JP2534080Y2 - 人工ダイヤモンド析出装置 - Google Patents
人工ダイヤモンド析出装置Info
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- JP2534080Y2 JP2534080Y2 JP1991026652U JP2665291U JP2534080Y2 JP 2534080 Y2 JP2534080 Y2 JP 2534080Y2 JP 1991026652 U JP1991026652 U JP 1991026652U JP 2665291 U JP2665291 U JP 2665291U JP 2534080 Y2 JP2534080 Y2 JP 2534080Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、安定した状態で反応
ガスを反応させることができる人工ダイヤモンド析出装
置に関するものである。
ガスを反応させることができる人工ダイヤモンド析出装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法
として多数の方法が提案され、実用に供されているが、
中でも加熱したフィラメント（高エネルギー体）により
反応ガスを分解させて基板等の被処理材の表面に人工ダ
イヤモンドを析出させる方法は、比較的簡単な装置で安
定した人工ダイヤモンド膜を高速で成膜することができ
ることから、特に注目されている方法である。
として多数の方法が提案され、実用に供されているが、
中でも加熱したフィラメント（高エネルギー体）により
反応ガスを分解させて基板等の被処理材の表面に人工ダ
イヤモンドを析出させる方法は、比較的簡単な装置で安
定した人工ダイヤモンド膜を高速で成膜することができ
ることから、特に注目されている方法である。
【０００３】上記の方法は、例えば、図２に示す様な人
工ダイヤモンド析出装置（以下、単に析出装置と略称す
る）１を用いて行われる。この析出装置１は、基板（被
処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石英製の
反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ2等の
炭化水素と該炭化水素のキャリアガスとなるＨ2ガスと
で構成される反応ガスＧを導入するＭｏ製の反応ガス導
入管４と、前記反応室３から反応ガスＧを排出する反応
ガス排出管５とから概略構成されている。
工ダイヤモンド析出装置（以下、単に析出装置と略称す
る）１を用いて行われる。この析出装置１は、基板（被
処理材）２にダイヤモンドを析出させるための石英製の
反応室３と、該反応室３に主としてＣＨ4，Ｃ2Ｈ2等の
炭化水素と該炭化水素のキャリアガスとなるＨ2ガスと
で構成される反応ガスＧを導入するＭｏ製の反応ガス導
入管４と、前記反応室３から反応ガスＧを排出する反応
ガス排出管５とから概略構成されている。
【０００４】反応室３には、制御機構６により制御さ
れ、該反応室３内を上下方向に移動自在かつ任意の位置
に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降装
置８の上部８ａには複数の基板２，…を支持するための
Ｍｏ製のワークホルダ９が固定されている。また、この
ワークホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられて
いる。
れ、該反応室３内を上下方向に移動自在かつ任意の位置
に固定自在なる昇降装置８が設けられており、該昇降装
置８の上部８ａには複数の基板２，…を支持するための
Ｍｏ製のワークホルダ９が固定されている。また、この
ワークホルダ９の下面には熱電対１０が取り付けられて
いる。
【０００５】この反応室３には、該反応室３の上部位置
に基板２を移動したときに、該基板２の表面２ａと対向
する所定間隔上方の位置に金属タングステン（Ｗ）もし
くは金属タンタル（Ｔａ）製の螺旋状のフィラメント
（高エネルギー体）１１が水平に設けられている。ま
た、この反応室３の周囲には該反応室３を加熱するため
の電気炉１２が配設されている。
に基板２を移動したときに、該基板２の表面２ａと対向
する所定間隔上方の位置に金属タングステン（Ｗ）もし
くは金属タンタル（Ｔａ）製の螺旋状のフィラメント
（高エネルギー体）１１が水平に設けられている。ま
た、この反応室３の周囲には該反応室３を加熱するため
の電気炉１２が配設されている。
【０００６】次に、この析出装置１を用いて基板２の表
面２ａにダイヤモンドを成膜する方法について説明す
る。まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室
３内に導入し、この反応ガスＧをフィラメント１１から
ワークホルダ９に向かう様に垂直下方に流下させ、反応
ガス排出管５により反応室３の外方へ排出させる。
面２ａにダイヤモンドを成膜する方法について説明す
る。まず、反応ガス導入管４により反応ガスＧを反応室
３内に導入し、この反応ガスＧをフィラメント１１から
ワークホルダ９に向かう様に垂直下方に流下させ、反応
ガス排出管５により反応室３の外方へ排出させる。
【０００７】この間、反応室３内の雰囲気圧力を１０〜
３００ｔｏｒｒに保持しながらフィラメント１１を１５
００〜２５００℃に加熱して、反応ガスＧの加熱活性化
を図るとともに、所定間隔下方に配置された基板２の表
面２ａの温度を電気炉１２を用いて８００〜１０００℃
の範囲内で保ち、この状態で反応ガスＧを熱分解させて
基板２の表面２ａに人工ダイヤモンドを析出させる。
３００ｔｏｒｒに保持しながらフィラメント１１を１５
００〜２５００℃に加熱して、反応ガスＧの加熱活性化
を図るとともに、所定間隔下方に配置された基板２の表
面２ａの温度を電気炉１２を用いて８００〜１０００℃
の範囲内で保ち、この状態で反応ガスＧを熱分解させて
基板２の表面２ａに人工ダイヤモンドを析出させる。
【０００８】この場合、反応ガスＧはフィラメント１１
により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）となり、
基板２の上方からワークホルダ９の周囲１３に向かって
流れ、この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに
速やかに推積し、該表面２ａにグラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成される。ここでは、グラフ
ァイト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解
時に生成される原子状の水素（Ｈ）により表面２ａから
選択的に除去されダイヤモンド構造のみが残ることとな
る。
により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）となり、
基板２の上方からワークホルダ９の周囲１３に向かって
流れ、この活性化された遊離炭素が基板２の表面２ａに
速やかに推積し、該表面２ａにグラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成される。ここでは、グラフ
ァイト構造の方が弱い構造であるから反応ガスＧの分解
時に生成される原子状の水素（Ｈ）により表面２ａから
選択的に除去されダイヤモンド構造のみが残ることとな
る。
【０００９】ダイヤモンドが析出された基板２は、昇降
装置８により下方に所定距離移動され自然冷却される。
装置８により下方に所定距離移動され自然冷却される。
【００１０】
【考案が解決しようとする課題】上記の析出装置１にお
いては、フィラメント１１からワークホルダ９に向かう
反応ガスＧは、図３に示すようにワークホルダ９に遮ら
れて該ワークホルダ９の周囲１３に向いこの周囲１３か
ら下方に流下するために、活性化された遊離炭素は、中
央部の基板２より外側の基板２により多く堆積すること
となる。
いては、フィラメント１１からワークホルダ９に向かう
反応ガスＧは、図３に示すようにワークホルダ９に遮ら
れて該ワークホルダ９の周囲１３に向いこの周囲１３か
ら下方に流下するために、活性化された遊離炭素は、中
央部の基板２より外側の基板２により多く堆積すること
となる。
【００１１】外側に配置された基板２の表面２ａでは遊
離炭素が速やかに推積されて弱い結合のグラファイト構
造は選択的に除去され良好な人工ダイヤモンドを析出す
ることができるが、中央部に配置された基板２の表面２
ａでは反応ガスＧの流れが弱いために該基板２の表面２
ａに推積される遊離炭素量が少なく、グラファイト構造
を選択除去することもできない等、様々な問題が生じる
こととなる。したがって、良好な人工ダイヤモンドは外
側に配置された基板２にしか析出されず、製品歩留まり
が極めて悪いという欠点があった。
離炭素が速やかに推積されて弱い結合のグラファイト構
造は選択的に除去され良好な人工ダイヤモンドを析出す
ることができるが、中央部に配置された基板２の表面２
ａでは反応ガスＧの流れが弱いために該基板２の表面２
ａに推積される遊離炭素量が少なく、グラファイト構造
を選択除去することもできない等、様々な問題が生じる
こととなる。したがって、良好な人工ダイヤモンドは外
側に配置された基板２にしか析出されず、製品歩留まり
が極めて悪いという欠点があった。
【００１２】人工ダイヤモンドを析出させるには、かな
りの反応時間を必要とするものであるから、上記の製品
歩留まりの低下は装置の効率を著るしく低下させること
となる。
りの反応時間を必要とするものであるから、上記の製品
歩留まりの低下は装置の効率を著るしく低下させること
となる。
【００１３】この考案は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、以上の欠点を有効に解決することができ
る析出装置を提供することにある。
ものであって、以上の欠点を有効に解決することができ
る析出装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この考案は次の様な析出装置を採用した。すなわ
ち、被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室
と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、
前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、
前記被処理材を支持するワークホルダと、前記ワークホ
ルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に
設けられたフィラメントとを具備してなる析出装置にお
いて、前記ワークホルダとフィラメントの周囲にこれら
を囲む箱体を設け、該箱体の一端に前記反応ガス導入管
から反応ガスを箱体内に導入するノズルを設けるととも
に他端を開口して反応ガスを排出する排気口とし、前記
被処理材は反応ガスの流入方向にほぼ直交する方向に且
つ箱体内壁との間に若干の隙間を形成して配設されてい
ることを特徴とする。
に、この考案は次の様な析出装置を採用した。すなわ
ち、被処理材にダイヤモンドを析出させるための反応室
と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス導入管と、
前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス排出管と、
前記被処理材を支持するワークホルダと、前記ワークホ
ルダに支持される前記被処理材の表面と対向する位置に
設けられたフィラメントとを具備してなる析出装置にお
いて、前記ワークホルダとフィラメントの周囲にこれら
を囲む箱体を設け、該箱体の一端に前記反応ガス導入管
から反応ガスを箱体内に導入するノズルを設けるととも
に他端を開口して反応ガスを排出する排気口とし、前記
被処理材は反応ガスの流入方向にほぼ直交する方向に且
つ箱体内壁との間に若干の隙間を形成して配設されてい
ることを特徴とする。
【００１５】
【作用】この考案の析出装置では、反応室の箱体内にノ
ズルを介して導入された反応ガスは、被処理材との間で
該箱体の内部に滞留させられ、該反応ガスを広範囲で均
一に熱分解する。そして、分解されて活性化された遊離
炭素は、被処理材表面に均一に堆積する。
ズルを介して導入された反応ガスは、被処理材との間で
該箱体の内部に滞留させられ、該反応ガスを広範囲で均
一に熱分解する。そして、分解されて活性化された遊離
炭素は、被処理材表面に均一に堆積する。
【００１６】また、この反応ガスは、ノズルから箱体の
内部に流入するために、箱体の内部の方が外部より圧力
が高く、差圧が陽圧になる。したがって、箱体の内部に
滞留する反応ガスは、前記差圧によりこの箱体とワーク
ホルダとの間の狭窄部から均一に流出する。
内部に流入するために、箱体の内部の方が外部より圧力
が高く、差圧が陽圧になる。したがって、箱体の内部に
滞留する反応ガスは、前記差圧によりこの箱体とワーク
ホルダとの間の狭窄部から均一に流出する。
【００１７】
【実施例】以下、この考案の一実施例について図１を基
に説明する。この一実施例の析出装置２１は、従来例で
説明した析出装置１の構成要素であるワークホルダ９と
フィラメント１１の周囲に、これらを囲む様に箱体２２
を設けたものであり、この箱体２２以外の構成要素につ
いては同一の符号を付し、説明を省略する。
に説明する。この一実施例の析出装置２１は、従来例で
説明した析出装置１の構成要素であるワークホルダ９と
フィラメント１１の周囲に、これらを囲む様に箱体２２
を設けたものであり、この箱体２２以外の構成要素につ
いては同一の符号を付し、説明を省略する。
【００１８】この箱体２２は、外形が略直方体状の石英
製の箱からなるもので、上部の天板２３の中央部には反
応ガスＧを導入するための吸気口２４が形成され、この
吸気口２４には垂直上方に突出するノズル２５が取り付
けられている。また、この箱体２２の下部は開放され
て、反応ガスＧを排出する排気口２６になっている。
製の箱からなるもので、上部の天板２３の中央部には反
応ガスＧを導入するための吸気口２４が形成され、この
吸気口２４には垂直上方に突出するノズル２５が取り付
けられている。また、この箱体２２の下部は開放され
て、反応ガスＧを排出する排気口２６になっている。
【００１９】次に、この箱体２２の作用について図１に
基づき説明する。反応室２内に導入された反応ガスＧ
は、ノズル２５を経由する間に均一な層流となり、吸気
口２４から箱体２２の内部２７に流入する。この流入し
た反応ガスＧは、箱体２２の側壁２８及びワークホルダ
９により内部２７に閉じ込められ、この内部２７に滞留
することとなる。
基づき説明する。反応室２内に導入された反応ガスＧ
は、ノズル２５を経由する間に均一な層流となり、吸気
口２４から箱体２２の内部２７に流入する。この流入し
た反応ガスＧは、箱体２２の側壁２８及びワークホルダ
９により内部２７に閉じ込められ、この内部２７に滞留
することとなる。
【００２０】この間に、反応ガスＧはフィラメント１１
により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）となり、
基板２の上部で滞留しつつ基板２の表面２ａに速やかに
推積する。この表面２ａには、グラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成されるが、グラファイト構
造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水素によ
り表面２ａから選択的かつ良好に除去され、ダイヤモン
ド構造のみが残ることとなる。したがって、弱い結合の
グラファイト構造は選択的に除去され極めて結晶性のよ
い人工ダイヤモンドが析出する。
により分解されて活性化された遊離炭素（Ｃ）となり、
基板２の上部で滞留しつつ基板２の表面２ａに速やかに
推積する。この表面２ａには、グラファイト構造とダイ
ヤモンド構造が混在して形成されるが、グラファイト構
造は反応ガスＧの分解時に生成される原子状の水素によ
り表面２ａから選択的かつ良好に除去され、ダイヤモン
ド構造のみが残ることとなる。したがって、弱い結合の
グラファイト構造は選択的に除去され極めて結晶性のよ
い人工ダイヤモンドが析出する。
【００２１】また、この反応ガスＧは、吸気口２４から
箱体２２の内部２７に流入し続けるので、箱体２２の内
部２７の方が外部２９より圧力が高く、差圧が陽圧にな
る。したがって、箱体２２の内部２７に滞留する反応ガ
スＧは、前記差圧によりこの箱体２２の側壁２８とワー
クホルダ９との間の狭窄部３０から下方に均一に流下す
る。
箱体２２の内部２７に流入し続けるので、箱体２２の内
部２７の方が外部２９より圧力が高く、差圧が陽圧にな
る。したがって、箱体２２の内部２７に滞留する反応ガ
スＧは、前記差圧によりこの箱体２２の側壁２８とワー
クホルダ９との間の狭窄部３０から下方に均一に流下す
る。
【００２２】いま、ワークホルダ９とフィラメント１１
を箱体２２で囲み、 反応ガス組成：容量割合でＨ2／ＣＨ4＝１０００cc／min／１０cc／min フィラメント１１と基板２の表面２ａとの距離：５０mm 反応室３内の雰囲気圧力：５０torr フィラメント１１の加熱温度：２０００℃ 反応時間：５時間 冷却：自然冷却（炉冷） の条件で人工ダイヤモンドの析出を行ったところ、基板
２の表面２ａには、平均膜厚４μmの人工ダイヤモンド
膜が均一に形成された。また、ワークホルダ２１に保持さ
れた基板２の全てに均一な人工ダイヤモンド膜が形成さ
れており、従来と比べて製品の歩留まりが大幅に向上す
ることがわかった。
を箱体２２で囲み、 反応ガス組成：容量割合でＨ2／ＣＨ4＝１０００cc／min／１０cc／min フィラメント１１と基板２の表面２ａとの距離：５０mm 反応室３内の雰囲気圧力：５０torr フィラメント１１の加熱温度：２０００℃ 反応時間：５時間 冷却：自然冷却（炉冷） の条件で人工ダイヤモンドの析出を行ったところ、基板
２の表面２ａには、平均膜厚４μmの人工ダイヤモンド
膜が均一に形成された。また、ワークホルダ２１に保持さ
れた基板２の全てに均一な人工ダイヤモンド膜が形成さ
れており、従来と比べて製品の歩留まりが大幅に向上す
ることがわかった。
【００２３】以上説明した様に、この考案の析出装置に
よれば、ワークホルダ９とフィラメント１１の周囲に、
これらを囲む様に箱体２２を設けたので、導入された反
応ガスＧを箱体２２の内部２７に効果的に閉じ込めるこ
とができ、この内部２７に良好かつ長時間滞留させるこ
とができる。したがって、分解された反応ガスは基板２
の上部で滞留しつつ基板２の表面２ａに速やかに推積
し、グラファイト構造は表面２ａから選択的かつ良好に
除去され、極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出
することができる。これより、全ての基板２の表面２ａ
に均一に人工ダイヤモンドを成膜させることができ、製
品歩留まりを大巾に向上させることができる。
よれば、ワークホルダ９とフィラメント１１の周囲に、
これらを囲む様に箱体２２を設けたので、導入された反
応ガスＧを箱体２２の内部２７に効果的に閉じ込めるこ
とができ、この内部２７に良好かつ長時間滞留させるこ
とができる。したがって、分解された反応ガスは基板２
の上部で滞留しつつ基板２の表面２ａに速やかに推積
し、グラファイト構造は表面２ａから選択的かつ良好に
除去され、極めて結晶性のよい人工ダイヤモンドを析出
することができる。これより、全ての基板２の表面２ａ
に均一に人工ダイヤモンドを成膜させることができ、製
品歩留まりを大巾に向上させることができる。
【００２４】また、箱体２２の内部２７と外部２９との
間の差圧により、基板２外周へのガス抜けを均一化する
ことができ、反応ガス排出管５の取り付け位置による影
響を極めて小さくすることができる。
間の差圧により、基板２外周へのガス抜けを均一化する
ことができ、反応ガス排出管５の取り付け位置による影
響を極めて小さくすることができる。
【００２５】
【考案の効果】以上説明した様に、この考案の析出装置
によれば、ワークホルダとフィラメントの周囲にこれら
を囲む箱体を設け、該箱体の一端に反応ガスを箱体内に
導入するノズルを設けるとともに他端を開口して反応ガ
スを排出する排気口とし、被処理材は反応ガスの流入方
向にほぼ直交する方向に且つ箱体内壁との間に若干の隙
間を形成して配設されているから、反応ガスを箱体の内
部に効果的に閉じ込めることができ、この内部に良好に
かつ長時間滞留させることができる。したがって、分解
された反応ガスは被処理材の上部で滞留しつつ被処理材
の表面に速やかに推積し、グラファイト構造は表面から
選択的かつ良好に除去され、極めて結晶性のよい人工ダ
イヤモンドを析出することができる。これより、全ての
被処理材の表面に均一に人工ダイヤモンドを成膜させる
ことができ、製品歩留まりを大巾に向上させることがで
きる。
によれば、ワークホルダとフィラメントの周囲にこれら
を囲む箱体を設け、該箱体の一端に反応ガスを箱体内に
導入するノズルを設けるとともに他端を開口して反応ガ
スを排出する排気口とし、被処理材は反応ガスの流入方
向にほぼ直交する方向に且つ箱体内壁との間に若干の隙
間を形成して配設されているから、反応ガスを箱体の内
部に効果的に閉じ込めることができ、この内部に良好に
かつ長時間滞留させることができる。したがって、分解
された反応ガスは被処理材の上部で滞留しつつ被処理材
の表面に速やかに推積し、グラファイト構造は表面から
選択的かつ良好に除去され、極めて結晶性のよい人工ダ
イヤモンドを析出することができる。これより、全ての
被処理材の表面に均一に人工ダイヤモンドを成膜させる
ことができ、製品歩留まりを大巾に向上させることがで
きる。
【００２６】また、箱体の内部と外部との間の差圧によ
り、基板外周へのガス抜けを均一化することができ、反
応ガス排出管の取り付け位置による影響を極めて小さく
することができる。
り、基板外周へのガス抜けを均一化することができ、反
応ガス排出管の取り付け位置による影響を極めて小さく
することができる。
【図１】本考案の析出装置の箱体の一例を示す概略断面
図である。
図である。
【図２】従来の析出装置の概略図である。
【図３】従来の析出装置の反応ガスの流れを示す図であ
る。
る。
２１ 人工ダイヤモンド析出装置 ２ 基板（被処理材） ３ 反応室 ４ 反応ガス導入管 ５ 反応ガス排出管 ６ 制御機構 ８ 昇降装置 ９ ワークホルダ １０ 熱電対 １１ フィラメント（高エネルギー体） １２ 電気炉 ２２ 箱体 ２３ 天板 ２４ 吸気口 ２５ ノズル ２６ 排気口 ２７ 内部 ２８ 側壁 ２９ 外部 ３０ 狭窄部
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理材にダイヤモンドを析出させるた
めの反応室と、該反応室に反応ガスを導入する反応ガス
導入管と、前記反応室から反応ガスを排出する反応ガス
排出管と、 前記被処理材を支持するワークホルダと、該ワークホルダに支持される前記被処理材の表面と対向
する位置に設けられたフィラメントと を具備してなる人
工ダイヤモンド析出装置において、 前記ワークホルダとフィラメントの周囲にこれらを囲む
箱体を設け、該箱体の一端に前記反応ガス導入管から反応ガスを箱体
内に導入するノズルを設けるとともに他端を開口して反
応ガスを排出する排気口とし、前記被処理材は反応ガス
の流入方向にほぼ直交する方向に且つ前記箱体内壁との
間に若干の隙間を形成して配設されている ことを特徴と
する人工ダイヤモンド析出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991026652U JP2534080Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991026652U JP2534080Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114571U JPH04114571U (ja) | 1992-10-08 |
| JP2534080Y2 true JP2534080Y2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=31911086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991026652U Expired - Fee Related JP2534080Y2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534080Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181796A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶成長方法 |
| SE442305B (sv) * | 1984-06-27 | 1985-12-16 | Santrade Ltd | Forfarande for kemisk gasutfellning (cvd) for framstellning av en diamantbelagd sammansatt kropp samt anvendning av kroppen |
| JP2562921B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1996-12-11 | 昭和電工株式会社 | 気相法ダイヤモンドの合成方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP1991026652U patent/JP2534080Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04114571U (ja) | 1992-10-08 |
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