JP2697315B2 - フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JP2697315B2 JP2697315B2 JP3006312A JP631291A JP2697315B2 JP 2697315 B2 JP2697315 B2 JP 2697315B2 JP 3006312 A JP3006312 A JP 3006312A JP 631291 A JP631291 A JP 631291A JP 2697315 B2 JP2697315 B2 JP 2697315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- forming
- gas
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02131—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁膜の形成方法に関
し、特に、フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法に関す
る。
し、特に、フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のシリコン酸化膜の形成に
は化学気相成長法が多用されている。例えば、ソースガ
スとして、テトラエチルオルソシリケート(化学式Si
(OC2 H5 )4 ),をバブリングによって気化した
後、反応室内でオゾンと混合し、基板温度300〜40
0℃で常圧下で、シリコン酸化膜を形成する方法があ
る。また、ドーピングガスとして、トリメトキシリン酸
(化学式PO(OCH3 )3 )トリメトキシボロン(化
学式B(OCH3 )3 )を用い、リン,ホウ素をドーピ
ングする方法も用いられいてる(電気化学および工業物
理化学,Vol.56,No.7(1988),P52
7)。
は化学気相成長法が多用されている。例えば、ソースガ
スとして、テトラエチルオルソシリケート(化学式Si
(OC2 H5 )4 ),をバブリングによって気化した
後、反応室内でオゾンと混合し、基板温度300〜40
0℃で常圧下で、シリコン酸化膜を形成する方法があ
る。また、ドーピングガスとして、トリメトキシリン酸
(化学式PO(OCH3 )3 )トリメトキシボロン(化
学式B(OCH3 )3 )を用い、リン,ホウ素をドーピ
ングする方法も用いられいてる(電気化学および工業物
理化学,Vol.56,No.7(1988),P52
7)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシリコン酸
化膜の形成方法は、以下のような問題点があった。すな
わち、成膜温度が300〜400℃と高いことからフォ
トレジスト膜等の有機膜をマスクとして用いて、選択的
にシリコン酸化膜を形成することが不可能であった。ま
た、成膜温度を下げると膜特性が著しく劣化し、実用に
供することができないという欠点も有している。さら
に、従来の方法で形成したシリコン酸化膜は、その内部
応力が、約1×10の9乗dyn/平方cmの強い引張
応力であり、2μm以上の厚膜を形成すると、亀裂が発
生しやすいという大きな問題が有り、アルミニウム配線
等の凹凸を有する基板上には形成することが難しいとい
う欠点を有している。
化膜の形成方法は、以下のような問題点があった。すな
わち、成膜温度が300〜400℃と高いことからフォ
トレジスト膜等の有機膜をマスクとして用いて、選択的
にシリコン酸化膜を形成することが不可能であった。ま
た、成膜温度を下げると膜特性が著しく劣化し、実用に
供することができないという欠点も有している。さら
に、従来の方法で形成したシリコン酸化膜は、その内部
応力が、約1×10の9乗dyn/平方cmの強い引張
応力であり、2μm以上の厚膜を形成すると、亀裂が発
生しやすいという大きな問題が有り、アルミニウム配線
等の凹凸を有する基板上には形成することが難しいとい
う欠点を有している。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明のフッ素含有シリ
コン酸化膜の形成方法は、アルコキシフルオロシラン
(化学式Fn−Si(OR)4-n ,R:アルキル基,
n:1〜3の整数)を主成分とする蒸気を用いて一定の
温度を有する反応室内で、かつ200℃以下の温度で形
成せしめたことを特徴とする。さらに本発明は、フォト
レジスト膜,テフロン膜あるいはポリイミド膜等の有機
膜パターンを有する基板表面に、上記のアルコキシフル
オロシランを主成分とする蒸気を用いて、一定の温度を
有する反応室内で、かつ150℃以下の温度で、該有機
膜パターンのない部分に選択的に形成せしめることを特
徴とする。
コン酸化膜の形成方法は、アルコキシフルオロシラン
(化学式Fn−Si(OR)4-n ,R:アルキル基,
n:1〜3の整数)を主成分とする蒸気を用いて一定の
温度を有する反応室内で、かつ200℃以下の温度で形
成せしめたことを特徴とする。さらに本発明は、フォト
レジスト膜,テフロン膜あるいはポリイミド膜等の有機
膜パターンを有する基板表面に、上記のアルコキシフル
オロシランを主成分とする蒸気を用いて、一定の温度を
有する反応室内で、かつ150℃以下の温度で、該有機
膜パターンのない部分に選択的に形成せしめることを特
徴とする。
【0005】
【実施例】次に本発明を図面を参照して説明する。本実
施例では、アルコキシフルオロシランとしてトリエトキ
シフルオロシラン(化学式F−Si(OC2H5 )3 )
を用いた。
施例では、アルコキシフルオロシランとしてトリエトキ
シフルオロシラン(化学式F−Si(OC2H5 )3 )
を用いた。
【0006】成膜装置の概略を図1に示す。同図におい
て反応室101内にサセプター102を有し、サセプタ
ーは、加熱用ヒーター103を有しており、半導体基板
104は、サセプター上に固定される。なお、サセプタ
ーは、装置の上下のどちらにも設置でき、半導体基板表
面は、上下どちらを向いても良い。トリエトキシフルオ
ロシランは一定温度に保たれたバブラー107内に有
り、流量コントローラー105で一定流量にコントロー
ルされた窒素ガスによって、バブリングされ、反応室内
に導入される。また、トリエトキシフルオロシランを縮
合せしめるための水蒸気は、純水を有し、かつ一定温度
に保たれたバブラー108から、流量コントローラー1
06で一定流量にコントロールされた窒素ガスによっ
て、バブリングされ、反応室内に導入される。反応室
は、常に排気され、一定の圧力に保たれている。また、
各バブラーから、反応室までのガスの輸送管は、加熱用
ヒーター109,110によって一定の温度に保たれて
いる。
て反応室101内にサセプター102を有し、サセプタ
ーは、加熱用ヒーター103を有しており、半導体基板
104は、サセプター上に固定される。なお、サセプタ
ーは、装置の上下のどちらにも設置でき、半導体基板表
面は、上下どちらを向いても良い。トリエトキシフルオ
ロシランは一定温度に保たれたバブラー107内に有
り、流量コントローラー105で一定流量にコントロー
ルされた窒素ガスによって、バブリングされ、反応室内
に導入される。また、トリエトキシフルオロシランを縮
合せしめるための水蒸気は、純水を有し、かつ一定温度
に保たれたバブラー108から、流量コントローラー1
06で一定流量にコントロールされた窒素ガスによっ
て、バブリングされ、反応室内に導入される。反応室
は、常に排気され、一定の圧力に保たれている。また、
各バブラーから、反応室までのガスの輸送管は、加熱用
ヒーター109,110によって一定の温度に保たれて
いる。
【0007】上記の装置を用いて、直径6インチのシリ
コン基板上にシリコン酸化膜を形成した。トリエトキシ
フルオロシランのバブラーは40℃にまた、純水のバブ
ラーは、60℃にそれぞれ保ち、バブリングに用いる窒
素ガスの流量は、1SLMとし、基板温度は30℃に固
定し、反応室内の圧力は約700Torrとした。
コン基板上にシリコン酸化膜を形成した。トリエトキシ
フルオロシランのバブラーは40℃にまた、純水のバブ
ラーは、60℃にそれぞれ保ち、バブリングに用いる窒
素ガスの流量は、1SLMとし、基板温度は30℃に固
定し、反応室内の圧力は約700Torrとした。
【0008】図2は、本実施例と従来方法の比較を示す
もので、本実施例により、60分間、膜堆積を行い、厚
さ約0.5μmのフッ素含有シリコン酸化膜を形成した
とき、100で示すような赤外吸収スペクトル(FT−
IR)を得た。一方、従来の方法で、250℃と350
℃の温度で、厚さ約0.5μmのシリコン酸化膜を形成
したときはそれぞれ110,120で示す赤外吸収スペ
クトル(FT−IR)を得た。本実施例(100)で
は、波数,約3300cm-1,約1070cm-1,約9
30cm-1付近に、それぞれ、OH基,Si−O結合,
Si−OH結合に相当する吸収ピークが見られ、Si−
Oを主成分とする膜が形成されていることがわかる。O
H基に相当する吸収ピークは30℃の極低温で形成した
にもかかわらず、従来法で250℃の温度で形成したシ
リコン酸化膜のOH基の吸収ピークよりも小さいことが
わかる。このことは、本発明に基づくシリコン酸化膜は
従来法で、250℃という比較的低温で形成したシリコ
ン酸化膜よりも含有水分量が少ないことを示している。
さらに、従来法で、350℃で形成したシリコン酸化膜
と比べると、OH基の吸収ピークの大きさは、同等であ
る。すなわち、本発明に基づいて30℃の極低温で形成
したシリコン酸化膜の含有水分量は、350℃で形成し
た従来のシリコン酸化膜と同等である。
もので、本実施例により、60分間、膜堆積を行い、厚
さ約0.5μmのフッ素含有シリコン酸化膜を形成した
とき、100で示すような赤外吸収スペクトル(FT−
IR)を得た。一方、従来の方法で、250℃と350
℃の温度で、厚さ約0.5μmのシリコン酸化膜を形成
したときはそれぞれ110,120で示す赤外吸収スペ
クトル(FT−IR)を得た。本実施例(100)で
は、波数,約3300cm-1,約1070cm-1,約9
30cm-1付近に、それぞれ、OH基,Si−O結合,
Si−OH結合に相当する吸収ピークが見られ、Si−
Oを主成分とする膜が形成されていることがわかる。O
H基に相当する吸収ピークは30℃の極低温で形成した
にもかかわらず、従来法で250℃の温度で形成したシ
リコン酸化膜のOH基の吸収ピークよりも小さいことが
わかる。このことは、本発明に基づくシリコン酸化膜は
従来法で、250℃という比較的低温で形成したシリコ
ン酸化膜よりも含有水分量が少ないことを示している。
さらに、従来法で、350℃で形成したシリコン酸化膜
と比べると、OH基の吸収ピークの大きさは、同等であ
る。すなわち、本発明に基づいて30℃の極低温で形成
したシリコン酸化膜の含有水分量は、350℃で形成し
た従来のシリコン酸化膜と同等である。
【0009】さらに、本実施例で形成したシリコン酸化
膜の屈折率は、1.42と、従来のシリコン酸化膜の屈
折率(1.45)よりも小さい値であった。また、X線
光電子分光分析によって膜中のフッ素含有量を調べたと
ころ、フッ素原子の濃度は、約7原子%であった。ま
た、膜応力は、2×108 dyn/cm2 であり、従来
法で形成したシリコン酸化膜の膜応力(1×109 dy
n/cm2 )に比べて小さい値であった。
膜の屈折率は、1.42と、従来のシリコン酸化膜の屈
折率(1.45)よりも小さい値であった。また、X線
光電子分光分析によって膜中のフッ素含有量を調べたと
ころ、フッ素原子の濃度は、約7原子%であった。ま
た、膜応力は、2×108 dyn/cm2 であり、従来
法で形成したシリコン酸化膜の膜応力(1×109 dy
n/cm2 )に比べて小さい値であった。
【0010】本実施例で形成したシリコン酸化膜上に面
積約4平方mmのアルミニウム電極を形成し、電気特性
を調べた。5V印加時のリーク電流密度は、約5×10
-11 A/平方cmであり、これは、従来法で350℃で
形成した同じ厚さのシリコン酸化膜のリーク電流(約2
×10-10 A/平方cm)に比べて小さいものであっ
た。また、絶縁耐圧は、5MV/cmであり、従来法で
形成したシリコン酸化膜の絶縁耐圧(4MV/cm)と
比べて大きなものであった。さらに1MHzの容量・電
圧特性から求めた比誘電率は3.7であり、従来法で形
成したシリコン酸化膜の比誘電率(4.0)と比べて小
さい値であった。
積約4平方mmのアルミニウム電極を形成し、電気特性
を調べた。5V印加時のリーク電流密度は、約5×10
-11 A/平方cmであり、これは、従来法で350℃で
形成した同じ厚さのシリコン酸化膜のリーク電流(約2
×10-10 A/平方cm)に比べて小さいものであっ
た。また、絶縁耐圧は、5MV/cmであり、従来法で
形成したシリコン酸化膜の絶縁耐圧(4MV/cm)と
比べて大きなものであった。さらに1MHzの容量・電
圧特性から求めた比誘電率は3.7であり、従来法で形
成したシリコン酸化膜の比誘電率(4.0)と比べて小
さい値であった。
【0011】本実施例で用いた成膜条件は一例であって
基板温度,反応室内圧力,ガス流量等は変化させること
ができるものである。
基板温度,反応室内圧力,ガス流量等は変化させること
ができるものである。
【0012】次に、本発明の第2の実施例を図面を参照
して説明する。本実施例においても、前実施例で用いた
成膜条件を用いた。
して説明する。本実施例においても、前実施例で用いた
成膜条件を用いた。
【0013】図3は、本発明の第2の実施例であるシリ
コン酸化膜の選択成長法を用い2層アルミニウム配線構
造体の層間絶縁膜に適用したときの工程断面図を示す。
同図(a)において、半導体基板301上、に厚さ約
0.5μmのPSG膜、厚さ約1μmの第1のアルミニ
ウム配線303,303′が順次形成されている。ここ
で、アルミニウム配線をパターニングした時のフォトレ
ジスト膜304,304′は残したままである。次に、
同図(b)に示すように、本発明に基づき厚さ約1μm
のフッ素含有シリコン酸化膜305をPSG膜上のみ
に、選択的に形成する。続いて、フォトレジスト膜を酸
素プラズマ中で灰化した後、同図(c)に示すように再
度、本発明に基づく、厚さ約0.7μmのフッ素含有シ
リコン酸化膜306を形成する。次に同図(d)に示す
ように開孔307,307′を公知のフォトエッチング
法により形成する。最後に、同図(e)に示すように第
2のアルミニウム配線308,308′を形成し完全に
平坦な2層アルミニウム配線が形成される。
コン酸化膜の選択成長法を用い2層アルミニウム配線構
造体の層間絶縁膜に適用したときの工程断面図を示す。
同図(a)において、半導体基板301上、に厚さ約
0.5μmのPSG膜、厚さ約1μmの第1のアルミニ
ウム配線303,303′が順次形成されている。ここ
で、アルミニウム配線をパターニングした時のフォトレ
ジスト膜304,304′は残したままである。次に、
同図(b)に示すように、本発明に基づき厚さ約1μm
のフッ素含有シリコン酸化膜305をPSG膜上のみ
に、選択的に形成する。続いて、フォトレジスト膜を酸
素プラズマ中で灰化した後、同図(c)に示すように再
度、本発明に基づく、厚さ約0.7μmのフッ素含有シ
リコン酸化膜306を形成する。次に同図(d)に示す
ように開孔307,307′を公知のフォトエッチング
法により形成する。最後に、同図(e)に示すように第
2のアルミニウム配線308,308′を形成し完全に
平坦な2層アルミニウム配線が形成される。
【0014】上記の工程により形成した2層アルミニウ
ム配線構造体は、上層アルミニウム配線の断線,短絡は
全くなく良好な歩留りが得られた。また、亀裂の発生も
全く認められなかった。
ム配線構造体は、上層アルミニウム配線の断線,短絡は
全くなく良好な歩留りが得られた。また、亀裂の発生も
全く認められなかった。
【0015】本実施例では、配線材料として、アルミニ
ウムを用いているが、これは、ポリシリコン,アルミニ
ウム合金,金,タングステン,モリブデン,チタン合金
のうちの少なくとも1つから成る配線であっても良い。
ウムを用いているが、これは、ポリシリコン,アルミニ
ウム合金,金,タングステン,モリブデン,チタン合金
のうちの少なくとも1つから成る配線であっても良い。
【0016】また、フォトレジスト膜を灰化した後に形
成するフッ素含有シリコン酸化膜の替りに、他の方法で
形成した絶縁膜を用いることもできる。さらに、フォト
レジスト膜を残さずに、全面に、フッ素含有シリコン酸
化膜を形成し、層間絶縁膜に用いることも可能である。
成するフッ素含有シリコン酸化膜の替りに、他の方法で
形成した絶縁膜を用いることもできる。さらに、フォト
レジスト膜を残さずに、全面に、フッ素含有シリコン酸
化膜を形成し、層間絶縁膜に用いることも可能である。
【0017】本実施例では、多層配線層間膜への適用に
ついて述べているが、選択的にシリコン酸化膜を形成す
る方法として、他の用途への適用も可能である。
ついて述べているが、選択的にシリコン酸化膜を形成す
る方法として、他の用途への適用も可能である。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明はアルコキシ
フルオロシランを主成分とする蒸気を用いることによっ
て、200℃以下の低温、特に、室温でもシリコン酸化
膜が形成できるという大きな利点を有している。本発明
に基づいて形成したシリコン酸化膜の膜特性は、従来の
方法で形成したものに比べて良好であり、半導体装置に
用いる絶縁膜として実用が可能であるという利点を有し
ている。
フルオロシランを主成分とする蒸気を用いることによっ
て、200℃以下の低温、特に、室温でもシリコン酸化
膜が形成できるという大きな利点を有している。本発明
に基づいて形成したシリコン酸化膜の膜特性は、従来の
方法で形成したものに比べて良好であり、半導体装置に
用いる絶縁膜として実用が可能であるという利点を有し
ている。
【0019】さらに本発明は、150℃以下の温度でシ
リコン酸化膜を形成できることから、フォトレジスト膜
等の有機膜をマスクとして用いて、選択的にシリコン酸
化膜が形成できるという大きな利点を有しており、半導
体装置の製造過程で発生する表面の凹凸を容易に平坦化
できるという利点も併せ持つようになる。
リコン酸化膜を形成できることから、フォトレジスト膜
等の有機膜をマスクとして用いて、選択的にシリコン酸
化膜が形成できるという大きな利点を有しており、半導
体装置の製造過程で発生する表面の凹凸を容易に平坦化
できるという利点も併せ持つようになる。
【0020】したがって本発明は、半導体装置の製造に
多大な効果をもたらす。さらに、他の電子デバイスへの
適用も充分可能である。
多大な効果をもたらす。さらに、他の電子デバイスへの
適用も充分可能である。
【図1】本発明で用いたシリコン酸化膜の形成装置の概
略図である。
略図である。
【図2】本発明の効果を示すための図であり、赤外吸収
スペクトルを示すものである。
スペクトルを示すものである。
【図3】本発明の第2の実施例の製造方法を示す工程断
面図である。
面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 アルコキシフルオロシラン(化学式Fn
−Si(OR)4-n,R:アルキル基,n:1〜3の整
数)を主成分とする蒸気を用いて一定の温度を有する反
応室内で、かつ200℃以下の温度で形成せしめたこと
を特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項2】 基板が載置された反応室内に第1のキャ
リアガスによりアルコキシフルオロシランを導入する工
程と、前記反応室内に第2のキャリアガスにより水を導
入する工程と、前記反応室内を一定の圧力に保持する工
程とにより前記基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を形
成するフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項3】 前記アルコキシフルオロシランは、トリ
エトキシフルオロシランであることを特徴とする請求項
1又は2記載のフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項4】 前記第1及び第2のキャリアガスは、と
もに窒素ガスであることを特徴とする請求項2記載のフ
ッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項5】 前記基板の基板温度を一定に保つ工程を
さらに有することを特徴とする請求項2又は4記載のフ
ッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項6】 基板が載置される反応室と、アルコキシ
フルオロシランを含む第1の気体を発生させる第1のバ
ブラーと、水を含む第2の気体を発生させる第2のバブ
ラーと、前記第1の気体を前記反応室内に導入する第1
の輸送管と、前記第2の気体を前記反応室内に導入する
第2の輸送管と含む装置を用い、前記反応室内に載置さ
れた基板を加熱する工程と、前記第1の輸送管を加熱す
る工程と、前記第2の輸送管を加熱する工程と、加熱さ
れた前記第1の輸送管を通じて前記第1の気体を前記反
応室内に導入する工程と、加熱された前記第2の輸送管
を通じて前記第2の気体を前記反応室内に導入する工程
とにより、前記基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を形
成するフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項7】 基板上に形成された導電膜をフォトレジ
ストを用いてパターニングする第1の工程と、アルコキ
シフルオロシランを主成分とする蒸気を 用いて前記基板
上の前記フォトレジストのない部分に選択的にフッ素含
有シリコン酸化膜を形成する第2の工程と、前記フォト
レジストを除去する第3の工程とを有するフッ素含有シ
リコン酸化膜の形成方法。 - 【請求項8】 前記第2の工程は、一定の温度を有する
反応室内で、かつ150℃以下の温度で行われることを
特徴とする請求項7記載のフッ素含有シリコン酸化膜の
形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006312A JP2697315B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 |
US07/820,254 US5215787A (en) | 1991-01-23 | 1992-01-14 | Method of forming silicon oxide film containing fluorine |
DE69224924T DE69224924T2 (de) | 1991-01-23 | 1992-01-17 | Verfahren zur Ablagerung von Fluor-enthaltenden Silizium-Dioxid-Schichten |
EP92300422A EP0496543B1 (en) | 1991-01-23 | 1992-01-17 | Method of forming silicon oxide film containing fluorine |
KR1019920000782A KR960000376B1 (ko) | 1991-01-23 | 1992-01-21 | 플루오르를 함유한 실리콘 산화막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3006312A JP2697315B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04239750A JPH04239750A (ja) | 1992-08-27 |
JP2697315B2 true JP2697315B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=11634856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3006312A Expired - Fee Related JP2697315B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5215787A (ja) |
EP (1) | EP0496543B1 (ja) |
JP (1) | JP2697315B2 (ja) |
KR (1) | KR960000376B1 (ja) |
DE (1) | DE69224924T2 (ja) |
Families Citing this family (201)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960006961B1 (ko) * | 1991-09-13 | 1996-05-25 | 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤 | 반도체 디바이스의 배선 구조 및 절연막 형성방법과 이것의 표면 보호막 형성 방법 |
JPH05226480A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
EP0562625B1 (en) * | 1992-03-27 | 1997-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A semiconductor device and process |
JP2773530B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2792335B2 (ja) * | 1992-05-27 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3688726B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5753564A (en) * | 1992-11-24 | 1998-05-19 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma |
KR0131439B1 (ko) * | 1992-11-24 | 1998-04-14 | 나카무라 타메아키 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
JP3152788B2 (ja) * | 1993-03-29 | 2001-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06326026A (ja) | 1993-04-13 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 半導体装置の薄膜形成方法 |
JP2570997B2 (ja) * | 1993-11-30 | 1997-01-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の多層配線構造及び半導体装置の製造方法 |
JPH07169833A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2600600B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US5563105A (en) * | 1994-09-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element |
US5492736A (en) * | 1994-11-28 | 1996-02-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fluorine doped silicon oxide process |
JPH08167601A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5571576A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Watkins-Johnson | Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition |
JPH09116011A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3979687B2 (ja) | 1995-10-26 | 2007-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法 |
US5643640A (en) * | 1995-11-27 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Fluorine doped plasma enhanced phospho-silicate glass, and process |
US7763327B2 (en) * | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
US6157083A (en) * | 1996-06-03 | 2000-12-05 | Nec Corporation | Fluorine doping concentrations in a multi-structure semiconductor device |
US5807785A (en) * | 1996-08-02 | 1998-09-15 | Applied Materials, Inc. | Low dielectric constant silicon dioxide sandwich layer |
US5661093A (en) * | 1996-09-12 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers |
US5763021A (en) * | 1996-12-13 | 1998-06-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of forming a dielectric film |
US5872065A (en) * | 1997-04-02 | 1999-02-16 | Applied Materials Inc. | Method for depositing low K SI-O-F films using SIF4 /oxygen chemistry |
US6551857B2 (en) | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
US6077764A (en) | 1997-04-21 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Process for depositing high deposition rate halogen-doped silicon oxide layer |
US6077786A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | International Business Machines Corporation | Methods and apparatus for filling high aspect ratio structures with silicate glass |
JP3178375B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
US5937323A (en) * | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
US6136685A (en) * | 1997-06-03 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate recipe for low dielectric constant films |
US6451686B1 (en) | 1997-09-04 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Control of semiconductor device isolation properties through incorporation of fluorine in peteos films |
US6121164A (en) * | 1997-10-24 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Method for forming low compressive stress fluorinated ozone/TEOS oxide film |
TW437017B (en) * | 1998-02-05 | 2001-05-28 | Asm Japan Kk | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof |
US6335288B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
JP2004172389A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7081414B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill |
US7205240B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD multistep gapfill process |
US7229931B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-06-12 | Applied Materials, Inc. | Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill |
US7087536B2 (en) * | 2004-09-01 | 2006-08-08 | Applied Materials | Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors |
US20060154494A1 (en) * | 2005-01-08 | 2006-07-13 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | High-throughput HDP-CVD processes for advanced gapfill applications |
US7329586B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-02-12 | Applied Materials, Inc. | Gapfill using deposition-etch sequence |
GB2429841A (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | Ngimat Co | Selective area deposition and devices formed therefrom |
US7524750B2 (en) | 2006-04-17 | 2009-04-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD |
US20080142483A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills |
US7939422B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
JP5826698B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2015-12-02 | 株式会社アルバック | Ni膜の形成方法 |
US8497211B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-07-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation for PSG gapfill |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
JP6663400B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2020-03-11 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4300989A (en) * | 1979-10-03 | 1981-11-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fluorine enhanced plasma growth of native layers on silicon |
EP0171605B1 (en) * | 1984-07-11 | 1990-02-14 | Hitachi, Ltd. | Method of forming an insulating film on a semiconductor body |
KR870000750A (ko) * | 1985-06-14 | 1987-02-20 | 이마드 마하윌리 | 이산화실리콘 필름을 화학적으로 증기피복하는 방법 |
JPH0657611B2 (ja) * | 1987-05-19 | 1994-08-03 | 工業技術院長 | 石英ガラス薄膜の製造方法 |
DE3937723A1 (de) * | 1989-11-13 | 1991-05-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer silikatschicht in einer integrierten schaltung |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3006312A patent/JP2697315B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-14 US US07/820,254 patent/US5215787A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-17 EP EP92300422A patent/EP0496543B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-17 DE DE69224924T patent/DE69224924T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-21 KR KR1019920000782A patent/KR960000376B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE International Electron Devices Meetings (1991)p.289−292 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69224924T2 (de) | 1998-09-24 |
EP0496543B1 (en) | 1998-04-01 |
EP0496543A2 (en) | 1992-07-29 |
EP0496543A3 (en) | 1993-10-27 |
JPH04239750A (ja) | 1992-08-27 |
KR920015484A (ko) | 1992-08-27 |
KR960000376B1 (ko) | 1996-01-05 |
US5215787A (en) | 1993-06-01 |
DE69224924D1 (de) | 1998-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2697315B2 (ja) | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 | |
JP2699695B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
US7488693B2 (en) | Method for producing silicon oxide film | |
KR100372216B1 (ko) | O.5 및 0.5 미크론 이하의 ulsi 회로용 인터레벨 유전체소자로서의수소실세큐옥산계유동가능한산화물 | |
US5334552A (en) | Method for fabricating a semiconductor device having a multi-layered interconnection structure | |
JP3828540B2 (ja) | 低誘電常数薄膜の製造方法及び水素化されたシリコンオキシカーバイド(SiCO:H)薄膜 | |
JPH08153784A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3178375B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
KR100817350B1 (ko) | 규소 탄화물 박막의 이중 플라즈마 처리 | |
JPH098032A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
JP3463416B2 (ja) | 絶縁膜の製造方法および半導体装置 | |
JP3173426B2 (ja) | シリカ絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH03286531A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
EP0788148A1 (en) | Method of producing semiconductor device | |
WO2000054328A1 (fr) | Systeme de fabrication de dispositif semi-conducteur | |
JP3485425B2 (ja) | 低誘電率絶縁膜の形成方法及びこの膜を用いた半導体装置 | |
JP3396791B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JPH07161705A (ja) | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 | |
US6432839B2 (en) | Film forming method and manufacturing method of semiconductor device | |
JP3371188B2 (ja) | 絶縁膜の成膜方法 | |
JPH11111712A (ja) | 低誘電率絶縁膜とその形成方法及びこの膜を用いた半導体装置 | |
JPH11233500A (ja) | 絶縁膜の形成方法及びそれを用いた半導体装置と半導体装置製造方法 | |
JPH08115976A (ja) | 低誘電体膜の形成方法 | |
JP2856307B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP2007096237A (ja) | Si含有膜及びその製造方法等 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970819 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |