JPS6318076A - 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 - Google Patents
化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置Info
- Publication number
- JPS6318076A JPS6318076A JP16197786A JP16197786A JPS6318076A JP S6318076 A JPS6318076 A JP S6318076A JP 16197786 A JP16197786 A JP 16197786A JP 16197786 A JP16197786 A JP 16197786A JP S6318076 A JPS6318076 A JP S6318076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubbling
- tank
- gas
- pipe
- tanks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学気相蒸着設備における処理用ガス（８１Ｃ
４含有ガス）の供給装置に関する。
４含有ガス）の供給装置に関する。
電磁鋼板として高珪素鋼板が用いられている。この種の
鋼板はＳｌの含有量が増すほど鉄損が低減され、８１：
６．５ｑＩｂでは、磁歪が０となり、最大透磁率もピー
クとなる等最も優れた磁気特性を呈することが知られて
いる。
鋼板はＳｌの含有量が増すほど鉄損が低減され、８１：
６．５ｑＩｂでは、磁歪が０となり、最大透磁率もピー
クとなる等最も優れた磁気特性を呈することが知られて
いる。
従来、高珪素鋼板を製造する方法として、圧延法、直接
鋳造法及び参珪法があるが、このうち圧延法は８ｉ含有
量４９６１！度までは製造可能であるが、それ以上のｓ
ｌ含有量では加工性が著しく悪くなるため冷間加工は不
可能となる。また直接鋳造法、所謂ストリップキャステ
ィングは圧延法のような加工性の問題は生じないが、Ｓ
ｌが４．５ｓ程度以上となると得られるス） ＩＪツブ
が形状不良を起し易く、このため６．５％Ｓｉというよ
うな高珪素鋼板の製造は困難である。
鋳造法及び参珪法があるが、このうち圧延法は８ｉ含有
量４９６１！度までは製造可能であるが、それ以上のｓ
ｌ含有量では加工性が著しく悪くなるため冷間加工は不
可能となる。また直接鋳造法、所謂ストリップキャステ
ィングは圧延法のような加工性の問題は生じないが、Ｓ
ｌが４．５ｓ程度以上となると得られるス） ＩＪツブ
が形状不良を起し易く、このため６．５％Ｓｉというよ
うな高珪素鋼板の製造は困難である。
これに対し、滲珪法は低珪素鋼を溶製して圧延により薄
板とした後、表面から８１を浸透させることにより高珪
素鋼板を製造するもので、これによれば加工性や形状不
良の問題を生じることなく高珪素鋼板を得ることができ
る。
板とした後、表面から８１を浸透させることにより高珪
素鋼板を製造するもので、これによれば加工性や形状不
良の問題を生じることなく高珪素鋼板を得ることができ
る。
この滲珪法では、鋼板をＳｉＣｌ４を含む無酸化性ガス
雰囲気中で化学気相蒸着（以下、ＣｖＤと称す）処理し
、次いで無酸化性ガス雰囲気中で拡散熱処理を施し、鋼
材表層に蒸着したｓｉを鋼板内部に均一に拡散させると
いう処理がなされるが、従来これらの処理はいずれもバ
ッチ方式の密閉炉を利用して行われていた。
雰囲気中で化学気相蒸着（以下、ＣｖＤと称す）処理し
、次いで無酸化性ガス雰囲気中で拡散熱処理を施し、鋼
材表層に蒸着したｓｉを鋼板内部に均一に拡散させると
いう処理がなされるが、従来これらの処理はいずれもバ
ッチ方式の密閉炉を利用して行われていた。
しかし、このようなバッチ方式による滲珪処理は、生産
性が非常に悪いという根本的な問題があり、このため本
発明者等は滲珪処理の連続プロセス化についての検討を
進めている。このような連続プロセスによる処理は、加
熱処理帯、滲珪処理帯、拡散処理帯及び冷却帯を入側か
ら順に備えた連続ラインにより鋼材を加熱−ｃｖｎ処理
−拡散熱処理−冷却するもので、本発明者等が検討した
ところではＣＶＤ処理及び拡散処理を特定の条件で行う
ことにより、短時間での処理が可能であり、仁の種の処
理を連続ラインで行うことが可能となる。
性が非常に悪いという根本的な問題があり、このため本
発明者等は滲珪処理の連続プロセス化についての検討を
進めている。このような連続プロセスによる処理は、加
熱処理帯、滲珪処理帯、拡散処理帯及び冷却帯を入側か
ら順に備えた連続ラインにより鋼材を加熱−ｃｖｎ処理
−拡散熱処理−冷却するもので、本発明者等が検討した
ところではＣＶＤ処理及び拡散処理を特定の条件で行う
ことにより、短時間での処理が可能であり、仁の種の処
理を連続ラインで行うことが可能となる。
しかし、このような連続式滲珪処理では、処理条件自体
の問題とは別に次のような問題がある。すなわち、ＣＶ
Ｄ処理はキャリアガスとｓ ｔ ｃｔ、とからなる処理
用ガスを鋼材と接触させ、銅帯表置にＳｉＣｌ４を蒸着
させるもので、上記処理用ガスは、バブリングタンク内
に入れられた液体５ｔｃ４中にキャリアガスを吹込み、
該キャリアガスをＳｉＣｌ４で飽和蒸気圧状態にして取
り出すことにより得られる。
の問題とは別に次のような問題がある。すなわち、ＣＶ
Ｄ処理はキャリアガスとｓ ｔ ｃｔ、とからなる処理
用ガスを鋼材と接触させ、銅帯表置にＳｉＣｌ４を蒸着
させるもので、上記処理用ガスは、バブリングタンク内
に入れられた液体５ｔｃ４中にキャリアガスを吹込み、
該キャリアガスをＳｉＣｌ４で飽和蒸気圧状態にして取
り出すことにより得られる。
第３図は各温度における蒸気圧と８ＩＣ４濃度との関係
を示しており、ＳｉＣｌ４含有ガスは所望の８１Ｃ１，
濃度に応じた飽和蒸気圧状態にして取り出される。しか
し連続式滲珪処理プロセスでは大量の処理ガスを必要と
するためバブリングタンク内の液量の変化が激しく、こ
のため処理用ガス中の５ｔｃｚ、濃度が不安定となると
いう大きな問題がある。また、バブリング中タンク内に
液体５ｉｃ４を補給する必要があるため、補給装置が複
雑で且つその操作が難しく、長時間の安定操業が困難と
なる。
を示しており、ＳｉＣｌ４含有ガスは所望の８１Ｃ１，
濃度に応じた飽和蒸気圧状態にして取り出される。しか
し連続式滲珪処理プロセスでは大量の処理ガスを必要と
するためバブリングタンク内の液量の変化が激しく、こ
のため処理用ガス中の５ｔｃｚ、濃度が不安定となると
いう大きな問題がある。また、バブリング中タンク内に
液体５ｉｃ４を補給する必要があるため、補給装置が複
雑で且つその操作が難しく、長時間の安定操業が困難と
なる。
本発明はこのような従来の問題に鑑みなされたもので、
５ｔｃｚａを含む処理用ガスを連続滲珪処理ラインに安
定して供給することができる装置の提供をその目的とす
る・ 〔問題を解決するための手段〕 このため本発明は、バブリングタンク内に入れられた液
体ＳｉＣｌ４中にキャリアガスを吹込み、該キャリアガ
スを５ＩＣ４で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにし
たｃｖｎ処理設備における処理用ガス供給装置において
、複数個のバブリングタンクと、ガス供給管と、該ガス
供給管から各バブリングタンク内に延出するバブリング
管及び８１Ｃ４含有ガス取出管と、各バブリングタンク
に液体５ｉｃ４を補給するためのｓ ｉ ０４導入管と
、各バブリングタンクに対応したバブリング管接続位置
とｓ ｔ ｃｔ、含有ガス取出管接続位置との間のガス
供給管部位に設けられる遮断弁と、各バブリングタンク
のバブリング管、 ５ｔｃｚ番含有ガス取出管及びＳｉ
Ｃｌ４導入管にそれぞれ設けられる遮断弁とからなるこ
とをその基本的特徴とする。
５ｔｃｚａを含む処理用ガスを連続滲珪処理ラインに安
定して供給することができる装置の提供をその目的とす
る・ 〔問題を解決するための手段〕 このため本発明は、バブリングタンク内に入れられた液
体ＳｉＣｌ４中にキャリアガスを吹込み、該キャリアガ
スを５ＩＣ４で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにし
たｃｖｎ処理設備における処理用ガス供給装置において
、複数個のバブリングタンクと、ガス供給管と、該ガス
供給管から各バブリングタンク内に延出するバブリング
管及び８１Ｃ４含有ガス取出管と、各バブリングタンク
に液体５ｉｃ４を補給するためのｓ ｉ ０４導入管と
、各バブリングタンクに対応したバブリング管接続位置
とｓ ｔ ｃｔ、含有ガス取出管接続位置との間のガス
供給管部位に設けられる遮断弁と、各バブリングタンク
のバブリング管、 ５ｔｃｚ番含有ガス取出管及びＳｉ
Ｃｌ４導入管にそれぞれ設けられる遮断弁とからなるこ
とをその基本的特徴とする。
本発明装置では、複数のバブリングタンクにキャリアガ
スを次々と通してバブリングすることにより安定したＳ
ｉＣｌ４濃度を有する処理ガスを得ることができる。す
なわち、ガス供給管の各遮断弁を閉じることにより、キ
ャリアガスは複数のバブリングタンクを順番に経由して
各タンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス中
の５ｔｃ４を安定した精度で飽和蒸気圧にすることがで
きる。また本発明の装置では、遮断弁の１つを開放する
ことによってガスがバブリングタンクの１つを常にバイ
パスするようにし、このガスがバイパスしたタンクに液
体ＳｉＣｌ４を補給する。
スを次々と通してバブリングすることにより安定したＳ
ｉＣｌ４濃度を有する処理ガスを得ることができる。す
なわち、ガス供給管の各遮断弁を閉じることにより、キ
ャリアガスは複数のバブリングタンクを順番に経由して
各タンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス中
の５ｔｃ４を安定した精度で飽和蒸気圧にすることがで
きる。また本発明の装置では、遮断弁の１つを開放する
ことによってガスがバブリングタンクの１つを常にバイ
パスするようにし、このガスがバイパスしたタンクに液
体ＳｉＣｌ４を補給する。
そして、このようにガスをバイパスさせるタンクを順次
切換えて操業を行う、これにより、液体ＳｉＣｌ４を常
に安定的に補給して各タンク内の液量の変化を最小に抑
えることができ、安定したＳｉＣ，！４濃度のガス供給
が可能となる。
切換えて操業を行う、これにより、液体ＳｉＣｌ４を常
に安定的に補給して各タンク内の液量の変化を最小に抑
えることができ、安定したＳｉＣ，！４濃度のガス供給
が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
本発明の装置は、複数個のバブリングタンク（Ａ）〜（
Ｄ）と、ガス供給管（１）と、このガス供給管から各バ
ブリングタンクに延出するバブリング管（２）及びｓ
ｔ ｃｔ、含有ガス取出管（３）と、各バブリングタン
クに液体ｓ ｔ ｃｔ番を補給するためのＳｉＣｌ４導
入管（４）と、各バブリングタンクに対応したガス供給
管部位に設けられる遮断弁（５）と、各バブリングタン
クのバブリング管、ＳｉＣｌ４含有ガス取出管及び５ｔ
ｃｚ４導入管にそれぞれ設けられる遮断弁（６） （７
）及び（８）とからなっている。
Ｄ）と、ガス供給管（１）と、このガス供給管から各バ
ブリングタンクに延出するバブリング管（２）及びｓ
ｔ ｃｔ、含有ガス取出管（３）と、各バブリングタン
クに液体ｓ ｔ ｃｔ番を補給するためのＳｉＣｌ４導
入管（４）と、各バブリングタンクに対応したガス供給
管部位に設けられる遮断弁（５）と、各バブリングタン
クのバブリング管、ＳｉＣｌ４含有ガス取出管及び５ｔ
ｃｚ４導入管にそれぞれ設けられる遮断弁（６） （７
）及び（８）とからなっている。
前記バブリングタンク（Ａ）〜（Ｄ）は連続的に配置さ
れ、これらに沿ってガス供給管（１）が配設されている
。
れ、これらに沿ってガス供給管（１）が配設されている
。
前記各バブリング管（２）は、各バブリングタンク（Ａ
）〜（Ｄ）内の底部方向に挿入され、液体５ｉｃ４中に
キャリアガスを放出するよう構成されている。一方ｓ
８３Ｃ４含有ガス取出管（３）はその端部がタンク内
上部に位置している。
）〜（Ｄ）内の底部方向に挿入され、液体５ｉｃ４中に
キャリアガスを放出するよう構成されている。一方ｓ
８３Ｃ４含有ガス取出管（３）はその端部がタンク内
上部に位置している。
前記遮断弁（５）は、各バブリングタンクに対応したバ
ブリング管接続位置とＳｉＣｌｊ４含有ガス取出管接続
位置との間のガス供給管部位に設けられる。
ブリング管接続位置とＳｉＣｌｊ４含有ガス取出管接続
位置との間のガス供給管部位に設けられる。
次に、以上のような装置による操業例を説明する。
本発明の装置は、基本的には、キャリアガスを複数のバ
ブリングタンクを順次経由させることにより処理ガスの
ＳｉＣ４濃度を安定して得さしめるようにするものであ
るが、さらに具体的には、ガスがバブリングタンクの１
つを常にバイパスするように流してこのバイパスタンク
に液体５ｉｃｋ、を補給し、且つこのバイパスタンクを
順次切換えるようにして操業を行う。これを第２図に基
づいて説明すると、まず第２図ピ月こ示すようにバブリ
ングタンクＣＢ）をガスのバイパスタンクとし、バブリ
ングを行う、このためバブリングタンク（Ａ）、（Ｃ）
、（Ｄ） と対応するガス供給管（１）の遮断弁（５
）を閉とするとともに、これら各タンクのバブリング管
（２）及びｓ ｔ ｃｔ、含有ガス取出管（３）の各遮
断弁（６） （７）を開とし、一方パブリングタンク（
Ｂ）については遮断弁（５）を開とし、遮断弁（６）（
７）を閉とする。
ブリングタンクを順次経由させることにより処理ガスの
ＳｉＣ４濃度を安定して得さしめるようにするものであ
るが、さらに具体的には、ガスがバブリングタンクの１
つを常にバイパスするように流してこのバイパスタンク
に液体５ｉｃｋ、を補給し、且つこのバイパスタンクを
順次切換えるようにして操業を行う。これを第２図に基
づいて説明すると、まず第２図ピ月こ示すようにバブリ
ングタンクＣＢ）をガスのバイパスタンクとし、バブリ
ングを行う、このためバブリングタンク（Ａ）、（Ｃ）
、（Ｄ） と対応するガス供給管（１）の遮断弁（５
）を閉とするとともに、これら各タンクのバブリング管
（２）及びｓ ｔ ｃｔ、含有ガス取出管（３）の各遮
断弁（６） （７）を開とし、一方パブリングタンク（
Ｂ）については遮断弁（５）を開とし、遮断弁（６）（
７）を閉とする。
これによるバブリングでは、キャリアガスはバブリング
タンク（Ｂ）をバイパスしつつ、タンク（Ａ）→タンク
（Ｃ）→タンク（Ｄ）に順次供給され、これによりＳｉ
Ｃｌｔ、の安定した飽和蒸気圧状態が得られる。そして
、バブリングタンク（Ｂ）にはＳ ｉ Ｃ１４導入管（
４）から液の補給がなされる。
タンク（Ｂ）をバイパスしつつ、タンク（Ａ）→タンク
（Ｃ）→タンク（Ｄ）に順次供給され、これによりＳｉ
Ｃｌｔ、の安定した飽和蒸気圧状態が得られる。そして
、バブリングタンク（Ｂ）にはＳ ｉ Ｃ１４導入管（
４）から液の補給がなされる。
バブリングタンク（Ｂ）への液の補給か完了した時点で
、バイパスタンクがバブリングタンク（Ｃ）に切換えら
れ、キャリアガスはタンク（Ａ）→タンクＣＢ）−タン
ク（Ｄ）に順次供給され、バブリングタンク（Ｃ）に液
の補給がなされる。このようにバイパスタンクを順次切
換えることにより、パブリンクタンク内の液量の変動を
最小限に抑えた操業が行われ、この結果複数のバブリン
グタンクで連続的にバブリングを行うことと相俟って、
処理ガス中のＳｉＣ４濃度を安定して得ることができる
。
、バイパスタンクがバブリングタンク（Ｃ）に切換えら
れ、キャリアガスはタンク（Ａ）→タンクＣＢ）−タン
ク（Ｄ）に順次供給され、バブリングタンク（Ｃ）に液
の補給がなされる。このようにバイパスタンクを順次切
換えることにより、パブリンクタンク内の液量の変動を
最小限に抑えた操業が行われ、この結果複数のバブリン
グタンクで連続的にバブリングを行うことと相俟って、
処理ガス中のＳｉＣ４濃度を安定して得ることができる
。
以上述べた本発明によれば、キャリアガスを複数のバブ
リングタンクで連続的にバブリング処理し、しかもバブ
リングタンクの液量変動を最小限に抑えた操業を行うこ
とができるため、飽和蒸気圧のＳｉＣｌ４含有ガスを安
定して供給することができる効果がある。
リングタンクで連続的にバブリング処理し、しかもバブ
リングタンクの液量変動を最小限に抑えた操業を行うこ
とができるため、飽和蒸気圧のＳｉＣｌ４含有ガスを安
定して供給することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図である。第２図
（イ）及び（ｑは本発明装置による操業例を示す説明図
である。第３図は各温度における蒸気圧とＳｉＣｌ１４
濃度との関係を示すものである。 図において、（１）はガス供給管、（２）はバブリング
管、（３）はＳ ｉ ＣＬ４含有ガス取出管、（４）は
ＳｉＣｌｔ番導入管、（５）、（６）、（７）、（８）
は遮断弁、（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、ＣＤ）
はバブリングタンクを各示す・
（イ）及び（ｑは本発明装置による操業例を示す説明図
である。第３図は各温度における蒸気圧とＳｉＣｌ１４
濃度との関係を示すものである。 図において、（１）はガス供給管、（２）はバブリング
管、（３）はＳ ｉ ＣＬ４含有ガス取出管、（４）は
ＳｉＣｌｔ番導入管、（５）、（６）、（７）、（８）
は遮断弁、（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、ＣＤ）
はバブリングタンクを各示す・
Claims (1)
- バブリングタンクを備え、該バブリングタンク内に入れ
られた液体ＳｉＣｌ＿４中にキャリアガスを吹込み、該
キャリアガスをＳｉＣｌ＿４で飽和蒸気圧状態にして取
り出すようにした化学気相蒸着処理設備における処理用
ガス供給装置において、複数個のバブリングタンクと、
ガス供給管と、該ガス供給管から各バブリングタンク内
に延出するバブリング管及びＳｉＣｌ＿４含有ガス取出
管と、各バブリングタンクに液体ＳｉＣｌ＿４を補給す
るためのＳｉＣｌ＿４導入管と、各バブリングタンクに
対応したバブリング管接続位置とＳｉＣｌ＿４含有ガス
取出管接続位置との間のガス供給管部位に設けられる遮
断弁と、各バブリングタンクのバブリング管、ＳｉＣｌ
＿４含有ガス取出管及びＳｉＣｌ＿４導入管にそれぞれ
設けられる遮断弁とからなることを特徴とする化学気相
蒸着処理設備における処理用ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16197786A JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16197786A JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318076A true JPS6318076A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0791649B2 JPH0791649B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=15745679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16197786A Expired - Lifetime JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791649B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02259074A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Anelva Corp | Ｃｖｄ方法および装置 |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| JP2017139317A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
| JP2021072446A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | セメス カンパニー，リミテッド | 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16197786A patent/JPH0791649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02259074A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Anelva Corp | Ｃｖｄ方法および装置 |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| JP2017139317A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
| US10651056B2 (en) | 2016-02-03 | 2020-05-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Treating liquid vaporizing apparatus |
| JP2021072446A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | セメス カンパニー，リミテッド | 薬液供給装置、薬液のパーティクル除去方法、ノズルユニット、及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0791649B2 (ja) | 1995-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3722944C2 (de) | Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung und ihre Verwendung | |
| JP3024449B2 (ja) | 縦型熱処理炉及び熱処理方法 | |
| TW308706B (ja) | ||
| US3785862A (en) | Method for depositing refractory metals | |
| DE1621390B2 (de) | Verfahren zum abscheiden isolierender duennschichten | |
| JP3433452B2 (ja) | フェライト系ステンレス鋼管の内面酸化処理方法 | |
| JPS6318076A (ja) | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 | |
| JPS57158370A (en) | Formation of metallic thin film | |
| JPH09148259A (ja) | 横型反応装置 | |
| JP2000265272A5 (ja) | ||
| US3128154A (en) | Process for producing crystalline silicon over a substrate and removal therefrom | |
| JPH03106562A (ja) | 連続式真空ろう付炉 | |
| JPS61118912A (ja) | 超伝導繊維束の製造方法 | |
| DE2723500C2 (de) | Verfahren zum Abscheiden von Siliziumdioxydschichten auf Halbleiteranordnungen | |
| JPS5837977B2 (ja) | 開管式アルミニウム拡散法 | |
| DE2723501C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Siliziumnitridschichten auf Halbleiteranordnungen | |
| KR0128025B1 (ko) | 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치 | |
| JPH03185821A (ja) | 半導体処理方法およびそれに使用する処理装置 | |
| JPS59105316A (ja) | 気相拡散方法 | |
| CN1321786A (zh) | 一种痕量级高纯硅铁的生产工艺 | |
| JPH0955385A (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
| JPH0647716B2 (ja) | 鋼帯の連続式滲珪処理設備における排ガスの処理設備 | |
| JPS61150323A (ja) | 半導体材料の製造方法 | |
| DE1621390C (de) | Verfahren zum Abscheiden isolierender Dunnschichten | |
| AT276488B (de) | Verfahren zum Abscheiden einer Dünnschicht |