JPS58220438A - 半導体ウエハ測定載置台 - Google Patents
半導体ウエハ測定載置台Info
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- JPS58220438A JPS58220438A JP57104111A JP10411182A JPS58220438A JP S58220438 A JPS58220438 A JP S58220438A JP 57104111 A JP57104111 A JP 57104111A JP 10411182 A JP10411182 A JP 10411182A JP S58220438 A JPS58220438 A JP S58220438A
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- semiconductor wafer
- measurement
- chuck top
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に、半導体ウェハ測定載置台に関する。
半導体産業の進展に、トランジスタから工０゜ＩＪＳ工
へとｆｌ＃シ、生Ｓｔの増大とともに測定。
へとｆｌ＃シ、生Ｓｔの増大とともに測定。
検査１選別のｘｉ性が高まりつつある。
このうち、半導体基板におけるキャリア濃度分布は、そ
こに形成さｎる半導体素子の特性を決定する主壁なパラ
メータとなるので、その清缶な測定か要求されている。
こに形成さｎる半導体素子の特性を決定する主壁なパラ
メータとなるので、その清缶な測定か要求されている。
従来より、このキャリア濃度分布の測定方法の１つとし
て、ｐ”Ｍｋ合、ショットキ９１１ＭＯ８ダイオードを
用するａ−Ｖ法が公知である。この０−Ｖ法では、半導
体ウェハに電極を取ｐ付けなければならないという大き
な欠点がある。
て、ｐ”Ｍｋ合、ショットキ９１１ＭＯ８ダイオードを
用するａ−Ｖ法が公知である。この０−Ｖ法では、半導
体ウェハに電極を取ｐ付けなければならないという大き
な欠点がある。
七こで、本願発明者は、第１図に示すように、ウエハプ
ローバを用いて、七の探針１０により半導体ウェハ１１
の測定筒用への電気的接続を行うこと“を考え丸。
ローバを用いて、七の探針１０により半導体ウェハ１１
の測定筒用への電気的接続を行うこと“を考え丸。
しかし、従来の半導体ウニノー測定載置台１２は率に金
属テーブルで構成されているため、七の谷ｉ１−直が比
較的大きいストレイ（Ｂ ｔｒａｙ ）キャパシタＣ８
を持つものである。そして、この中ヤパシタＯｅは、測
屍（ロ）路の一部として作用する測定載置台に対して生
じるものであるので、測定回路内に介在することとなっ
て、上記半導体ウエノＳ１１における測定すべき菓子の
容ｆｉ１ｍの測定を不能にするものである。
属テーブルで構成されているため、七の谷ｉ１−直が比
較的大きいストレイ（Ｂ ｔｒａｙ ）キャパシタＣ８
を持つものである。そして、この中ヤパシタＯｅは、測
屍（ロ）路の一部として作用する測定載置台に対して生
じるものであるので、測定回路内に介在することとなっ
て、上記半導体ウエノＳ１１における測定すべき菓子の
容ｆｉ１ｍの測定を不能にするものである。
この問題を解決するため、本顧発明者げ、半導体ウェハ
Ｉｌｌ 足載置台に上記ストレイキャノくシタに対して
シールドを施すことを考えた。
Ｉｌｌ 足載置台に上記ストレイキャノくシタに対して
シールドを施すことを考えた。
この発明の目的は、簡単に半導体ウエノ・における倣小
官ｔｔ−高相度に測定することのできる半導体ウェハ測
定載置せを提供することにある。
官ｔｔ−高相度に測定することのできる半導体ウェハ測
定載置せを提供することにある。
この発明の他の目的は、以下の股間及び図面から明らか
になるであろう。
になるであろう。
以下、この発明を実施例とともに詳細に説明する。
第２図には、この発明の一実施例の半導体ウェハ測定載
置台とその測定回路の概略図が示されている。
（□ この実施例では、半導体ウェハ・１１の測定＊置台１２
として、七の上面が半導体ウェハ・１１の載置面とされ
、導電性の金属で形厄されたチャックトップ１の下面側
に絶縁性の層２を弁してシールド板３を設けるものであ
る。このシールド板３は、導電性の金属で形成され、ス
トレイキャパシタＣＢを測定回路内から分離させるため
、測定回路（装置）の接地電位が与えられている。
置台とその測定回路の概略図が示されている。
（□ この実施例では、半導体ウェハ・１１の測定＊置台１２
として、七の上面が半導体ウェハ・１１の載置面とされ
、導電性の金属で形厄されたチャックトップ１の下面側
に絶縁性の層２を弁してシールド板３を設けるものであ
る。このシールド板３は、導電性の金属で形成され、ス
トレイキャパシタＣＢを測定回路内から分離させるため
、測定回路（装置）の接地電位が与えられている。
なお、Ｉ１１定回路に、同軸ケーブルに１って、主要な
回路組が構成され、上記半導体ウェハ１１の一刀の１を
極への接続に、探針１０によって行い、他方の電極への
接続は、チャックトップ１に工って行う。
回路組が構成され、上記半導体ウェハ１１の一刀の１を
極への接続に、探針１０によって行い、他方の電極への
接続は、チャックトップ１に工って行う。
そして、１６号源Ｖによって、上記半導体ウェハ１１の
所定の測定すべき素子に交流信号が印加さｎ、ベクトル
電圧計ＶＶ（よって、その両端の電圧が御Ｉ定さｎ、ベ
クトル電流＃ｔ＾に工って、その篭流直が測定さｎる。
所定の測定すべき素子に交流信号が印加さｎ、ベクトル
電圧計ＶＶ（よって、その両端の電圧が御Ｉ定さｎ、ベ
クトル電流＃ｔ＾に工って、その篭流直が測定さｎる。
なお、この実施例回路は、主★な１器の接続関係のみを
示すものである。特に制限さｎないが、上記素子ととも
にブリッジ回路ｔ−ｍｇする回路網が測定装置に設けら
れており、上ｍｌベクトル電圧ｆＩｔｖ、ベクトル電流
計＾による街１１定結果から、菓子の容ｊｉ直を求める
ものでめる。
示すものである。特に制限さｎないが、上記素子ととも
にブリッジ回路ｔ−ｍｇする回路網が測定装置に設けら
れており、上ｍｌベクトル電圧ｆＩｔｖ、ベクトル電流
計＾による街１１定結果から、菓子の容ｊｉ直を求める
ものでめる。
この工うなＯ−Ｖ法による測定は、当業者に力１いて周
知であるので、その詳細な籾、明全省略する。
知であるので、その詳細な籾、明全省略する。
この実施例では、半導体ウエノ・１１が載置されるチャ
ックトップ１の下層に、シールド板３が設けられている
とともに、そこに沖１定装置の接地電位が与えられてい
るために、ストレイキャノくシタ０８を測定回路から分
離させることができる。
ックトップ１の下層に、シールド板３が設けられている
とともに、そこに沖１定装置の接地電位が与えられてい
るために、ストレイキャノくシタ０８を測定回路から分
離させることができる。
ちなみに、第１図において、探針１０を開放した状態で
測定すると、約３０ｐＦの容量測定結果が得られた。測
定すべ′＠素子の谷ｔ＠は、せいぜい１０ｐ？程度であ
るので測定不能となる。これに対して、第２図の実施例
において、同様な条件で測定すると、約３ｆＦ程度とな
シ、ストレイキャパシタ０８の影響を受けないものとな
る。
測定すると、約３０ｐＦの容量測定結果が得られた。測
定すべ′＠素子の谷ｔ＠は、せいぜい１０ｐ？程度であ
るので測定不能となる。これに対して、第２図の実施例
において、同様な条件で測定すると、約３ｆＦ程度とな
シ、ストレイキャパシタ０８の影響を受けないものとな
る。
こｎにより、極めて精度の高い微小容量の測定を簡単に
行うことができる。
行うことができる。
第３図には、この発明の他の一実施例の障ｒ面図か示さ
れている〇 この実施例で框、半導体ウェハ・に対するＢＴ（Ｂｉａ
ｇ ａｎｄ Ｔｅｙｏｐ＊ａｔｕｒｅ ）処理機１１
持７’Ｃせ、６ために、半導体ウェハ測定載置台１２は
、仄のような多層構造とされている。
れている〇 この実施例で框、半導体ウェハ・に対するＢＴ（Ｂｉａ
ｇ ａｎｄ Ｔｅｙｏｐ＊ａｔｕｒｅ ）処理機１１
持７’Ｃせ、６ために、半導体ウェハ測定載置台１２は
、仄のような多層構造とされている。
第１鳩目には、チャックトップ１が構成される。
このチャックトップ１は、％に制限されないが、導電性
及び熱導伝性を持つ金属、例えばステンレス鋼で形成さ
れる。この理由は、耐蝕性を有することと、半導体ウェ
ハの熱膨張率と適合しているためである。
及び熱導伝性を持つ金属、例えばステンレス鋼で形成さ
れる。この理由は、耐蝕性を有することと、半導体ウェ
ハの熱膨張率と適合しているためである。
そして、その表向は、第４図に示すように、同心状の複
数の＃１１ＬないしＩＣが形成さｎｌその＃１ａないし
ＩＣの底面には吸気口（図示せず）が形成さｎ１半導体
ウェハを真空成層する。
数の＃１１ＬないしＩＣが形成さｎｌその＃１ａないし
ＩＣの底面には吸気口（図示せず）が形成さｎ１半導体
ウェハを真空成層する。
上目ピチャックトップ１の下面には、絶縁層２を弁して
、シールド板３が設けらｎている。上記絶縁層２は、雲
母又はセライック等の耐熱性を有する材料で形成６れる
。
、シールド板３が設けらｎている。上記絶縁層２は、雲
母又はセライック等の耐熱性を有する材料で形成６れる
。
シールド板３は、導電性及び熱導伝性の金属、例えば蛸
によって形成される。仁の実施例ではシールド板３に、
ラジェータが組込まれている。
によって形成される。仁の実施例ではシールド板３に、
ラジェータが組込まれている。
すなわち、その上面又は下向側に溝が形成さｎここにパ
イプが組込まれて、選択的に水を流し込ムコトにより、
チャックトップの冷却を行なう。
イプが組込まれて、選択的に水を流し込ムコトにより、
チャックトップの冷却を行なう。
第４図に示さ几たパイプ３ａ、３ａ’は、その水流口で
ある。また、３ｂは、泪１１定装置の接地電位を与える
ための熾子である。
ある。また、３ｂは、泪１１定装置の接地電位を与える
ための熾子である。
上記シールド板３の下層には、上記同様な絶縁層番を介
してヒーター５が設けられている。
してヒーター５が設けられている。
このヒーター５は、例えば雲母内にニクロム線が形成さ
れた薄い板状のものであり、上記絶縁層４及びその下層
に設けらｎた同様な絶縁層６に、ヒーター５の絶縁性を
高めるためのものである。
れた薄い板状のものであり、上記絶縁層４及びその下層
に設けらｎた同様な絶縁層６に、ヒーター５の絶縁性を
高めるためのものである。
そして、ヒーター５の下層には、上記絶縁層６を介して
、断熱板７が設けられる。この断熱板７に、ヒーター５
にＬシ発生した熱が下層側に漏洩するのを防止するもの
で６９、例えＦｉ石綿によって形成場れている。
、断熱板７が設けられる。この断熱板７に、ヒーター５
にＬシ発生した熱が下層側に漏洩するのを防止するもの
で６９、例えＦｉ石綿によって形成場れている。
この断熱板７の下層にみ、取付台８が設けられる。この
取付台８は、例えば、ウエノ１プローバにおけるステー
ジ機構への取付を行なうものでるる。
取付台８は、例えば、ウエノ１プローバにおけるステー
ジ機構への取付を行なうものでるる。
そして、上配谷層ｔ−貫通する吸気パイプ９が設けらｎ
１チヤツクトツプ１の吸気口とつながっている。このパ
イプ９Ｆｉ、真空源と選択的に接続さｎ１測定中の半導
体ウェハを真空吸着させるために用いらｎる。なお、こ
のパイプ９の少なくともその表面は絶縁さｎ１各層間の
絶縁ｔ−保っている。
１チヤツクトツプ１の吸気口とつながっている。このパ
イプ９Ｆｉ、真空源と選択的に接続さｎ１測定中の半導
体ウェハを真空吸着させるために用いらｎる。なお、こ
のパイプ９の少なくともその表面は絶縁さｎ１各層間の
絶縁ｔ−保っている。
第３図の半導体ウェハ測定載置台１２框、例えば、次の
ようなりＴ処理を伴う素子のＯ−Ｖ法の測定を行うため
に用いる。
ようなりＴ処理を伴う素子のＯ−Ｖ法の測定を行うため
に用いる。
１ず、常温で素子の測′定をおこない、次にヒータを作
動させて半導体ウェハを約３００℃の高温とするととも
に、素子に所定のバイアス電圧を印加する。所定の保持
時間（約１０分）上記ＢＴＴ処理行った後、ヒータの作
動を停止するとともにラジェータを作＠嘔せて半導体ウ
ェハを再び常温に戻して素子の測定をおこなう。上記Ｂ
ＴＴ処理前後の測定結果のｌから、半導体ウェハに営ま
れるナトリュウムイオン等の不純物含有量を測定して、
半導体ウェハの評価を高精度に行うものである。
動させて半導体ウェハを約３００℃の高温とするととも
に、素子に所定のバイアス電圧を印加する。所定の保持
時間（約１０分）上記ＢＴＴ処理行った後、ヒータの作
動を停止するとともにラジェータを作＠嘔せて半導体ウ
ェハを再び常温に戻して素子の測定をおこなう。上記Ｂ
ＴＴ処理前後の測定結果のｌから、半導体ウェハに営ま
れるナトリュウムイオン等の不純物含有量を測定して、
半導体ウェハの評価を高精度に行うものである。
この実施例の半導体ウェハ測定載置台は、上記ＢＴ処理
機能を持つものであるのでその用途が拡大する。
機能を持つものであるのでその用途が拡大する。
この発明ヰ、前配爽施例に限定さｎな込。
半導体ウエノ・を固定させる手段は、伺であってもよい
。
。
また、ウエハブローバに取付けるもののほか、半導体ウ
エノ・測定載置台としてひろく利用することが出来る。
エノ・測定載置台としてひろく利用することが出来る。
第１図は、従来のウエノ・プローバを用いた測定法の一
例を示す概略図、第２図は、この発明の一実施例を示す
半導体ウエノ・測定載置台とその測定回路の概略図、第
３図は、この発明の他の一実施例を示す半導体ウエノ・
測定載置台の断面図、第４図は、その表面図である。
例を示す概略図、第２図は、この発明の一実施例を示す
半導体ウエノ・測定載置台とその測定回路の概略図、第
３図は、この発明の他の一実施例を示す半導体ウエノ・
測定載置台の断面図、第４図は、その表面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、その上面が半導体ウェハの載置面とされ、・導電性
の金属で形成されたチャックトップと、このチャックト
ップの下面側に絶縁性の層を介して般けられ、測定装置
の接地電位が与えられる導電性の金属で形成されたシー
ルド板とｔ含むことに％徴と下る半導体ウェハ測定載置
台。 ２、 上記シールド板は、ラジェータを内蔵し、七の下
面側に電気的に絶縁さｒした板状のヒータが設けられる
ものであることを特徴とする特許請求の範曲第１項記載
の半導体ウェハ測定載置台。 ３、特許請求の範曲第１又は第２項記載の半導体ウェハ
測定載置台は、半導体ウェハクローバのステージ機−に
取付けらｎるものであることを特徴とする半導体ウェハ
測定載置台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104111A JPS58220438A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104111A JPS58220438A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220438A true JPS58220438A (ja) | 1983-12-22 |
| JPH0340947B2 JPH0340947B2 (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=14372012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104111A Granted JPS58220438A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220438A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63138745A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Tokyo Electron Ltd | プロ−バ用載置台の構造 |
| JPS63151039A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 誘電体絶縁層ステ−ジによるウエハｌｓｉの検査方法 |
| JPS6472079A (en) * | 1987-06-24 | 1989-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Electrical characteristic measuring instrument |
| US4884026A (en) * | 1987-06-24 | 1989-11-28 | Tokyo Electron Limited | Electrical characteristic measuring apparatus |
| US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
| WO2001080307A1 (fr) * | 2000-04-13 | 2001-10-25 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat en ceramique |
| JP2006128351A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 容量測定システム及び容量測定方法 |
| JP2008004730A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ用チャック |
| JP2008227206A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 載置台 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330992A (en) * | 1976-06-28 | 1978-03-23 | Minnesota Mining & Mfg | Luminescent phosphorescnt substances* composites thereof and sensitizing screens using same |
| JPS54153A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Hitachi Ltd | Panel device |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57104111A patent/JPS58220438A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JP2008227206A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 載置台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340947B2 (ja) | 1991-06-20 |
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