、抗電界という
）であυ、±Ｅｓはヒステリシス特性における正負方向
が反転する電界（以下、反転電界という）である。図に
おいて、電界がＯのときの分極にはＡとＣの２つの状態
があり、それぞれにデジタル信号の１”と０″を対応さ
せる。すなわち、Ａ状態のときに“１ｎ信号が記憶され
、Ｃの状態のときに０”信号が記憶される。
軸は電界Ｅ１縦軸は分極状態Ｐを表している。±Ｅｏは
分極方向が逆方向に反転する電界（以下、抗電界という
）であυ、±Ｅｓはヒステリシス特性における正負方向
が反転する電界（以下、反転電界という）である。図に
おいて、電界がＯのときの分極にはＡとＣの２つの状態
があり、それぞれにデジタル信号の１”と０″を対応さ
せる。すなわち、Ａ状態のときに“１ｎ信号が記憶され
、Ｃの状態のときに０”信号が記憶される。
いま、この強誘電体に１”信号が記憶され、分極がＡの
状態であるとする。このとき、正方向の読出しパルス町
を加えると１分極はＡからＢに移シ再びＡに戻るが、こ
の部分は傾斜が緩やかであるので容量値ＣＬの変化は小
さい。これに対して、強誘電体に０”信号が記憶され、
分極がＣの状態にあるときに、正方向の読出しパルスＥ
ｒを加えると、分極がＣからＤに移り再びＣに戻る。こ
のＣからＤの部分の傾斜は大きいので容量値ＣＬの変化
が大きくなる。したがって、この容量値の違いにより、
”１”状態の時は出力が小さく、”０”状態のときは出
力が大きくなるので、“１″と０”の状態を判別してデ
ータを読出すことができる。
状態であるとする。このとき、正方向の読出しパルス町
を加えると１分極はＡからＢに移シ再びＡに戻るが、こ
の部分は傾斜が緩やかであるので容量値ＣＬの変化は小
さい。これに対して、強誘電体に０”信号が記憶され、
分極がＣの状態にあるときに、正方向の読出しパルスＥ
ｒを加えると、分極がＣからＤに移り再びＣに戻る。こ
のＣからＤの部分の傾斜は大きいので容量値ＣＬの変化
が大きくなる。したがって、この容量値の違いにより、
”１”状態の時は出力が小さく、”０”状態のときは出
力が大きくなるので、“１″と０”の状態を判別してデ
ータを読出すことができる。
ここで、図から判るように、強誘電体の分極状態を０”
から１”にするためには、８ｗ以上の電界を有する記録
パルスを印加し、”１”からＩＴ ＯＩＩにするために
は、−Ｆ：、ｗの電界を有するパルスを印加すればよい
。
から１”にするためには、８ｗ以上の電界を有する記録
パルスを印加し、”１”からＩＴ ＯＩＩにするために
は、−Ｆ：、ｗの電界を有するパルスを印加すればよい
。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記の強誘電体メモリでは、強誘電体の公使
状態が第１２図のヒステリシスループに従うもの−）し
て、読出しパルスとしてＥｒの電界を印加している。し
かし、実際には第１３囚に示すようにａの状態のときに
読出し・ぐルス全印加し、て情報を読出すと、分極状態
はａ−＋ｅｏ−＋ｆｏとを変化し。
状態が第１２図のヒステリシスループに従うもの−）し
て、読出しパルスとしてＥｒの電界を印加している。し
かし、実際には第１３囚に示すようにａの状態のときに
読出し・ぐルス全印加し、て情報を読出すと、分極状態
はａ−＋ｅｏ−＋ｆｏとを変化し。
元のａの状態に戻らないことになる。つまシ残留分極値
Ｐｒの値が減少し、情報が劣化することになる。また、
このｆ。の状態から読出しパルスを印加すると、第１３
、図の一点鎖線で示すヒステリシスループに従って分極
状態はｆｏ−＋ｅ１→ｆ１と変化してしまい、分極状態
はｆｏに戻らず、ますます残留分極値Ｐｒの値が減少す
る。即ち、読出し動作ヲ＜９返すことにより、分極値と
して記憶された情報が劣化し、最終的には、０となり、
情報が消去されてしまい、メモリとして実用できなくな
る。
Ｐｒの値が減少し、情報が劣化することになる。また、
このｆ。の状態から読出しパルスを印加すると、第１３
、図の一点鎖線で示すヒステリシスループに従って分極
状態はｆｏ−＋ｅ１→ｆ１と変化してしまい、分極状態
はｆｏに戻らず、ますます残留分極値Ｐｒの値が減少す
る。即ち、読出し動作ヲ＜９返すことにより、分極値と
して記憶された情報が劣化し、最終的には、０となり、
情報が消去されてしまい、メモリとして実用できなくな
る。
本発明は、くり返し読出しても残留分極値が減少せず、
確実に情報の記録、読出しを行うことのできる強ｖｊ重
体メモリ全提供すること全目的とする。
確実に情報の記録、読出しを行うことのできる強ｖｊ重
体メモリ全提供すること全目的とする。
［課題を解決するための手段と作用］
本発明は、ストライプ状の下部電極と、この下部電極°
と直交するように配置されたストライプ状の上部電極と
、前記下部電極と上部電極間に配置され、両電極間に印
加される電界によシ分極状態を変化させる強誘電体とを
具備する強誘電体メモリにおいて、前記強誘電体が異な
る抗電界を有する複数の強誘電体膜を積層した積層体で
ある事を特徴とする強誘電体メモリである。
と直交するように配置されたストライプ状の上部電極と
、前記下部電極と上部電極間に配置され、両電極間に印
加される電界によシ分極状態を変化させる強誘電体とを
具備する強誘電体メモリにおいて、前記強誘電体が異な
る抗電界を有する複数の強誘電体膜を積層した積層体で
ある事を特徴とする強誘電体メモリである。
本発明に係る下部電極は通常支持体である基板上に形成
されるが、この基板の材料としてはガラス、セラミック
ス、金属、高分子材料、半導体材料等が挙げられ、これ
らは用途に応じて適宜選択される。
されるが、この基板の材料としてはガラス、セラミック
ス、金属、高分子材料、半導体材料等が挙げられ、これ
らは用途に応じて適宜選択される。
本発明に係る下部電極及び上部電極の材料としては、Ａ
ｔ、 Ｐｔ 、 Ａｕ 、 Ｎｉ 、またはこれらの下
地としてＣｒ 、 Ｔｉ 、 Ｍｏ等が挙げられる。ま
た、ＩＴＯ等の無機物透明体等でもよい。
ｔ、 Ｐｔ 、 Ａｕ 、 Ｎｉ 、またはこれらの下
地としてＣｒ 、 Ｔｉ 、 Ｍｏ等が挙げられる。ま
た、ＩＴＯ等の無機物透明体等でもよい。
本発明によれば、隣接する部位へのクロストーク全防止
してＳＮ比を向上し、選択した部位に対する情報の記録
・再生を確実に行う事ができる。
してＳＮ比を向上し、選択した部位に対する情報の記録
・再生を確実に行う事ができる。
上記強誘電体としては、例えば高抗電界を有す５−
る強誘電体膜（高抗電界強誘電体膜）と低抗電界を有す
る強誘電体膜（低抗電界強誘電体膜）を積層した積層体
、あるいは高抗電界強誘電体膜とこの強誘電体膜を挾む
低抗電界強誘電体膜の積層体、あるいは高抗電界強誘電
体膜と低抗電界強誘電体膜が交互に積層された積層体等
が挙げられる。ここに、前記高抗電界強誘電体膜（前者
）の材料としては、ＰＺＴ （ジルコンチタン酸鉛）
、 ＢａＴｉ０３（チタン酸バリウム） 、 ＫＮＯ，
（硝酸カリウム）等の無機材料、あるいはＰＶＤＦ （
ポリフッ化ビニリデン）等の高分子材料が挙げられる。
る強誘電体膜（低抗電界強誘電体膜）を積層した積層体
、あるいは高抗電界強誘電体膜とこの強誘電体膜を挾む
低抗電界強誘電体膜の積層体、あるいは高抗電界強誘電
体膜と低抗電界強誘電体膜が交互に積層された積層体等
が挙げられる。ここに、前記高抗電界強誘電体膜（前者
）の材料としては、ＰＺＴ （ジルコンチタン酸鉛）
、 ＢａＴｉ０３（チタン酸バリウム） 、 ＫＮＯ，
（硝酸カリウム）等の無機材料、あるいはＰＶＤＦ （
ポリフッ化ビニリデン）等の高分子材料が挙げられる。
一方、低抗電界強誘電体膜（後者）の材料としては、前
者と同じ材料であるが、組成音質え抗電界を調整してい
る。具体的には、前者としてはＣｒ 、 Ｆａ 、 Ｍ
ｎ等を添加したＰＺＴ ’！ｒ用い、後者としてはＬａ
、Ｎｂ 、 Ｗ 。
者と同じ材料であるが、組成音質え抗電界を調整してい
る。具体的には、前者としてはＣｒ 、 Ｆａ 、 Ｍ
ｎ等を添加したＰＺＴ ’！ｒ用い、後者としてはＬａ
、Ｎｂ 、 Ｗ 。
Ｔａ等を添加したＰＺＴ ’に用いる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例全第１図を参照して説明する。
図中の１１は、支持体としての例えばガラスか６−
らなる基板である。この基板１ノ上には、ストライプ状
のＡｔ製の下部電極１２が形成されている。
のＡｔ製の下部電極１２が形成されている。
この下部電極１２の厚みは０．１μｍ１幅１μｍ、ピッ
チ１μｍで等間隔に形成されている。前記下部電極１２
間には、絶縁体（ｊδ４小で一１′）が充填されている
。前記下部電極１２及び絶縁体上には、高抗電界を有す
る卑み０３伽の強誘電体膜（高抗電界強誘電体膜）４
ａと低抗電界を有する厚み０．１μｍの強誘電体膜（低
抗電界強誘電体膜）１４ａとからなる強誘電体ノ４が形
成され１いる。ここで、強誘電体膜１４ａの材料として
は例えばＣｒ 、 Ｆｅ 、 Ｍｎ等を添加したＰＺＴ
が用いられ、強誘電体膜１４ｂの材料としては例えばＬ
ａ 、 Ｎｂ 、 Ｗ 、 Ｔａ等を添加したＰＺＴが
用いられる。第２図は強誘電体膜１４ａのヒステリシス
特性図を、第３図は強誘電体膜１４ｂのヒステリシス特
性図を夫々示す。前記強誘電体１４上には、ストライプ
状状のＡｔ製の上部電極１５が前記下部電極１２と直交
するように形成場れている。前記上部電極１５の専み８
幅、ピッチは下部電極と同様である。
チ１μｍで等間隔に形成されている。前記下部電極１２
間には、絶縁体（ｊδ４小で一１′）が充填されている
。前記下部電極１２及び絶縁体上には、高抗電界を有す
る卑み０３伽の強誘電体膜（高抗電界強誘電体膜）４
ａと低抗電界を有する厚み０．１μｍの強誘電体膜（低
抗電界強誘電体膜）１４ａとからなる強誘電体ノ４が形
成され１いる。ここで、強誘電体膜１４ａの材料として
は例えばＣｒ 、 Ｆｅ 、 Ｍｎ等を添加したＰＺＴ
が用いられ、強誘電体膜１４ｂの材料としては例えばＬ
ａ 、 Ｎｂ 、 Ｗ 、 Ｔａ等を添加したＰＺＴが
用いられる。第２図は強誘電体膜１４ａのヒステリシス
特性図を、第３図は強誘電体膜１４ｂのヒステリシス特
性図を夫々示す。前記強誘電体１４上には、ストライプ
状状のＡｔ製の上部電極１５が前記下部電極１２と直交
するように形成場れている。前記上部電極１５の専み８
幅、ピッチは下部電極と同様である。
次に、こうした構成から成る強誘電体メモリに電界Ｅ８
を印加した場合の動作について説明する。
を印加した場合の動作について説明する。
情報を記録する場合には、Ｅａとして強誘電体の飽和電
界Ｅ６を越えて十分な大きさの電界とする。
界Ｅ６を越えて十分な大きさの電界とする。
記録は、電気的な切り換えスイッチによシ所望のストラ
イプ状電極全選択し、電界Ｅ、 ？印加する。
イプ状電極全選択し、電界Ｅ、 ？印加する。
すると、選択された下部、上部電極の交差した部位の強
誘電体膜１４ａ及び強誘電体膜１４ｂはヒステリシスル
ープに従って分極状態を変化させる。
誘電体膜１４ａ及び強誘電体膜１４ｂはヒステリシスル
ープに従って分極状態を変化させる。
例えば、今、ＡＡρ状態にあるとした場合、正の電界Ｅ
ユを印加すればＢ点に達し、電界Ｅａを取シ去ると０点
で示される残留分極を保持し、情報が書き込まれる。
ユを印加すればＢ点に達し、電界Ｅａを取シ去ると０点
で示される残留分極を保持し、情報が書き込まれる。
次に、再生について説明する。
読出し電界として強誘電体膜１４ａの抗電界ＥＦＣより
十分小さく、強誘電体膜１４ａの双極子が強誘電体ｋ１
４ｂの部位に作る電界Ｅ７よシも大きな電界Ｅ、とする
。但し、Ｅｂは第４図に示す如く時間幅Δｔのパルス電
界とする。この時、強誘電体膜１４ｂの抗電界ＥＬＦＣ
ＶｉＥＬＰＣ＜ Ｅｐの関係にあるものとする。好まし
くは飽和電界ＥＬＦＳがＥＬＦａキＥ１の関係にあるも
のとする。今、分極状態を第５図に示す如く矢印で示せ
ば、無印加電界時には、四回に示す如く一方向に向いて
いる。しかし、電界Ｅ、を印加した瞬間、第６図の如く
強誘電体膜１４ｂの分極は反転し、電界Ｅ、が取り去ら
れると第７図の如くＥｌｌによ９強誘電体膜１４ｂの分
極は元に戻る。この時、分極状態の変化を見てみると第
８図に示す如く、Ｅ、を印加する事で強誘電体膜１４ｂ
ではＡ′→に′→Ａ′へと大きく変化する。一方、強誘
電体膜１４ａでは、角形比（Ｐｒ／Ｐ、 ”）に優れる
膜とする事でＡ−＋ Ｋ−＋Ａへと戻り、しかも分極状
態がほとんど変化しない。即ち、情報を保持すべき強誘
電体膜１４ａの分極状態全変化させる事なく、強誘電体
１７４ｂの分極状態変化に伴う電流ｉ（ｔ ＝西■ａｐ
）が第９図の如く得られ読み出すｄｔ ｄｔ 事ができる。
十分小さく、強誘電体膜１４ａの双極子が強誘電体ｋ１
４ｂの部位に作る電界Ｅ７よシも大きな電界Ｅ、とする
。但し、Ｅｂは第４図に示す如く時間幅Δｔのパルス電
界とする。この時、強誘電体膜１４ｂの抗電界ＥＬＦＣ
ＶｉＥＬＰＣ＜ Ｅｐの関係にあるものとする。好まし
くは飽和電界ＥＬＦＳがＥＬＦａキＥ１の関係にあるも
のとする。今、分極状態を第５図に示す如く矢印で示せ
ば、無印加電界時には、四回に示す如く一方向に向いて
いる。しかし、電界Ｅ、を印加した瞬間、第６図の如く
強誘電体膜１４ｂの分極は反転し、電界Ｅ、が取り去ら
れると第７図の如くＥｌｌによ９強誘電体膜１４ｂの分
極は元に戻る。この時、分極状態の変化を見てみると第
８図に示す如く、Ｅ、を印加する事で強誘電体膜１４ｂ
ではＡ′→に′→Ａ′へと大きく変化する。一方、強誘
電体膜１４ａでは、角形比（Ｐｒ／Ｐ、 ”）に優れる
膜とする事でＡ−＋ Ｋ−＋Ａへと戻り、しかも分極状
態がほとんど変化しない。即ち、情報を保持すべき強誘
電体膜１４ａの分極状態全変化させる事なく、強誘電体
１７４ｂの分極状態変化に伴う電流ｉ（ｔ ＝西■ａｐ
）が第９図の如く得られ読み出すｄｔ ｄｔ 事ができる。
こうする事で１強誘電体膜１４ａの分極状態を劣化させ
る事なくつまり記録情報を劣化させる事がなく、非破壊
狭吋工しｈ゛−ら貨乏ヒなゐ。
る事なくつまり記録情報を劣化させる事がなく、非破壊
狭吋工しｈ゛−ら貨乏ヒなゐ。
９−
なお、本発明に係る強誘電体メモリは、上記実施例のも
のに限らない。例えば、第１０図に示す如く低抗電界強
誘電体膜１４ｂを高抗電界強誘電膜１４ｂを交互に積層
した構造のものでもよい。
のに限らない。例えば、第１０図に示す如く低抗電界強
誘電体膜１４ｂを高抗電界強誘電膜１４ｂを交互に積層
した構造のものでもよい。
しかるに、第１０図や第１１図のメモリによれば、高抗
電界強誘電体膜と低抗電界強誘電体膜との双極子相互作
用が高まり、低抗電界強誘電体膜の分極状態が読み出し
時に確実に元に戻るという利点を有する。
電界強誘電体膜と低抗電界強誘電体膜との双極子相互作
用が高まり、低抗電界強誘電体膜の分極状態が読み出し
時に確実に元に戻るという利点を有する。
また、上記実施例においては、ストライプ状の上部・下
部電極を用いた場合について述べたが、これに限らず、
両電極間に板状の電極を介在させてもよい。
部電極を用いた場合について述べたが、これに限らず、
両電極間に板状の電極を介在させてもよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、くり返し続出しても
残留分極値が減少せず、情報の記録・読出しを確実に行
う事のできる強誘電体メモリを提供できる。
残留分極値が減少せず、情報の記録・読出しを確実に行
う事のできる強誘電体メモリを提供できる。
＝１０−
第１図は本発明の一実施例に係る強誘電体メモリの断面
図、第２図は同メモリの高抗電界強誘電体膜のヒステリ
シス特性図、第３図は同メモリの低抗電界強誘電体膜の
ヒステリシス特性図、第４図はこの低抗電界強誘電体膜
の電界に関するパルス図、第５図〜第７図は夫々低抗電
界強誘電体膜の分極状態の説明図、第８図は強誘電体の
ヒステリシス特性図、第９図は低抗電界強誘電体膜の電
流−時間特性図、第１０図及び第１１図は夫々本発明の
他の実施例に係る強誘電体メモリの断面図、第１２図及
び第１３図は夫々従来の強誘電体材料のヒステリシス特
性図を示す。 １ノ・・・基板、１２・・・下部電極、１４ａ・・・高
抗電界強誘電体膜、１４ｂ・・・低抗電界強誘電体膜、
１４・・・強誘電体、１５・・・上部電極。
図、第２図は同メモリの高抗電界強誘電体膜のヒステリ
シス特性図、第３図は同メモリの低抗電界強誘電体膜の
ヒステリシス特性図、第４図はこの低抗電界強誘電体膜
の電界に関するパルス図、第５図〜第７図は夫々低抗電
界強誘電体膜の分極状態の説明図、第８図は強誘電体の
ヒステリシス特性図、第９図は低抗電界強誘電体膜の電
流−時間特性図、第１０図及び第１１図は夫々本発明の
他の実施例に係る強誘電体メモリの断面図、第１２図及
び第１３図は夫々従来の強誘電体材料のヒステリシス特
性図を示す。 １ノ・・・基板、１２・・・下部電極、１４ａ・・・高
抗電界強誘電体膜、１４ｂ・・・低抗電界強誘電体膜、
１４・・・強誘電体、１５・・・上部電極。
Claims (3)
- （１）ストライプ状の下部電極と、この下部電極と直交
するように配置されたストライプ状の上部電極と、前記
下部電極と上部電極間に配置され、両電極間に印加され
る電界により分極状態を変化させる強誘電体とを具備す
る強誘電体メモリにおいて、前記強誘電体が異なる抗電
界を有する複数の強誘電体膜を積層した積層体である事
を特徴とする強誘電体メモリ。 - （２）前記誘電体が、高抗電界を有する強誘電体膜とこ
の強誘電体膜を挾む低抗電界を有する強誘電体膜の積層
体である請求項１記載の強誘電体メモリ。 - （３）前記誘電体が、高抗電界を有する強誘電体膜と低
抗電界を有する強誘電体膜を積層した積層体、あるいは
高抗電界を有する強誘電体膜と低抗電界を有する強誘電
体膜が交互に積層された積層体である請求項１記載の強
誘電体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245261A JPH03108770A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 強誘電体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1245261A JPH03108770A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 強誘電体メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108770A true JPH03108770A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17131051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1245261A Pending JPH03108770A (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 強誘電体メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108770A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548475A (en) * | 1993-11-15 | 1996-08-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film device |
| US5757061A (en) * | 1995-06-09 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof |
| US5821005A (en) * | 1995-03-08 | 1998-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectrics thin-film coated substrate and manufacture method thereof and nonvolatile memory comprising a ferroelectrics thinfilm coated substrate |
| US5851841A (en) * | 1995-09-26 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing ferroelectric film element, and ferroelectric film element and ferroelectric memory element produced by the method |
| US6440591B1 (en) | 1995-06-09 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof |
| JP2010166073A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | キャパシタ、強誘電体メモリ装置、アクチュエータおよび液体噴射ヘッド |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1245261A patent/JPH03108770A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548475A (en) * | 1993-11-15 | 1996-08-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film device |
| US5821005A (en) * | 1995-03-08 | 1998-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectrics thin-film coated substrate and manufacture method thereof and nonvolatile memory comprising a ferroelectrics thinfilm coated substrate |
| US5757061A (en) * | 1995-06-09 | 1998-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof |
| US6232167B1 (en) | 1995-06-09 | 2001-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing a ferroelectric thin film coated substrate |
| US6440591B1 (en) | 1995-06-09 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof |
| US5851841A (en) * | 1995-09-26 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing ferroelectric film element, and ferroelectric film element and ferroelectric memory element produced by the method |
| JP2010166073A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | キャパシタ、強誘電体メモリ装置、アクチュエータおよび液体噴射ヘッド |
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