JPH0791649B2 - 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 - Google Patents
化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置Info
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- JPH0791649B2 JPH0791649B2 JP16197786A JP16197786A JPH0791649B2 JP H0791649 B2 JPH0791649 B2 JP H0791649B2 JP 16197786 A JP16197786 A JP 16197786A JP 16197786 A JP16197786 A JP 16197786A JP H0791649 B2 JPH0791649 B2 JP H0791649B2
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- sicl
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- tank
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化学気相蒸着設備における処理用ガス（SiCl4
含有ガス）の供給装置に関する。
含有ガス）の供給装置に関する。
電磁鋼板として高珪素鋼板が用いられている。この種の
鋼板はSiの含有量が増すほど鉄損が低減され、Si:6.5％
では、磁歪が０となり、最大透磁率もピークとなる等最
も優れた磁気特性を呈することが知られている。
鋼板はSiの含有量が増すほど鉄損が低減され、Si:6.5％
では、磁歪が０となり、最大透磁率もピークとなる等最
も優れた磁気特性を呈することが知られている。
従来、高珪素鋼板を製造する方法として、圧延法、直接
鋳造法及び滲珪法があるが、このうち圧延法はSi含有量
４％程度までは製造可能であるが、それ以上のSi含有量
では加工性が著しく悪くなるため冷間加工は不可能とな
る。また直接鋳造法、所謂ストリツプキヤステイングは
圧延法のような加工性の問題は生じないが、Siが4.5％
程度以上となると得られるストリツプが形状不良を起し
易く、このため6.5％Siというような高珪素鋼板の製造
は困難である。
鋳造法及び滲珪法があるが、このうち圧延法はSi含有量
４％程度までは製造可能であるが、それ以上のSi含有量
では加工性が著しく悪くなるため冷間加工は不可能とな
る。また直接鋳造法、所謂ストリツプキヤステイングは
圧延法のような加工性の問題は生じないが、Siが4.5％
程度以上となると得られるストリツプが形状不良を起し
易く、このため6.5％Siというような高珪素鋼板の製造
は困難である。
これに対し、滲珪法は低珪素鋼を溶製して圧延により薄
板とした後、表面からSiを浸透させることにより高珪素
鋼板を製造するもので、これによれば加工性や形状不良
の問題を生じることなく高珪素鋼板を得ることができ
る。
板とした後、表面からSiを浸透させることにより高珪素
鋼板を製造するもので、これによれば加工性や形状不良
の問題を生じることなく高珪素鋼板を得ることができ
る。
この滲珪法では、鋼板をSiCl4を含む無酸化性ガス雰囲
気中で化学気相蒸着（以下、CVDと称す）処理し、次い
で無酸化性ガス雰囲気中で拡散熱処理を施し、鋼材表層
に蒸着したSiを鋼板内部に均一に拡散させるという処理
がなされるが、従来これらの処理はいずれもバツチ方式
の密閉炉を利用して行われていた。
気中で化学気相蒸着（以下、CVDと称す）処理し、次い
で無酸化性ガス雰囲気中で拡散熱処理を施し、鋼材表層
に蒸着したSiを鋼板内部に均一に拡散させるという処理
がなされるが、従来これらの処理はいずれもバツチ方式
の密閉炉を利用して行われていた。
しかし、このようなバツチ方式による滲珪処理は、生産
性が非常に悪いという根本的な問題があり、このため本
発明者等は滲珪処理の連続プロセス化についての検討を
進めている。このような連続プロセスによる処理は、加
熱処理帯、滲珪処理帯、拡散処理帯及び冷却帯を入側か
ら順に備えた連続ラインにより鋼材を加熱−CVD処理−
拡散熱処理−冷却するもので、本発明者等が検討したと
ころではCVD処理及び拡散処理を特定の条件で行うこと
により、短時間での処理が可能であり、この種の処理を
連続ラインで行うことが可能となる。
性が非常に悪いという根本的な問題があり、このため本
発明者等は滲珪処理の連続プロセス化についての検討を
進めている。このような連続プロセスによる処理は、加
熱処理帯、滲珪処理帯、拡散処理帯及び冷却帯を入側か
ら順に備えた連続ラインにより鋼材を加熱−CVD処理−
拡散熱処理−冷却するもので、本発明者等が検討したと
ころではCVD処理及び拡散処理を特定の条件で行うこと
により、短時間での処理が可能であり、この種の処理を
連続ラインで行うことが可能となる。
しかし、このような連続式滲珪処理では、処理条件自体
の問題とは別に次のような問題がある。すなわち、CVD
処理はキヤリアガスとSiCl4とからなる処理用ガスを鋼
材と接触させ、鋼帯表面にSiCl4を蒸着させるもので、
上記処理用ガスは、バブリングタンク内に入れられた液
体SiCl4中にキヤリアガスを吹込み、該キヤリヤガスをS
iCl4で飽和蒸気圧状態にして取り出すことにより得られ
る。第３図は各温度における蒸気圧とSiCl4濃度との関
係を示しており、SiCl4含有ガスは所望のSiCl4濃度に応
じた飽和蒸気圧状態にして取り出される。しかし連続式
滲珪処理プロセスでは大量の処理ガスを必要とするため
バブリングタンク内の液量の変化が激しく、このため処
理用ガス中のSiCl4濃度が不安定となるという大きな問
題がある。また、バブリング中タンク内に液体SiCl4を
補給する必要があるため、補給装置が複雑で且つその操
作が難しく、長時間の安定操業が困難となる。
の問題とは別に次のような問題がある。すなわち、CVD
処理はキヤリアガスとSiCl4とからなる処理用ガスを鋼
材と接触させ、鋼帯表面にSiCl4を蒸着させるもので、
上記処理用ガスは、バブリングタンク内に入れられた液
体SiCl4中にキヤリアガスを吹込み、該キヤリヤガスをS
iCl4で飽和蒸気圧状態にして取り出すことにより得られ
る。第３図は各温度における蒸気圧とSiCl4濃度との関
係を示しており、SiCl4含有ガスは所望のSiCl4濃度に応
じた飽和蒸気圧状態にして取り出される。しかし連続式
滲珪処理プロセスでは大量の処理ガスを必要とするため
バブリングタンク内の液量の変化が激しく、このため処
理用ガス中のSiCl4濃度が不安定となるという大きな問
題がある。また、バブリング中タンク内に液体SiCl4を
補給する必要があるため、補給装置が複雑で且つその操
作が難しく、長時間の安定操業が困難となる。
本発明はこのような従来の問題に鑑みなされたもので、
SiCl4を含む処理用ガスを連続滲珪処理ラインに安定し
て供給することができる装置の提供をその目的とする。
SiCl4を含む処理用ガスを連続滲珪処理ラインに安定し
て供給することができる装置の提供をその目的とする。
このため本発明は、バブリングタンク内に入れられた液
体SiCl4中にキヤリヤガスを吹込み、該キヤリヤガスをS
iCl4で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにしたCVD処
理設備における処理用ガス供給装置において、複数個の
バブリングタンクと、ガス供給管と、該ガス供給管から
各バブリングタンク内に延出するバブリング管及びSiCl
4含有ガス取出管と、各バブリングタンクに液体SiCl4を
補給するためのSiCl4導入管と、各バブリングタンクに
対応したバブリング管接続位置とSiCl4含有ガス取出管
接続位置との間のガス供給管部位に設けられる遮断弁
と、各バブリングタンクのバブリング管、SiCl4含有ガ
ス取出管及びSiCl4導入管にそれぞれ設けられる遮断弁
とからなることをその基本的特徴とする。
体SiCl4中にキヤリヤガスを吹込み、該キヤリヤガスをS
iCl4で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにしたCVD処
理設備における処理用ガス供給装置において、複数個の
バブリングタンクと、ガス供給管と、該ガス供給管から
各バブリングタンク内に延出するバブリング管及びSiCl
4含有ガス取出管と、各バブリングタンクに液体SiCl4を
補給するためのSiCl4導入管と、各バブリングタンクに
対応したバブリング管接続位置とSiCl4含有ガス取出管
接続位置との間のガス供給管部位に設けられる遮断弁
と、各バブリングタンクのバブリング管、SiCl4含有ガ
ス取出管及びSiCl4導入管にそれぞれ設けられる遮断弁
とからなることをその基本的特徴とする。
本発明装置では、複数のバブリングタンクにキヤリヤガ
スを次々と通してバブリングすることにより安定したSi
Cl4濃度を有する処理ガスを得ることができる。すなわ
ち、ガス供給管の各遮断弁を閉じることにより、キヤリ
ヤガスは複数のバブリングタンクを順番に経由して各タ
ンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス中のSi
Cl4を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができる。
また本発明の装置では、遮断弁の１つを開放することに
よつてガスがバブリングタンクの１つを常にバイパスす
るようにし、このガスがバイパスしたタンクに液体SiCl
4を補給する。そして、このようにガスをバイパスさせ
るタンクを順次切換えて操業を行う。これにより、液体
SiCl4を常に安定的に補給して各タンク内の液量の変化
を最小に抑えることができ、安定したSiCl4濃度のガス
供給が可能となる。
スを次々と通してバブリングすることにより安定したSi
Cl4濃度を有する処理ガスを得ることができる。すなわ
ち、ガス供給管の各遮断弁を閉じることにより、キヤリ
ヤガスは複数のバブリングタンクを順番に経由して各タ
ンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス中のSi
Cl4を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができる。
また本発明の装置では、遮断弁の１つを開放することに
よつてガスがバブリングタンクの１つを常にバイパスす
るようにし、このガスがバイパスしたタンクに液体SiCl
4を補給する。そして、このようにガスをバイパスさせ
るタンクを順次切換えて操業を行う。これにより、液体
SiCl4を常に安定的に補給して各タンク内の液量の変化
を最小に抑えることができ、安定したSiCl4濃度のガス
供給が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
本発明の装置は、複数個のバブリングタンク（Ａ）〜
（Ｄ）と、ガス供給管（１）と、このガス供給管から各
バブリングタンクに延出するバブリング管（２）及びSi
Cl4含有ガス取出管（３）と、各バブリングタンクに液
体SiCl4を補給するためのSiCl4導入管（４）と、各バブ
リングタンクに対応したガス供給管部位に設けられる遮
断弁（５）と、各バブリングタンクのバブリング管、Si
Cl4含有ガス取出管及びSiCl4導入管にそれぞれ設けられ
る遮断弁（６）（７）及び（８）とからなつている。
（Ｄ）と、ガス供給管（１）と、このガス供給管から各
バブリングタンクに延出するバブリング管（２）及びSi
Cl4含有ガス取出管（３）と、各バブリングタンクに液
体SiCl4を補給するためのSiCl4導入管（４）と、各バブ
リングタンクに対応したガス供給管部位に設けられる遮
断弁（５）と、各バブリングタンクのバブリング管、Si
Cl4含有ガス取出管及びSiCl4導入管にそれぞれ設けられ
る遮断弁（６）（７）及び（８）とからなつている。
前記バブリングタンク（Ａ）〜（Ｄ）は連続的に配置さ
れ、これらに沿ってガス供給管（１）が配設されてい
る。
れ、これらに沿ってガス供給管（１）が配設されてい
る。
前記各バブリング管（２）は、各バブリングタンク
（Ａ）〜（Ｄ）内の底部方向に挿入され、液体SiCl4中
にキヤリヤガスを放出するよう構成されている。一方、
SiCl4含有ガス取出管（３）はその端部がタンク内上部
に位置している。
（Ａ）〜（Ｄ）内の底部方向に挿入され、液体SiCl4中
にキヤリヤガスを放出するよう構成されている。一方、
SiCl4含有ガス取出管（３）はその端部がタンク内上部
に位置している。
前記遮断弁（５）は、各バブリングタンクに対応したバ
ブリング管接続位置とSiCl4含有ガス取出管接続位置と
の間のガス供給管部位に設けられる。
ブリング管接続位置とSiCl4含有ガス取出管接続位置と
の間のガス供給管部位に設けられる。
次に、以上のような装置による操業例を説明する。
本発明の装置は、基本的には、キヤリヤガスを複数のバ
ブリングタンクを順次経由させることにより処理ガスの
SiCl4濃度を安定して得さしめるようにするものである
が、さらに具体的には、ガスがバブリングタンクの１つ
を常にバイパスするように流してこのバイパスタンクに
液体SiCl4を補給し、且つこのバイパスタンクを順次切
換えるようにして操業を行う。これを第２図に基づいて
説明すると、まず第２図（イ）に示すようにバブリング
タンク（Ｂ）をガスのバイパスタンクとし、バブリング
を行う。このためバブリングタンク（Ａ）、（Ｃ）、
（Ｄ）と対応するガス供給管（１）の遮断弁（５）を閉
とするとともに、これら各タンクのバブリング管（２）
及びSiCl4含有ガス取出管（３）の各遮断弁（６）
（７）を開とし、一方バブリングタンク（Ｂ）について
は遮断弁（５）を開とし、遮断弁（６）（７）を閉とす
る。
ブリングタンクを順次経由させることにより処理ガスの
SiCl4濃度を安定して得さしめるようにするものである
が、さらに具体的には、ガスがバブリングタンクの１つ
を常にバイパスするように流してこのバイパスタンクに
液体SiCl4を補給し、且つこのバイパスタンクを順次切
換えるようにして操業を行う。これを第２図に基づいて
説明すると、まず第２図（イ）に示すようにバブリング
タンク（Ｂ）をガスのバイパスタンクとし、バブリング
を行う。このためバブリングタンク（Ａ）、（Ｃ）、
（Ｄ）と対応するガス供給管（１）の遮断弁（５）を閉
とするとともに、これら各タンクのバブリング管（２）
及びSiCl4含有ガス取出管（３）の各遮断弁（６）
（７）を開とし、一方バブリングタンク（Ｂ）について
は遮断弁（５）を開とし、遮断弁（６）（７）を閉とす
る。
これによるバブリングでは、キヤリヤガスはバブリング
タンク（Ｂ）をバイパスしつつ、タンク（Ａ）→タンク
（Ｃ）→タンク（Ｄ）に順次供給され、これによりSiCl
4の安定した飽和蒸気圧状態が得られる。そして、バブ
リングタンク（Ｂ）にはSiCl4導入管（４）から液の補
給がなされる。
タンク（Ｂ）をバイパスしつつ、タンク（Ａ）→タンク
（Ｃ）→タンク（Ｄ）に順次供給され、これによりSiCl
4の安定した飽和蒸気圧状態が得られる。そして、バブ
リングタンク（Ｂ）にはSiCl4導入管（４）から液の補
給がなされる。
バブリングタンク（Ｂ）への液の補給が完了した時点
で、バイパスタンクがバブリングタンク（Ｃ）に切換え
られ、キヤリアガスはタンク（Ａ）→タンク（Ｂ）−タ
ンク（Ｄ）に順次供給され、バブリングタンク（Ｃ）に
液の補給がなされる。このようにバイパスタンクを順次
切換えることにより、バブリングタンク内の液量の変動
を最小限に抑えた操業が行われ、この結果複数のバブリ
ングタンクで連続的にバブリングを行うことと相俟つ
て、処理ガス中のSiCl4濃度を安定して得ることができ
る。
で、バイパスタンクがバブリングタンク（Ｃ）に切換え
られ、キヤリアガスはタンク（Ａ）→タンク（Ｂ）−タ
ンク（Ｄ）に順次供給され、バブリングタンク（Ｃ）に
液の補給がなされる。このようにバイパスタンクを順次
切換えることにより、バブリングタンク内の液量の変動
を最小限に抑えた操業が行われ、この結果複数のバブリ
ングタンクで連続的にバブリングを行うことと相俟つ
て、処理ガス中のSiCl4濃度を安定して得ることができ
る。
以上述べた本発明によれば、キヤリヤガスを複数のバブ
リングタンクで連続的にバブリング処理し、しかもバブ
リングタンクの液量変動を最小限に抑えた操業を行うこ
とができるため、飽和蒸気圧のSiCl4含有ガスを安定し
て供給することができる効果がある。
リングタンクで連続的にバブリング処理し、しかもバブ
リングタンクの液量変動を最小限に抑えた操業を行うこ
とができるため、飽和蒸気圧のSiCl4含有ガスを安定し
て供給することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図である。第２図
（イ）及び（ロ）は本発明装置による操業例を示す説明
図である。第３図は各温度における蒸気圧とSiCl4濃度
との関係を示すものである。 図において、（１）はガス供給管、（２）はバブリング
管、（３）はSiCl4含有ガス取出管、（４）はSiCl4導入
管、（５）、（６）、（７）、（８）は遮断弁、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はバブリングタンクを
各示す。
（イ）及び（ロ）は本発明装置による操業例を示す説明
図である。第３図は各温度における蒸気圧とSiCl4濃度
との関係を示すものである。 図において、（１）はガス供給管、（２）はバブリング
管、（３）はSiCl4含有ガス取出管、（４）はSiCl4導入
管、（５）、（６）、（７）、（８）は遮断弁、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はバブリングタンクを
各示す。
Claims (1)
- 【請求項１】バブリングタンクを備え、該バブリングタ
ンク内に入れられた液体SiCl4中にキヤリアガスを吹込
み、該キヤリアガスをSiCl4で飽和蒸気圧状態にして取
り出すようにした化学気相蒸着処理設備における処理用
ガス供給装置において、複数個のバブリングタンクと、
ガス供給管と、該ガス供給管から各バブリングタンク内
に延出するバブリング管及びSiCl4含有ガス取出管と、
各バブリングタンクに液体SiCl4を補給するためのSiCl4
導入管と、各バブリングタンクに対応したバブリング管
接続位置とSiCl4含有ガス取出管接続位置との間のガス
供給管部位に設けられる遮断弁と、各バブリングタンク
のバブリング管、SiCl4含有ガス取出管及びSiCl4導入管
にそれぞれ設けられる遮断弁とからなることを特徴とす
る化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16197786A JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16197786A JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318076A JPS6318076A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0791649B2 true JPH0791649B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=15745679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16197786A Expired - Lifetime JPH0791649B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791649B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02259074A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Anelva Corp | Ｃｖｄ方法および装置 |
| DE69027496T2 (de) * | 1989-09-26 | 1996-10-31 | Canon Kk | Gasversorgungsvorrichtung und ihre Verwendung für eine Filmabscheidungsanlage |
| JP6695701B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2020-05-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
| KR102267914B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2021-06-22 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치, 약액의 파티클 제거 방법, 노즐 유닛 및 기판 처리 장치 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16197786A patent/JPH0791649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318076A (ja) | 1988-01-25 |
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