JP2009044093A - 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
オゾンガス発生源から発生した100%のオゾンガスをオゾンガス供給路62に通流させ、このオゾンガス供給路62から分岐した希釈ガス供給路63に希釈ガスを通流させて、予め設定したオゾンガスの濃度となるように100%のオゾンガスを希釈し、希釈されたオゾンガスを当該オゾンガス流路62から処理容器2、21内に供給する。そしてシリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器2、21内に供給しオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて基板上にシリコン酸化膜を成膜する。
【選択図】図1
Description
100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈して得られるオゾンガスの濃度を設定する工程と、
オゾンガス発生源から発生した100%のオゾンガスをオゾンガス供給路に通流させる工程と、
前記オゾンガス供給路から分岐した希釈ガス供給路に希釈ガスを通流させて、前記工程で設定したオゾンガスの濃度となるように、前記100%のオゾンガスを、少なくとも希釈ガス流路に設けられた流量調整部を介して希釈し、希釈されたオゾンガスを当該オゾンガス流路から前記処理容器内に供給する工程と、
シリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器内に供給し、当該処理容器内にてオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて前記基板上にシリコン酸化膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、
100%のオゾンガスを発生させるオゾンガス発生源と、
一端側が前記オゾンガス発生源に接続され、他端側が前記処理容器内に開口するオゾンガス供給路と、
このオゾンガス供給路に分岐して接続され、前記オゾンガス発生源からの100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈するための希釈ガス供給路と、
前記100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈して得られるオゾンガスの濃度を調整するために、前記100%のオゾンガスの流量及び前記希釈ガスの流量の少なくとも一方を調整する流量調整手段と、
シリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器内に供給する成膜ガス供給路と、
前記オゾンガスの濃度が予め設定された濃度になるように前記流量調整手段を制御する機能を含む制御手段と、を備えたことを特徴とする。
前記プログラムは既述のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
高濃度オゾンの濃度を変化させてTEOS蒸気と反応させ、成膜されたSiO2膜の膜質を調べた。
プロセス温度 :350℃
処理容器内圧力 :306.6Pa(2.3torr)
TEOS蒸気供給量:3.0sccm
成膜時間 :16分(SiO2膜の目標膜厚:100nm)
(実施例1)
100%オゾン:52.5sccm
窒素ガス :97.5sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度35vol%)
(実施例2)
100%オゾン:60sccm
窒素ガス :90sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度40vol%)
(実施例3)
100%オゾン:90sccm
窒素ガス :60sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度60vol%)
(実施例4)
100%オゾン:105sccm
窒素ガス :45sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度70vol%)
(比較例1)
100%オゾン:4.5sccm
窒素ガス :145.5sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度3vol%)
(比較例2)
100%オゾン:15sccm
窒素ガス :135sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度10vol%)
(比較例3)
100%オゾン:30sccm
窒素ガス :120sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度20vol%)
(比較例4)
100%オゾン:150sccm
窒素ガス :0sccm
トータル :150sccm(オゾン濃度100vol%)
(参照例1)
従来の熱CVD法によりSiO2膜を成膜した。成膜時間は上述の各実施例、比較例と同様とし、酸化ガスには酸素ガスを用いた。
プロセス温度 :680℃
処理容器内圧力:53.2Pa(0.4torr)
TEOS蒸気供給量:180sccm
O2ガス供給量 :5sccm
(参照例2)
熱酸化法によりSiO2膜を成膜した。
成膜時間:3時間
プロセス温度 :950℃
処理容器内圧力:大気圧
容器内雰囲気 :O2ガスを10slmで供給
図4は各実施例、比較例及び参照例にて成膜されたSiO2膜中の不純物である水素原子、炭素原子の濃度を棒グラフにて表示した結果を示している。図4の横軸左側に、各SiO2膜中の水素原子濃度の計測結果を示し、同右側には炭素原子濃度の計測結果を示している。また縦軸はSiO2膜中の単位体積あたりに含まれる水素原子、炭素原子数を示している。炭素原子、水素原子濃度の計測にはSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer)を用いた。
1、1a 縦型熱処理装置
2 反応管
2a 内管
2b 外管
3 ヒータ
4 ウエハボート
5 真空ポンプ
7 オゾン発生装置
8 制御部
10 熱処理炉
21 マニホールド
22 蓋体
23 排気管
31 温度コントローラ
32 電力供給部
33 ベースプレート
41 ボートエレベータ
42 蓋体
43 回転駆動部
44 回転軸
45 回転テーブル
46 保温筒(断熱材)
51 圧力調整部
61 成膜ガス供給路
62 オゾンガス供給路
63 希釈ガス供給路
64 成膜ガス供給ノズル
65 オゾン供給ノズル
66 インジェクタ
611 TEOS供給源
631 希釈ガス供給源
612、622、632
流量制御機器群
Claims (11)
- 加熱雰囲気かつ減圧雰囲気の処理容器内にガスを供給して処理容器内の基板に対して成膜処理を行う方法において、
100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈して得られるオゾンガスの濃度を設定する工程と、
オゾンガス発生源から発生した100%のオゾンガスをオゾンガス供給路に通流させる工程と、
前記オゾンガス供給路から分岐した希釈ガス供給路に希釈ガスを通流させて、前記工程で設定したオゾンガスの濃度となるように、前記100%のオゾンガスを、少なくとも希釈ガス流路に設けられた流量調整部を介して希釈し、希釈されたオゾンガスを当該オゾンガス流路から前記処理容器内に供給する工程と、
シリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器内に供給し、当該処理容器内にてオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて前記基板上にシリコン酸化膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記加熱雰囲気の設定温度は、300℃〜400℃であることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記希釈されたオゾンガスを処理容器内に供給する工程と、前記成膜ガスを処理容器内に供給する工程とは、同時に行うことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜方法。
- 前記シリコン有機化合物は、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)であり、前記オゾンガス流路から供給されるオゾンガスの濃度が35〜70体積%であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 前記希釈されたオゾンガスを処理容器内に供給する工程と、前記成膜ガスを処理容器内に供給する工程とは、交互に行うことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜方法。
- 加熱雰囲気かつ減圧雰囲気の処理容器内にガスを供給して処理容器内の基板に対してシリコン酸化膜を成膜するための成膜装置において、
前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、
100%のオゾンガスを発生させるオゾンガス発生源と、
一端側が前記オゾンガス発生源に接続され、他端側が前記処理容器内に開口するオゾンガス供給路と、
このオゾンガス供給路に分岐して接続され、前記オゾンガス発生源からの100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈するための希釈ガス供給路と、
前記100%のオゾンガスを希釈ガスにより希釈して得られるオゾンガスの濃度を調整するために、前記100%のオゾンガスの流量及び前記希釈ガスの流量の少なくとも一方を調整する流量調整手段と、
シリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器内に供給する成膜ガス供給路と、
前記オゾンガスの濃度が予め設定された濃度になるように前記流量調整手段を制御する機能を含む制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 加熱雰囲気の設定温度は、300℃〜400℃であることを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
- 前記制御手段は、前記希釈されたオゾンガスと成膜ガスとを同時に処理容器内に供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項6または7に記載の成膜装置。
- シリコン有機化合物は、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)であり、前記オゾンガス流路から供給されるオゾンガスの濃度が35〜70体積%であることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記制御手段は、前記希釈されたオゾンガスと成膜ガスとを交互に処理容器内に供給するように制御信号を出力することを特徴とする請求項6または7に記載の成膜装置。
- シリコン酸化膜の成膜装置に用いられ、コンピュータ上で動作するプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項1ないし5のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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