JPH06283519A

JPH06283519A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH06283519A
Application number: JP6885693A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Nakano; 正中野; Nobuyoshi Sato; 伸良佐藤; Tomohiro Oota; 与洋太田
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1993-03-26
Filing date: 1993-03-26
Publication date: 1994-10-07

Abstract

(57)【要約】【目的】絶縁膜として埋め込み性が良好であるととも
にボイドを有しない、しかも膜中の含水率の小さい優れ
た膜質のものを形成する。【構成】有機シランを原料ガスとして用い、酸化性ガ
スと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶縁膜
を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応容器
内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを供給
する。かくして成膜の初期にエタノールやメタノールを
生成させることができ、下地依存性を効果的に改善する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法、特に半導体基体と第１層金属配線との間の１次絶縁
膜、金属配線間の層間絶縁膜およびパッシベーション膜
として作用する最終絶縁膜や電界効果トランジスタのゲ
ートのサイドウォールとして使用することができる絶縁
膜を化学気相成長により形成する方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、VLSIデバイスの高集積化、高密度
化が急速に進み、半導体加工技術はサブミクロン加工が
必須のものとなってきている。サブミクロン加工が進む
に伴って半導体基体表面の凹凸はますます激しくなり、
アスペクト比が大きくなり、この凹凸がデバイス製造上
の制約となってきている。このような問題の解決のため
に最も強く望まれているのが、層間絶縁膜の平坦化技術
である。

【０００３】サブミクロンデバイス用の層間絶縁膜に要
求される特性としては、サブミクロンオーダーのスペー
スを形成することおよび高アスペクト比を持つパターン
に対する優れたステップカバレージを実現することなど
がある。このような要求を満たす層間絶縁膜の形成方法
として有機シランおよび無機シランを原料ガスに用いる
化学気相成長法(CVD法) が知られている。また、CVD 法
としてはプラズマCVD法, 常圧CVD 法、減圧CVD 法、加
圧CVD 法、光励起CVD 法などが従来より提案されてい
る。

【０００４】これらの内、有機シランを原料ガスとし、
これにオゾンガスを加えて常圧CVD法で形成した絶縁
膜、すなわち常圧オゾン−有機シランCVD シリコン酸化
膜は、その平坦性が特に優れていることから最も期待さ
れている方法の一つである。このようなオゾン−有機シ
ランの混合ガスを用いる常圧CVD 法は、例えば特開昭61
-77695号公報や「電気化学」56, No.7(1988), 527 〜53
2 頁などに記載されている。有機シランとしてはTEOS(t
etraethoxyorthosilicate), TMOS(tetramethoxyorthosi
licate),OMCTS(octamethylcyclotetrasiloxane), HMDS
(hexamethyldisiloxane), TMCTS(tetramethylcyclotetr
asiloxane), SOB(trimethylsilyl borate),DADBS(diace
toxydi-tertiary-butoxysilane), SOP(trimethylsilyl
phosphate)などが知られている。

【０００５】また、最終保護膜として用いられる絶縁膜
においても、VLSIデバイスの高集積化、高密度化に伴
い、その平坦性と、素子の信頼性に影響を与える膜質の
向上が強く要求されている。これは主に素子外部からの
水分等の侵入を防ぐためである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機シランを原料ガスとするCVD 法による絶縁膜の形成
方法においては、成膜速度の下地依存性により、下地材
質によっては段差間( 配線間) の埋め込み性が悪くなる
とともに膜中にボイドが発生するという欠点がある。特
に素子構造が微細化されるに伴ってアスペクト比の大き
な段差が形成されるようになるので、このようなボイド
が発生される可能性が大きくなっている。このように有
機シラン−CVD 膜が大きな下地依存性を有することは、
例えば平成３年に発行された「電気学会論文Ａ」, 111
巻７号の652 〜658 頁に記載されている。このように埋
め込み性が悪化したりボイドが形成されると、配線間の
リーク電流が増加したりして素子特性に悪影響を及ぼす
ことになる。

【０００７】さらに、従来の有機シランを用いたCVD 膜
は、膜中に水分等を含む多量の炭素化合物（未反応物）
が混入しているため、膜質が悪く、耐吸湿性が悪いとと
もにクラックが発生する欠点がある。耐吸湿性を補うた
めに厚膜とすると膜中に一層クラックが発生し易くな
り、素子の信頼性を損なう欠点がある。

【０００８】上述した従来の絶縁膜の形成方法の欠点を
軽減するために、下地表面のプラズマ酸化膜をN₂, NH₃
等のガスを用いてプラズマ処理し、その後で有機シラン
による常圧CVD 膜を形成することが提案されているが、
プラズマダメージの問題が懸念されている。

【０００９】この発明の目的は上述した従来の絶縁膜形
成方法の欠点を解消し、プラズマダメージを与えること
なく、段差間の埋め込み性および膜中のボイドの解消に
おいて優れており、特にサブミクロンデバイスの絶縁膜
として使用するのに有効であるとともに優れた膜質を有
し、クラックの発生もなく、しかも製造工程を減らすこ
とによってスループットを向上することができる絶縁膜
の形成方法を提供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置の製造方法は、有機シランを原料ガスとして用い、酸
化性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の
絶縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反
応容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガス
を供給して、上記絶縁膜を形成することを特徴とするも
のである。

【００１１】また、前記絶縁膜を化学気相成長によって
形成する際の原料となる有機シランとしてはTEOS、TMO
S、OMTCS 、HMDS、SOB 、DADBS 、SOP などを代表例と
する以下の有機シランが挙げられる。

【００１２】テトラアルコキシシランとして次のとお
り：テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラ
ン(TEOS)、テトラｎプロポキシシラン、テトライソプロ
ポキシシラン、テトラｎブトキシシラン

【００１３】アルキルアルコキシシランとして次のとお
り：メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、メチルトリｎプロポキシシラン、メチルトリイソ
プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチル
トリエトキシシラン、エチルトリｎプロポキシシラン、
エチルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメト
キシシランジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシ
ラン、ジエチルジｎプロポキシシラン、ジエチルジイソ
プロポキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メ
チルビニルジエトキシシランメチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシランジメチルビニルメトキシシラン、ジメチルビニルエトキ
シシラン

【００１４】ポリシロキサンとして：テトラキス（ジメ
チルシロキシ）シラン

【００１５】シクロシロキサンとして次のとおり：オク
タメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS) 、ペンタメチ
ルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラ
シロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、トリ
メチルシクロトリシロキサン

【００１６】ジシロキサンとして次のとおり：ヘキサメ
チルジシロキサン(HMDS)、テトラメチルジメトキシジシ
ロキサン、ジメチルテトラメトキシジシロキサン、ヘキ
サメトキシジシロキサン

【００１７】アルキルシランとして次のとおり：モノメ
チルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、トリ
エチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエチルシラ
ンアリルトリメチルシランヘキサメチルジシラン

【００１８】シリルアミンとして次のとおり：ジメチル
トリメチルシリルアミン、ジエチルトリメチルシリルア
ミン

【００１９】シラン窒素誘導体として次のとおり：アミ
ノプロピルトリエトキシシラントリメチルシリルアジド、トリメチルシリルシアナイド

【００２０】シラザンとして次のとおり：ヘキサメチル
ジシラザン、テトラメチルジシラザンオクタメチルシクロテトラシラザン、ヘキサメチルシク
ロトリシラザン

【００２１】ハロゲン化シラン及び誘導体として次のと
おり：トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラ
ン、トリｎプロピルクロロシラン、メチルジクロロシラ
ン、ジメチルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロ
ロシラン、クロロメチルトリメチルシラン、クロロプロ
ピルメチルジクロロシラン、クロロプロピルトリメトキ
シシランジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、メ
チルビニルジクロロシラン、メチルトリクロロシラン、
エチルトリクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ト
リフロロプロピルトリクロロシラン、トリフロロプロピ
ルトリメトキシシラン、トリメチルシリルアイオダイ
ド。

【００２２】さらに、有機シランとしては、トリス（ト
リメチルシロキシ）ボラン(SOB) 、トリス（トリメチル
シロキシ）ホスホリル(SOP) 、ジアセトキシジ-tert-ブ
トキシシラン(DADBS) なども用いることができる。この
発明においては、上述した有機シランを単独で用いるか
あるいは２以上の有機シランを混合して用いることがで
きる。混合して用いる場合の混合割合は適当に定めれば
良い。

【００２３】上記有機シランと反応させる酸化性ガスと
しては、O₃を含有させたO₂ガスを代表例として、その
他、H₂O₂を含有させたO₂ガス等も用いることができる。
この発明の好適実施例においては、原料ガスとしての有
機シランにTEOSを、酸化性ガスとしてO₃を含有させたO₂
ガスを用いる化学気相成長により絶縁膜を形成する。

【００２４】

【作用】発明者らは、従来の絶縁膜形成方法の欠点を解
消し、段差間の埋め込み性および膜中のボイドの解消に
おいて優れる、良好な膜質を有し、クラックの発生もな
ない絶縁膜の形成方法として、特願平５−５２４１２号
明細書に述べるような、化学気相成長による絶縁膜形成
に先立って、下地をエタノールやメタノール等といった
有機化合物で処理するという方法を開発している。

【００２５】上記の方法によれば、有機けい素化合物を
原料ガスとするCVD 法によって絶縁膜を形成する前に、
下地表面を有機化合物で処理するという、簡単な処理に
よって下地依存性を大幅に緩和することができ、埋め込
み性および平坦性に優れているとともにクラックやボイ
ドのない優れた膜質を有する絶縁膜を形成することがで
きるようになった。かかる下地表面を有機化合物で処理
する具体的な方法は、半導体ウェファをスピンさせなが
ら塗布するスピンコート処理（塗布処理）、有機化合物
の蒸気を半導体ウェファに吹きつける蒸気処理、半導体
ウェファを有機化合物の溶液中に浸漬する浸漬処理、有
機化合物の溶液をスプレーするスプレー処理、有機化合
物のシャワーに半導体基板を通過させるカーテンフロー
コート処理などであって、いずれも極めて簡便な処理で
はあるが、製造工程としては一工程増加することにな
る。

【００２６】したがって、工程を増加させることなしに
下地表面を有機化合物の処理を施したのと同様の状態に
することができれば、前記有機化合物処理を省略するこ
とができるから、スループットの面からはより望ましい
のであって、ここにこの出願の発明では、かような有機
化合物処理が省略可能な方法を提案するものである。

【００２７】さて、有機シランを原料ガスとして用い、
酸化性ガスと反応させる化学気相成長による絶縁膜を形
成の代表例として、TEOSを原料ガスに、酸化性ガスとし
てO₃ガスを含有するO₂を用いた場合について、発明者ら
は、O₃濃度を種々に変化させて成膜実験を行った。その
結果、高濃度のオゾンで成膜した場合には、下地依存性
が著しく大きいのに対して、低濃度のオゾンで成膜した
場合には、下地依存性が顕著に緩和されることを見いだ
した。そこからさらに研究開発を進めた結果、この化学
気相成長を行う反応容器内にまず有機シランを供給し、
次いで酸化性ガスを供給して、上記絶縁膜を形成するこ
の発明を完成させるに至ったのである。

【００２８】従来から行われている常圧オゾン−有機シ
ランCVD シリコン酸化膜（以下O₃-TEOS NSG(non-silica
te glass) 膜ともいう）を形成する際の原料ガスの供給
の仕方について観察すると、図１に示すように、ウェフ
ァを反応容器にセットした後は、最初に反応容器内に酸
化性ガスが供給され、反応容器内のO₃濃度が成膜操業の
ための濃度に達した後に、TEOSがキャリアガスと共に供
給される。すなわち、TEOSを供給する初期の時点では、
TEOS濃度に対するO₃濃度は相対的に非常に高くなってい
て、高濃度オゾン条件下で気相成長を行っていることに
なる。この高濃度オゾン条件下で形成された膜は、既に
述べたように下地依存性が著しく大きい膜であり、この
ような膜が下地表面とその後に形成されるO₃-TEOS NSG
膜との界面に形成されると、その影響を反映して、以後
に気相成長により形成される絶縁膜も埋め込み形状が悪
く、膜質の悪い絶縁膜になってしまうのである。

【００２９】そこでこの発明では、従来から行われてい
る操業方法とは全く逆に、図２に示すようにウェファを
反応容器にセットした後は、まずTEOSを反応容器内に供
給し、次いで酸化性ガスを供給するようにする。したが
って、成膜の初期段階すなわちO₃-TEOS NSG 膜の最下面
の成膜の際にはTEOSに対するオゾンの濃度は低い、換言
すれば低濃度オゾン条件での成膜になるから、埋め込み
性が良好で、膜質の優れた絶縁膜が得られるのである。

【００３０】このように成膜の初期にTEOSに対するオゾ
ンの濃度が低い状態にするこの発明によって、埋め込み
性が良好で、膜質の優れた絶縁膜が得られる理由につい
て、完全には究明されていないが、以下のように考える
ことができる。TEOSとO₃との化学気相成長法で絶縁膜を
形成する際には、TEOSはオゾンそれ自体とは反応せず、
オゾンが熱分解されて生成する反応性酸素がTEOSと反応
することより気相成長が起こる。したがって、反応は、
まずオゾンの熱分解O₃→O₂＋Ｏにより、Ｏ（反応性酸
素）を発生することから始まる。この反応性酸素（Ｏ）
とTEOSとにより、以下のように反応するとともに、この
過程において下地表面に酸化けい素が生成され、絶縁膜
として半導体ウェファ上に成膜されてゆく。

【化１】

【００３１】つまりO₃濃度が低いときには、中間反応生
成物としてのC₂H₅OH（エタノール）、CH₃OH （メタノー
ル）などのアルコールが大量に生成され、その段階で維
持される。これに対して、O₃濃度が相対的に高いときに
は、エタノールやメタノールがさらに酸化されて、中間
反応生成物としてアセトアルデヒド（CH₃CHO）、ホルム
アルデヒド（HCHO）が生成し、さらに酸化が進行して中
間反応生成物として酢酸（CH₃COOH ）、ギ酸(HCOOH）を
生成し、さらに酸化が進行して最終的には一酸化炭素
（CO）、二酸化炭素（CO₂）及び水（H₂O ）になる。

【００３２】このように〔O₃〕／〔TEOS」濃度比が小さ
い場合には、エタノール、メタノールが生成して、成膜
直前にこれらが表面に吸着するから、実質的に下地表面
をエタノールやメタノールで処理することと同一の効果
が得られるのである。これに対して、酸化けい素の成膜
を効率良く行うために最初に反応容器内に酸化性ガスを
供給し、次いでTEOSを供給することにより、成膜初期で
の〔O₃〕／〔TEOS」濃度比が極めて高かった従来の成膜
法では、中間反応生成物が急速に酸化されて、最終的な
一酸化炭素、二酸化炭素及び水が得られるのみで、下地
依存性の改善はできなかったのである。

【００３３】上記の中間反応生成物のうち、エタノー
ル、メタノールが特に下地依存性の改善に有効である
が、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒド、酢酸及びギ
酸でも、下地依存性の改善効果があることが確認されて
いる。すなわち、中間反応生成物であるアセトアルデヒ
ド、ホルムアルデヒド、酢酸及びギ酸も下地表面に吸着
されて、下地依存性の改善の効果があると考えられる。
なお、〔O₃〕／〔TEOS」濃度比が小さい状態で、つくろ
うとする絶縁膜の厚み全ての分だけ成膜すると、かえっ
て膜質が劣化してしまう可能性があるため、この発明で
は、図２に示すように、成膜の初期段階のみが相対的に
オゾン濃度が低いようにし、その後は、通常行われてい
る最適なガス組成比で成膜を行うものとする。

【００３４】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例及び
比較例について説明する。図３は以下に説明するこの発
明による半導体装置の製造方法の実施例及び比較例にお
いて有機シラン−CVD 膜を形成する装置として共通に使
用することができる装置の一例の構成を示すものであ
る。反応チャンバ１の内部にはヒータ２を設け、サセプ
タ３によって支持されたシリコンウエファ４を加熱する
ようにする。さらに、反応チャンバ１の外部にはオゾン
発生装置５と、恒温槽６を設け、この恒温槽の内部には
ガスバブラー７を配置する。オゾン発生装置５には酸素
ガスを供給し、オゾンを生成するようにする。このオゾ
ン発生装置５のオゾン生成率は5.0 ％である。恒温槽６
内に配置したガスバブラー７には窒素ガスを供給し、ガ
スバブラー内に収容した有機シラン、本例ではTEOSのガ
スを発生させる。このTEOSガスはバルブ８により流量調
節が可能になっていて、またオゾンガスもバルブ９によ
り流量調節が可能になっている。このTEOSガスはオゾン
発生装置５で発生させたオゾンと一緒に窒素ガスをキャ
リアガスとして反応チャンバ１に供給する。反応チャン
バ１内にはディスパージョンヘッド10を配置し、オゾン
とTEOSガスとの混合ガスを層流としてシリコンウエファ
４の表面に当ててシリコンウエファの表面全面に亘って
均一な成膜が行われるようにする。さらに、このために
ヒータ２及びサセプタ３とともにシリコンウエファ４を
その平面内で揺動させて成膜の均一性を確保するように
している。

【００３５】（実施例）図４に示すようにシリコン基板
11の上に膜厚が6000ÅのBPSG膜12を形成し、さらにその
上に高さ１μm のアルミ配線13をライン幅0.8 μm 、ス
ペース幅0.8 μm で形成し、このBPSG膜及びアルミ配線
の上にプラズマ−TEOS CVD NSG膜14を3000Åの厚さに形
成した。このプラズマ−TEOS CVD NSG膜14の成膜条件と
しては、成膜温度を350 ℃、成膜圧力を2.2Torr とし、
TEOSを1.8ml/分の割合で供給し、酸素ガスを4.0ml/分の
割合で供給し、RFパワーとしては400KHz, 500Wと13.56M
Hz, 500Wの合計１KWを使用し、成膜時間を20秒とした。
このプラズマ−TEOS CVD NSG膜14の膜厚はアルミ配線13
の上で3000Åであるが、その側壁には1000Å程度しか形
成されていない。

【００３６】次に、シリコンウエファを図３に示す反応
チャンバ内に搬入し、以下の成膜条件でオゾン−TEOS C
VD NSG膜15を10000 Åの膜厚に形成した。なお、この明
細書では、ガス流量は０℃、１気圧の標準状態での流量
を示すものである。

【表１】成膜温度 400 ℃ 成膜圧力大気圧成膜時間 545 秒ガスバブラへの窒素ガス流量 1.5 l/min 恒温槽温度 65 ℃ オゾン発生装置への酸素流量 7.5 l/min オゾン濃度 5 重量％キャリアN₂ガス流量 18 l/min

【００３７】このオゾン−TEOS CVD NSG膜15の形成にあ
たってのオゾンガスとTEOSガスとの供給要領は、次のと
おりとした。まず、シリコンウェファを反応チャンバ内
に装填後、12秒間は窒素のみをチャンバー内に導入し、
チャンバ内雰囲気を窒素雰囲気に置換する。この12秒経
過後、TEOSをまず導入する。TEOSは液体ソースであり、
分子が大きいことから、濃度が所定の一定値まで達する
のには時間がかかり、TEOSの導入を開始してから20秒後
にO₃ガスの導入を開始する。

【００３８】このようにして形成したオゾン−TEOS CVD
NSG膜15はアルミ配線13間の狭いスペースを埋め、良好
なステップカバレージを有しているとともに平坦性も優
れており、ボイドも形成されていない良好の膜質を有す
るものであった。

【００３９】（比較例）比較例として図５に示すように
シリコン基板11の上にBPSG膜12を形成し、さらにその上
にアルミ配線13を形成し、BPSG膜及びアルミ配線上にプ
ラズマ−TEOS CVD NSG 膜14を3000Åの厚さに形成し
た。ここまでは上述した実施例と同様であり、アルミ配
線13のライン幅、スペース及び高さも実施例１と同様で
ある。次いで図３に示す反応チャンバ内に入れ、オゾン
−TEOS CVD NSG膜16を10000Åの厚さに形成しが、この
オゾン−TEOS CVD NSG膜15の形成にあたってのオゾンガ
スとTEOSガスとの供給要領は、次のとおりとした。

【００４０】まず、シリコンウェファを反応チャンバ内
に装填後、12秒間は窒素のみをチャンバー内に導入し、
チャンバ内雰囲気を窒素雰囲気に置換する。この12秒経
過後、O₃ガスを導入し、このO₃ガスの導入を開始してか
ら、６秒間経過後に、TEOSの導入を開始した。TEOSが所
定の一定値にまで達するまでは約30秒を要した。比較例
ではオゾン−TEOS CVD NSG膜16のアルミ配線13間の埋め
込みが不良であって多数のボイド17が形成されており、
素子特性を劣化させるものであった。

【００４１】上述した実施例及び比較例によって形成し
たオゾン−TEOS CVD NSG膜をTDS(Thermal Desortion Sp
ectroscopy) 評価装置を用いて評価した。このTDS 評価
装置は、ウエファを加熱したときに放出されるガスをQ-
Massで評価するものである。ウエファを評価室に入れ、
内部を10^-9Torrまで真空に引き、ヒータによってウエフ
ァを室温から500 ℃の温度まで30分間かけて加熱する。
この加熱中にウエファから放出される脱ガスをQ-Massへ
導いて分析するものである。このようなTDS 評価装置を
用いて主として水(Mass No.18)を分析したが、実施例の
オゾン−TEOS CVD NSG膜からは水は殆ど放出されなかっ
たが、比較例のオゾン−TEOS CVD NSG膜からは１桁以上
多くの水が放出された。

【００４２】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例ではエタノール処理を施した後にオ
ゾン−TEOS CVD NSG膜を形成するようにしたが、反応チ
ャンバに供給するオゾンとTEOSの混合ガスにTMOP(trime
thylphosphate)及びTMB(trimethylborate)などの燐及び
ホウ素のアルコキシドガスをドーパントとして加えるこ
とによってオゾン-TEOS CVD PSG 膜やBPSG膜を形成する
こともできる。さらに、有機シラン原料化合物としては
TEOSだけでなく、上述したTMOS、OMCTS 、HMDS、TMCTS
、SOB 、DADBS、SOP などを用いることもできる。

【００４３】

【発明の効果】上述したように、この発明による半導体
装置の製造方法においては、化学気相成長法によって絶
縁膜を形成するに際して、この化学気相成長を行う反応
容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを
供給することによって高アスペクト比の段差への埋め込
み性や平坦性が良く、内部にボイドもなく、しかも水分
の含有量も少ない良質の絶縁膜を形成することができ
る。また、このようにして形成された絶縁膜は耐吸湿性
も優れたものとなるとともに後処理においてクラックが
発生する恐れがなく、素子特性を改善することができ
る。さらに、下地処理を省略することができるので、ス
ループットをより改善することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】オゾン−有機シランCVD 膜を形成する際の従来
の原料ガスの供給要領を説明するグラフである。

【図２】この発明によるオゾン−有機シランCVD 膜を形
成する際の原料ガスの供給要領を説明するグラフであ
る。

【図３】この発明による半導体装置の製造方法におい
て、オゾン−有機シランCVD 膜を形成する化学気相成長
装置の構成を示す線図である。

【図４】この発明による半導体装置の製造方法の実施例
によって形成した半導体装置を示す断面図である。

【図５】比較例によって形成した半導体装置を示す断面
図である。

【符号の説明】

１反応チャンバ２ヒータ３サセプタ４シリコンウエファ５オゾン発生装置６恒温槽７ガスバブラ８バルブ９バルブ 10 ディスパージョンヘッド 11 シリコン基板 12 BPSG膜 13 アルミ配線 14 プラズマ−TEOS CVD NSG膜 15 オゾン−TEOS CVD NSG膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機シランを原料ガスとして用い、酸化
性ガスと反応させる化学気相成長により半導体装置の絶
縁膜を形成するに当たり、この化学気相成長を行う反応
容器内にまず有機シランを供給し、次いで酸化性ガスを
供給して、上記絶縁膜を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。