JPS58181796A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
- Publication number
- JPS58181796A JPS58181796A JP6591882A JP6591882A JPS58181796A JP S58181796 A JPS58181796 A JP S58181796A JP 6591882 A JP6591882 A JP 6591882A JP 6591882 A JP6591882 A JP 6591882A JP S58181796 A JPS58181796 A JP S58181796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- reaction
- crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、結ｔｌｆ＋成長方法に関するものである。
従来の気相成長法を第１図とともに述べる。反応管１の
中に設置されたボート２の−Ｌにサセプター３をおき、
その上に結晶成長用の基板４をおく。
中に設置されたボート２の−Ｌにサセプター３をおき、
その上に結晶成長用の基板４をおく。
基板周辺の加熱方式は、高周波加熱、抵抗加熱方式等が
あるが、基板４近傍の温度検知として熱電対５を設ける
。反応管１の両端はエンドキャップ６．７で閉じられ、
片方端のたとえば２つのガス導入管８，９より、反応ガ
ス１０．１１をそれぞれ反応管１の中に導入する。反応
を終えたガスは他端の排気管１２より外部に排出される
。反応管１内に導入された反応ガス１０．１ ｔは反応
し、所望の結晶が基板４上に結晶成するが、それ以外の
領域例えば反応管１の内壁１３にも反応生成物１４が付
着する。通常反応管１は透明な石英でできているので、
付着物１４が付着すると中の状態が見えなくなる。通常
、結晶結成を行なう時は、その度ごとに、サセプタ３、
ポート２を外にとり出し、サセプタ３上に新しい基板を
置いて、元の正規の反応管１内の位置にセットする。し
かし、反応管１の内壁の付着物１４のため反応管１内の
様子が見えず、正規の位置へのセットが難しくなる。結
晶成長の度に反応管１を新しい反応管と交換することは
エンドキャップをはずす等極めて自制である。又、結晶
成長時に付着物１４０基板上への汚染等、結晶成長上問
題が多い。
あるが、基板４近傍の温度検知として熱電対５を設ける
。反応管１の両端はエンドキャップ６．７で閉じられ、
片方端のたとえば２つのガス導入管８，９より、反応ガ
ス１０．１１をそれぞれ反応管１の中に導入する。反応
を終えたガスは他端の排気管１２より外部に排出される
。反応管１内に導入された反応ガス１０．１ ｔは反応
し、所望の結晶が基板４上に結晶成するが、それ以外の
領域例えば反応管１の内壁１３にも反応生成物１４が付
着する。通常反応管１は透明な石英でできているので、
付着物１４が付着すると中の状態が見えなくなる。通常
、結晶結成を行なう時は、その度ごとに、サセプタ３、
ポート２を外にとり出し、サセプタ３上に新しい基板を
置いて、元の正規の反応管１内の位置にセットする。し
かし、反応管１の内壁の付着物１４のため反応管１内の
様子が見えず、正規の位置へのセットが難しくなる。結
晶成長の度に反応管１を新しい反応管と交換することは
エンドキャップをはずす等極めて自制である。又、結晶
成長時に付着物１４０基板上への汚染等、結晶成長上問
題が多い。
本発明はかかる従来の問題点を鑑みなされたもので、反
応管内の様子がよく見え、正規の所望の位置に基板を容
易にセットできること、反応管内壁付着物による基板成
長層への汚染をなくすこと、及び反応管を取りはずすこ
となく常に新しいりセット状態に結晶成長系をおくこと
を可能とする方法を提供するものである。第２図に本発
明の一実施例に用いる成長装置を示す。第１図と同一番
号は同一物を示す。
応管内の様子がよく見え、正規の所望の位置に基板を容
易にセットできること、反応管内壁付着物による基板成
長層への汚染をなくすこと、及び反応管を取りはずすこ
となく常に新しいりセット状態に結晶成長系をおくこと
を可能とする方法を提供するものである。第２図に本発
明の一実施例に用いる成長装置を示す。第１図と同一番
号は同一物を示す。
反応管１の内に、これとほぼ同じ大きさで第２の反応管
として筒状のたとえば石英管１５を入れる。その」二に
ボート２、サセプター３及び結晶成長用のたとえば結晶
基板４をおく。筒状の石英管１６は反応管１より径が小
さく、反応管１丙から着脱が容易であるものとする。こ
の状態で、ガス導入管８，９より反応ガス１０．１１を
、反応管１内に導入すると、基板４上に結晶が成長する
だけでなく、石英管１６の内壁にも付着物１４が付着す
る。それ故、石英管１６は汚れるが、次の結晶成長時に
必要ならばこの石英管１６を反応管１内より取りはずし
、新しい石英管１５を反応管１内に設置すればよい。こ
うすることにより、外部からは基板４の設定位置は、は
っきり見え、基板４の設定位置を正確にする必要がある
時、あるいは基板近傍での設定位置を正確にする必要が
ある治具を設置する場合などに極めて有効である。更に
、ドーパントとしての不純物を用いた時は、石英管１６
の内壁は汚れるが、次にｕｎ−ｄｏｐｅ の結晶を成
長したい時は、この石英管１６を新しいものと交換する
と共にサセプタ３を交換すれば容易にｕｎｄｏｐｅの結
晶成長を行なうことが可能となる。
として筒状のたとえば石英管１５を入れる。その」二に
ボート２、サセプター３及び結晶成長用のたとえば結晶
基板４をおく。筒状の石英管１６は反応管１より径が小
さく、反応管１丙から着脱が容易であるものとする。こ
の状態で、ガス導入管８，９より反応ガス１０．１１を
、反応管１内に導入すると、基板４上に結晶が成長する
だけでなく、石英管１６の内壁にも付着物１４が付着す
る。それ故、石英管１６は汚れるが、次の結晶成長時に
必要ならばこの石英管１６を反応管１内より取りはずし
、新しい石英管１５を反応管１内に設置すればよい。こ
うすることにより、外部からは基板４の設定位置は、は
っきり見え、基板４の設定位置を正確にする必要がある
時、あるいは基板近傍での設定位置を正確にする必要が
ある治具を設置する場合などに極めて有効である。更に
、ドーパントとしての不純物を用いた時は、石英管１６
の内壁は汚れるが、次にｕｎ−ｄｏｐｅ の結晶を成
長したい時は、この石英管１６を新しいものと交換する
と共にサセプタ３を交換すれば容易にｕｎｄｏｐｅの結
晶成長を行なうことが可能となる。
以上のように、本発明によれば、特に気相成長の難点の
一つである反応管内壁への反応生成物の付着の問題点す
なわち内が見えなくなる成長層への汚染等が解決され、
今後の気相成長法には欠くことのできないすぐれた方法
を得ることができる。
一つである反応管内壁への反応生成物の付着の問題点す
なわち内が見えなくなる成長層への汚染等が解決され、
今後の気相成長法には欠くことのできないすぐれた方法
を得ることができる。
第１図は従来の成長に用いる反応装置の概略構成図、第
２図は本発明の一実施例にかかる成長に用いる反応装置
の概略構成図である。 １・・・・・・反応管、４・・・・・・基板、１０．１
１・・・・・・反応ガス、１５・・・・・・石英管。
２図は本発明の一実施例にかかる成長に用いる反応装置
の概略構成図である。 １・・・・・・反応管、４・・・・・・基板、１０．１
１・・・・・・反応ガス、１５・・・・・・石英管。
Claims (1)
- 第１の反応管内に着脱可能な第２の反応管を設置し、ｉ
ｆｆ記第２の反応管内に反応ガスを導入して前記第２の
反応管内に設置された基板上に結晶成長を行うことを特
徴とする結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6591882A JPS58181796A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6591882A JPS58181796A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181796A true JPS58181796A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13300827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6591882A Pending JPS58181796A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114571U (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
| JPS5539630A (en) * | 1978-09-13 | 1980-03-19 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growth device |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6591882A patent/JPS58181796A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319181A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Hitachi Ltd | Low pressure reaction apparatus |
| JPS5539630A (en) * | 1978-09-13 | 1980-03-19 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growth device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04114571U (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 人工ダイヤモンド析出装置 |
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