JP3545364B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、銅膜を主とする配線を被覆して低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求されている。このため、ＲＣディレイの小さい低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。
このような低誘電率絶縁膜を形成するため、一つは、トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ３） ３）とＮ２Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法が知られている。例えば、Ｍ．Ｊ．Ｌｏｂｏｄａ， Ｊ．Ａ．Ｓｅｉｆｆｅｒｌｙ， Ｒ．Ｆ．Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ， ａｎｄ Ｃ．Ｍ．Ｇｒｏｖｅ， Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ， ｐ．３４４（１９９８）等に記載されている。また、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３） ４）とＮ２Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法は、例えば、Ｊ．Ｓｈｉ， Ｍ．Ａ−Ｐｌａｎｏ， Ｔ．Ｍｏｕｎｔｓｉｅｒ， ａｎｄ Ｓ．Ｎａｇ， ＳＥＭＩＣＯＮ Ｋｏｒｅａ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ２０００， ｐ．２７９（２０００）等に記載されている。
【０００３】
その他、フェニ−ルシラン等を用いたプラズマＣＶＤ法も知られている。例えば、遠藤和彦，篠田啓介，辰巳徹，第４６回春応用物理学会（１９９９），ｐ．８９７、松下信雄，森貞佳紀，内藤雄一，松野下綾，第６０回秋応用物理学会（１９９９），１ｐ−ＺＮ−９（１９９９）、内田恭敬，松澤剛雄，菅野聡，松村正清，第４回春応用物理学会，ｐ．８９７（１９９９）等に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの低誘電率絶縁膜は、銅膜を主とする配線との密着強度が比較的弱く、膜硬度が低いため改善が望まれている。
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、銅膜を主とする配線との密着性がよく、かつ適度な膜硬度の、低誘電率を有する絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法及びその方法により作成された半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、第１の発明は、半導体装置の製造方法に係り、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ又はＣＯ2のうち何れか一の酸素含有ガスとを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、第１のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記基板上に前記絶縁膜を構成する低圧絶縁膜を形成する工程と、前記第１のガス圧力よりも高い第２のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記低圧絶縁膜上に前記絶縁膜を構成する高圧絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記シロキサン結合を有するアルキル化合物は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
【０００６】
【化５】
Figure 0003545364
【０００７】
）、
又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：（ＣＨ３Ｈ）４Ｓｉ４Ｏ４
【０００８】
【化６】
Figure 0003545364
【０００９】
）
のうち何れか一であることを特徴とする。
第３の発明は、半導体装置の製造方法に係り、メチルシラン（SiHn(CH3)4-n：ｎ＝０，１，２，３）を含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、第１のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記基板上に前記絶縁膜を構成する低圧絶縁膜を形成する工程と、前記第１のガス圧力よりも高い第２のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記低圧絶縁膜上に前記絶縁膜を構成する高圧絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
第４の発明は、第３の発明に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記メチルシラン（SiHn(CH3)4-n：ｎ＝０，１，２，３）は、モノメチルシラン（SiH3(CH3)）、ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）、トリメチルシラン（SiH(CH3)3）、又はテトラメチルシラン（Si(CH3)4）のうち何れか一であることを特徴とし、
第５の発明は、第１乃至第４の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記第１のガス圧力は０．１Torr以上、１Torr未満であり、前記第２のガス圧力は１Torr以上、１０Torr以下であることを特徴とし、
第６の発明は、第１乃至第５の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記プラズマ化する手段として前記基板を保持する第１の電極と該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を用い、かつ前記低圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加するか、又は前記第１の電極に前記低周波電力を印加し、かつ前記第２の電極に１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第２の電極に前記高周波電力を印加することを特徴とし、
第７の発明は、第６の発明に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第２の電極に前記高周波電力を印加することに加えて、前記第１の電極に前記低周波電力を印加することを特徴とし、
第８の発明は、第１乃至第５の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記プラズマ化する手段として前記基板を保持する第１の電極と該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を用い、かつ前記低圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加し、前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に前記低周波電力を印加する
第９の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第１０の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、ベンゼン（C6H6）を含むものであることを特徴とし、
第１１の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、メチルアルコール（CH3OH）又はエチルアルコール（C2H5OH）を含むものであることを特徴とし、
第１２の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とし、
第１３の発明は、第１乃至第８の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴としている。
【００１０】
第１４の発明は、半導体装置に係り、銅膜を主とする配線上に絶縁膜が形成された半導体装置であって、前記絶縁膜は第１乃至第７、第９乃至第１１、又は第１３の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により成膜した低誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とし、
第１５の発明は、第１４の発明に記載の半導体装置に係り、前記銅膜を主とする配線上に形成された絶縁膜は銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成することを特徴とし、
第１６の発明は、半導体装置に係り、銅膜を主とする配線上に該銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜と、該バリア絶縁膜上の絶縁膜とが少なくとも形成された半導体装置であって、前記バリア絶縁膜は第８、第１２、又は第１３の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により成膜した絶縁膜であることを特徴とし、
第１７の発明は、第１６の発明に記載の半導体装置に係り、前記銅膜を主とする配線上に形成された該銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜と該バリア絶縁膜上の絶縁膜とは銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成することを特徴としている。
【００１６】
以下に、上記本発明の構成により奏される作用を説明する。
この発明では、成膜ガスのガス圧力を調整して成膜している。即ち、成膜初期には低いガス圧力で成膜し、残りの成膜を高いガス圧力で行なっている。
例えば、ガス圧力１Ｔｏｒｒ未満の成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低圧絶縁膜を形成する工程と、ガス圧力１Ｔｏｒｒ以上の成膜ガスをプラズマ化して反応させ、低圧絶縁膜上に高圧絶縁膜を形成する工程とを有している。
【００１７】
本願発明者の実験によれば、図２に示すように、基板と絶縁膜との間の剥離強度は成膜ガスのガス圧力に反比例し、特に、ガス圧力が１Ｔｏｒｒよりも低くなると非常に高くなる。一方、成膜の誘電率は、図６に示すように、低いガス圧の成膜では高く、高いガス圧の成膜では低くなる。
従って、成膜初期において、低いガス圧の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜し、その後高いガス圧の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜することにより、密着性が高く、かつ全体として低い誘電率の絶縁膜を形成することができる。実験ではＳｉ基板に成膜しているが、この結果は銅基板に成膜した場合にも同じである。
【００１８】
特に、銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜を含む絶縁膜を形成する際に、バリア絶縁膜をこの発明の半導体装置の製造方法により成膜する。即ち、初期成膜を低圧絶縁膜として形成し、残りを高圧絶縁膜として形成する。プラズマ化のための電力の周波数は低圧絶縁膜も高圧絶縁膜もともに低周波数とする。
低周波数の電力による成膜はもともと密着力は大きいが、成膜初期に低いガス圧の成膜ガスを用いて成膜することで、密着強度が増す。
【００１９】
さらに、バリア絶縁膜の成膜ガスとして、アンモニア（ＮＨ３）又は窒素（Ｎ２）等の窒素含有ガスを用いることによりバリア性を向上させることができる。或いは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを用いることで、成膜の密着力を低下させることなく成膜ガスを希釈することができる。
【００２０】
上記では、低誘電率を有する主絶縁膜の他に、主絶縁膜の下地のバリア絶縁膜を形成する方法に適用があるが、低誘電率を有する主絶縁膜を形成するだけの目的では、成膜中にガス圧力を変えなくてもよく、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）又はシクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）のうち何れか一と、酸素含有ガスとを含む成膜ガス、又はシロキサン結合を有するアルキル化合物と、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）と、酸素含有ガスと、不活性ガスとを含む成膜ガスを用いて、同一のガス圧力を保持したまま、所望の主絶縁膜を成膜することができる。
【００２１】
成膜ガスとして、シロキサン結合を有するアルキル化合物の代わりに、メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ：ｎ＝０，１，２，３）を含むものを用いてもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
【００２３】
このプラズマ成膜装置１０１は、プラズマガスにより被成膜基板２１上に絶縁膜を形成する場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから構成されている。
成膜部１０１Ａは、図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通／非導通を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【００２４】
チャンバ１内には対向する一対の上部電極（第２の電極）２と下部電極（第１の電極）３とが備えられ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を供給する低周波電力供給電源８が接続されている。これらの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。
【００２５】
上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねている。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００乃至２００℃程度に加熱することにより、成膜ガス等の反応生成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを防止するためである。
【００２６】
下部電極３は被成膜基板２１の保持台を兼ね、また、保持台上の被成膜基板２１を加熱するヒータ１２を備えている。
成膜ガス供給部１０１Ｂには、シロキサン結合を有するアルキル化合物の供給源と、メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ ：ｎ＝０，１，２，３）の供給源と、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、シクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）のうち何れか一の供給源と、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）の供給源と、メチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）又はエチルアルコール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）のうち何れか一の供給源と、酸素含有ガスの供給源と、アンモニア（ＮＨ３）の供給源と、希釈ガスの供給源と、窒素（Ｎ２）の供給源とが設けられている。
【００２７】
これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｊ及びこれらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｊが接続された配管９ａを通して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐配管９ｂ乃至９ｊの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１ｉや、分岐配管９ｂ乃至９ｊの導通／非導通を制御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｎ、１０ｐ乃至ｔが設置され、配管９ａの途中に配管９ａの閉鎖／導通を行う開閉手段１０ａが設置されている。
【００２８】
また、Ｎ２ガスを流通させて分岐配管９ｂ乃至９ｅ、９ｇ、９ｈ内の残留ガスをパージするため、Ｎ２ガスの供給源と接続された分岐配管９ｊとその他の分岐配管９ｂ乃至９ｅ、９ｇ、９ｈの間の導通／非導通を制御する開閉手段１０ｕ乃至１０ｚが設置されている。なお、Ｎ２ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｅ、９ｇ、９ｈ内のほかに、配管９ａ内及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。他に、希釈ガスとして用いることもある。
【００２９】
以上のような成膜装置１０１によれば、シロキサンの供給源と、酸素含有ガスの供給源と、不活性ガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。
これにより、下記の実施の形態に示すように、プラズマＣＶＤ法により低い誘電率を有する絶縁膜であって、かつ銅膜を主とする配線と密着強度の高い絶縁膜を形成することができる。
【００３０】
そして、プラズマ生成手段として、例えば平行平板型の上部電極２及び下部電極３によりプラズマを生成する手段があり、上部電極２及び下部電極３にそれぞれ高低２つの周波数の電力を供給する電源７、８が接続されている。従って、これら高低２つの周波数の電力をそれぞれ各電極２、３に印加してプラズマを生成することができる。特に、このようにして生成した絶縁膜は緻密であり、かつＣＨ３を含むため、低誘電率を有する。
【００３１】
上部電極２及び下部電極３への電力印加の好ましい組み合わせは、以下の通りである。
第１に、低圧絶縁膜を形成する工程において、下部電極３に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加するか、又は下部電極３に低周波電力を印加し、かつ上部電極２に１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、高圧絶縁膜を形成する工程において、上部電極２に高周波電力を印加する。
【００３２】
第２に、第１の高圧絶縁膜を形成する工程において、上部電極２に高周波電力を印加することに加えて、下部電極３に低周波電力を印加する。
第３に、特に、バリア絶縁膜を含む絶縁膜におけるバリア絶縁膜を成膜するためにこの発明の製造方法を用い、低圧絶縁膜を形成する工程において、下部電極３に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加し、高圧絶縁膜を形成する工程において、下部電極３に低周波電力を印加する。このとき、上部電極２に高周波電力を加えてもよい。
【００３３】
次に、本発明が適用される成膜ガスであるシロキサン結合を有するアルキル化合物、メチルシラン、ハイドロカーボン、酸素含有ガス、及び希釈ガスについては、代表例として以下に示すものを用いることができる。
（ｉ）シロキサン結合を有するアルキル化合物
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：（ＣＨ３）３Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）３）
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：（（ＣＨ３）２）４Ｓｉ４Ｏ４
【００３４】
【化９】
Figure 0003545364
【００３５】
）、
テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：（ＣＨ３Ｈ）４Ｓｉ４Ｏ４
【００３６】
【化１０】
Figure 0003545364
【００３７】
）
（ｉｉ）メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ：ｎ＝０，１，２，３）
モノメチルシラン（ＳｉＨ３（ＣＨ３））
ジメチルシラン（ＳｉＨ２（ＣＨ３）２）
トリメチルシラン（ＳｉＨ（ＣＨ３）３）
テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４）
（ｉｉｉ）ハイドロカーボン（ＣｘＨｙ）
アセチレン（Ｃ２Ｈ２）
メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）
シクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）
ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）
（ｉｖ）酸素含有ガス
一酸化窒素（Ｎ２Ｏ）
水（Ｈ２Ｏ）
炭酸ガス（ＣＯ２）
（ｖ）希釈ガス
ヘリウム（Ｈｅ）
アルゴン（Ａｒ）
窒素（Ｎ２）
次に、本願発明者の行なった実験について説明する。
【００３８】
以下の成膜条件により、プラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）によりＳｉ基板上にシリコン酸化膜を図７の成膜手順により成膜した。シロキサン結合を有するアルキル化合物としてＨＭＤＳＯを用い、酸素含有ガスとしてＮ２Ｏを用い、希釈ガスとしてＨｅを用いた。なお、成膜においては、図７に示すように、ガス導入から成膜開始（プラズマ励起）までのチャンバ内のガスの置換に必要な時間（安定化期間）を１分３０秒間とり、上部電極２への反応生成物の付着を防止するため上部電極２を１００℃で加熱している。
【００３９】
成膜条件
成膜ガス
ＨＭＤＳＯ流量：５０ ＳＣＣＭ
Ｎ２Ｏ流量 ：２００ ＳＣＣＭ
Ｈｅ流量 ：４００ ＳＣＣＭ
ガス圧力（パラメータ）：０．７５乃至１．７５ Ｔｏｒｒ
プラズマ励起条件
下部電極（第１の電極）
低周波電力（周波数３８０ｋＨｚ）（パラメータ）：０乃至１００Ｗ
上部電極（第２の電極）
高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）：２５０Ｗ
基板加熱条件：３７５℃
（ａ）成膜ガスのガス圧力と剥離強度の関係
図２は、成膜ガスのガス圧力とＳｉ基板上に形成した成膜の剥離強度の関係を示す図である。縦軸は線形目盛りで表した成膜の剥離強度（ｇ重）を示し、横軸は線形目盛りで表した成膜ガスのガス圧力（Ｔｏｒｒ）を示す。
【００４０】
調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうち、下部電極３への低周波電力の印加を行なわず、成膜ガスのガス圧力０．９、１．５Ｔｏｒｒの２条件でＳｉ基板上に成膜した。また、剥離強度は島津製作所製の測定器（シマズ走査型スクラッチテスタ ＳＳＴ１０１）を用いて測定した。
図２によれば、ガス圧力１．５Ｔｏｒｒのとき、５乃至６程度であった剥離強度がガス圧力０．９Ｔｏｒｒのとき、１５乃至１６と３倍程度に大幅に改善された。
【００４１】
なお、上記調査では、被成膜基板としてＳｉ基板を用い、Ｓｉ基板に対する剥離強度を調査しているが、銅基板に対する剥離強度も同じ傾向があると考えられる。
（ｂ）被成膜基板バイアスの低周波電力と剥離強度の関係
図３は、プラズマ励起条件の下部電極３に印加した低周波電力とＳｉ基板上に形成した成膜の剥離強度の関係を示す図である。縦軸は線形目盛りで表した成膜の剥離強度（ｇ重）を示し、横軸は線形目盛りで表した低周波電力（Ｗ）を示す。
【００４２】
調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうち、成膜ガスのガス圧力１．５Ｔｏｒｒとし、低周波電力０，１０，３０，５０，７５，１００Ｗの６条件で成膜した。測定装置は（ａ）と同じものを用いた。
図３によれば、低周波電力が３０Ｗ以下で、０Ｗのときの凡そ６から、３０Ｗのときの凡そ３．３のように、電力の増加とともに剥離強度が低下した。低周波電力が３０Ｗよりも大きくなると、剥離強度はあまり低下せず、３前後に落ち着いた。
【００４３】
（ｃ）成膜ガスのガス圧力と膜硬度の関係
図４は、成膜ガスのガス圧力とＳｉ基板上に形成した成膜の膜硬度及びヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ Ｍｏｄｕｌｕｓ）の関係を示す図である。縦軸の左側は線形目盛りで表した成膜の膜硬度を示し、同じく右側は線形目盛りで表した成膜のヤング率（ＧＰ）を示し、横軸は線形目盛りで表した成膜ガスのガス圧力（Ｔｏｒｒ）を示す。
【００４４】
調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうち、下部電極３への低周波電力の印加を行なわず、成膜ガスのガス圧力０．７，０．９，１．１，１．３，１．５，１．７Ｔｏｒｒの６条件で作成した。膜硬度、ヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ Ｍｏｄｕｌｕｓ）は、島津製作所製の測定器（シマズダイナミック超微小硬度計 ＤＵＨ−Ｗ２０１Ｓ）を用いて測定した。
【００４５】
図４によれば、ガス圧力０．７Ｔｏｒｒから１．３Ｔｏｒｒまで、ガス圧力の増加とともに、膜硬度は低下する。ガス圧力０．７Ｔｏｒｒのとき２３０程度で、ガス圧力１．３Ｔｏｒｒのとき７０乃至８０程度であった。ガス圧力がこれより大きくなると膜硬度は５０前後に落ち着き、あまり変化しなくなった。
ヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ Ｍｏｄｕｌｕｓ）も膜硬度とほぼ同じ傾向を示した。ガス圧力０．７Ｔｏｒｒのとき４０ＧＰ程度で、ガス圧力１．３Ｔｏｒｒのとき１０程度であった。ガス圧力がこれより大きくなるとヤング率は１０ＧＰ前後に落ち着いた。
【００４６】
（ｄ）被成膜基板バイアスの低周波電力と膜硬度の関係
図５は、被成膜基板への直流バイアス電圧を形成する下部電極３に印加した低周波電力とＳｉ基板上に形成した成膜の膜硬度及びヤング率の関係を示す図である。縦軸の左側は線形目盛りで表した膜硬度を示し、同じく右側は線形目盛りで表した成膜のヤング率（ＧＰ）を示し、横軸は線形目盛りで表した低周波電力（Ｗ）を示す。
【００４７】
調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうち、成膜ガスのガス圧力１．５Ｔｏｒｒとし、低周波電力０，１０，３０，５０，７５，１００Ｗの６条件で成膜した。測定装置は（ｃ）と同じものを用いた。
図５によれば、低周波電力０から７５Ｗまでは、低周波電力の増加とともに、膜硬度も高くなっていく。低周波電力がそれ以上増加すると、膜硬度は漸増する。膜硬度は、低周波電力を印加しないとき約５０、７５Ｗのとき約２９０、１００Ｗのとき約３００であった。
【００４８】
ヤング率も膜硬度と同様な傾向を示し、低周波電力を印加しないとき約８、７５Ｗのとき約４７、１００Ｗのとき約５０であった。
（ｅ）被成膜基板バイアスの低周波電力と成膜の比誘電率の関係
図６は、被成膜基板への直流バイアス電圧を形成する下部電極３に印加した低周波電力とＳｉ基板上に形成した成膜の比誘電率の関係を示す図である。縦軸は線形目盛りで表した成膜の比誘電率を示し、横軸は線形目盛りで表した低周波電力（Ｗ）を示す。
【００４９】
調査用絶縁膜は、上記成膜条件のパラメータのうち、成膜ガスのガス圧力０．９，１．２，１．５Ｔｏｒｒの３条件で、かつ低周波電力０，１０，２０，５０，７５，１００Ｗの６条件で成膜した。比誘電率は直流バイアスに周波数１ＭＨｚの信号を重畳したＣ−Ｖ測定法により測定した。
なお、図中、ガス圧１．５Ｔｏｒｒの場合、調査点付近の数字は膜硬度を示す。
【００５０】
図６によれば、ガス圧力０．９Ｔｏｒｒの場合、低周波電力０から２０Ｗまでは比誘電率は２．９から４．３くらいまで急激に増加し、それ以上の低周波電力では漸減している。ガス圧力１．２Ｔｏｒｒの場合、低周波電力０から２０Ｗまでは比誘電率は２．７から３．９くらいまで急激に増加し、それ以上は漸増し、１００Ｗで４．８程度になっている。ガス圧力１．５Ｔｏｒｒの場合も、ガス圧力１．２Ｔｏｒｒの場合と同じように、低周波電力０から２０Ｗまでは比誘電率は２．７から３．６くらいまで急激に増加し、それ以上の低周波電力では漸増し、１００Ｗで４．１程度になっている。
【００５１】
以上のように、第１の実施の形態によれば、成膜ガス圧力に関しては、低い方が、剥離強度が大きいが、比誘電率は高くなることが分かった。特に、１Ｔｏｒｒ以下で剥離強度が大きく、１Ｔｏｒｒ以上で比誘電率が小さい。また、低周波電力に関しては、小さい方が、剥離強度が大きく、かつ比誘電率が低くなることが分かった。
【００５２】
従って、低誘電率を有する絶縁膜を銅膜を主とする配線の間の層間絶縁膜として形成する場合、成膜初期は、比誘電率を多少犠牲にして、ガス圧を、例えば１Ｔｏｒｒ未満と低くし、かつ低周波電力を小さくして剥離強度を大きくし、残りの成膜をガス圧を、例えば１Ｔｏｒｒ以上と高くして行い、膜全体の比誘電率を低くすることが望ましい。
【００５３】
また、銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜として形成する場合は、ガス圧力の調整は低圧絶縁膜と高圧絶縁膜とで層間絶縁膜と同様に行なうが、プラズマ励起のための電力の周波数の調整は行なわず、低圧絶縁膜も高圧絶縁膜もともに低周波数とする。即ち、成膜初期は、比誘電率を多少犠牲にして、ガス圧を、例えば１Ｔｏｒｒ未満と低くし、かつ低周波電力を小さくして剥離強度を大きくし、残りの成膜をガス圧を、例えば１Ｔｏｒｒ以上と高くして行い、膜全体の比誘電率を低くすることが望ましい。
【００５４】
なお、成膜初期においてガス圧を１Ｔｏｒｒ未満が好ましいが、ガス圧が０．１Ｔｏｒｒより小さいと、成膜レートが遅く実用的でない。また、残りの成膜においてガス圧を１Ｔｏｒｒ以上が好ましいが、放電の関係で最大１０Ｔｏｒｒとすることが実用的である。
（第２の実施の形態）
次に、図８（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【００５５】
図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法により作成された半導体装置を示す断面図である。同図（ｂ）は同図（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。下部配線３３が埋め込まれた下部配線埋込絶縁膜３２と上部配線３７が埋め込まれた上部配線埋込絶縁膜３５との間に挟まれた配線層間絶縁膜３４の成膜ガスとしてＨＭＤＳＯ＋Ｎ２Ｏ＋Ｈｅを用いている。
【００５６】
まず、図８（ａ）に示すように、基板（被成膜基板）３１上に、膜厚約１μｍのＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜からなる配線埋込絶縁膜３２を形成する。なお、ＳｉＯＣＨ膜は膜中にＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈを含む絶縁膜である。
続いて、配線埋込絶縁膜３２をエッチングして配線溝を形成した後、配線溝の内面に銅拡散防止膜としてＴａＮ膜３３ａを形成する。次いで、ＴａＮ膜３３ａ表面に図示しない銅シード層をスパッタ法により形成した後、メッキ法により銅膜を埋め込む。ＣＭＰ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ 法）により、配線溝から突出した銅膜及びＴａＮ膜３３ａを研磨して表面を平坦化する。これにより、銅膜を主とする配線３３ｂ及びＴａＮ膜３３ａからなる下部配線が形成される。
【００５７】
次に、ＨＭＤＳＯ＋Ｎ２Ｏ＋Ｈｅを用いたプラズマＣＶＤ法により膜厚数１０ｎｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯＣＨ膜からなる配線層間絶縁膜３４を形成する。以下にその詳細を説明する。
即ち、配線層間絶縁膜３４を形成するには、まず、被成膜基板２１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、基板保持具３に保持する。続いて、被成膜基板２１を加熱し、温度３７５℃に保持する。ＨＭＤＳＯを流量５０ｓｃｃｍで、Ｎ２Ｏガスを流量２００ｓｃｃｍで、Ｈｅガスを流量４００ｓｃｃｍで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を０．７Ｔｏｒｒに保持する。次いで、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力１００乃至１５０Ｗを印加し、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力２５０Ｗ（０．３Ｗ／ｃｍ２に相当）を印加する。
【００５８】
これにより、ＨＭＤＳＯとＮ２ＯとＨｅがプラズマ化する。この状態を４０秒間保持して、膜厚凡そ１００ｎｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯＣ膜からなる低圧絶縁膜３４ａを形成する。なお、ＳｉＯＣ膜は膜中にＳｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜である。
引き続き、同じ反応ガスの組み合わせを用い、かつ同じ流量を保持し、ガス圧力を１．５Ｔｏｒｒに調整し、同じプラズマ励起条件で成膜する。膜厚約５００ｎｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯＣＨ膜からなる高圧絶縁膜３４ｂが形成される。
【００５９】
以上により、低圧絶縁膜３４ａと高圧絶縁膜３４ｂからなる配線層間絶縁膜３４が形成される。
次いで、配線層間絶縁膜３４上にＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜３２を形成したときと同じ方法により膜厚約１μｍのＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜からなる配線埋込絶縁膜３５を形成する。
【００６０】
次に、よく知られたデュアルダマシン法により銅膜を主とする接続導体３６と上部配線３７を形成する。なお、図中、符号３６ａ、３７ａはＴａＮ膜であり、符号３６ｂ、３７ｂは銅膜である。
次に、全面にバリア絶縁膜３８を形成する。これにより、半導体装置が完成する。
【００６１】
以上のように、この第２の実施の形態によれば、下部配線３３が埋め込まれた下部配線埋込絶縁膜３２と上部配線３７が埋め込まれた上部配線埋込絶縁膜３５の間に配線層間絶縁膜３４を挟んでなる半導体装置の製造方法において、成膜ガスのガス圧力を１Ｔｏｒｒ未満で初期成膜し、同じく１Ｔｏｒｒ以上で残りをプラズマ励起ＣＶＤ法により配線層間絶縁膜３４を形成している。
【００６２】
これにより、銅膜３３ｂに対して密着性が高く、かつ全体として３以下の低比誘電率を有する層間絶縁膜３４を形成することができる。
以上、第２の実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【００６３】
第２の実施の形態で用いたＨＭＤＳＯの代わりに、第１の実施の形態で記載した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物の代わりに、メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ：ｎ＝０，１，２，３）を用いることができる。メチルシランの種類は第１の実施の形態に示したので、ここでは省略する。
また、成膜ガスは、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）又はシクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）のうち何れか一を含むものでもよい。膜の多孔性が増加し、誘電率を更に低下させることができる。
【００６４】
また、成膜ガスは、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）を含むものでもよい。
また、成膜ガスは、メチルアルコール（ＣＨ３ＯＨ）又はエチルアルコール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）を含むものでもよい。
また、成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）の代わりに、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ２）のうち何れか一を含む不活性ガスを加えてもよい。
【００６５】
また、バリア絶縁膜３８を下記第３の実施の形態のバリア絶縁膜３９ａと同じ成膜方法により成膜してもよい。
（第３の実施の形態）
図９（ａ）は、第３の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【００６６】
図８（ａ）、（ｂ）と異なるところは、バリア絶縁膜３９ａ、３９ｃを含む層間絶縁膜３９のうち、銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜３９ａにこの発明の製造方法を適用している点である。
以下に、第３の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。なお、図９（ａ）、（ｂ）中、図８（ａ）、（ｂ）中の符号と同じ符号で示すものは図８（ａ）、（ｂ）中のものと同じものを示すので、説明を省略する。
【００６７】
まず、第２の実施の形態と同様な方法で、基板（被成膜基板）３１上に、膜厚約１μｍのＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜からなる配線埋込絶縁膜３２と、配線埋込絶縁膜３２の配線溝に銅膜を主とする配線３３ｂ及びＴａＮ膜３３ａからなる下部配線とを形成する。
次いで、配線層間絶縁膜３９のうち銅膜と接するバリア絶縁膜３９ａをＨＭＤＳＯ＋Ｎ２Ｏ＋ＮＨ３の成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成する。以下にその詳細を説明する。
【００６８】
即ち、バリア絶縁膜３９ａを形成するには、まず、被成膜基板２１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、基板保持具３に保持する。続いて、被成膜基板２１を加熱し、温度３７５℃に保持する。ＨＭＤＳＯを流量凡そ５０ｓｃｃｍで、Ｎ２Ｏを流量凡そ２００ｓｃｃｍで、ＮＨ３ガスを流量凡そ５０ｓｃｃｍで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を０．７Ｔｏｒｒに保持する。なお、上記成膜ガスにＨｅガスを加えてもよく、この場合、流量約４００ｓｃｃｍとするとよい。
【００６９】
次いで、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力約１５０Ｗを印加する。上部電極２には高周波電力を印加しない。
これにより、ＨＭＤＳＯとＮ２ＯとＮＨ３とがプラズマ化する。この状態を５秒間保持して、膜厚１０ｎｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯ２膜からなる低圧絶縁膜３９ａａを形成する。
【００７０】
引き続き、同じ反応ガスの組み合わせを用い、かつ同じ流量を保持し、ガス圧力を１．５Ｔｏｒｒに調整し、同じプラズマ励起条件で成膜する。膜厚約９０ｎｍのＰＥ−ＣＶＤＳｉＯＣＮ膜からなる高圧絶縁膜３９ａｂが形成される。
以上により、低圧絶縁膜３９ａａと高圧絶縁膜３９ａｂからなるバリア絶縁膜３９ａが形成される。
【００７１】
次いで、通常の良く知られた低誘電率を有する絶縁膜の形成方法により、バリア絶縁膜３９ａ上に低誘電率を有する主絶縁膜３９ｂ及びバリア絶縁膜３９ｃを順次形成し、配線層間絶縁膜３９を形成する。
次に、第２の実施の形態と同様にして、配線層間絶縁膜３９上に配線埋込絶縁膜３５と、接続導体３６と、上部配線３７と、バリア絶縁膜３８とを順次形成する。
【００７２】
以上のように、この実施の形態によれば、銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜３９ａ、３９ｃを含む層間絶縁膜３９を形成する際に、バリア絶縁膜３９ａを形成するため、初期成膜を低圧絶縁膜３９ａａとして形成し、残りを高圧絶縁膜３９ａｂとして形成し、低圧絶縁膜３９ａａも高圧絶縁膜３９ａｂもともに、低周波電力を用いて成膜ガスをプラズマ化している。
【００７３】
低周波数の電力による成膜はもともと密着力は大きいが、成膜初期に低いガス圧の成膜ガスを用いて成膜することで、密着強度をさらに向上させることができる。
以上、第３の実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【００７４】
第３の実施の形態で用いたＨＭＤＳＯの代わりに、第１の実施の形態で記載した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物でもよいし、メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ：ｎ＝０，１，２，３）を用いることができる。メチルシランの種類は第１の実施の形態に示したので、ここでは省略する。
また、成膜ガスは、アンモニア（ＮＨ３）又は窒素（Ｎ２）のうち何れか一を含む窒素含有ガスでもよい。
【００７５】
また、成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ２）のうち何れか一を含む不活性ガスでもよい。これにより、成膜の所謂白濁を防止することができる。
また、層間絶縁膜３９のうち、絶縁膜３９ｂは第２の実施の形態の絶縁膜３４ｂの成膜方法により形成してもよい。また、層間絶縁膜３９のうち、バリア絶縁膜３９ｃをバリア絶縁膜３９ａと同じ成膜方法により形成してもよい。但し、上部配線３７と接する側を低圧絶縁膜とする。またバリア絶縁膜３８をバリア絶縁膜３９ａと同じ成膜方法により形成してもよい。
【００７６】
（第４の実施の形態）
上記実施の形態では、低誘電率を有する主絶縁膜の他に、主絶縁膜の下地のバリア絶縁膜を形成する方法に適用があるが、低誘電率を有する主絶縁膜を形成するだけの目的では、成膜中にガス圧力を変えなくてもよく、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）又はシクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）のうち何れか一と、酸素含有ガスとを含む成膜ガス、又はシロキサン結合を有するアルキル化合物と、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）と、酸素含有ガスと、不活性ガスとを含む成膜ガスを用いて、同一のガス圧力を保持したまま、所望の主絶縁膜を成膜することができる。
【００７７】
図９（ａ）、（ｂ）を参照して、第４の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。
第３の実施の形態と異なるところは、上下のバリア絶縁膜３９ａ、３９ｃと低誘電率を有する主絶縁膜３９ｂを含む層間絶縁膜３９のうち、バリア絶縁膜３９ａ、３９ｃにはさまれた、低誘電率を有する主絶縁膜３９ｂにこの発明の製造方法を適用している点である。
【００７８】
以下に、第４の実施の形態である半導体装置の製造方法について説明する。主絶縁膜３９ｂの成膜条件は以下の通りである。
成膜ガス
ＨＭＤＳＯ流量：５０ ｓｃｃｍ
Ｎ２Ｏ流量 ：２００ ｓｃｃｍ
ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１流量：５０ ｓｃｃｍ
ガス圧力（パラメータ）：０．９ Ｔｏｒｒ
プラズマ励起条件
下部電極（第１の電極）
低周波電力（周波数３８０ｋＨｚ）（パラメータ）：０Ｗ
上部電極（第２の電極）
高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）：２５０Ｗ
基板加熱条件：３７５℃
まず、第２の実施の形態と同様な方法で、基板（被成膜基板）３１上に、膜厚約１μｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯ２膜からなる配線埋込絶縁膜３２と、配線埋込絶縁膜３２の配線溝に銅膜を主とする配線３３ｂ及びＴａＮ膜３３ａからなる下部配線とを形成する。
【００７９】
次いで、第３の実施の形態と同様に、ＨＭＤＳＯ＋Ｎ２Ｏ＋ＮＨ３の成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、配線層間絶縁膜３９のうち銅膜と接するバリア絶縁膜３９ａを形成する。バリア絶縁膜３９ａは低圧絶縁膜３９ａａと高圧絶縁膜３９ａｂからなる。
次いで、上記成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、バリア絶縁膜３９ａ上に低誘電率を有する主絶縁膜３９ｂ及びバリア絶縁膜３９ｃを順次形成し、配線層間絶縁膜３９を形成する。
【００８０】
低誘電率を有する主絶縁膜３９ｂを形成するため、まず、被成膜基板２１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、基板保持具３に保持する。続いて、被成膜基板２１を加熱し、温度３７５℃に保持する。ＨＭＤＳＯを流量５０ｓｃｃｍで、Ｎ２Ｏガスを流量２００ｓｃｃｍで、ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１を流量５０ｓｃｃｍで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を０．９Ｔｏｒｒに保持する。次いで、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力２５０Ｗ（０．３Ｗ／ｃｍ２に相当）を印加する。このとき、下部電極３には低周波電力を印加しない。
【００８１】
これにより、ＨＭＤＳＯとＮ２ＯとＣＨ３Ｃ６Ｈ１１がプラズマ化する。この状態を４０秒間保持して、膜厚凡そ５００ｎｍのＰＥ−ＣＶＤ ＳｉＯ２膜からなる主絶縁膜３９ｂが形成される。
次に、第２の実施の形態と同様にして、配線層間絶縁膜３９上に配線埋込絶縁膜３５と、接続導体３６と、上部配線３７と、バリア絶縁膜３８とを順次形成する。
【００８２】
以上、第４の実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
第４の実施の形態で用いたＨＭＤＳＯの代わりに、第１の実施の形態で記載した他のシロキサン結合を有するアルキル化合物でもよいし、メチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ：ｎ＝０，１，２，３）を用いることができる。メチルシランの種類は第１の実施の形態に示したので、ここでは省略する。
【００８３】
また、成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ２）のうち何れか一を含む不活性ガスでもよい。この場合、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）又はシクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）のうち何れか一の代わりに、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）を用いてもよい。
【００８４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、シロキサン結合を有するアルキル化合物或いはメチルシラン（ＳｉＨｎ（ＣＨ３）４−ｎ ：ｎ＝０，１，２，３）と、Ｎ２Ｏ，Ｈ２Ｏ又はＣＯ２のうち何れか一の酸素含有ガスとを少なくとも用いたプラズマＣＶＤ法により、ガス圧力を成膜初期に低く（１Ｔｏｒｒ未満に）して成膜し、残りの成膜を行なうときにそれより高く（１Ｔｏｒｒ以上に）して銅膜を主とする配線の間に挟まれる層間絶縁膜或いは銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜を成膜している。
【００８５】
ガス圧力を低くすることにより、銅膜を主とする配線との密着性が良い絶縁膜を形成することができる。また、ガス圧を高くすることにより、誘電率の低い絶縁膜を形成することができる。
従って、銅膜を主とする配線との密着性が良く、かつ低誘電率を有する層間絶縁膜を形成することが可能となる。
【００８６】
また、バリア絶縁膜も低周波電力を印加するとともに上記２段階で調整して成膜することにより、銅膜を主とする配線との密着性がさらに良いバリア絶縁膜を形成することが可能となる。
また、低誘電率を有する主絶縁膜を形成するだけの目的では、成膜中にガス圧力を変えなくてもよく、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルシクロヘキサン（ＣＨ３Ｃ６Ｈ１１）又はシクロヘキサン（Ｃ６Ｈ１２）のうち何れか一と、酸素含有ガスとを含む成膜ガス、又はシロキサン結合を有するアルキル化合物と、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）と、酸素含有ガスと、不活性ガスとを含む成膜ガスを用いて、同一のガス圧力を保持したまま、所望の主絶縁膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるプラズマ成膜装置の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である低誘電率絶縁膜の成膜ガスのガス圧力に対する剥離強度の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第１の実施の形態である低誘電率絶縁膜の成膜ガスをプラズマ化する際の基板バイアスための低周波電力に対する剥離強度の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態である低誘電率絶縁膜の成膜ガスのガス圧力に対する膜硬度及びヤング率の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施の形態である低誘電率絶縁膜の成膜ガスをプラズマ化する際の基板バイアスための低周波電力に対する膜硬度及びヤング率の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態である低誘電率絶縁膜の成膜ガスをプラズマ化する際の基板バイアスための低周波電力に対する比誘電率の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第１の実施の形態である成膜手順について示す図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態である半導体装置及びその製造方法について示す断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３及び第４の実施の形態である半導体装置及びその製造方法について示す断面図である。
【符号の説明】
１ チャンバ
２ 上部電極
３ 下部電極
４ 排気配管
５ バルブ
６ 排気装置
７ 高周波電力供給電源（ＲＦ電源）
８ 低周波電力供給電源
９ａ 配管
９ｂ〜９ｊ 分岐配管
１０ａ〜１０ｎ，１０ｐ〜１０ｚ 開閉手段
１１ａ〜１１ｉ 流量調整手段
１２ ヒータ
２１ 被成膜基板
３１ 基板
３２ 下部配線埋込絶縁膜（ＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜）
３３ 下部配線
３３ａ、３６ａ、３７ａ ＴａＮ膜
３３ｂ、３６ｂ、３７ｂ 銅膜
３４、３９ 配線層間絶縁膜
３４ａ、３９ａａ 低圧絶縁膜
３４ｂ、３９ａｂ 高圧絶縁膜
３５ 上部配線埋込絶縁膜（ＳｉＯ２膜又はＳｉＯＣＨ膜）
３６ 接続導体
３７ 上部配線
３８、３９ａ、３９ｃ バリア絶縁膜
３９ｂ 主絶縁膜
１０１Ａ 成膜部
１０１Ｂ 成膜ガス供給部

Claims (17)

  1. シロキサン結合を有するアルキル化合物と、Ｎ 2 Ｏ，Ｈ 2 Ｏ又はＣＯ 2 のうち何れか一の酸素含有ガスとを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
    第１のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記基板上に前記絶縁膜を構成する低圧絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１のガス圧力よりも高い第２のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記低圧絶縁膜上に前記絶縁膜を構成する高圧絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記シロキサン結合を有するアルキル化合物は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：(CH3)3Si-O-Si(CH3)3）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ：((CH3)2)4Si4O4
    【化１】）、
    Figure 0003545364
    又はテトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ：(CH3H)4Si4O4
    【化２】）
    Figure 0003545364
    のうち何れか一であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. メチルシラン（ SiH n (CH 3 ) 4-n ：ｎ＝０，１，２，３）を含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
    第１のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記基板上に前記絶縁膜を構成する低圧絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１のガス圧力よりも高い第２のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記低圧絶縁膜上に前記絶縁膜を構成する高圧絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 前記メチルシラン（SiHn(CH3)4-n：ｎ＝０，１，２，３）は、モノメチルシラン（SiH3(CH3)）、ジメチルシラン（SiH2(CH3)2）、トリメチルシラン（SiH(CH3)3）、又はテトラメチルシラン（Si(CH3)4）のうち何れか一であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記第１のガス圧力は０．１Torr以上、１Torr未満であり、前記第２のガス圧力は１Torr以上、１０Torr以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記プラズマ化する手段として前記基板を保持する第１の電極と該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を用い、かつ前記低圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加するか、又は前記第１の電極に前記低周波電力を印加し、かつ前記第２の電極に１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加し、
    前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第２の電極に前記高周波電力を印加することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第２の電極に前記高周波電力を印加することに加えて、前記第１の電極に前記低周波電力を印加することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記プラズマ化する手段として前記基板を保持する第１の電極と該第１の電極と対向する第２の電極とからなる平行平板型の電極を用い、かつ前記低圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に周波数１００ｋＨｚ以上、１ＭＨｚ未満の低周波電力を印加し、
    前記高圧絶縁膜を形成する工程において、前記第１の電極に前記低周波電力を印加することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記成膜ガスは、メチルシクロヘキサン(CH3C6H11)又はシクロヘキサン（C6H12）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記成膜ガスは、ベンゼン（C6H6）を含むものであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 前記成膜ガスは、メチルアルコール（CH3OH）又はエチルアルコール（C2H5OH）を含むものであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記成膜ガスは、アンモニア（ＮＨ3）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記成膜ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ2）のうち何れか一を含むものであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に半導体装置の製造方法。
  14. 銅膜を主とする配線上に絶縁膜が形成された半導体装置であって、前記絶縁膜は請求項１乃至７、９乃至１１、又は１３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により成膜した低誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
  15. 前記銅膜を主とする配線上に形成された絶縁膜は銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
  16. 銅膜を主とする配線上に該銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜と、該バリア絶縁膜上の絶縁膜とが少なくとも形成された半導体装置であって、前記バリア絶縁膜は請求項８、１２、又は１３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により成膜した絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
  17. 前記銅膜を主とする配線上に形成された該銅膜を主とする配線と接するバリア絶縁膜と該バリア絶縁膜上の絶縁膜とは銅膜を主とする配線により挟まれた層間絶縁膜を構成することを特徴とする請求項１６記載の半導体装置。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3926588B2 (ja) * 2001-07-19 2007-06-06 キヤノンマーケティングジャパン株式会社 半導体装置の製造方法
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
JP4338495B2 (ja) 2002-10-30 2009-10-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 シリコンオキシカーバイド、半導体装置、および半導体装置の製造方法
US7485570B2 (en) 2002-10-30 2009-02-03 Fujitsu Limited Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device
JP3898133B2 (ja) * 2003-01-14 2007-03-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ＳｉＣＨＮ膜の成膜方法。
JP4068072B2 (ja) * 2003-01-29 2008-03-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004253791A (ja) 2003-01-29 2004-09-09 Nec Electronics Corp 絶縁膜およびそれを用いた半導体装置
JP4032044B2 (ja) 2003-06-17 2008-01-16 株式会社半導体プロセス研究所 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20050064629A1 (en) * 2003-09-22 2005-03-24 Chen-Hua Yu Tungsten-copper interconnect and method for fabricating the same
JP2005294333A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Semiconductor Process Laboratory Co Ltd 成膜方法及び半導体装置
JP4854938B2 (ja) * 2004-07-06 2012-01-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP1799877B2 (en) † 2004-08-18 2016-04-20 Dow Corning Corporation Sioc:h coated substrates
US7265437B2 (en) * 2005-03-08 2007-09-04 International Business Machines Corporation Low k dielectric CVD film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties
JP4894153B2 (ja) * 2005-03-23 2012-03-14 株式会社アルバック 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
JP2007042747A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Taiyo Nippon Sanso Corp 絶縁膜の成膜方法及び絶縁膜
JP2007059705A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Seiko Epson Corp キャパシタおよびその製造方法、強誘電体メモリ装置の製造方法、アクチュエータの製造方法、並びに、液体噴射ヘッドの製造方法
JP5030478B2 (ja) 2006-06-02 2012-09-19 株式会社アルバック 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
EP2088123A1 (en) 2006-11-10 2009-08-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Si-O CONTAINING HYDROGENATED CARBON FILM, OPTICAL DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE Si-O CONTAINING HYDROGENATED FILM AND THE OPTICAL DEVICE
JP2009177023A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Nec Corp 多孔質絶縁膜及びその形成方法並びに半導体装置の製造方法
US8461683B2 (en) * 2011-04-01 2013-06-11 Intel Corporation Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same
KR102136845B1 (ko) * 2013-09-16 2020-07-23 삼성전자 주식회사 적층형 이미지 센서 및 그 제조방법
KR102350589B1 (ko) 2015-08-24 2022-01-14 삼성전자주식회사 박막 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
US10553427B2 (en) * 2017-04-27 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Low dielectric constant oxide and low resistance OP stack for 3D NAND application
CN110158052B (zh) * 2019-05-17 2021-05-14 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 低介电常数膜及其制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4988573A (en) * 1988-07-14 1991-01-29 Tdk Corporation Medium related members
JPH08227888A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Sony Corp 誘電体膜の形成方法
JPH10176273A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Sony Corp Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置
US6127285A (en) * 1997-02-28 2000-10-03 Dallas Instruments Incorporated Interlevel dielectrics with reduced dielectric constant
AU7371898A (en) 1997-05-07 1998-11-27 Mark J. Hampden-Smith Low density film for low dielectric constant applications
EP0881678A3 (en) 1997-05-28 2000-12-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to porous dielectric structures
JP3178375B2 (ja) 1997-06-03 2001-06-18 日本電気株式会社 絶縁膜の形成方法
US5821168A (en) 1997-07-16 1998-10-13 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6051321A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
JP3141827B2 (ja) * 1997-11-20 2001-03-07 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3726226B2 (ja) 1998-02-05 2005-12-14 日本エー・エス・エム株式会社 絶縁膜及びその製造方法
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6068884A (en) * 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
JP3888794B2 (ja) * 1999-01-27 2007-03-07 松下電器産業株式会社 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法
US6312793B1 (en) * 1999-05-26 2001-11-06 International Business Machines Corporation Multiphase low dielectric constant material
US6436824B1 (en) * 1999-07-02 2002-08-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Low dielectric constant materials for copper damascene
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
EP1128421A3 (en) 2000-02-28 2002-03-06 Canon Sales Co., Inc. Method of fabricating an interlayer insulating film comprising Si, O, C and H for semiconductor devices
JP3532830B2 (ja) 2000-05-24 2004-05-31 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
US20020113316A1 (en) 2002-08-22
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