JP2009231345A - 強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リーク電流が少なく自発分極量の大きいビスマス元素を含む強誘電性材料、この強誘電性材料を用いた強誘電体キャパシタ、並びにこの強誘電体キャパシタを用いた高集積の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第1の電極10と、第1の電極10上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜12と、強誘電体膜12上に形成された第2の電極14とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】第1の電極10と、第1の電極10上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜12と、強誘電体膜12上に形成された第2の電極14とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び強誘電体キャパシタを用いた半導体記憶装置に関する。
コンピュータの主記憶装置には、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)及びスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)等の揮発性メモリが使用されている。揮発性メモリは、電源が供給されている期間のみデータを保持することができ、電源の供給が停止されると記憶されているデータは消失してしまう。
これに対して、自由に書換えが可能で、かつ、電源の供給を停止してもデータが消失しない不揮発性メモリとして、強誘電性材料を用いた強誘電体ランダムアクセスメモリ(以下、「FeRAM」という。)が知られている。FeRAMは、次世代のメモリとして、非接触のICカード等への応用が期待されている。
現在広く使用されているFeRAM用の強誘電性材料としては、Pb(Zr,Ti)O3系のペロブスカイト型酸化物材料が挙げられる。Pb(Zr,Ti)O3系の材料は、自発分極量Prが約50μC/cm2程度の強誘電性材料である。
強誘電体料の自発分極量Prは、大きいほど高密度の不揮発性メモリの作製に有利である。このため、FeRAM用の強誘電性材料として、Pb(Zr,Ti)O3系材料に代わるより自発分極量Prの大きい材料の適用が検討されている。
近年、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物材料において、巨大な自発分極量を示す結果が報告されている。例えば、非特許文献1には、鉄酸ビスマス(BiFeO3)薄膜の自発分極量Prが100〜150μC/cm2程度の値を示すことが報告されている。
また、強誘電性の理論計算技術の進展により、材料の電子構造から強誘電性を計算することが可能となっており、より高い自発分極量Prを有する材料が模索されている。例えば、非特許文献2では、コバルト酸ビスマス(BiCoO3)の自発分極量Prが179μC/cm2程度になることが予測されている。
特開2005−104744号公報
K. Y. Yun et al., "Giant ferroelectric polarization beyond 150 μC/cm2in BiFeO3 thin film", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No, 5A, 2004, pp. L647-L648
Y. Uratani et al., "First-principles predictions of giant electric polarization", Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 44, No. 9B, 2005, pp. 7130-7133
しかしながら、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物材料は、リーク電流が非常に大きく、強誘電体キャパシタとして実際にデバイスへ組み込むことは困難であった。このため、FeRAM等に適用可能な自発分極量の大きい材料の開発に向けて、ビスマス元素を含む強誘電性材料のリーク電流を低減するための技術が求められていた。
本発明の目的は、リーク電流が少なく自発分極量の大きいビスマス元素を含む強誘電性材料、この強誘電性材料を用いた強誘電体キャパシタ、並びにこの強誘電体キャパシタを用いた高集積の半導体記憶装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電性材料が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、第1の電極と、前記第1の電極上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを有する強誘電体キャパシタが提供される。
また、本発明の更に他の観点によれば、半導体基板上に形成された選択トランジスタと、前記半導体基板上に形成され、第1の電極と、前記第1の電極上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを有し、前記第1の電極又は前記第2の電極が前記選択トランジスタに接続された強誘電体キャパシタとを有する半導体記憶装置が提供される。
本発明によれば、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料を構成するので、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料を単独で用いた強誘電性材料と比較して、リーク電流を大幅に低減することができる。また、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料は、大きな自発分極量が予測されている材料であり、現在広く使用されているPb(Zr,Ti)O3系材料を用いた場合よりも大きい自発分極量を得ることが期待できる。したがって、このような強誘電性材料を用いてキャパシタを構成することにより、リーク電流が少なく自発分極量の大きい強誘電体キャパシタを構成することが可能となる。また、この強誘電体キャパシタによって半導体記憶装置を構成することにより、強誘電体キャパシタの面積を小さくしてメモリセル密度を高めることができ、半導体記憶装置の記憶容量を増加することが可能となる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による強誘電体キャパシタについて図1乃至図6を用いて説明する。
本発明の第1実施形態による強誘電体キャパシタについて図1乃至図6を用いて説明する。
図1は本実施形態による強誘電体キャパシタの構造を示す概略断面図、図2及び図3は強誘電性材料としてコバルト酸ビスマスを用いた強誘電体キャパシタの電気特性を示すグラフ、図4はジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶よりなる強誘電体膜のX線回折スペクトルを示すグラフ、図5は本実施形態による強誘電体キャパシタの電気特性を示すグラフ、図6は本実施形態による強誘電体キャパシタにおけるコバルト酸ビスマスの組成比と残留分極値との関係を示すグラフである。
はじめに、本実施形態による強誘電体キャパシタの構造について図1を用いて説明する。
本実施形態による強誘電体キャパシタは、図1に示すように、下部電極10と、下部電極10上に形成された強誘電体膜12と、強誘電体膜12上に形成された上部電極14とを有している。
強誘電体膜12は、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料からなる膜である。ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料としては、例えば、コバルト酸ビスマス(bismuth cobaltate:BiCoO3)や鉄酸ビスマス(bismuth ironate:BiFeO3)が挙げられる。反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料としては、例えば、ジルコン酸鉛(lead zirconate:PbZrO3)やハフニウム酸鉛(lead hafnate:PbHfO3)が挙げられる。
強誘電体膜12を構成する混晶には、1種類のビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料のみならず、2種類以上のビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料が含まれてもよい。同様に、強誘電体膜12を構成する混晶には、1種類の反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料のみならず、2種類以上の反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料が含まれてもよい。
すなわち、強誘電体膜12を構成する混晶としては、例えば、ジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ハフニウム酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスと鉄酸ビスマスとの混晶等を適用することができる。
ペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料は、一般にはABO3(A,Bは金属元素)の組成式で表される。酸素の化学量論的組成は、金属A,Bの2に対して3であるが、必ずしも3である必要はない。全体として実質的にABO3型の結晶格子を有すると認められる限りにおいて、金属リッチ又は酸素リッチの組成でもあってよい。
強誘電体膜12の形成には、後述の第2実施形態に記載の種々の成膜方法を適用することができる。
下部電極10及び上部電極14は、耐酸化性を有する導電性材料や酸化物導電性材料により構成することが好ましく、例えば、白金族の金属、白金族金属の導電性酸化物、単純ペロブスカイト構造を有する導電性酸化物等により構成することができる。白金族の金属とは、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)及び白金(Pt)である。白金族金属の導電性酸化物としては、酸化ルテニウム(RuO2)や酸化イリジウム(IrO2)等が挙げられる。単純ペロブスカイト構造を有する導電性酸化物としては、SrRuO3、La0.5Sr0.5CoO3等が挙げられる。なお、下部電極10及び上部電極14には、ここに例示した材料のみならず、酸化物誘電体膜に対して一般に用いられている他の種々の電極材料を適用することができる。
上述のように、コバルト酸ビスマスなど、ビスマス元素を含むペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料は、極めて高い自発分極量Prが予測されている強誘電性材料であるが、リーク電流が極めて大きい。
図2及び図3はコバルト酸ビスマスを用いた強誘電体キャパシタの電気特性を示すグラフである。図2は分極量と電圧との関係を示すグラフであり、図3は正負のパルス電圧を印加したときの分極量の変化を示すグラフである。
コバルト酸ビスマスを用いた強誘電体キャパシタでは、図2に示すように、分極−電圧曲線は、リーク電流の多い材料に特有の膨らんだ形状となっている。また、図3に示すように、一定電圧(1V)を印加すると、時間の経過とともに見かけの分極量が増加しており、リーク電流が非常に多いことが判る。
そこで、本願発明者等は、ビスマス元素を含むペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料の有する高い自発分極量を生かしつつリーク電流の少ない強誘電性材料を形成すべく鋭意検討を行い、ビスマス元素を含むペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料と他のペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料との混晶を構成することに想到した。そして、その結果、ビスマス元素を含むペロブスカイト型の酸化物強誘電性材料とジルコン酸鉛及び/又はハフニウム酸鉛との混晶を構成することで、自発分極量が大きくリーク電流の少ない強誘電性材料を形成できることが初めて明らかとなった。
図4は、化学溶液堆積(Chemical Solution Deposition:CSD)法により堆積したジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶よりなる強誘電体膜のX線回折スペクトルを示すグラフである。X線回折測定に用いた試料は、Pt/TiO2/SiO2/Si構造の下地基板上に、ジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの組成比が0.7:0.3である混晶(以下、「0.7PbZrO3−0.3BiFeO3」と表す)よりなる強誘電体膜を形成したものである。
図4に示すX線回折スペクトルから、形成した強誘電体膜が、(101)方向に強く配向したペロブスカイト構造を有していることが判った。
図5は、強誘電体膜12として0.7PbZrO3−0.3BiFeO3を用いた本実施形態の強誘電体キャパシタについて、分極量と印加との関係を測定した結果を示すグラフである。
強誘電体膜としてコバルト酸ビスマスを用いた強誘電体キャパシタでは、図2に示すように、リーク電流が非常に多く、ヒステリシス特性を測定することができなかった。
これに対し、強誘電体膜をジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶により構成した本実施形態による強誘電体キャパシタでは、図5に示すように、印加電圧の変化に対して分極値がヒステリシス曲線を描くヒステリシス特性を有している。このことから、強誘電体膜をジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶により構成することにより、リーク電流を大幅に低減できることが判る。
図6は、強誘電体膜12としてジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶を用いた本実施形態の強誘電体キャパシタにおけるコバルト酸ビスマスの組成比xに対する残留分極値の変化を示すグラフである。コバルト酸ビスマスの組成比xは、混晶の組成式を(1−x)PbZrO3−xBiFeO3として、xを0〜0.3の間で変化した。
図6に示すように、コバルト酸ビスマスの組成比xが0.1を超えると、残留分極値は、コバルト酸ビスマスの組成比xが大きくなるほどに増加している。
本願発明者等は、現状では組成比xが0.3を超える試料についての測定を行っていないが、コバルト酸ビスマスについて予測されている自発分極量の値を考慮すると、組成比xを更に大きくすることにより、より大きな残留分極値を得られることが期待できる。また、成膜条件の最適化等により、更に大きな残留分極値を得られることも期待できる。
ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料に反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料を加えて混晶とすることによりリーク電流が低減するメカニズムは明らかではない。
チタン酸鉛(PbTiO3)はリーク電流の多い材料であるが、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料であるジルコン酸鉛(PbZrO3)を添加してこれらの混晶であるチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3:PZT)とすることにより、リーク電流が低減することが知られている。
ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料に反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料を加えて混晶とする場合にも、PZTの場合と同様のメカニズムによってリーク電流が減少しているものと考えられる。
このように、本実施形態によれば、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料を用いて強誘電体キャパシタを構成するので、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料を単独で用いた強誘電体キャパシタの場合と比較して、リーク電流を大幅に低減することができる。また、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料は、大きな自発分極量が予測されている材料であり、現在広く使用されているPb(Zr,Ti)O3系材料を用いた場合よりも大きい自発分極量を得ることが期待できる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による半導体記憶装置及びその製造方法について図7乃至図11を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による半導体記憶装置及びその製造方法について図7乃至図11を用いて説明する。
図7は本実施形態による半導体記憶装置の構造を示す概略断面図、図8乃至図11は本実施形態による半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。
はじめに、本実施形態による半導体記憶装置の構造について図7を用いて説明する。
図7は、半導体記憶装置のアレイ状に形成された複数のメモリセルのうちの一のメモリセルについて、基板面に垂直な方向の断面構造を示したものである。
図7は、半導体記憶装置のアレイ状に形成された複数のメモリセルのうちの一のメモリセルについて、基板面に垂直な方向の断面構造を示したものである。
n型のシリコン基板20上には、素子領域を画定する素子分離膜22が形成されている。素子分離膜22により画定されたシリコン基板20の活性領域には、シリコン基板20上にゲート絶縁膜24を介して形成されたゲート電極26と、ゲート電極26の両側のシリコン基板20内に形成されたソース/ドレイン領域28,30とを有するp型のセル選択トランジスタ32が形成されている。
ゲート電極26は、メモリセルの選択に用いられるセル選択信号が入力されるワード線を兼ねている。ソース/ドレイン領域30は、メモリセルに書き込まれるデータに対応した電圧が印加されるビット線(図示せず)に接続されている。
セル選択トランジスタ32が形成されたシリコン基板20上には、層間絶縁膜34が形成されている。層間絶縁膜34には、ソース/ドレイン領域28に達するコンタクトホール36が形成されている。コンタクトホール36内には、ソース/ドレイン領域28に電気的に接続されたコンタクトプラグ38が埋め込まれている。
コンタクトプラグ38が埋め込まれた層間絶縁膜34上には、シリコン酸化膜40が形成されている。シリコン酸化膜40上には、強誘電体キャパシタ52が形成されている。強誘電体キャパシタ52は、プレート線(図示せず)に接続された下部電極42と、下部電極42上に形成された強誘電体膜44と、強誘電体膜44上に形成された上部電極46とを有している。強誘電体膜44は、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料からなる膜により構成されている。
強誘電体キャパシタ52上には、シリコン酸化膜56が形成されている。シリコン酸化膜56上には、一端がコンタクトホール58を介してコンタクトプラグ36に電気的に接続され、他端がコンタクトホール60を介して上部電極46に電気的に接続された配線層62が形成されている。これにより、セル選択トランジスタ32のソース/ドレイン領域28と強誘電体キャパシタ52の上部電極46とが電気的に接続されている。
こうして、1トランジスタ1キャパシタ(1T1C)型のメモリセルを有する半導体記憶装置が構成されている。
本実施形態による半導体記憶装置は、強誘電体キャパシタ52が、第1実施形態による強誘電体キャパシタにより構成されたものである。すなわち、強誘電体キャパシタ52は、強誘電体膜42が、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料からなる膜により構成されている。
次に、本実施形態による半導体記憶装置の書き込み動作について図7を用いて説明する。
ワード線(図示せず)を介してセル選択トランジスタ32のゲート電極26に、例えば−Vg[V]の電圧を印加し、データを書き込むメモリセルを選択する。
次いで、データ“1”の書き込み時には、例えばビット線(図示せず)の電圧Vbがプレート線(図示せず)の電圧Vpよりも高くなるように、各配線に電圧を印加する。これにより、強誘電体膜44には、上部電極46側が下部電極42側よりも高電位の電圧が印加され、上部電極46から下部電極42に向かう方向に分極が生じる。当該分極方向をデータ“1”に対応づける。
一方、データ“0”の書き込み時には、例えばビット線(図示せず)の電圧Vbがプレート線(図示せず)の電圧Vpよりも低くなるように、各配線に電圧を印加する。これにより、強誘電体膜44には、上部電極46側が下部電極42側よりも低電位の電圧が印加され、下部電極42から上部電極46に向かう方向に分極が生じる。当該分極方向をデータ“0”に対応づける。
このようにして、書き込まれるデータと強誘電体膜44の分極方向とを対応づけることにより、データ“1”又はデータ“0”を書き込むことができる。
次に、本実施形態による半導体記憶装置の読み出し動作について図7を用いて説明する。
まず、ワード線(図示せず)を介してセル選択トランジスタ32のゲート電極26に、例えば−Vg[V]の電圧を印加し、データを書き込むメモリセルを選択する。
次いで、例えばビット線(図示せず)の電圧Vbがプレート線(図示せず)の電圧Vpよりも高くなるように、各配線に電圧を印加する。これにより、強誘電体キャパシタ52には、上部電極46側が下部電極42側よりも高電位の電圧が印加される。
このとき、メモリセルにデータ“1”が記憶されている場合には、強誘電体膜44の分極は反転しないので、強誘電体キャパシタ52の電荷分布に大きな変化は生じず、例えばビット線(図示せず)にはほとんど電流が流れない。
これに対し、メモリセルにデータ“0”が記憶されている場合には、強誘電体膜44の分極が反転するので、強誘電体キャパシタ52の電荷分布に大きな変化が生じ、例えばビット線(図示せず)に相対的に大きな電流が流れる。
このように、メモリセルに記憶されたデータによってビット線(図示せず)を流れる電流の大きさが異なるため、この電流値の大小によって読み出されたデータの値を判別することができる。
次に、本実施形態による半導体記憶装置の製造方法について図8乃至図11を用いて説明する。
まず、シリコン基板20に、例えばLOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)法により、素子領域を画定する素子分離膜22を形成する。素子分離膜22は、STI(Shallow Trench Isolation)法等により形成してもよい。
次いで、シリコン基板20の素子領域上に、通常のMOSトランジスタの製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜24を介して形成されたゲート電極26と、ゲート電極26の両側のシリコン基板20内に形成されたソース/ドレイン領域28,30とを有するセル選択トランジスタ32を形成する。
次いで、セル選択トランジスタ32が形成されたシリコン基板20上に、例えばTEOSガスを用いたプラズマCVD法により、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜34を形成する。
次いで、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、層間絶縁膜34の表面を研磨して平坦化する。
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜34に、ソース/ドレイン領域28に達するコンタクトホール36を形成する。
次いで、例えばCVD法によりバリアメタル及びタングステン膜を堆積後、これら導電膜をエッチバックし、層間絶縁膜34内に、ソース/ドレイン領域28に電気的に接続されたコンタクトプラグ36を形成する(図8(a))。
次いで、コンタクトプラグ36が埋め込まれた層間絶縁膜34上に、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法により、シリコン酸化膜40を形成する。
次いで、シリコン酸化膜38上に、例えばスパッタ法により、密着層としての酸化チタン膜(図示せず)とプラチナ膜42aとを順次堆積する。
次いで、プラチナ膜42a上に、例えば化学溶液堆積法により、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶よりなる強誘電体膜44を形成する。
化学溶液堆積法による強誘電体膜44の成膜は、例えば以下の手順により行う。
まず、強誘電体膜44形成用の塗布溶液として、例えばMOD(Metal Organic Deposition)用の有機金属溶液を調製する。例えば、0.7PbZrO3−0.3BiFeO3よりなる強誘電体膜44を形成する場合には、BiとCoのモル比が1:1の溶液と、PbとZrのモル比が1:1の溶液とを7:3の割合で混合する。このとき、BiとPbは焼成するときの蒸発分を補完するために、10〜20%程度多めに加えることが望ましい。
このように形成した塗布溶液を、例えばスピンコート法により、プラチナ膜42a上に塗布する。スピンコートによる溶液の塗布は、例えば、回転数が1500〜5000rpm、時間が10〜60秒の条件で行う。その後、120℃と450℃でそれぞれ2分間の仮焼きを行う。
次いで、強誘電体膜44の膜厚が所望の膜厚になるまで溶液の塗布及び仮焼きのプロセスを繰り返し行い、所望の膜厚の強誘電体膜44を形成する。例えば上記プロセスを5回繰り返すことにより、例えば膜厚200nmの強誘電体膜44を形成することができる。
その後、赤外線炉等により、酸素又は窒素雰囲気中で、例えば500〜800℃の温度で5分間程度焼成し、強誘電体膜44の成膜を完了する。
なお、強誘電体膜44は、上述の化学溶液堆積法のほか、MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相成長)法、PLD(Pulsed Laser Deposition:パルスレーザ蒸着)法、その他の方法によっても形成することができる。強誘電体膜42の形成方法は、化学溶液堆積法に限定されるものではない。
次いで、このようにして形成した強誘電体膜44上に、例えば真空蒸着法により、プラチナ膜46aを形成する(図8(b))。
次いで、フォトリソグラフィにより、プラチナ膜46a上に、上部電極46の形成予定領域を覆うフォトレジスト膜48を形成する。
次いで、フォトレジスト膜48をマスクとして、例えば塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、プラチナ膜46a及び強誘電体膜44を、プラチナ膜42aが露出するまで順次エッチングする。これにより、プラチナ膜46aよりなる上部電極46を形成する(図9(a))。
次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜48を除去する。
次いで、フォトリソグラフィにより、下部電極42の形成予定領域を覆うフォトレジスト膜50を形成する。
次いで、フォトレジスト膜50をマスクとして、例えば塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、プラチナ膜42aを、シリコン酸化膜40が露出するまでエッチングする。これにより、プラチナ膜42aよりなる下部電極42を形成する。
こうして、下部電極42と、下部電極42上に形成された強誘電体膜44と、強誘電体膜44上に形成された上部電極46とを有する強誘電体キャパシタ52を形成する(図9(b))。
次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜50を除去する。
次いで、フォトリソグラフィにより、コンタクトプラグ36の形成領域を露出するフォトレジスト膜54を形成する。
次いで、フォトレジスト膜54をマスクとして、例えば塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングにより、シリコン酸化膜40を、コンタクトプラグ38が露出するまでエッチングする(図10(a))。
次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜54を除去する。
次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜56を形成する(図10(b))。
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによりシリコン酸化膜56をパターニングし、シリコン酸化膜56に、コンタクトプラグ38に達するコンタクトホール58と、上部電極46に達するコンタクトホール60とを形成する(図11(a))。
次いで、全面に、例えばアルミニウム又は銅よりなる導電層を堆積後、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによりこの導電層をパターニングし、コンタクトプラグ38と上部電極46とを電気的に接続する配線層62を形成する(図11(b))。
この後、必要に応じて、更に上層の配線層等を形成し、半導体記憶装置を完成する。
このように、本実施形態によれば、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶を主成分とする強誘電性材料を用いて強誘電体キャパシタを構成するので、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料を単独で用いた強誘電体キャパシタの場合と比較して、リーク電流を大幅に低減することができる。これにより、この強誘電体キャパシタを半導体記憶装置に適用することが可能である。
また、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料は、大きな自発分極量が予測されている材料であり、現在広く使用されているPb(Zr,Ti)O3系材料を用いた場合よりも大きい自発分極量を得ることが期待できる。これにより、強誘電体キャパシタの面積を小さくしてメモリセル密度を高めることができ、半導体記憶装置の記憶容量を増加することが可能となる。
[変形実施形態]
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶として、コバルト酸ビスマスとジルコン酸鉛との混晶の場合を例にして実験例を交えて説明したが、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との他の混晶についても同様に適用することができる。このような混晶としては、ジルコン酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ハフニウム酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛と鉄酸ビスマスとの混晶、ジルコン酸鉛とハフニウム酸鉛とコバルト酸ビスマスと鉄酸ビスマスとの混晶等を適用することができる。
また、上記実施形態では、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物強誘電性材料と反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物強誘電性材料との混晶よりなる単層の強誘電体膜を示したが、下部部電極と強誘電体膜との間及び/又は強誘電体膜と上部電極との間に他の誘電体材料を設けた積層構造の強誘電体膜を構成してもよい。
また、上記第2実施形態では、プレーナ型の強誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置について説明したが、スタック型の強誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置を構成するようにしてもよい。
また、上記第2実施形態では、半導体記憶装置としてFeRAMを示したが、強誘電体キャパシタを常誘電体キャパシタと同様に動作させることにより、DRAMとして用いるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、強誘電体キャパシタのアプリケーションとして半導体記憶装置への適用例を示したが、本発明の強誘電体キャパシタは半導体記憶装置への適用に限定されるものではない。例えば、本発明の強誘電体キャパシタを、通常の容量素子や、電源ノイズの除去のためのバイパスキャパシタ等に用いてもよい。
また、上記実施形態に記載の製造条件は、一例を示したものであり、形成するデバイスの構造や要求される特性等に応じて適宜設定することができる。
10…下部電極
12…強誘電体膜
14…上部電極
20…シリコン基板
22…素子分離膜
24…ゲート絶縁膜
26…ゲート電極
28,30…ソース/ドレイン領域
32…セル選択トランジスタ
34…層間絶縁膜
36,58,60…コンタクトホール
38…コンタクトプラグ
40,56…シリコン酸化膜
42a,46a…プラチナ膜
42…下部電極
44…強誘電体膜
46…上部電極
48,50,54…フォトレジスト膜
52…強誘電体キャパシタ
62…配線層
12…強誘電体膜
14…上部電極
20…シリコン基板
22…素子分離膜
24…ゲート絶縁膜
26…ゲート電極
28,30…ソース/ドレイン領域
32…セル選択トランジスタ
34…層間絶縁膜
36,58,60…コンタクトホール
38…コンタクトプラグ
40,56…シリコン酸化膜
42a,46a…プラチナ膜
42…下部電極
44…強誘電体膜
46…上部電極
48,50,54…フォトレジスト膜
52…強誘電体キャパシタ
62…配線層
Claims (6)
- ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含むことを特徴とする強誘電性材料。
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上に形成された第2の電極と
を有することを特徴とする強誘電体キャパシタ。 - 半導体基板上に形成された選択トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、第1の電極と、前記第1の電極上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第1の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第2の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された第2の電極とを有し、前記第1の電極又は前記第2の電極が前記選択トランジスタに接続された強誘電体キャパシタと
を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3記載の半導体記憶装置において、
前記第1の強誘電性材料は、コバルト酸ビスマス又は鉄酸ビスマスである
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3又は4記載の半導体記憶装置において、
前記第2の強誘電性材料は、ジルコン酸鉛又はハフニウム酸鉛である
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項3乃至5のいずれか1項に記載の半導体記憶装置において、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、白金族金属、白金族金属の導電性酸化物及び単純ペロブスカイト構造を有する導電性酸化物材料を含むグループから選択される材料により構成されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。
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JP2008071631A JP2009231345A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び半導体記憶装置 |
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JP2008071631A Withdrawn JP2009231345A (ja) | 2008-03-19 | 2008-03-19 | 強誘電性材料、強誘電体キャパシタ及び半導体記憶装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114149261A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-03-08 | 西安交通大学 | 一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法 |
-
2008
- 2008-03-19 JP JP2008071631A patent/JP2009231345A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114149261A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-03-08 | 西安交通大学 | 一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法 |
CN114149261B (zh) * | 2020-12-22 | 2023-03-17 | 西安交通大学 | 一种铪酸铅反铁电陶瓷材料及其制备方法 |
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