JP2002269972A5 - - Google Patents
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Claims (36)
- 第1信号電極と、強誘電体層と、第2信号電極とを含む、強誘電体メモリ装置であって、
前記第2信号電極は、前記第1信号電極と交差する方向に沿って形成され、
前記第1信号電極と前記第2信号電極との交差する領域において、少なくとも該第1信号電極と該第2信号電極と前記強誘電体層とを含む強誘電体キャパシタからなるメモリセルが形成され、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みは、該メモリセルにおける第1信号電極と第2信号電極との間に、書き込み電圧を印加することにより行われ、
前記書き込み電圧の絶対値は、前記強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しは、該メモリセルにおける第1信号電極と第2信号電極との間に、読み出し電圧を印加することにより行われ、
前記読み出し電圧の絶対値は、飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項2において、
前記書き込み電圧の絶対値と、前記読み出し電圧の絶対値とは、同一である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項2または3において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しが行われると同時に、該メモリセルに対して情報の一部の書き込みが行われる、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、前記書き込み電圧の絶対値の1/2である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜5のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、前記読み出し電圧の絶対値の1/2である、強誘電体メモリ装置。 - 第1信号電極と、強誘電体層と、第2信号電極とを含む、強誘電体メモリ装置であって、
前記第2信号電極は、前記第1信号電極と交差する方向に沿って形成され、
前記第1信号電極と前記第2信号電極との交差する領域において、少なくとも該第1信号電極と該第2信号電極と前記強誘電体層とを含む強誘電体キャパシタからなるメモリセルが形成され、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みは、該メモリセルにおける第1信号電極と第2信号電極との間に、書き込み電圧を印加することにより行われ、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しは、該メモリセルにおける第1信号電極と第2信号電極との間に、読み出し電圧を印加することにより行われ、
前記書き込み電圧を±Vsとし、前記読み出し電圧を+Vsまたは−Vsとした場合、
前記|Vs|は、前記強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項7において、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、(1/2)|Vs|である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項7または8において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、(1/2)|Vs|である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜9のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、ペロブスカイト型酸化物強誘電体である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜10のいずれかにおいて、
前記強誘電体層の厚さに対する、前記書き込み電圧の絶対値の比は、17V/μm以下である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜10のいずれかにおいて、
前記強誘電体層の厚さに対する、前記書き込み電圧の絶対値の比は、15V/μm以下である、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜12のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、バイアス電圧が印加されていない状態における比誘電率が400以下である材質からなる、強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜12のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、バイアス電圧が印加されていない状態における比誘電率が300以下である材質からなる、強誘電体メモリ装置。 - 強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法であって、
前記メモリセルは、第1信号電極と、強誘電体層と、第2信号電極とを含み、
前記第2信号電極は、前記第1信号電極と交差する方向に沿って形成され、
前記第1信号電極と前記第2信号電極との交差する領域において、少なくとも該第1信号電極と該第2信号電極と前記強誘電体層とを含み、
選択された前記メモリセルにおいて第1信号電極と第2信号電極との間において書き込み電圧を印加することにより、メモリセルに対して情報の書き込みを行うステップを含み、
前記書き込み電圧の絶対値は、前記強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項15において、
さらに、選択された前記メモリセルにおいて第1信号電極と第2信号電極との間において読み出し電圧を印加することにより、メモリセルに対して情報の読み出しを行うステップを含み、
前記読み出し電圧の絶対値は、前記強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体メモリセルからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項16において、
前記書き込み電圧の絶対値と、前記読み出し電圧の絶対値とは、同一である、
強誘電体メモリセルからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項16または17において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しが行われると同時に、該メモリセルに対して情報の一部の書き込みが行われる、強誘電体メモリセルからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項15〜18のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、前記書き込み電圧の絶対値の1/2である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜19のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、前記読み出し電圧の絶対値の1/2である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法であって、
前記メモリセルは、第1信号電極と、強誘電体層と、第2信号電極とを含み、
前記第2信号電極は、前記第1信号電極と交差する方向に沿って形成され、
前記第1信号電極と前記第2信号電極との交差する領域において、少なくとも該第1信号電極と該第2信号電極と前記強誘電体層とを含み、
選択された前記メモリセルにおいて第1信号電極と第2信号電極との間において書き込み電圧を印加することにより、メモリセルに対して情報の書き込みを行うステップおよび、
選択された前記メモリセルにおいて第1信号電極と第2信号電極との間において読み出し電圧を印加することにより、メモリセルに対して情報の書き込みを行うステップを含み、
前記書き込み電圧を±Vsとし、前記読み出し電圧を+Vsまたは−Vsとした場合、
前記|Vs|は、前記強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項21において、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、(1/2)|Vs|である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項21または22において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、(1/2)|Vs|である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜23のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、ペロブスカイト型酸化物強誘電体である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜24のいずれかにおいて、
前記強誘電体層の厚さに対する、前記書き込み電圧の絶対値の比は、17V/μm以下である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜24のいずれかにおいて、
前記強誘電体層の厚さに対する、前記書き込み電圧の絶対値の比は、15V/μm以下である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜26のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、バイアス電圧が印加されていない状態における比誘電率が400以下である材質からなる、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項15〜26のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、バイアス電圧が印加されていない状態における比誘電率が300以下である材質からなる、強誘電体キャパシタからなるメモリセルからなる動作方法。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、前記書き込み電圧の絶対値の1/3である強誘電体メモリ装置。 - 請求項1〜5において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、前記読み出し電圧の絶対値の1/3である強誘電体メモリ装置。 - 請求項7において、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、(1/3)|Vs|である強誘電体メモリ装置。 - 請求項7において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、(1/3)|Vs|である強誘電体メモリ装置。 - 請求項15〜18のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、前記書き込み電圧の絶対値の1/3である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項15〜18のいずれかにおいて、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、前記読み出し電圧の絶対値の1/3である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項21において、
選択された前記メモリセルに対する情報の書き込みにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第1電圧が印加され、
前記第1電圧の絶対値の最大値は、(1/3)|Vs|である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。 - 請求項21において、
選択された前記メモリセルに対する情報の読み出しにおいて、非選択の前記メモリセルにおける前記第1信号電極と前記第2信号電極との間において、非選択のメモリセルの分極状態が反転しないようにするための第2電圧が印加され、
前記第2電圧の絶対値の最大値は、(1/3)|Vs|である、強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法。
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