JPH10176273A - Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置 - Google Patents
Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置Info
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- JPH10176273A JPH10176273A JP33590196A JP33590196A JPH10176273A JP H10176273 A JPH10176273 A JP H10176273A JP 33590196 A JP33590196 A JP 33590196A JP 33590196 A JP33590196 A JP 33590196A JP H10176273 A JPH10176273 A JP H10176273A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差部を有するウエハに対して「す」を発生
させることなく、希望の膜厚の薄膜を均一に形成させる
ことのできるＣＶＤ膜形成方法およびＣＶＤ膜形成装置
を提供すること。 【解決手段】 段差部１１を有するウエハ１０に対して
酸化シリコンの薄膜１２を形成させるに際し、膜形成圧
力の調整を可能にした減圧熱ＣＶＤ膜形成装置の反応炉
へＴＥＯＳを材料ガスとしてキャリヤガスと共に供給し
（ＴＥＯＳ／キャリヤガス＝１０／１）、温度７００
℃、膜形成の前段では成膜圧力を１００ｍＴｏｒｒで薄
膜１２ａを形成させ、後段では３００ｍＴｏｒｒに維持
して薄膜１２ｂを形成させ全反応時間を１５分間として
薄膜１２を形成させた。その結果、段差部１１に中空間
または「す」を生じることなく、全面に均一に膜厚０．
１５μｍの酸化シリコンの薄膜１２が形成された。
させることなく、希望の膜厚の薄膜を均一に形成させる
ことのできるＣＶＤ膜形成方法およびＣＶＤ膜形成装置
を提供すること。 【解決手段】 段差部１１を有するウエハ１０に対して
酸化シリコンの薄膜１２を形成させるに際し、膜形成圧
力の調整を可能にした減圧熱ＣＶＤ膜形成装置の反応炉
へＴＥＯＳを材料ガスとしてキャリヤガスと共に供給し
（ＴＥＯＳ／キャリヤガス＝１０／１）、温度７００
℃、膜形成の前段では成膜圧力を１００ｍＴｏｒｒで薄
膜１２ａを形成させ、後段では３００ｍＴｏｒｒに維持
して薄膜１２ｂを形成させ全反応時間を１５分間として
薄膜１２を形成させた。その結果、段差部１１に中空間
または「す」を生じることなく、全面に均一に膜厚０．
１５μｍの酸化シリコンの薄膜１２が形成された。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は段差被覆性の良好な
ＣＶＤ膜形成方法およびＣＶＤ膜形成装置に関するもの
である。
ＣＶＤ膜形成方法およびＣＶＤ膜形成装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高密度化に伴い、薄膜
製造プロセスにおいては益々微細なパターンの薄膜形成
が求められており、また薄膜パターンの微細化によって
層間絶縁膜における段差も微細となり、かつアスペクト
比が大きく急峻なものとなっている。
製造プロセスにおいては益々微細なパターンの薄膜形成
が求められており、また薄膜パターンの微細化によって
層間絶縁膜における段差も微細となり、かつアスペクト
比が大きく急峻なものとなっている。
【０００３】図１は薄膜の製造に使用される減圧熱ＣＶ
Ｄ膜形成装置１を示す概略図である。反応炉３は外殻４
と内筒５とからなる二重筒になっており、石英製ボート
に収容されたウエハ２０が搬送ロボットによって内筒５
内の架台６上に積み上げられる。架台６の下方は蓄熱用
の保温筒７である。材料ガスとしてのＴＥＯＳ〔テトラ
エトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕ガスがこれを
バブリングし気化させたキャリヤガスと共に（ＴＥＯＳ
／キャリヤの比はほぼ１０／１）マスフローコントロー
ラ２によって流量制御されて反応炉３の内筒５内へ供給
される。反応ガスはウエハ２０に接触しつつ内筒５内を
上昇した後、外殻４と内筒５との間を下降して反応炉３
を出る。反応炉３の排気側には、冷却トラップ８、両側
に圧力ゲージ９が設置されたメインバルブ１１を介し
て、排気用の真空ポンプ１２が接続されており、反応炉
３内は所定の圧力、例えば圧力３００ｍＴｏｒｒの真空
度に維持される。同時に反応炉３内は図示しないヒータ
ーおよび温度コントローラによって加熱され６５０〜７
５０℃の温度に維持されることにより、ＴＥＯＳが熱分
解してウエハ２０の表面に酸化シリコンの薄膜が形成さ
れる。この成膜時におけるＴＥＯＳの流量、成膜圧力、
成膜温度等は一定に制御された状態で行われている。
Ｄ膜形成装置１を示す概略図である。反応炉３は外殻４
と内筒５とからなる二重筒になっており、石英製ボート
に収容されたウエハ２０が搬送ロボットによって内筒５
内の架台６上に積み上げられる。架台６の下方は蓄熱用
の保温筒７である。材料ガスとしてのＴＥＯＳ〔テトラ
エトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕ガスがこれを
バブリングし気化させたキャリヤガスと共に（ＴＥＯＳ
／キャリヤの比はほぼ１０／１）マスフローコントロー
ラ２によって流量制御されて反応炉３の内筒５内へ供給
される。反応ガスはウエハ２０に接触しつつ内筒５内を
上昇した後、外殻４と内筒５との間を下降して反応炉３
を出る。反応炉３の排気側には、冷却トラップ８、両側
に圧力ゲージ９が設置されたメインバルブ１１を介し
て、排気用の真空ポンプ１２が接続されており、反応炉
３内は所定の圧力、例えば圧力３００ｍＴｏｒｒの真空
度に維持される。同時に反応炉３内は図示しないヒータ
ーおよび温度コントローラによって加熱され６５０〜７
５０℃の温度に維持されることにより、ＴＥＯＳが熱分
解してウエハ２０の表面に酸化シリコンの薄膜が形成さ
れる。この成膜時におけるＴＥＯＳの流量、成膜圧力、
成膜温度等は一定に制御された状態で行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５は従来、上述の減
圧熱ＣＶＤ膜形成装置１によってウエハ２０に形成され
た薄膜の拡大断面図である。段差部２１を有するウエハ
２０に対し、上述のようにしてＴＥＯＳによる酸化シリ
コンの薄膜２２を形成させると、ＴＥＯＳは段差被覆性
良好な材料ガスであるが、上述したように段差部２１が
微細化しているので、段差部２１内に中空間または
「す」２３が発生するのである。この中空間または
「す」２３は薄膜２２にクラック等を引き起こす原因と
なるが、クラックは製造される半導体デバイスの信頼性
を著しく低下させることから、段差被覆性に優れた薄膜
形成方法が求められている。なお、ここに言うウエハ２
０とは既に薄膜が形成され、その薄膜に対して微細なパ
ターニングが施されたものである。
圧熱ＣＶＤ膜形成装置１によってウエハ２０に形成され
た薄膜の拡大断面図である。段差部２１を有するウエハ
２０に対し、上述のようにしてＴＥＯＳによる酸化シリ
コンの薄膜２２を形成させると、ＴＥＯＳは段差被覆性
良好な材料ガスであるが、上述したように段差部２１が
微細化しているので、段差部２１内に中空間または
「す」２３が発生するのである。この中空間または
「す」２３は薄膜２２にクラック等を引き起こす原因と
なるが、クラックは製造される半導体デバイスの信頼性
を著しく低下させることから、段差被覆性に優れた薄膜
形成方法が求められている。なお、ここに言うウエハ２
０とは既に薄膜が形成され、その薄膜に対して微細なパ
ターニングが施されたものである。
【０００５】従って、本発明は段差部を有するウエハに
対して中空間または「す」を発生させることなく、所定
の膜厚の薄膜を均一に形成させることのできるＣＶＤ膜
形成方法およびＣＶＤ膜形成装置を提供することを課題
とする。
対して中空間または「す」を発生させることなく、所定
の膜厚の薄膜を均一に形成させることのできるＣＶＤ膜
形成方法およびＣＶＤ膜形成装置を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項１ま
たは請求項３の方法によって解決される。すなわち、Ｃ
ＶＤ膜の形成において段差被覆性に大きく関連している
パラメータを薄膜形成時に調整し得るＣＶＤ膜形成装置
を使用し、膜形成の途中において上記パラメータを変化
させる。例えば、減圧熱ＣＶＤ膜の形成においては薄膜
形成圧力を調整し得る減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を使用
し、膜形成の前段では膜形成圧力を比較的低くし、膜形
成の後段では膜形成圧力を比較的高くする。このように
してウエハ上に所定の膜厚の薄膜を均一な膜厚で形成す
ることが可能となる。
たは請求項３の方法によって解決される。すなわち、Ｃ
ＶＤ膜の形成において段差被覆性に大きく関連している
パラメータを薄膜形成時に調整し得るＣＶＤ膜形成装置
を使用し、膜形成の途中において上記パラメータを変化
させる。例えば、減圧熱ＣＶＤ膜の形成においては薄膜
形成圧力を調整し得る減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を使用
し、膜形成の前段では膜形成圧力を比較的低くし、膜形
成の後段では膜形成圧力を比較的高くする。このように
してウエハ上に所定の膜厚の薄膜を均一な膜厚で形成す
ることが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【０００８】図１に示した減圧熱ＣＶＤ膜形成装置１に
よって、段差部２１を有するウエハ２０に対し薄膜２２
を形成させた場合、薄膜形成時の圧力と段差被覆性との
間には図２に示すような関係がある。図２の横軸は薄膜
形成時の圧力（ｍＴｏｒｒ）であり、縦軸は段差被覆性
である。段差被覆性は図３に示すように、ウエハ２０の
段差部２１内に形成される薄膜２２の膜厚ａとウエハ２
０の表面に形成される薄膜２２の膜厚ｂとの比率ａ／ｂ
で示されている。図２に見られるように、段差被覆性に
は圧力依存性があり、ウエハ２０の表面の膜厚ｂをある
一定の値とする場合、膜形成圧力を高くすると（低真空
度にすると）段差部２１内の膜厚ａは大になり、膜形成
圧力を低くすると（高真空度にすると）段差部２１内の
膜厚ａは小になるのである。しかし、膜形成圧力を当初
から高くしたまま（低真空度のまま）薄膜を形成させる
と、図５に示したような薄膜が形成されて中空間または
「す」を生じて終う。
よって、段差部２１を有するウエハ２０に対し薄膜２２
を形成させた場合、薄膜形成時の圧力と段差被覆性との
間には図２に示すような関係がある。図２の横軸は薄膜
形成時の圧力（ｍＴｏｒｒ）であり、縦軸は段差被覆性
である。段差被覆性は図３に示すように、ウエハ２０の
段差部２１内に形成される薄膜２２の膜厚ａとウエハ２
０の表面に形成される薄膜２２の膜厚ｂとの比率ａ／ｂ
で示されている。図２に見られるように、段差被覆性に
は圧力依存性があり、ウエハ２０の表面の膜厚ｂをある
一定の値とする場合、膜形成圧力を高くすると（低真空
度にすると）段差部２１内の膜厚ａは大になり、膜形成
圧力を低くすると（高真空度にすると）段差部２１内の
膜厚ａは小になるのである。しかし、膜形成圧力を当初
から高くしたまま（低真空度のまま）薄膜を形成させる
と、図５に示したような薄膜が形成されて中空間または
「す」を生じて終う。
【０００９】上述した段差被覆性の圧力依存性を利用
し、成膜の途中で膜形成圧力を変化させて薄膜を形成さ
せた。すなわち、図１に示したと同様で膜形成圧力の調
節を可能とした減圧熱ＣＶＤ膜形成装置によって、段差
部１１を有するウエハ１０に対しＴＥＯＳの薄膜１２を
形成させた。薄膜形成時においてキャリヤガスを含むＴ
ＥＯＳガスの圧力を２段階に変化させる以外は、従来と
全く同一の条件とした。反応温度を７００℃とし、薄膜
形成の前段では、薄膜形成圧力を１００ｍＴｏｒｒに維
持してウエハ１０の表面に主体的に薄膜を形成させ、後
段では膜形成圧力を３００ｍＴｏｒｒとして段差部１１
内に主体的に薄膜を形成させた。ここにおいて、「表面
に主体的に」とは図２に示す段差被覆性ａ／ｂを比較的
小さくということを意味し、「段差部１１に主体的に」
とは同じく段差被覆性ａ／ｂを比較的大きくということ
を意味する。全反応時間を１５分間として、段差部１１
内に中空間または「す」を生じることなく、ウエハ１０
の表面および段差部１１に均一に膜厚０．１５μｍの酸
化シリコン膜１２が形成された。また、前段の膜形成後
に膜形成を停止させて得た前段で形成される膜１２ａ
と、前段に続けて得られる全体の膜１２と、前段の膜１
２ａとの差を後段で形成される膜１２ｂとして図４に示
した。このように、前段では膜形成圧力を比較的低く維
持し、後段では比較的高く維持することによって段差部
１１内に中空間または「す」を生じることなく所定の膜
厚の薄膜を均一な厚みで形成させることができた。
し、成膜の途中で膜形成圧力を変化させて薄膜を形成さ
せた。すなわち、図１に示したと同様で膜形成圧力の調
節を可能とした減圧熱ＣＶＤ膜形成装置によって、段差
部１１を有するウエハ１０に対しＴＥＯＳの薄膜１２を
形成させた。薄膜形成時においてキャリヤガスを含むＴ
ＥＯＳガスの圧力を２段階に変化させる以外は、従来と
全く同一の条件とした。反応温度を７００℃とし、薄膜
形成の前段では、薄膜形成圧力を１００ｍＴｏｒｒに維
持してウエハ１０の表面に主体的に薄膜を形成させ、後
段では膜形成圧力を３００ｍＴｏｒｒとして段差部１１
内に主体的に薄膜を形成させた。ここにおいて、「表面
に主体的に」とは図２に示す段差被覆性ａ／ｂを比較的
小さくということを意味し、「段差部１１に主体的に」
とは同じく段差被覆性ａ／ｂを比較的大きくということ
を意味する。全反応時間を１５分間として、段差部１１
内に中空間または「す」を生じることなく、ウエハ１０
の表面および段差部１１に均一に膜厚０．１５μｍの酸
化シリコン膜１２が形成された。また、前段の膜形成後
に膜形成を停止させて得た前段で形成される膜１２ａ
と、前段に続けて得られる全体の膜１２と、前段の膜１
２ａとの差を後段で形成される膜１２ｂとして図４に示
した。このように、前段では膜形成圧力を比較的低く維
持し、後段では比較的高く維持することによって段差部
１１内に中空間または「す」を生じることなく所定の膜
厚の薄膜を均一な厚みで形成させることができた。
【００１０】一般に圧力が低いと気体分子の平均自由行
程は大となって衝突回数は低下し、圧力が高いと平均自
由行程は小となり衝突回数は増大するが、狭い空間内で
は気体分子同士の衝突回数よりも、気体分子が空間の壁
に衝突する回数の方がはるかに大きくなる。前段で形成
させた膜１２ａによって狭隘化した段差部１１内の空間
に対して膜形成圧力を増大させたことにより、その増分
は小さくとも、気体分子が段差部１１の壁へ衝突する回
数は著しく増大し、形成される膜厚を大にしたものと思
考される。
程は大となって衝突回数は低下し、圧力が高いと平均自
由行程は小となり衝突回数は増大するが、狭い空間内で
は気体分子同士の衝突回数よりも、気体分子が空間の壁
に衝突する回数の方がはるかに大きくなる。前段で形成
させた膜１２ａによって狭隘化した段差部１１内の空間
に対して膜形成圧力を増大させたことにより、その増分
は小さくとも、気体分子が段差部１１の壁へ衝突する回
数は著しく増大し、形成される膜厚を大にしたものと思
考される。
【００１１】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的精神に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的精神に基づいて種々の変形が可能である。
【００１２】例えば本実施の形態においては、材料ガス
としてのＴＥＯＳガスはこれをバブリングさせたキャリ
ヤガスと共に流量を調節し、反応炉内での膜形成時にお
ける圧力を制御したが、材料ガスのみを供給する場合、
例えばシランガスとアンモニヤガスとを供給して窒化シ
リコン膜を形成させる場合、６フッ化タングステンガス
（ＷＦ6 ）を用いてタングステン膜を形成させる場合、
６フッ化モリブデン（ＭｏＦ6 ）ガスを用いてモリブデ
ン膜を形成させる場合にも、本発明の減圧熱ＣＶＤ膜形
成方法および減圧熱ＣＶＤ膜形成装置は同様に適用され
得る。
としてのＴＥＯＳガスはこれをバブリングさせたキャリ
ヤガスと共に流量を調節し、反応炉内での膜形成時にお
ける圧力を制御したが、材料ガスのみを供給する場合、
例えばシランガスとアンモニヤガスとを供給して窒化シ
リコン膜を形成させる場合、６フッ化タングステンガス
（ＷＦ6 ）を用いてタングステン膜を形成させる場合、
６フッ化モリブデン（ＭｏＦ6 ）ガスを用いてモリブデ
ン膜を形成させる場合にも、本発明の減圧熱ＣＶＤ膜形
成方法および減圧熱ＣＶＤ膜形成装置は同様に適用され
得る。
【００１３】また本実施の形態においては、段差部を有
するウエハに対し膜形成圧力を２段階に変化させて薄膜
を形成させたが、３段階またはそれ以上の段階に変化さ
せて薄膜を形成させてもよい。
するウエハに対し膜形成圧力を２段階に変化させて薄膜
を形成させたが、３段階またはそれ以上の段階に変化さ
せて薄膜を形成させてもよい。
【００１４】また本実施の形態においては、縦型反応炉
による減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を説明したが、横形反応
炉の場合も全く同様な効果が得られる。
による減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を説明したが、横形反応
炉の場合も全く同様な効果が得られる。
【００１５】また本実施の形態においては、減圧熱ＣＶ
Ｄ膜形成方法において段差被覆性に大きく関連する膜形
成圧力を薄膜形成時に変化させることによって、段差部
を有するウエハに対し、段差部に中空間または「す」を
発生させることなく所定の膜厚の薄膜を均一に形成させ
たが、一般的なＣＶＤ膜形成法においても段差被覆性に
影響を与えるパラメータ、例えば材料ガス、またはキャ
リヤガスを含む材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄膜形
成圧力の何れか一つまたはこれらの二つ以上の組み合わ
せを薄膜形成時に変化させることにより段差部に中空間
または「す」を発生させることなく所定の膜厚の薄膜を
均一に形成させることができる。また例えば常圧熱ＣＶ
Ｄ法における材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスと
の混合比率を薄膜形成時に変化させることによって、ま
たプラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発生用印加電力を
薄膜形成時に変化させることによっても同様な効果が得
られる。
Ｄ膜形成方法において段差被覆性に大きく関連する膜形
成圧力を薄膜形成時に変化させることによって、段差部
を有するウエハに対し、段差部に中空間または「す」を
発生させることなく所定の膜厚の薄膜を均一に形成させ
たが、一般的なＣＶＤ膜形成法においても段差被覆性に
影響を与えるパラメータ、例えば材料ガス、またはキャ
リヤガスを含む材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄膜形
成圧力の何れか一つまたはこれらの二つ以上の組み合わ
せを薄膜形成時に変化させることにより段差部に中空間
または「す」を発生させることなく所定の膜厚の薄膜を
均一に形成させることができる。また例えば常圧熱ＣＶ
Ｄ法における材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスと
の混合比率を薄膜形成時に変化させることによって、ま
たプラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発生用印加電力を
薄膜形成時に変化させることによっても同様な効果が得
られる。
【００１６】また本実施の形態においては、段差被覆性
に大きく関連する膜形成圧力を薄膜形成時に調整し得る
減圧熱ＣＶＤ膜形成装置によって段差被覆性の良好な薄
膜形成を可能としたが、これ以外に、例えば常圧熱ＣＶ
Ｄ法における材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスと
の混合比率、ないしはプラズマＣＶＤ法におけるプラズ
マ発生用印加電力など、段差被覆性に大きく影響するパ
ラメータを薄膜形成時に調節し得るＣＶＤ膜形成装置に
よっても段差被覆性の良好な薄膜形成が可能である。
に大きく関連する膜形成圧力を薄膜形成時に調整し得る
減圧熱ＣＶＤ膜形成装置によって段差被覆性の良好な薄
膜形成を可能としたが、これ以外に、例えば常圧熱ＣＶ
Ｄ法における材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスと
の混合比率、ないしはプラズマＣＶＤ法におけるプラズ
マ発生用印加電力など、段差被覆性に大きく影響するパ
ラメータを薄膜形成時に調節し得るＣＶＤ膜形成装置に
よっても段差被覆性の良好な薄膜形成が可能である。
【００１７】
【発明の効果】本発明は以上に説明したような形態で実
施され、次に記載するような効果を奏する。
施され、次に記載するような効果を奏する。
【００１８】本発明の薄膜形成時に材料ガス、またはキ
ャリヤガスを含む材料ガスの圧力を変化させる減圧熱Ｃ
ＶＤ膜形成方法によれば、表面に急峻な段差部を有する
ウエハに対して、段差部内に中空間または「す」を発生
させることなく、表面に所定の膜厚で均一な膜厚の薄膜
を形成させることが可能となり、得られる半導体デバイ
スの信頼性を高める。
ャリヤガスを含む材料ガスの圧力を変化させる減圧熱Ｃ
ＶＤ膜形成方法によれば、表面に急峻な段差部を有する
ウエハに対して、段差部内に中空間または「す」を発生
させることなく、表面に所定の膜厚で均一な膜厚の薄膜
を形成させることが可能となり、得られる半導体デバイ
スの信頼性を高める。
【００１９】また、減圧熱ＣＶＤ膜形成方法以外の、常
圧熱ＣＶＤ法における材料ガスとしてのシランガスと酸
素ガスとの混合比率、ないしはプラズマＣＶＤ法におけ
るプラズマ発生用印加電力など、段差被覆性に影響を与
えるパラメータを薄膜形成時に変化させる本発明のＣＶ
Ｄ膜形成方法によれば、表面に急峻な段差部を有するウ
エハに対して、段差部内の薄膜に中空間または「す」を
発生させることなく、表面に所定の膜厚の薄膜を均一に
形成させることが可能となり、得られる半導体デバイス
の信頼性を高める。
圧熱ＣＶＤ法における材料ガスとしてのシランガスと酸
素ガスとの混合比率、ないしはプラズマＣＶＤ法におけ
るプラズマ発生用印加電力など、段差被覆性に影響を与
えるパラメータを薄膜形成時に変化させる本発明のＣＶ
Ｄ膜形成方法によれば、表面に急峻な段差部を有するウ
エハに対して、段差部内の薄膜に中空間または「す」を
発生させることなく、表面に所定の膜厚の薄膜を均一に
形成させることが可能となり、得られる半導体デバイス
の信頼性を高める。
【００２０】また、薄膜形成時に材料ガス、またはキャ
リヤガスを含む材料ガスの圧力を変化させ得る本発明の
減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を使用することによって、段差
被覆性の良好な薄膜形成が可能となる。
リヤガスを含む材料ガスの圧力を変化させ得る本発明の
減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を使用することによって、段差
被覆性の良好な薄膜形成が可能となる。
【００２１】一般的なＣＶＤ膜形成法において、段差被
覆性に影響を与えるパラメータ、例えば材料ガスまたは
キャリヤガスを含む材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄
膜形成圧力の何れか一つ、またはこれらの二つ以上の組
み合わせを薄膜形成時に変化させ得るＣＶＤ膜形成装置
を使用することによって段差被覆性の良好な薄膜の形成
が可能となる。また、常圧熱ＣＶＤ法における材料ガス
としてのシランガスと酸素ガスとの混合比率、ないしは
プラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発生用印加電力な
ど、形成されるＣＶＤ膜の段差被覆性に影響を与えるパ
ラメータを薄膜形成時に変化させ得る本発明のＣＶＤ膜
形成装置を使用することによって、段差被覆性の良好な
薄膜形成が可能となる。
覆性に影響を与えるパラメータ、例えば材料ガスまたは
キャリヤガスを含む材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄
膜形成圧力の何れか一つ、またはこれらの二つ以上の組
み合わせを薄膜形成時に変化させ得るＣＶＤ膜形成装置
を使用することによって段差被覆性の良好な薄膜の形成
が可能となる。また、常圧熱ＣＶＤ法における材料ガス
としてのシランガスと酸素ガスとの混合比率、ないしは
プラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発生用印加電力な
ど、形成されるＣＶＤ膜の段差被覆性に影響を与えるパ
ラメータを薄膜形成時に変化させ得る本発明のＣＶＤ膜
形成装置を使用することによって、段差被覆性の良好な
薄膜形成が可能となる。
【図１】減圧熱ＣＶＤ膜形成装置を示す概略図である。
【図２】減圧熱ＣＶＤ膜形成時における膜形成圧力と段
差被覆性との関係図である。
差被覆性との関係図である。
【図３】段差被覆性の定義を示す図である。
【図４】実施の形態によって形成された薄膜の断面図で
ある。
ある。
【図５】従来例の技術によって形成された薄膜の断面図
である。
である。
１……減圧熱ＣＶＤ膜形成装置、３……反応炉、９……
圧力ゲージ、１２……真空ポンプ、１０、２０……ウエ
ハ、１１、２１……段差部、１２、２２……薄膜、２３
……中空間または「す」。
圧力ゲージ、１２……真空ポンプ、１０、２０……ウエ
ハ、１１、２１……段差部、１２、２２……薄膜、２３
……中空間または「す」。
Claims (11)
- 【請求項１】 段差部を有するウエハに薄膜を形成させ
るに際し、 材料ガス、またはキャリヤガスを含む前記材料ガスの圧
力を薄膜形成の前段では比較的低く維持して前記ウエハ
の表面を主体的に前記薄膜を形成させ、 薄膜形成の後段では比較的高く維持して前記段差部内を
主体的に前記薄膜を形成させることにより、前記段差部
内に中空間を発生させることなく前記ウエハに対し所定
の膜厚の前記薄膜を均一に形成させることを特徴とする
減圧熱ＣＶＤ膜形成方法。 - 【請求項２】 前記材料ガスがテトラエトキシシランで
あることを特徴とする請求項１に記載の減圧熱ＣＶＤ膜
形成方法。 - 【請求項３】 形成されるＣＶＤ膜の段差被覆性に影響
を与えるパラメータを薄膜形成時に変化させることによ
り、ウエハの段差部内に中空間を発生させることなく前
記表面に均一に所定の膜厚の薄膜を形成させることを特
徴とするＣＶＤ膜形成方法。 - 【請求項４】 前記パラメータが、材料ガスまたはキャ
リヤガスを含む前記材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄
膜形成圧力の何れか一つ、またはこれらの二つ以上の組
み合わせであることを特徴とする請求項３に記載のＣＶ
Ｄ膜形成方法。 - 【請求項５】 前記パラメータが常圧熱ＣＶＤ法におけ
る材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスとの混合比率
であることを特徴とする請求項３に記載のＣＶＤ膜形成
方法。 - 【請求項６】 前記パラメータがプラズマＣＶＤ法にお
けるプラズマ発生用印加電力であることを特徴とする請
求項３に記載のＣＶＤ膜形成方法。 - 【請求項７】 薄膜形成時における材料ガス、またはキ
ャリヤガスを含む材料ガスの圧力が調整可能とされてい
ることを特徴とする減圧熱ＣＶＤ膜形成装置。 - 【請求項８】 形成されるＣＶＤ膜の段差被覆性に影響
を与えるパラメータが薄膜形成時に調節可能とされてい
ることを特徴とするＣＶＤ膜形成装置。 - 【請求項９】 前記パラメータが材料ガスまたはキャリ
ヤガスを含む前記材料ガスの流量、薄膜形成温度、薄膜
形成圧力の何れか一つ、またはこれらの二つ以上の組み
合わせであることを特徴とする請求項８に記載のＣＶＤ
膜形成装置。 - 【請求項１０】 前記パラメータが常圧熱ＣＶＤ法にお
ける材料ガスとしてのシランガスと酸素ガスとの混合比
率であることを特徴とする請求項８に記載のＣＶＤ膜形
成装置。 - 【請求項１１】 前記パラメータがプラズマＣＶＤ法に
おけるプラズマ発生用印加電力であることを特徴とする
請求項８に記載のＣＶＤ膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590196A JPH10176273A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33590196A JPH10176273A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10176273A true JPH10176273A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18293643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33590196A Pending JPH10176273A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | Ｃｖｄ膜形成方法およびｃｖｄ膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10176273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852651B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-02-08 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN105990249A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
-
1996
- 1996-12-16 JP JP33590196A patent/JPH10176273A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852651B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-02-08 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN105990249A (zh) * | 2015-02-27 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
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