JPS5928332A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5928332A JPS5928332A JP13742182A JP13742182A JPS5928332A JP S5928332 A JPS5928332 A JP S5928332A JP 13742182 A JP13742182 A JP 13742182A JP 13742182 A JP13742182 A JP 13742182A JP S5928332 A JPS5928332 A JP S5928332A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurities
- oxide film
- substrate
- semiconductor substrate
- density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、簡単なプロセスにて再現性のある高いキャ
リアミ１１度を得ることのできる半導体装置の製造方法
に関する。
リアミ１１度を得ることのできる半導体装置の製造方法
に関する。
従来の高いキャリア濃度を得ることのできる半導体拡散
方法は第１図に示すようなプロセスで行ってきた。第１
図は半導体の断面であり、この第１図における１は半導
体基板で、２は不純物を含む酸化膜で３は拡散層である
。
方法は第１図に示すようなプロセスで行ってきた。第１
図は半導体の断面であり、この第１図における１は半導
体基板で、２は不純物を含む酸化膜で３は拡散層である
。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の上に不
純物を含む酸化膜２を形成する。これを熱処理すること
によシ、不純物を含む酸化膜２よシ半導体基板１に不純
物が拡散し、第１図（ｂ）に示すように拡散層３が生じ
る。
純物を含む酸化膜２を形成する。これを熱処理すること
によシ、不純物を含む酸化膜２よシ半導体基板１に不純
物が拡散し、第１図（ｂ）に示すように拡散層３が生じ
る。
拡散層３のキャリア濃度は、酸化膜２に含まれている不
純物濃度および酸化膜の厚みに依存する。
純物濃度および酸化膜の厚みに依存する。
拡散層３のキャリア濃度を大きくするためには酸化膜２
に含まれている不純物の量を大きくした９酸化膜２の厚
さを大きくすることによってできる。
に含まれている不純物の量を大きくした９酸化膜２の厚
さを大きくすることによってできる。
しかし、不純物の量が大きくなると半導体基板１との反
応が始まり、熱処理後半導体表面が荒れる。また、酸化
膜２の厚さが厚くなると熱処理中ひび割れが生じる。
応が始まり、熱処理後半導体表面が荒れる。また、酸化
膜２の厚さが厚くなると熱処理中ひび割れが生じる。
このように、従来の拡散方法では、得られる拡散層のキ
ャリア濃度の大きさは限度されるから、高いキャリア濃
度を得ることができな匹欠点があった。
ャリア濃度の大きさは限度されるから、高いキャリア濃
度を得ることができな匹欠点があった。
この発明は、上記従来の欠点を解決するためになされた
もので、高いキャリア濃度を有する拡散層を半導体基板
に得ることのできる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
もので、高いキャリア濃度を有する拡散層を半導体基板
に得ることのできる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
以下、この発明の半導体装置の製造方法の実施例につい
て図面に基づき説明する。第２図（ａ）および第２図（
ｂ）はその一実施例の工程説明図である。
て図面に基づき説明する。第２図（ａ）および第２図（
ｂ）はその一実施例の工程説明図である。
この第２図（ａ）、第２図（ｂ）の両面において、４は
半導体基板であシ、】−Ｖ族化合物半導体基板が適用さ
れ、具体的にはＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ１ｘＰｘ、
ＩｎＰなどである。
半導体基板であシ、】−Ｖ族化合物半導体基板が適用さ
れ、具体的にはＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ１ｘＰｘ、
ＩｎＰなどである。
また、５は不純物を含む酸化膜、６は拡散層であってｄ
。は酸化膜の厚みで、第３図に示すように酸化膜５の厚
み方向ｄに酸化膜５に含まれている不純物濃度Ｘに勾配
をもっている。
。は酸化膜の厚みで、第３図に示すように酸化膜５の厚
み方向ｄに酸化膜５に含まれている不純物濃度Ｘに勾配
をもっている。
第３図は横軸に酸化膜５の厚みｄをとシ、縦軸に、酸化
膜５に含まれている不純物濃度Ｘで、酸化Ｎ５に含まれ
ている不純物濃度Ｘの厚み方向ｄへ勾配を示したグラフ
である。
膜５に含まれている不純物濃度Ｘで、酸化Ｎ５に含まれ
ている不純物濃度Ｘの厚み方向ｄへ勾配を示したグラフ
である。
まず、第２図（ａ）に示したように、半導体基板４上に
酸化膜５を形成するとき第３図に示すような、半導体基
板４付近では不純物濃度ｘｆ小さく、隔けて、酸化膜５
を形成する。
酸化膜５を形成するとき第３図に示すような、半導体基
板４付近では不純物濃度ｘｆ小さく、隔けて、酸化膜５
を形成する。
この酸化膜５の形成に際し、酸素ガス中で熱処理するこ
とによシ酸化膜５が形成されるが、そのとき同時に不純
物ガス合流すことにより、酸化膜５内に不純物を導入す
る。この不純物ガスおよび酸素ガス流量を制御すること
によシ、酸化族５内に所定の濃度勾配で不純物を導入す
る。これｔ熱処理することにより、不純物を含む酸化膜
５よシ半導体基板４に不純物が拡散し、第２図（ｂ）の
ように半導体基板４に拡散層６が生じる。
とによシ酸化膜５が形成されるが、そのとき同時に不純
物ガス合流すことにより、酸化膜５内に不純物を導入す
る。この不純物ガスおよび酸素ガス流量を制御すること
によシ、酸化族５内に所定の濃度勾配で不純物を導入す
る。これｔ熱処理することにより、不純物を含む酸化膜
５よシ半導体基板４に不純物が拡散し、第２図（ｂ）の
ように半導体基板４に拡散層６が生じる。
得られた拡散層６のキャリア濃度は半導体基板４の表面
の酸化膜５の不純物濃度に大きく依存する。半導体基板
４付近での不純物濃度Ｘは、熱処理時、不純物と半導体
基板４とが反応しない濃度をもってｂる。熱処理時に半
導体基板付近の不純物濃度が低下しても、不純物濃度の
高い方から不純物の供給が行われ、不純物と半導体基板
４とが反応せずに高いキャリア濃度の拡散層６が得られ
る。
の酸化膜５の不純物濃度に大きく依存する。半導体基板
４付近での不純物濃度Ｘは、熱処理時、不純物と半導体
基板４とが反応しない濃度をもってｂる。熱処理時に半
導体基板付近の不純物濃度が低下しても、不純物濃度の
高い方から不純物の供給が行われ、不純物と半導体基板
４とが反応せずに高いキャリア濃度の拡散層６が得られ
る。
以上説明したように、上記実施例では半導体基板４上に
形成された酸化膜５に含まれている不純物濃度が酸化膜
５の厚み方向に基板に近い１１ど小さく、隔たる＃デど
大きくとるように濃度勾配をもつようにして、熱処理を
行って半導体基板に拡散層を形成するようにしたので、
熱処理時に不純物と半導体基板４が反応することなく、
高いキャリア濃度をもつ拡散層６が得られる利点がある
。
形成された酸化膜５に含まれている不純物濃度が酸化膜
５の厚み方向に基板に近い１１ど小さく、隔たる＃デど
大きくとるように濃度勾配をもつようにして、熱処理を
行って半導体基板に拡散層を形成するようにしたので、
熱処理時に不純物と半導体基板４が反応することなく、
高いキャリア濃度をもつ拡散層６が得られる利点がある
。
以上のように、この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体基板上に形成された酸化膜に含まれ九不純物
゛濃度が半導体基板表面に近いほど小さくなるような不
純物の勾配をもたせるようにしたので、熱処理時に半導
体基板と不純物とが反応せずに高いキャリア濃度の拡散
層を得ることができる利点があり、低抵抗のオーミック
性電極を形成するのに利用できる。
ば、半導体基板上に形成された酸化膜に含まれ九不純物
゛濃度が半導体基板表面に近いほど小さくなるような不
純物の勾配をもたせるようにしたので、熱処理時に半導
体基板と不純物とが反応せずに高いキャリア濃度の拡散
層を得ることができる利点があり、低抵抗のオーミック
性電極を形成するのに利用できる。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）はそれぞれ従来の拡散
方法を示す半導体断面図、第２図（ａ）および第２図（
ｂ）はそれぞれこの発明の半導体装置の製造方法の一実
施例を説明するための工程説明図、第３図はこの発明の
半導体装置の製造方法における酸化膜に含まれる不純物
濃度の勾配を示したグラフである。 ４・・・半導体基板、５・・・不純物金倉む酸化膜、６
・・・拡散層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 ｄ０ 昭和５２存 ５月１８日 特許庁長官若 杉 和 夫殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 １３７４２１ 号２、発
明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自
発）６、補正の対象 明細１．の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 ｌ）明細１４頁３行および４行「の形成に際し、・・・
・・・酸化膜５が」を「はＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａ
ｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法にて」と訂正
する。 ２）同４頁６行および７行「および酸素ガス流量」を削
除する。 １２５
方法を示す半導体断面図、第２図（ａ）および第２図（
ｂ）はそれぞれこの発明の半導体装置の製造方法の一実
施例を説明するための工程説明図、第３図はこの発明の
半導体装置の製造方法における酸化膜に含まれる不純物
濃度の勾配を示したグラフである。 ４・・・半導体基板、５・・・不純物金倉む酸化膜、６
・・・拡散層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 ｄ０ 昭和５２存 ５月１８日 特許庁長官若 杉 和 夫殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 １３７４２１ 号２、発
明の名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自
発）６、補正の対象 明細１．の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７ 補正の内容 ｌ）明細１４頁３行および４行「の形成に際し、・・・
・・・酸化膜５が」を「はＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａ
ｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法にて」と訂正
する。 ２）同４頁６行および７行「および酸素ガス流量」を削
除する。 １２５
Claims (1)
- 酸化膜に含まれる不純物濃度が酸化膜の厚み方向に基板
に近いｔｌど小さく、隔たるほど大きくとるように不純
物濃度の勾配を有するように半導体基板上に熱処理によ
シ酸化膜を形成し、この酸化膜の形成後熱処理によシ上
記酸化膜よシ上記半導体基板に不純物を拡散させてこの
半導体基板に拡散層を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13742182A JPS5928332A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13742182A JPS5928332A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928332A true JPS5928332A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15198233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13742182A Pending JPS5928332A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354710A (en) * | 1988-01-14 | 1994-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices using an adsorption enhancement layer |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13742182A patent/JPS5928332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354710A (en) * | 1988-01-14 | 1994-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices using an adsorption enhancement layer |
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