JPS639945A - 真空中の電気特性測定方法 - Google Patents
真空中の電気特性測定方法Info
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- JPS639945A JPS639945A JP61154357A JP15435786A JPS639945A JP S639945 A JPS639945 A JP S639945A JP 61154357 A JP61154357 A JP 61154357A JP 15435786 A JP15435786 A JP 15435786A JP S639945 A JPS639945 A JP S639945A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路等の電気特性を真空中で測定するに際し、
被測定試料の温度を試料台に設けた温度検出器で検出し
、熱電変換素子を収容し該試料台を搭載した冷却板で制
御することによって、 所望の温度条件での測定を可能にしたものである。
、熱電変換素子を収容し該試料台を搭載した冷却板で制
御することによって、 所望の温度条件での測定を可能にしたものである。
本発明は集積回路等の電気特性を真空中で測定する方法
の改良に関する。
の改良に関する。
近年、絶縁基板に回路素子を形成してなる集積回路や、
内部配線は高密度化し、1〜2μmという細いパターン
が用いられるようになった。
内部配線は高密度化し、1〜2μmという細いパターン
が用いられるようになった。
このように細い配線に印加されている電圧は、金属プロ
ーブを使用し測定することが困難である。
ーブを使用し測定することが困難である。
このような場合、例えば電子ビームを試料(内部配線)
に照射して放出する2次電子を検出器で検出し、電圧を
測定する電子ビームプロービング装置が用いられており
、該装置で測定試料は真空室内の試料台に搭載するよう
になる。
に照射して放出する2次電子を検出器で検出し、電圧を
測定する電子ビームプロービング装置が用いられており
、該装置で測定試料は真空室内の試料台に搭載するよう
になる。
第2図は従来の電子ビームプロービング装置の概略図で
あり、加速電源1により電圧が印加された電子銃2から
発射された電子ビーム3は、レン電源4によって駆動さ
れる対物レンズ8により試料9上で集束、偏向操作され
る。
あり、加速電源1により電圧が印加された電子銃2から
発射された電子ビーム3は、レン電源4によって駆動さ
れる対物レンズ8により試料9上で集束、偏向操作され
る。
電子ビーム3で照射された試料9は2次電子10を放出
し、この2次電子10はシンチレータ等によって構成さ
れる検出器1)で検出され、増幅器12で増幅された後
ブラウン管13に放出2次電子10の大きさ、例えば試
料9の配線部の電圧値に反比例した値として表示される
。
し、この2次電子10はシンチレータ等によって構成さ
れる検出器1)で検出され、増幅器12で増幅された後
ブラウン管13に放出2次電子10の大きさ、例えば試
料9の配線部の電圧値に反比例した値として表示される
。
試料9は互いに直交しX、Y方向に可動可能なx−yス
テージ14に搭載し、X−Yステージ14は架台16上
に設けられている。
テージ14に搭載し、X−Yステージ14は架台16上
に設けられている。
X−Yステージ14.架台16は真空室17内に設けら
れており、真空試料室17の下部には真空状態を作るた
めの排気装置18が設けられ、真空室17内の気体を排
気している。
れており、真空試料室17の下部には真空状態を作るた
めの排気装置18が設けられ、真空室17内の気体を排
気している。
従来の電子ビームプロービング装置において、試料9は
X−Yステージ14の上面に装着したプリント配線板等
に搭載し測定しており、試料9から発生する熱は熱伝導
性の良くない該配線板等を伝播しX−Yステージ14等
から放出するようになる。
X−Yステージ14の上面に装着したプリント配線板等
に搭載し測定しており、試料9から発生する熱は熱伝導
性の良くない該配線板等を伝播しX−Yステージ14等
から放出するようになる。
従って、電力消費が多く発熱量の多い試料は、限度を超
えて温度上昇することがあり、その時は測定を中断し冷
却を待たなければならない。さらに、成る高温領域で特
性を保証するため、試料を所定温度に加熱し測定しよう
とするときは、その都度適当なヒータを真空室に配置す
るという問題点があった。
えて温度上昇することがあり、その時は測定を中断し冷
却を待たなければならない。さらに、成る高温領域で特
性を保証するため、試料を所定温度に加熱し測定しよう
とするときは、その都度適当なヒータを真空室に配置す
るという問題点があった。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、第1図に示す
ように、被測定試料30の電気特性を測定する真空室内
において、 熱伝導性を有する基板22の上に熱電変換素子を収容し
た冷却板24を搭載し、 冷却板24の上に熱伝導性を有する試料台26.28を
介して被測定試料30を搭載し、 試料台28に埋設した温度検出器38の検出情報により
該熱電変換素子に通電し、被測定試料30の温度を制御
することを特徴とし、 さらには、基板22と冷却板24との間および、冷却板
24と試料30との間に、低蒸気圧の充填剤23,25
、27.29を塗着することを特徴とした真空中の電気
特性測定方法である。
ように、被測定試料30の電気特性を測定する真空室内
において、 熱伝導性を有する基板22の上に熱電変換素子を収容し
た冷却板24を搭載し、 冷却板24の上に熱伝導性を有する試料台26.28を
介して被測定試料30を搭載し、 試料台28に埋設した温度検出器38の検出情報により
該熱電変換素子に通電し、被測定試料30の温度を制御
することを特徴とし、 さらには、基板22と冷却板24との間および、冷却板
24と試料30との間に、低蒸気圧の充填剤23,25
、27.29を塗着することを特徴とした真空中の電気
特性測定方法である。
上記手段によれば、測定中に被測定試料の温度制御が可
能となり、所望の温度条件下で測定値が得られるように
なる。そのため、測定作業が効率化し、信頼性の高いデ
ータを得られることで、集積回路等の高性能化が実現し
た。
能となり、所望の温度条件下で測定値が得られるように
なる。そのため、測定作業が効率化し、信頼性の高いデ
ータを得られることで、集積回路等の高性能化が実現し
た。
以下に、本発明を電子ビームプロービング装置に適用し
た実施例を説明する。
た実施例を説明する。
第1図は本発明の一実施例による電子ビームプロービン
グ装置の要部の側面図である。
グ装置の要部の側面図である。
第1図において、X、 Y方向に可動可能なX−Yステ
ージ21の上に金属製の基板22を搭載し、基板22の
上に低蒸気圧の充填剤(例えば真空グリース)23で間
隙を埋めるように冷却板24を搭載する。
ージ21の上に金属製の基板22を搭載し、基板22の
上に低蒸気圧の充填剤(例えば真空グリース)23で間
隙を埋めるように冷却板24を搭載する。
冷却板24は半導体熱電変換素子を収容し、上面が冷却
面としたとき下面は放熱面であり、該冷却面と放熱面と
は熱電変換素子に流す電流の方向によって逆転する。そ
して、該熱電変換素子はリード線37を介し、真空室の
外に配設した電源装置(図示せず)に接続される。
面としたとき下面は放熱面であり、該冷却面と放熱面と
は熱電変換素子に流す電流の方向によって逆転する。そ
して、該熱電変換素子はリード線37を介し、真空室の
外に配設した電源装置(図示せず)に接続される。
冷却板24の上には真空グリース25で間隙を埋めるよ
うに金属製の第1の試料台26を搭載し、その上に真空
グリース27を介し金属製の第2の試料台28を搭載し
、試料台28の上に真空グリース29を介して被測定試
料30を搭載する。 ′被測定試料30は、電子素
子31をパッケージ基板32に搭載してなり、基板32
に搭載した電子素子31と電気的に接続した多数の端子
33は、ソケット34の端子35と接続し、端子35は
真空室の外に配設した試験装置(図示せず)とリード線
36で接続されるようになる。
うに金属製の第1の試料台26を搭載し、その上に真空
グリース27を介し金属製の第2の試料台28を搭載し
、試料台28の上に真空グリース29を介して被測定試
料30を搭載する。 ′被測定試料30は、電子素
子31をパッケージ基板32に搭載してなり、基板32
に搭載した電子素子31と電気的に接続した多数の端子
33は、ソケット34の端子35と接続し、端子35は
真空室の外に配設した試験装置(図示せず)とリード線
36で接続されるようになる。
他方、試料台28の上部には温度検出器(熱電対)38
を埋設してあり、そのリード線39は真空室の外に配設
した増幅器(図示せず)を介し、例えば予め設定した検
出値を超えると冷却板24に通電し、検出値が成る値以
下になると該通電を断つようにする。
を埋設してあり、そのリード線39は真空室の外に配設
した増幅器(図示せず)を介し、例えば予め設定した検
出値を超えると冷却板24に通電し、検出値が成る値以
下になると該通電を断つようにする。
なお図中において、40.41はねじ、42は座金であ
り、ねじ40と座金42は冷却板24を挟み基板22に
試料台26を固着するため、ねじ41は試料台26に試
料台28を固着するためのものである。
り、ねじ40と座金42は冷却板24を挟み基板22に
試料台26を固着するため、ねじ41は試料台26に試
料台28を固着するためのものである。
このように構成した装置において、試料30に通電し発
生する熱は、試料台26.28および冷却板24を介し
て基板22に1伝播し冷却される。そして、該発熱量が
大で試料30の温度が上昇し成る値になると、上面が冷
却面となるように冷却板24に通電し、試料30の温度
が所定値を超えないように、試料台26 、28を介し
冷却する。他方、高温度で試料30の特性を測定したい
ときは、冷却板24に前記通電と逆方向に通電し、冷却
板24の下面が冷却面となり上面が放熱面となるように
すると、試料30は試料台26.28を介し加熱される
ようになる。
生する熱は、試料台26.28および冷却板24を介し
て基板22に1伝播し冷却される。そして、該発熱量が
大で試料30の温度が上昇し成る値になると、上面が冷
却面となるように冷却板24に通電し、試料30の温度
が所定値を超えないように、試料台26 、28を介し
冷却する。他方、高温度で試料30の特性を測定したい
ときは、冷却板24に前記通電と逆方向に通電し、冷却
板24の下面が冷却面となり上面が放熱面となるように
すると、試料30は試料台26.28を介し加熱される
ようになる。
なお、上記実施例において試料台を一対の試料台26.
28に分割したのは、大きさや形状が異なる各種の試料
に対応し試料台の対応を可能かつ容易にするためであり
、本発明の目的は試料台26.28を一体にしても達成
されることを付記する。
28に分割したのは、大きさや形状が異なる各種の試料
に対応し試料台の対応を可能かつ容易にするためであり
、本発明の目的は試料台26.28を一体にしても達成
されることを付記する。
以上説明したように本発明によれば、被測定試料の冷却
と加熱が該試料の測定に並行し実施可能となり、所望の
温度における電気特性を測定できる。そのため、測定作
業が効率化すると共に、測定値の信鯨性が向上し集積回
路等の高性能化に寄与した効果を有する。
と加熱が該試料の測定に並行し実施可能となり、所望の
温度における電気特性を測定できる。そのため、測定作
業が効率化すると共に、測定値の信鯨性が向上し集積回
路等の高性能化に寄与した効果を有する。
第1図は本発明の一実施例による装置要部の側面図、
第2図は従来の電子ビームプロービング装置の概略図、
である。
図中において、
22は基板、 24は冷却板、
23.25,27.29は真空グリース(充填剤)、2
6.28は試料台、30は被測定試料、38は熱電対(
温度検出器)、 を示す。 〕く亮e月の一賞未シ炒・1(二よろj饋l」普筈障イ
則面図第 1 図
6.28は試料台、30は被測定試料、38は熱電対(
温度検出器)、 を示す。 〕く亮e月の一賞未シ炒・1(二よろj饋l」普筈障イ
則面図第 1 図
Claims (2)
- (1)被測定試料(30)の電気特性を測定する真空室
内において、 熱伝導性を有する基板(22)の上に熱電変換素子を収
容した冷却板(24)を搭載し、 該冷却板(24)の上に熱伝導性を有する試料台(26
、28)を介して被測定試料(30)を搭載し、該試料
台(28)に埋設した温度検出器(38)の検出情報に
より該熱電変換素子に通電し、該被測定試料(30)の
温度を制御することを特徴とした真空中の電気特性測定
方法。 - (2)前記基板(22)と前記冷却板(24)との間お
よび、該冷却板(24)と前記試料(30)との間に、
低蒸気圧の充填剤(23、25、27、29)を塗着す
ることを特徴とした前記特許請求の範囲第1項記載の真
空中の電気特性測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61154357A JPS639945A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 真空中の電気特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61154357A JPS639945A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 真空中の電気特性測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS639945A true JPS639945A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15582389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61154357A Pending JPS639945A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 真空中の電気特性測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS639945A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2604985A (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-21 | Ostec Electro Ltd | The temperature-vacuum impacting device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5926080A (ja) * | 1982-05-28 | 1984-02-10 | テムプトロニツク・コ−ポレ−シヨン | 物体を支持および保持する装置 |
JPS5957444A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 半導体基板測定用カセツト式ユニツト |
JPS5986235A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 半導体基板の電気的特性測定方法 |
JPS59124140A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61154357A patent/JPS639945A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5926080A (ja) * | 1982-05-28 | 1984-02-10 | テムプトロニツク・コ−ポレ−シヨン | 物体を支持および保持する装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB2604985A (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-21 | Ostec Electro Ltd | The temperature-vacuum impacting device |
NL2030144A (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | Ostec Electro Ltd | The temperature-vacuum impacting device |
GB2604985B (en) * | 2021-03-19 | 2023-07-26 | Ostec Electro Ltd | The temperature-vacuum impacting device |
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